JPH05313031A - 導波路の製造方法 - Google Patents

導波路の製造方法

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JPH05313031A
JPH05313031A JP4116184A JP11618492A JPH05313031A JP H05313031 A JPH05313031 A JP H05313031A JP 4116184 A JP4116184 A JP 4116184A JP 11618492 A JP11618492 A JP 11618492A JP H05313031 A JPH05313031 A JP H05313031A
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JP
Japan
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waveguide
substrate
core
film
diffusion
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Pending
Application number
JP4116184A
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English (en)
Inventor
Masataka Nakazawa
正隆 中沢
Katsuyuki Imoto
克之 井本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 コア部の構造パラメータが均一な導波路の製
造方法を提供することを可能とする。 【構成】 基板10の表面に、形成すべきコアRに沿っ
て拡散用Ag膜を形成し、その拡散用Ag膜を除く基板
10の表面をエッチングすることによりリッジ状のコア
部Rが形成され、このリッジ状のコア部Rと基板10の
裏にそれぞれ設けられた電極12a、13間の電圧Vと
雰囲気の温度及び加熱時間を制御することにより拡散用
金属Agの拡散深さ及び幅Wを制御することができ、コ
ア部Rの構造パラメータが均一になることを特徴として
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、導波路の製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】近年、光を伝搬する導波路の開発が行わ
れており、ガラス又は強誘電体からなる基板内へ金属イ
オンを拡散することにより屈折率を変化させ、その変化
した部分をコアとする導波路を製造する方法が検討され
ている。
【0003】図4(a)は従来の導波路を説明するため
の説明図、図4(b)は導波路の外観斜視図である。
【0004】図4(a)において、導波路は、リン酸塩
系レーザガラス(HOYA製、型式LHG15)からな
る基板1の表面に、Tiを用いて形成すべきコア2のマ
スクパターン3を形成し、その上から拡散源である金属
膜(Ag膜)4を蒸着し、このAg膜4の上及び基板1
の裏面に電極としてAu膜5を形成し、約400°Cで
所定の電圧Vを数時間印加することにより、Ag膜4か
らAgイオンをマスクパターン3の隙間を通して基板1
中に拡散させたものである。これにより、コア2の断面
が半円状のチャンネル導波路が形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図5
(a)及び(b)に示した導波路はNA(開口数)が
0.32のマルチモードの導波路であるが、この導波路
を実現する上では次のような問題点がある。
【0006】(1)Agイオンが拡散されたコア部内の
屈折率分布が印加電圧、加熱温度、加熱時間によって変
化するため、例えば方向性結合器、合分波器、フィルタ
等精密さが要求される光部品を製造するときの再現性が
低くなり、歩留まりに影響を与えるおそれがある、
(2)コア部が半円状のため、製造した光部品の偏光依
存性が大きい、(3)コア部の径が印加電圧、加熱温
度、加熱時間によって変化するため、(1)と同様に光
部品を製造するときの歩留まりに影響を与える、(4)
コア部の径が数μmから30μm程度の細いシングルモ
ード或いは疑似シングルモードの導波路を製造するのが
困難である、という問題点がある。
【0007】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、コア部の構造パラメータが均一な導波路の製造方法
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板の表面に、形成すべきコアに沿って拡
散用金属膜を形成し、その拡散用金属膜を基板中に拡散
させてコアを形成する導波路の製造方法において、その
