JPH05311466A - フッ化不働態膜を形成した工業材料 - Google Patents
フッ化不働態膜を形成した工業材料Info
- Publication number
- JPH05311466A JPH05311466A JP14812592A JP14812592A JPH05311466A JP H05311466 A JPH05311466 A JP H05311466A JP 14812592 A JP14812592 A JP 14812592A JP 14812592 A JP14812592 A JP 14812592A JP H05311466 A JPH05311466 A JP H05311466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- tungsten
- phosphorus
- nickel
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】耐食性を著しく向上させることが出来、特に半
導体製造の分野において有効なフッ化不働態膜を形成し
た工業材料を提供すること。 【構成】基材の表面に、組成がニッケル・タングステン
・リンからなり、その組成範囲がタングステン５％以下
およびリン９％以上の合金薄膜を形成し、該合金薄膜の
少なくとも表面に、タングステン・リンを含まないフッ
化不働態膜を形成したこと。
導体製造の分野において有効なフッ化不働態膜を形成し
た工業材料を提供すること。 【構成】基材の表面に、組成がニッケル・タングステン
・リンからなり、その組成範囲がタングステン５％以下
およびリン９％以上の合金薄膜を形成し、該合金薄膜の
少なくとも表面に、タングステン・リンを含まないフッ
化不働態膜を形成したこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属、セラミックスあ
るいはプラスチック等の表面にフッ化不働態膜を形成し
た工業材料に関し、特にハロゲンガス等の腐食性ガスに
対する耐食性を著しく向上させることを可能としたフッ
化不働態膜を形成した工業材料に関する。
るいはプラスチック等の表面にフッ化不働態膜を形成し
た工業材料に関し、特にハロゲンガス等の腐食性ガスに
対する耐食性を著しく向上させることを可能としたフッ
化不働態膜を形成した工業材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造プロセスにおいて
は、例えば、ＢＣｌ3、ＳｉＦ4、ＷＦ6、Ｃｌ2等の反応
性及び腐食性の強い特殊ガスが使用されており、このガ
ス雰囲気中に水分が存在すると加水分解が生じ、塩化水
素やフッ化水素等の強い腐食性を示す酸が発生してしま
う。そのため、これらのガスを扱う貯蔵容器、配管、反
応チャンバ等にアルミニウムまたはアルミニウム合金製
品（以下アルミニウム製品と略称する）を使用しても、
容易に腐食されてしまうという問題点があった。
は、例えば、ＢＣｌ3、ＳｉＦ4、ＷＦ6、Ｃｌ2等の反応
性及び腐食性の強い特殊ガスが使用されており、このガ
ス雰囲気中に水分が存在すると加水分解が生じ、塩化水
素やフッ化水素等の強い腐食性を示す酸が発生してしま
う。そのため、これらのガスを扱う貯蔵容器、配管、反
応チャンバ等にアルミニウムまたはアルミニウム合金製
品（以下アルミニウム製品と略称する）を使用しても、
容易に腐食されてしまうという問題点があった。
【０００３】上記ガスによる腐食を防止することが種々
試みられている。既に本発明者等は、ＡｌまたはＡｌ合
金の表面にニッケル・タングステン・リンからなるめっ
き膜を形成し、該めっき膜の少なくとも表面にタングス
テン・リンを含まないフッ化不働態膜を形成した材料に
係る発明を出願した（特願平２−２８３１５１号）。
試みられている。既に本発明者等は、ＡｌまたはＡｌ合
金の表面にニッケル・タングステン・リンからなるめっ
き膜を形成し、該めっき膜の少なくとも表面にタングス
テン・リンを含まないフッ化不働態膜を形成した材料に
係る発明を出願した（特願平２−２８３１５１号）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記出
願に係る発明により形成されたフッ化不働態膜は、基材
