JPH05314556A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05314556A JPH05314556A JP11764092A JP11764092A JPH05314556A JP H05314556 A JPH05314556 A JP H05314556A JP 11764092 A JP11764092 A JP 11764092A JP 11764092 A JP11764092 A JP 11764092A JP H05314556 A JPH05314556 A JP H05314556A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- recording medium
- optical recording
- film
- reflective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温高湿条件で使用しても、反射膜に亀裂、
剥離、腐食等が生じない光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 反射膜を有する光磁気記録媒体において、前
記反射膜はＡｌと、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａの少なくとも１種
と、Ｂ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃの少なくとも１種とを含むことを
特徴とする光磁気記録媒体。 【効果】 長期にわたって使用しても信号読み取りに異
常が生じない。
剥離、腐食等が生じない光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 反射膜を有する光磁気記録媒体において、前
記反射膜はＡｌと、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａの少なくとも１種
と、Ｂ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃの少なくとも１種とを含むことを
特徴とする光磁気記録媒体。 【効果】 長期にわたって使用しても信号読み取りに異
常が生じない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、長期安定性に優れた光
磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来技術】光磁気記録媒体は記録層である磁性膜の温
度を上昇させると共に外部から磁界を与え、反転磁界を
利用して情報を記録または消去する。一方、情報の再生
は磁性膜に照射されたレーザー光の反射光により磁気光
学効果を利用している。
度を上昇させると共に外部から磁界を与え、反転磁界を
利用して情報を記録または消去する。一方、情報の再生
は磁性膜に照射されたレーザー光の反射光により磁気光
学効果を利用している。
【０００３】光磁気記録媒体は、一般に、ポリカーボネ
ート等の透光性基板に誘電膜と磁性膜と反射膜、また
は、磁性膜と誘電膜と反射膜を順次形成し、さらに、こ
の上に紫外線硬化性保護膜を施している。反射膜は、基
板側より入射したレーザー光を多重反射させる効果によ
り、ファラデー回転角やカー回転角である磁気光学効果
を高め、Ｓ／Ｎ比を大きくしている。
ート等の透光性基板に誘電膜と磁性膜と反射膜、また
は、磁性膜と誘電膜と反射膜を順次形成し、さらに、こ
の上に紫外線硬化性保護膜を施している。反射膜は、基
板側より入射したレーザー光を多重反射させる効果によ
り、ファラデー回転角やカー回転角である磁気光学効果
を高め、Ｓ／Ｎ比を大きくしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来使用され
ている光磁気記録媒体は長期信頼性を調べるために高温
高湿条件に保存していると、反射膜が亀裂、剥離、腐食
等を生じて、信号読み取り性能上の指標とされるエラー
レートが増加し、ジッターが著しく劣化するという問題
があった。
ている光磁気記録媒体は長期信頼性を調べるために高温
高湿条件に保存していると、反射膜が亀裂、剥離、腐食
等を生じて、信号読み取り性能上の指標とされるエラー
レートが増加し、ジッターが著しく劣化するという問題
があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、反射膜
を有する光磁気記録媒体において、前記反射膜はＡｌ
と、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａの少なくとも１種と、Ｂ，Ｓｉ，
Ｐ，Ｃの少なくとも１種とを含むことを特徴とする光磁
気記録媒体である。
を有する光磁気記録媒体において、前記反射膜はＡｌ
と、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａの少なくとも１種と、Ｂ，Ｓｉ，
Ｐ，Ｃの少なくとも１種とを含むことを特徴とする光磁
気記録媒体である。
【０００６】
【作用】本発明の作用は詳細には明らかではないが、本