拡散用金属膜部を除く基板の表面をエッチングしてリッ
ジ状に形成し、そのリッジ部に拡散用金属を拡散させる
ものである。
【0009】
【作用】本発明によれば、基板に予め形成されたリッジ
状のコア部に拡散用金属が拡散されることにより、拡散
の範囲がこのリッジ状のコア部内に制限されるので、リ
ッジの幅の再現性が良くなり、拡散が均一に行われる。
しかもそのコア部の両側面が空気に接する構造にした後
で拡散用金属を拡散させるので、リッジの幅方向に対し
ては拡散速度が速くなり、屈折率分布がほぼ一様にな
る。さらにコア部の断面の形状がほぼ矩形状であるため
偏光依存性が小さく抑えられる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
【0011】図1に導波路の製造工程の概略を示す。製
造工程は次の8つからなる。
【0012】(a)リン酸塩系ガラスからなるガラスの
基板10の表面に、拡散用金属としてのAg膜11を一
様に形成する。このAg膜11は真空蒸着、スパッタリ
ング、電子ビーム等の方法によって形成され、その膜厚
は約0.01μm〜1μmの範囲内にあればよい。な
お、基板10にはリン酸塩系ガラスを用いたが、これに
限定されずホウ酸塩系ガラス、ケイ酸塩系ガラス等のガ
ラスや、LiNbO3 、LiTaO3 等の強誘電体のい
ずれの材料を用いてもよい。また、拡散用金属にはAg
を用いたが、Ag、Na、Tl、Kを少なくとも一種類
含んでいればよい。
【0013】(b)Ag膜11の表面(図の上側)上及
び基板10の裏面(図の下側)に、電極用金属膜として
のAu膜12、13をそれぞれ形成する。このAu膜1
2、13は、後述するように、エッチングマスクとして
も作用する。その膜厚は約0.1μmから数μmの範囲
にあればよいが、その膜厚が厚い程、後述するリッジ部
Rの深さ方向の長さTを長くすることができる。なお、
電極用金属にはAuを用いたが、これに限定されるもの
でなく、例えば、Au、Ti、WSi、WN、Cr等を
少なくとも一種類含んでいればよい。
【0014】(c)Au膜12の上に、フォトレジスト
膜を一様に塗布し、その上からコアパターン用フォトマ
スクを介して露光した後、現像、定着等のフォトリソグ
ラフィ工程を経て、フォトレジスト膜によるコアパター
ン14を形成する。
【0015】(d)フォトレジストによるコアパターン
14をマスクとしてドライエッチング工程を経て、Au
膜及びAg膜によるコアパターン11a、12aを形成
する。尚、ドライエッチングの際のエッチングガスに
は、例えばCCl4 、CCl2 2 、C2 Cl2 4
CHF3 、CF4 、NF3 等が用いられる。
【0016】(e)フォトレジストによるコアパターン
14、Au膜12a及びAg膜11aをマスクとしてド
ライエッチングを行い、基板10の表面をエッチングす
る。これにより基板10に深さTのリッジ状のコア部
R、すなわちリッジ部Rが形成され、このコア部Rの両
側面が露出する。そのエッチング深さTは数μmから数
十μmの範囲まで幅広く選択することができる。また、
コアパターン14、Au膜12a及びAg膜11aの幅
Wも数μmから数十μmの範囲まで幅広く選択すること
ができる。
【0017】(f)コアパターン14を剥離した後、A
u膜12aとAu膜13との間に電圧Vを印加すると共
に、約200〜500°Cの高温雰囲気中に数時間保持
して加熱することにより、リッジ部R内にAgイオンを
拡散させる。このリッジ部RへのAgイオンの拡散の深
さは印加電圧V、雰囲気温度、加熱時間を変化させるこ
とによって制御することができるので、コア部Rの幅や
深さ(構造パラメータ)が均一に制御できる。
【0018】(g)Au膜12a、13及びAg膜11
aを剥離する。この剥離はドライエッチング或いはウエ
ットエッチングによって行われる。
【0019】(h)Agイオンが拡散されたリッジ部R
及び基板10の表面に低屈折率のクラッド膜15を被覆
することにより、埋め込み構造の導波路が形成される。
【0020】このように、本実施例によれば、マスクを
用いてコア部をリッジ状に形成しているので、リッジ部
の幅を再現性良く、しかも均一に作ることができる。ま
た、コアを予めリッジ状に形成し、両側面を空気に接す
る構造にした後で拡散用金属イオンをリッジ部に拡散さ
せているので、幅方向に対しては屈折率分布をほぼ一様
に形成することができる。したがって2つのコア部を接
近させて構成した方向性結合器、合分波器、フィルタ等
を製作する場合、コア−クラッド−コア間の境界の屈折
率の段差をはっきりと正確に形成することができ、再現
性良く製作することができる。また、コア部の断面の形
状がほぼ矩形状であるため、偏光依存性を小さく抑える
ことができる。さらにコア径が数μm程度のシングルモ
ード導波路も容易に製造することができる。したがっ
て、コア部の構造パラメータが均一な導波路を製造する
ことができる。