の表面に形成されたニッケル合金薄膜が、一部ニッケル
及びニッケル合金の混合相からなり、従って形成された
フッ化不働態膜も完全な均一膜となり得ず、理想的な不
働態膜が形成されていない。
願に係る発明により形成されたフッ化不働態膜は、基材
の表面に形成されたニッケル合金薄膜が、一部ニッケル
及びニッケル合金の混合相からなり、従って形成された
フッ化不働態膜も完全な均一膜となり得ず、理想的な不
働態膜が形成されていない。
【０００５】本発明は前述した点に鑑みてなされたもの
で、腐食性ガス等における耐食性を著しく向上させるこ
とが出来、特に半導体製造の分野において有効なフッ化
不働態膜を形成した工業材料を提供することをその課題
とする。
で、腐食性ガス等における耐食性を著しく向上させるこ
とが出来、特に半導体製造の分野において有効なフッ化
不働態膜を形成した工業材料を提供することをその課題
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題は、基材の表面
に、組成がニッケル・タングステン・リンから成り、且
つその構造が前記ニッケル・タングステン・リンから成
る単一の相（以下単相のニッケル・タングステン・リン
と言う）で構成されたニッケル合金薄膜を形成し、該合
金薄膜の少なくとも表面に、タングステン・リンを含ま
ないフッ化不働態膜を形成した工業材料に於いて、特に
上記３成分から成るニッケル合金薄膜の夫々の組成範囲
をタングステン５％以下およびリン９％以上となすこと
により、解決される。
に、組成がニッケル・タングステン・リンから成り、且
つその構造が前記ニッケル・タングステン・リンから成
る単一の相（以下単相のニッケル・タングステン・リン
と言う）で構成されたニッケル合金薄膜を形成し、該合
金薄膜の少なくとも表面に、タングステン・リンを含ま
ないフッ化不働態膜を形成した工業材料に於いて、特に
上記３成分から成るニッケル合金薄膜の夫々の組成範囲
をタングステン５％以下およびリン９％以上となすこと
により、解決される。
【０００７】
【発明の構成並びに作用】元来、ニッケル・タングステ
ン・リンめっき膜は優れた耐食性を示すことは周知の事
実であり、更にニッケル・タングステン・リンめっき膜
をフッ化不働態化処理してニッケル・タングステン・リ
ンめっき膜の表面に形成されたＮｉＦ2よりなるフッ化
不働態膜は更に優れた耐食性を示す点については、本発
明者等により、既に出願されている（特願平２−２８３
１５１号）。
ン・リンめっき膜は優れた耐食性を示すことは周知の事
実であり、更にニッケル・タングステン・リンめっき膜
をフッ化不働態化処理してニッケル・タングステン・リ
ンめっき膜の表面に形成されたＮｉＦ2よりなるフッ化
不働態膜は更に優れた耐食性を示す点については、本発
明者等により、既に出願されている（特願平２−２８３
１５１号）。
【０００８】しかしながら、本発明者等が更に研究を重
ねた結果、ニッケル・タングステン・リンめっき膜中の
各元来の比率を最適に設定することにより、著しく優れ
た特性を示す略々単相のニッケル・タングステン・リン
めっき膜上に形成されたフッ化不働態膜を形成し得るこ
とを発見した。
ねた結果、ニッケル・タングステン・リンめっき膜中の
各元来の比率を最適に設定することにより、著しく優れ
た特性を示す略々単相のニッケル・タングステン・リン
めっき膜上に形成されたフッ化不働態膜を形成し得るこ
とを発見した。
【０００９】即ち通常のニッケル・タングステン・リン
めっき膜はフッ化不働態化処理の過程によりニッケル及
びニッケル合金の混合相からなる膜が形成され、この様
な混合相膜上に形成されたフッ化不働態膜は、粒界を伴
った不均一な不働態膜となり、理想的な不働態膜には成
り難いことが本発明者等の引き続く研究で明らかとなっ
た。
めっき膜はフッ化不働態化処理の過程によりニッケル及
びニッケル合金の混合相からなる膜が形成され、この様
な混合相膜上に形成されたフッ化不働態膜は、粒界を伴
った不均一な不働態膜となり、理想的な不働態膜には成
り難いことが本発明者等の引き続く研究で明らかとなっ
た。
【００１０】本発明者等は理想的単相膜上に形成された
フッ化不働態膜を形成すべくＸ線回折による構造解析を
試みた結果、目的とする略々単相のニッケル・タングス