発明の光磁気記録媒体の反射膜は、Ａｌと安定性の高い
酸化膜を成形する金属との化合物であるため、耐蝕性を
向上させることができる。さらに、該化合物の結晶粒径
を小さくすることにより、成形される酸化膜の緻密さを
増すことがきると推測される。
発明の光磁気記録媒体の反射膜は、Ａｌと安定性の高い
酸化膜を成形する金属との化合物であるため、耐蝕性を
向上させることができる。さらに、該化合物の結晶粒径
を小さくすることにより、成形される酸化膜の緻密さを
増すことがきると推測される。
【０００７】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を説明するが、
本発明はこれにより限定されるものではない。
本発明はこれにより限定されるものではない。
【０００８】（実施例−１）ポリカーボネート製透光性
ディスク基板上に、Ｓｉ３Ｎ４誘電膜とＴｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏの磁性膜とＳｉ３Ｎ４誘電膜とを順次形成し、さら
に、９９．９９％Ａｌターゲット上に、Ｃｒ−Ｃｏ−Ｂ
−Ｐ−Ｗの焼結チップを置いた複合ターゲットを用い
て、高周波マグネトロンスパッタ法により膜厚５０ｎｍ
の反射膜を形成した。
ディスク基板上に、Ｓｉ３Ｎ４誘電膜とＴｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏの磁性膜とＳｉ３Ｎ４誘電膜とを順次形成し、さら
に、９９．９９％Ａｌターゲット上に、Ｃｒ−Ｃｏ−Ｂ
−Ｐ−Ｗの焼結チップを置いた複合ターゲットを用い
て、高周波マグネトロンスパッタ法により膜厚５０ｎｍ
の反射膜を形成した。
【０００９】さらに、この反射膜の上に紫外線硬化性樹
脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚さ約８μｍの保護膜を形成して、光磁気記録媒体
を作製した。
脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚さ約８μｍの保護膜を形成して、光磁気記録媒体
を作製した。
【００１０】上記光磁気記録媒体を８０℃，８５％ＲＨ
雰囲気中に２０００時間投入した。前記環境下に保存し
た光磁気記録媒体と、２３℃，５０％ＲＨ雰囲気中に２
０００時間に保存した光磁気記録媒体の、いずれも表面
にピンホールの発生は認められなかった。また、前記二
種類の光磁気記録媒体を波長８３０ｎｍの半導体レーザ
ーで、エラーレート、ジッターを測定したところ測定値
に差はなかった。
雰囲気中に２０００時間投入した。前記環境下に保存し
た光磁気記録媒体と、２３℃，５０％ＲＨ雰囲気中に２
０００時間に保存した光磁気記録媒体の、いずれも表面
にピンホールの発生は認められなかった。また、前記二
種類の光磁気記録媒体を波長８３０ｎｍの半導体レーザ
ーで、エラーレート、ジッターを測定したところ測定値
に差はなかった。
【００１１】また、スライガラスに、９９．９９％Ａｌ
ターゲット上にＣｒ−Ｃｏ−Ｂ−Ｐ−Ｗの焼結チップを
置いた複合ターゲットを用いて、高周波マグネトロンス
パッタ法により膜厚５０ｎｍの反射膜を形成した。前記
反射膜を有するスライガラスを６０℃の１０ｗｔ％Ｎａ
Ｃｌに５時間浸漬し、８３０ｎｍの半導体レーザーで反
射率の変化を測定したところ、浸漬前と浸漬後とで変化
はなかった。
ターゲット上にＣｒ−Ｃｏ−Ｂ−Ｐ−Ｗの焼結チップを
置いた複合ターゲットを用いて、高周波マグネトロンス
パッタ法により膜厚５０ｎｍの反射膜を形成した。前記
反射膜を有するスライガラスを６０℃の１０ｗｔ％Ｎａ
Ｃｌに５時間浸漬し、８３０ｎｍの半導体レーザーで反
射率の変化を測定したところ、浸漬前と浸漬後とで変化
はなかった。
【００１２】（実施例−２）焼結チップとしてＴｉ−Ｂ
−Ｓｉ−Ｎｉ、Ｔａ−Ａｇ−Ｐ−Ｃ、Ｃｒ−Ｂ−Ｃｕ−
Ｗ、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｂ−Ｓｉを用いた以外は実施例−１と
同様にして、膜厚が３０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、６
０ｎｍの反射膜を形成した。上記試料を、実施例−１と
同様な方法で試験した結果、異常は認められなかった。
−Ｓｉ−Ｎｉ、Ｔａ−Ａｇ−Ｐ−Ｃ、Ｃｒ−Ｂ−Ｃｕ−
Ｗ、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｂ−Ｓｉを用いた以外は実施例−１と
同様にして、膜厚が３０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、６
０ｎｍの反射膜を形成した。上記試料を、実施例−１と
同様な方法で試験した結果、異常は認められなかった。
【００１３】（比較例−１）ポリカーボネート製透光性
ディスク基板上に、Ｓｉ３Ｎ４誘電膜とＴｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏの磁性膜とＳｉ３Ｎ４誘電膜とを順次形成し、さら
に、９９．９９％Ａｌターゲット用いたスパッタリング
法により膜厚５０ｎｍの反射膜を形成した。さらに、こ