【0021】図2は、本発明の導波路の製造方法により
実現できる導波路の他の一例の断面図である。
【0022】図1に示した導波路との相違点は、1つの
基板20に、2つの同一深さ同一幅のコア部R1 2
形成されており、それらがクラッド21で被覆されてい
る点であり、方向性結合器、合分波器、フィルタ等を形
成する際に用いられる。
【0023】図3は、本発明の導波路の製造方法により
実現できる導波路のさらに他の一例の断面図である。
【0024】図1に示した導波路との相違点は、1つの
基板30に、3つの異なる構造パラメータを有するコア
3 、R4 、R5 が平行に配置して結合され、それらが
クラッド31で被覆されている点である。
【0025】この導波路は、それぞれのコアR3
4 、R5 内へのAgイオンの拡散深さ及びコアR3
4 、R5 の幅(W1 、W2 及びW3 )が異なるように
形成されており、例えば、コアR1 内を伝搬している波
長λ1 及びλ2 の光信号に対して波長λ1 の光信号はコ
アR4 へ結合させて伝搬させ、波長λ2 の光信号はコア
5 へ結合させて伝搬させる光合分波器を構成する上で
有効な構造を有している。この構造は、例えば、(佐
野、井本、高崎、前田、“結合器型光合分波器”、昭和
62年電子通信学会創立70周年記念総合全国大会資料
No.2447)に述べられている。
【0026】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を有する。
【0027】(1)マスクを用いてリッジ状のコアを形
成しているので、リッジ部の幅を再現性良くしかも均一
に製作することができる。
【0028】(2)コア部の幅が数μm程度のシングル
モード導波路の製作が容易となる。
【0029】(3)コア部を予めリッジ状に形成し、そ
の両側面を空気に接する構造にした後で、拡散用金属イ
オンをリッジ状部内に拡散させているため、リッジの幅
方向に対しては拡散速度が速くなり屈折率分布をほぼ一
様にすることができる。
【0030】(4)少なくとも2つのコア部を平行に配
置し結合導波路を構成し、それにより方向性結合器、合
分波器、フィルタ等を製作する場合に、コアークラッド
−コア間の境界の屈折率の段差をくっきりと正確に形成
することができるため、光部品を高性能かつ再現性よく
製作することができる。
【0031】(5)コア部の形状がほぼ矩形状であるた
め、偏光依存性を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の導波路の製造工程の概略図である。
【図2】本発明の導波路の製造方法により実現できる導
波路の他の一例の断面図である。
【図3】本発明の導波路の製造方法により実現できる導
波路のさらに他の一例の断面図である。
【図4】(a)は従来の導波路を説明するための説明
図、(b)は従来の導波路の外観斜視図である。
【符号の説明】
10、20、30 基板 11 Ag膜 12、13 Au膜 14 コアパターン 15 クラッド

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の表面に、形成すべきコアに沿って
    拡散用金属膜を形成し、その拡散用金属膜を基板中に拡
    散させてコアを形成する導波路の製造方法において、そ
    の拡散用金属膜部を除く基板の表面をエッチングしてリ
    ッジ状に形成し、そのリッジ部に前記拡散用金属を拡散
    させることを特徴とする導波路の製造方法。
  2. 【請求項2】 ガラス又は強誘電体からなる基板の表面
    に、拡散用金属膜を形成し、その表裏に電極用金属膜を
    形成し、その表面にフォトレジスタ膜を塗布した後フォ
    トリソグラフィにより表面にコアパターンを形成し、表
    面の各金属及び前記基板をドライエッチングによりエッ
    チングしてリッジ状に形成し、前記両電極用金属膜間に
    所定の電圧を印加すると共に、前記基板を高温雰囲気中
    に所定の時間保持し、前記リッジ状に形成されたリッジ
    部に前記拡散用金属のイオンを拡散した後前記各金属を
    剥離し、前記基板の表面をクラッド材で被覆することを
    特徴とする導波路の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記拡散用金属膜に、Ag、Na、K及
    びTlの少なくとも一種類を用いたことを特徴とする請
    求項1に記載の導波路の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記電極用金属膜に、Au、Ti、WS
    i、WN及びCrの少なくとも一種類を用いたことを特
    徴とする請求項1に記載の導波路の製造方法。
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