テン・リンめっき膜上に形成されたフッ化不働態膜を形
成すべき条件を確立すると共に、本発明により形成され
たフッ化不働態膜は耐食性能を評価するに最も優れた評
価方法である不働態電位測定法により従来のフッ化不働
態膜よりも一段と優れた性能を有することを確認した。
フッ化不働態膜を形成すべくＸ線回折による構造解析を
試みた結果、目的とする略々単相のニッケル・タングス
テン・リンめっき膜上に形成されたフッ化不働態膜を形
成すべき条件を確立すると共に、本発明により形成され
たフッ化不働態膜は耐食性能を評価するに最も優れた評
価方法である不働態電位測定法により従来のフッ化不働
態膜よりも一段と優れた性能を有することを確認した。
【００１１】本発明の最大の特徴は、上記略々単相のニ
ッケル・タングステン・リンから成るニッケル合金薄膜
の夫々の組成範囲を、特にタングステン５％以下、およ
びリン９％以上、更に望ましくはタングステン０．５％
以上２％以下、およびリン１０％以上１３．５％以下と
することであり、この様な特定の組成範囲となすことに
より、この上に形成されるフッ化不働態膜の耐食性を著
しく向上せしめ得る点にある。
ッケル・タングステン・リンから成るニッケル合金薄膜
の夫々の組成範囲を、特にタングステン５％以下、およ
びリン９％以上、更に望ましくはタングステン０．５％
以上２％以下、およびリン１０％以上１３．５％以下と
することであり、この様な特定の組成範囲となすことに
より、この上に形成されるフッ化不働態膜の耐食性を著
しく向上せしめ得る点にある。
【００１２】この際、上記ニッケル合金薄膜の組成範囲
が上記特定の範囲を外れると、フッ化不働態膜の耐食性
は著しく向上しない。
が上記特定の範囲を外れると、フッ化不働態膜の耐食性
は著しく向上しない。
【００１３】本発明に於いては、上記本発明者等の発明
に係る先願たる特願平２−２８３１５１号の発明に対
し、上記ニッケル合金薄膜の夫々の組成範囲を上記特定
の範囲となすこと以外は、全て上記先願発明の技術がそ
のまま採用される。
に係る先願たる特願平２−２８３１５１号の発明に対
し、上記ニッケル合金薄膜の夫々の組成範囲を上記特定
の範囲となすこと以外は、全て上記先願発明の技術がそ
のまま採用される。
【００１４】
【発明の効果】半導体プロセスには反応性及び腐食性の
強い特殊ガスが多数使用されており、又イオンボンバー
ド装置等の最も苛酷な雰囲気でのプロセスが要求され、
且つこれらのプロセスは常に一定の条件で行われること
が歩留向上の必須条件である。
強い特殊ガスが多数使用されており、又イオンボンバー
ド装置等の最も苛酷な雰囲気でのプロセスが要求され、
且つこれらのプロセスは常に一定の条件で行われること
が歩留向上の必須条件である。
【００１５】しかしながら従来の装置は十分な耐食性を
有しておらず、プロセスに伴う腐食が大きな問題となっ
ている。更にプロセスにより発生する副生成物等の装置
への堆積により、常に一定のプロセス条件が得られな
い。従って定期的に装置を開放し洗浄することにより、
プロセス条件を一定化する方法が一般的である。
有しておらず、プロセスに伴う腐食が大きな問題となっ
ている。更にプロセスにより発生する副生成物等の装置
への堆積により、常に一定のプロセス条件が得られな
い。従って定期的に装置を開放し洗浄することにより、
プロセス条件を一定化する方法が一般的である。
【００１６】本発明の工業材料を前記プロセスに採用す
ることにより、装置の腐食が防止出来るだけでなく、プ
ロセスにより発生した堆積物の除去も装置を開放するこ
となしに解決し得る。即ち、耐食性、耐イオンボンバー
ド性の向上により、活性なガス及びプラズマ等の使用が
可能となり、従ってプロセスにより発生した堆積物を揮
発性のガス状に転換し、除去する密閉式洗浄が可能とな
る。プロセス装置の開放は稼働率を極端に低下させるだ
けでなく、今後要求される超高集積半導体の製造に於い
て克服すべき最も重要な課題である。本発明により前記
課題を解決し得るものである。
ることにより、装置の腐食が防止出来るだけでなく、プ
ロセスにより発生した堆積物の除去も装置を開放するこ
となしに解決し得る。即ち、耐食性、耐イオンボンバー
ド性の向上により、活性なガス及びプラズマ等の使用が
可能となり、従ってプロセスにより発生した堆積物を揮
発性のガス状に転換し、除去する密閉式洗浄が可能とな