の反射膜の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、こ
れに紫外線を照射して硬化させ、厚さ約８μｍの保護膜
を形成した。
ディスク基板上に、Ｓｉ３Ｎ４誘電膜とＴｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏの磁性膜とＳｉ３Ｎ４誘電膜とを順次形成し、さら
に、９９．９９％Ａｌターゲット用いたスパッタリング
法により膜厚５０ｎｍの反射膜を形成した。さらに、こ
の反射膜の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、こ
れに紫外線を照射して硬化させ、厚さ約８μｍの保護膜
を形成した。
【００１４】上記光磁気記録媒体を２３℃，５０％ＲＨ
雰囲気中に２０００時間に保存したところ、表面にピン
ホールの発生は認められなかった。しかし、上記光磁気
記録媒体を８０℃，８５％ＲＨ雰囲気中に２０００時間
投入したところ、表面にピンホールの発生が多数認めら
れた。
雰囲気中に２０００時間に保存したところ、表面にピン
ホールの発生は認められなかった。しかし、上記光磁気
記録媒体を８０℃，８５％ＲＨ雰囲気中に２０００時間
投入したところ、表面にピンホールの発生が多数認めら
れた。
【００１５】また、前記二種類の光磁気記録媒体を波長
８３０ｎｍの半導体レーザーで、エラーレート、ジッタ
ーを測定したところ、８０℃，８５％ＲＨ雰囲気中に放
置した光磁気記録媒体は２３℃，５０％ＲＨ雰囲気中に
放置した光磁気記録媒体に対して、エラーレート、ジッ
ターの測定値が劣化していた。
８３０ｎｍの半導体レーザーで、エラーレート、ジッタ
ーを測定したところ、８０℃，８５％ＲＨ雰囲気中に放
置した光磁気記録媒体は２３℃，５０％ＲＨ雰囲気中に
放置した光磁気記録媒体に対して、エラーレート、ジッ
ターの測定値が劣化していた。
【００１６】また、スライガラス上に９９．９９％Ａｌ
ターゲット上を用いて、スパッタリング法により膜厚５
０ｎｍの反射膜を形成した。前記反射膜を有するスライ
ガラスを６０℃の１０ｗｔ％ＮａＣｌに５時間浸漬し、
８３０ｎｍの半導体レーザーで反射率の変化を測定した
ところ、浸漬前の反射率に対して浸漬後の反射率は大き
く低下していた。
ターゲット上を用いて、スパッタリング法により膜厚５
０ｎｍの反射膜を形成した。前記反射膜を有するスライ
ガラスを６０℃の１０ｗｔ％ＮａＣｌに５時間浸漬し、
８３０ｎｍの半導体レーザーで反射率の変化を測定した
ところ、浸漬前の反射率に対して浸漬後の反射率は大き
く低下していた。
【００１７】以上述べたように本実施例の光磁気記録媒
体は高温高湿条件に保存しても、反射膜が亀裂、剥離、
腐食等を生じないため、信号読み取りに異常が生じな
い。
体は高温高湿条件に保存しても、反射膜が亀裂、剥離、
腐食等を生じないため、信号読み取りに異常が生じな
い。
【００１８】上記実施例はＣｒ−Ｃｏ−Ｂ−Ｐ−Ｗ等の
焼結チップを使用しているが、ＣｒとＢとの化合物、Ｃ
ｏとＰとの化合物等を使用しても良い。
焼結チップを使用しているが、ＣｒとＢとの化合物、Ｃ
ｏとＰとの化合物等を使用しても良い。
【００１９】上記実施例にも示したが、Ａｌと、Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｔａの少なくとも１種と、Ｂ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃの少
なくとも１種以外にも、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｍ
ｇ，Ｂｅ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｓ，Ｂｉ，Ｓｂの少なくとも１種以
上の元素を、反射膜に含有させても良い。
Ｔｉ，Ｔａの少なくとも１種と、Ｂ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃの少
なくとも１種以外にも、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｍ
ｇ，Ｂｅ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｓ，Ｂｉ，Ｓｂの少なくとも１種以
上の元素を、反射膜に含有させても良い。
【００２０】上記実施例では反射膜を高周波マグネトロ
ンスパッタ法を用いて作成しているが、ＤＣマグネトロ
ンスパッタ法、イオンプレーティング法、クラスターイ
オンビーム法、ＣＶＤ法等により作成することもでき
る。
ンスパッタ法を用いて作成しているが、ＤＣマグネトロ
ンスパッタ法、イオンプレーティング法、クラスターイ
オンビーム法、ＣＶＤ法等により作成することもでき
る。
【００２１】更に、用途によっては、反射膜の上に金
属、無機もしくは有機膜の１種またはこれらを組み合わ
せた保護膜を施してもかまわない。
属、無機もしくは有機膜の１種またはこれらを組み合わ
せた保護膜を施してもかまわない。
【００２２】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は高温高湿条件
で使用しても、反射膜が亀裂、剥離、腐食等を生じない