る。プロセス装置の開放は稼働率を極端に低下させるだ
けでなく、今後要求される超高集積半導体の製造に於い
て克服すべき最も重要な課題である。本発明により前記
課題を解決し得るものである。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。
【００１８】
【実施例１】本実施例に於いて、表面にフッ化不働態膜
を形成した供試材の基材としてはアルミニウム合金（＃
５０８６）を使用した。上記供試材の表面に、夫々含有
量の異なるニッケル・タングステン・リンの無電解めっ
きを施し、夫々のめっき表面をフッ化不働態化処理し
た。
を形成した供試材の基材としてはアルミニウム合金（＃
５０８６）を使用した。上記供試材の表面に、夫々含有
量の異なるニッケル・タングステン・リンの無電解めっ
きを施し、夫々のめっき表面をフッ化不働態化処理し
た。
【００１９】全供試材共にフッ化処理の条件は同一であ
り、３５０℃で８０分間フッ素化の後、不活性ガス中で
３５０℃、１２時間の熱処理を施してある。
り、３５０℃で８０分間フッ素化の後、不活性ガス中で
３５０℃、１２時間の熱処理を施してある。
【００２０】供試材はＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、
Ｈ、Ｉの９種類からなり、供試材Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、
Ｉは本発明による略々単相のニッケル・タングステン・
リン合金薄膜上に形成されたフッ化不働態膜を有す。
Ｈ、Ｉの９種類からなり、供試材Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、
Ｉは本発明による略々単相のニッケル・タングステン・
リン合金薄膜上に形成されたフッ化不働態膜を有す。
【００２１】供試材Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、
Ｉのうち比較例として例示したＡ、Ｂ、Ｃはニッケルお
よびニッケル合金からなる混合相のニッケル・タングス
テン・リン合金薄膜上に形成されたフッ化不働態膜を有
す。
Ｉのうち比較例として例示したＡ、Ｂ、Ｃはニッケルお
よびニッケル合金からなる混合相のニッケル・タングス
テン・リン合金薄膜上に形成されたフッ化不働態膜を有
す。
【００２２】表１に供試材Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、
Ｇ、Ｈ、Ｉのニッケル・タングステン・リンめっき膜
の、めっき処理液のｐＨ、膜厚、めっき膜中のニッケル
・タングステン・リンの各重量％、およびめっき膜の磁
性及び３５０℃×１時間、３５０℃×８時間の熱処理後
の磁性を示す。尚、各重量％の分析はＥＰＭＡ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｓｉ
ｓ）により分析した。
Ｇ、Ｈ、Ｉのニッケル・タングステン・リンめっき膜
の、めっき処理液のｐＨ、膜厚、めっき膜中のニッケル
・タングステン・リンの各重量％、およびめっき膜の磁
性及び３５０℃×１時間、３５０℃×８時間の熱処理後
の磁性を示す。尚、各重量％の分析はＥＰＭＡ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｓｉ
ｓ）により分析した。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【実施例２】ニッケル・タングステン・リンめっき処理
を行う場合のめっき液のｐＨと、めっき膜中のタングス
テン及びリン濃度の含有量の関係曲線を図１に示す。各
供試材共にめっきは硫酸ニッケル・次亜リン酸ナトリウ
ム・タングステン酸ナトリウム・有機酸からなるめっき
液中で、めっき中の温度は８２〜９０℃である。図１よ
りめっき膜中のタングステン及びリン濃度はめっき液の
ｐＨに大きく依存することが明白である。
を行う場合のめっき液のｐＨと、めっき膜中のタングス
テン及びリン濃度の含有量の関係曲線を図１に示す。各
供試材共にめっきは硫酸ニッケル・次亜リン酸ナトリウ
ム・タングステン酸ナトリウム・有機酸からなるめっき
液中で、めっき中の温度は８２〜９０℃である。図１よ
りめっき膜中のタングステン及びリン濃度はめっき液の
ｐＨに大きく依存することが明白である。
【００２５】
【実施例３】ニッケル・タングステン・リンめっき処理
を行う場合のめっき液のｐＨと、めっき膜の磁性の関
係、ならびにめっき膜を３５０℃の大気中で１時間及び
８時間熱処理した場合の磁性曲線を図２に示す。
を行う場合のめっき液のｐＨと、めっき膜の磁性の関
係、ならびにめっき膜を３５０℃の大気中で１時間及び
８時間熱処理した場合の磁性曲線を図２に示す。
【００２６】
【実施例４】供試材Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、
Ｉに形成されたフッ化不働態膜のＸ線回折図を夫々図３
〜１１に順次示す。供試材Ａ、Ｂ、ＣにはＮｉ及びＮｉ
3Ｐの混合相からなる回折ピークが認められる。特に供
試材ＣにはＮｉの大きな回折ピークが認められる。
Ｉに形成されたフッ化不働態膜のＸ線回折図を夫々図３
〜１１に順次示す。供試材Ａ、Ｂ、ＣにはＮｉ及びＮｉ
3Ｐの混合相からなる回折ピークが認められる。特に供
試材ＣにはＮｉの大きな回折ピークが認められる。
【００２７】一方、本発明による供試材Ｄ、Ｅ、Ｆ、
Ｇ、Ｈ、ＩにはＮｉ又はＮｉ3Ｐの回折ピークは認めら
れず、単相のニッケル・タングステン・リンから構成さ
れためっき膜であることが確認される。
Ｇ、Ｈ、ＩにはＮｉ又はＮｉ3Ｐの回折ピークは認めら
れず、単相のニッケル・タングステン・リンから構成さ
れためっき膜であることが確認される。
【００２８】
【実施例５】ニッケル・タングステン・リンめっきの合
金薄膜の表面に形成されたフッ化膜のｘｐｓ（Ｘ−ｒａ
ｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅ
ｔｒｙ）解析結果を図１２に示す。形成されたフッ化膜
はタングステン及びリンを含まないフッ化ニッケルの膜
であることが認められる。この図１２に於いては、スパ
ッタ時間は表面からの深さに相当する。
金薄膜の表面に形成されたフッ化膜のｘｐｓ（Ｘ−ｒａ
ｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅ
ｔｒｙ）解析結果を図１２に示す。形成されたフッ化膜
はタングステン及びリンを含まないフッ化ニッケルの膜
であることが認められる。この図１２に於いては、スパ
ッタ時間は表面からの深さに相当する。
【００２９】
【実施例６】ニッケル・タングステン・リンめっきの合
金薄膜上に形成されたフッ化膜の耐プラズマ性を図１３
に示す。図１３はフッ化膜に強度の異なるＣＦ4プラズ
マを３０分照射した後の残存フッ化膜の割合を示す。本
発明によるフッ化膜は６０ｅＶのプラズマに対しても優
れた耐プラズマ性を示すことが認められる。
金薄膜上に形成されたフッ化膜の耐プラズマ性を図１３
に示す。図１３はフッ化膜に強度の異なるＣＦ4プラズ
マを３０分照射した後の残存フッ化膜の割合を示す。本
発明によるフッ化膜は６０ｅＶのプラズマに対しても優
れた耐プラズマ性を示すことが認められる。
【００３０】
【実施例７】表２にニッケル・タングステン・リンめっ
き膜及び前記めっき膜の表面に形成されたフッ化膜の密
着性を評価した結果を示す。測定は液体窒素中へサンプ
ルを１分間浸漬した後、沸騰水中に１分間浸漬して１サ
イクルとし、繰り返し同一条件で１０サイクル行った。
表２に示す通り、前記過酷な条件においても全く剥離は
認められず、優れた密着性を示す。
き膜及び前記めっき膜の表面に形成されたフッ化膜の密
着性を評価した結果を示す。測定は液体窒素中へサンプ
ルを１分間浸漬した後、沸騰水中に１分間浸漬して１サ
イクルとし、繰り返し同一条件で１０サイクル行った。
表２に示す通り、前記過酷な条件においても全く剥離は
認められず、優れた密着性を示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】
【実施例８】図１４にニッケル・タングステン・リンめ
っきの合金薄膜上に形成されたフッ化膜の分極測定に供
した測定装置を示す。
っきの合金薄膜上に形成されたフッ化膜の分極測定に供
した測定装置を示す。
【００３３】測定は試料面積１ｃｍ2、電解液１Ｎ−Ａ
ｌＣｌ3（４０℃）及び電気掃引速度３０ｍＶ／分の電