ため、エラーレートの増加、ジッターの劣化が生じない
ので、長期安定性に優れる。
で使用しても、反射膜が亀裂、剥離、腐食等を生じない
ため、エラーレートの増加、ジッターの劣化が生じない
ので、長期安定性に優れる。
Claims (1)
- 【請求項１】 反射膜を有する光磁気記録媒体におい
て、前記反射膜はＡｌと、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａの少なくと
も１種と、Ｂ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃの少なくとも１種とを含む
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11764092A JPH05314556A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11764092A JPH05314556A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314556A true JPH05314556A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14716702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11764092A Pending JPH05314556A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05314556A (ja) |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP11764092A patent/JPH05314556A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4725502A (en) | Information recording medium having Al-Ti alloy reflective layer | |
| EP1403860B1 (en) | High-density readable only optical disk | |
| JPH11273151A (ja) | 銀反射体を用いた記録可能な要素用の記録媒体 | |
| JPH03183037A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0644608A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH05314556A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2771601B2 (ja) | 光学記録媒体及びその製造方法 | |
| US5091267A (en) | Magneto-optical recording medium and process for production of the same | |
| JPH03156753A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH02265051A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH11232696A (ja) | 誘電性の中間層を有する記録可能な光ディスク | |
| JPH04321948A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH05109115A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP3030713B2 (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH02261822A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH06243520A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH04302832A (ja) | 光ディスク | |
| JP2944127B2 (ja) | 光記憶体 | |
| JPH02128346A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPH02195543A (ja) | 光磁気ディスク | |
| JPH11167748A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH06243521A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH02273343A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH06131700A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0254437A (ja) | 光ディスク |