位走査法により行った。測定は全て窒素雰囲気中で実施
し、測定の大きな誤差要因となる電解液中の溶存酸素は
高純度窒素により十分脱気した後実施した。電流値の測
定もｎＡ／ｃｍ2の極めて低いオーダーで測定可能に改
良し、フッ化膜の優れた不働態膜特性を評価し得るもの
である。
ｌＣｌ3（４０℃）及び電気掃引速度３０ｍＶ／分の電
位走査法により行った。測定は全て窒素雰囲気中で実施
し、測定の大きな誤差要因となる電解液中の溶存酸素は
高純度窒素により十分脱気した後実施した。電流値の測
定もｎＡ／ｃｍ2の極めて低いオーダーで測定可能に改
良し、フッ化膜の優れた不働態膜特性を評価し得るもの
である。
【００３４】
【実施例９】図１５〜１７に供試材Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉに形成されたフッ化不働態膜の１Ｎ
−ＡｌＣｌ3溶液２５℃中における分極測定結果を示
す。
Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉに形成されたフッ化不働態膜の１Ｎ
−ＡｌＣｌ3溶液２５℃中における分極測定結果を示
す。
【００３５】供試材Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、
Ｉのうち本発明による供試材Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ
は、他の供試材に比べ高電位までｎＡ／ｃｍ2の微電流
域においてさえも電流は認められず、良好な不働態膜で
あることが認められる。特に供試材Ｄ、Ｅに形成された
フッ化不働態は極めて優れた不働態特性を示すことが認
められる。
Ｉのうち本発明による供試材Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ
は、他の供試材に比べ高電位までｎＡ／ｃｍ2の微電流
域においてさえも電流は認められず、良好な不働態膜で
あることが認められる。特に供試材Ｄ、Ｅに形成された
フッ化不働態は極めて優れた不働態特性を示すことが認
められる。
【００３６】
【００３７】
【図１】：めっき液のｐＨとめっき膜中のタングステン
及びリンの含有量の関係を示すグラフである。
及びリンの含有量の関係を示すグラフである。
【００３８】
【図２】：めっき液中のｐＨとめっき膜の磁性との関係
及び加熱時の磁性曲線を示す。
及び加熱時の磁性曲線を示す。
【００３９】
【図３】：フッ化不働態膜を形成した材料（供試材Ａ）
のＸ線回折図である。
のＸ線回折図である。
【００４０】
【図４】：フッ化不働態膜を形成した材料（供試材Ｂ）
のＸ線回折図である。
のＸ線回折図である。
【００４１】
【図５】：フッ化不働態膜を形成した材料（供試材Ｃ）
のＸ線回折図である。
のＸ線回折図である。
【００４２】
【図６】：フッ化不働態膜を形成した材料（供試材Ｄ）
のＸ線回折図である。
のＸ線回折図である。
【００４３】
【図７】：フッ化不働態膜を形成した材料（供試材Ｅ）
のＸ線回折図である。
のＸ線回折図である。
【００４４】
【図８】：フッ化不働態膜を形成した材料（供試材Ｆ）
のＸ線回折図である。
のＸ線回折図である。
【００４５】
【図９】：フッ化不働態膜を形成した材料（供試材Ｇ）
のＸ線回折図である。
のＸ線回折図である。
【００４６】
【図１０】：フッ化不働態膜を形成した材料（供試材
Ｈ）のＸ線回折図である。
Ｈ）のＸ線回折図である。
【００４７】
【図１１】：フッ化不働態膜を形成した材料（供試材
Ｉ）のＸ線回折図である。
Ｉ）のＸ線回折図である。
【００４８】
【図１２】：フッ化不働態膜のｘｐｓ図である。
【００４９】
【図１３】：フッ化不働態膜の耐プラズマ特性を示す図
である。
である。
【００５０】
【図１４】：フッ化不働態膜の分極測定装置である。
【００５１】
【図１５】：同上の材料の分極測定結果を示すグラフで
ある。
ある。
【００５２】
【図１６】：同上の材料の分極測定結果を示すグラフで
ある。
ある。
【００５３】
【図１７】：同上の材料の分極測定結果を示すグラフで
ある。
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三木 正博 大阪府大阪市阿倍野区帝塚山一丁目23番14 −521 (72)発明者 前野 又五郎 大阪府和泉市光明台２−42−６ (72)発明者 平山 良司 大阪府堺市百舌鳥陵南町３丁482 (72)発明者 泉 浩人 大阪府高石市加茂１−19−30 (72)発明者 千葉 和郎 静岡県三島市芙蓉台３−22−３ (72)発明者 三笠 和 静岡県三島市大場1086−166 (72)発明者 高橋 麗子 静岡県沼津市岡一色521−１
Claims (4)
- 【請求項１】基材の表面に、組成がニッケル・タングス
テン・リンからなり、その組成範囲がタングステン５％
以下およびリン９％以上の合金薄膜を形成し、該合金薄
膜の少なくとも表面に、タングステン・リンを含まない
フッ化不働態膜を形成したことを特徴とする工業材料。 - 【請求項２】基材の表面に、組成がニッケル・タングス
テン・リンからなり、その組成範囲がタングステン０．
５％以上２％以下、およびリン１０％以上１３．５％以
下の合金薄膜を形成し、該合金薄膜の少なくとも表面
に、タングステン・リンを含まないフッ化不働態膜を形
成したことを特徴とする請求項１に記載の工業材料。 - 【請求項３】前記基材を金属またはその合金により形成
したことを特徴とする請求項１に記載の工業材料。 - 【請求項４】前記基材を、セラミックスあるいはプラス
チックにより形成したことを特徴とする請求項１に記載
の工業材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04148125A JP3115103B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | フッ化不働態膜を形成した工業材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04148125A JP3115103B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | フッ化不働態膜を形成した工業材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05311466A true JPH05311466A (ja) | 1993-11-22 |
| JP3115103B2 JP3115103B2 (ja) | 2000-12-04 |
Family
ID=15445821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04148125A Expired - Lifetime JP3115103B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | フッ化不働態膜を形成した工業材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3115103B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003034879A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Sony Chem Corp | Ｎｉメッキ粒子及びその製造方法 |
| WO2005014881A3 (en) * | 2003-08-08 | 2005-04-21 | Showa Denko Kk | Production method of substrate with black film and substrate with black film |
| JP2008056978A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Showa Denko Kk | 最表面層がフッ化ニッケル膜である金属材料およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP04148125A patent/JP3115103B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003034879A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Sony Chem Corp | Ｎｉメッキ粒子及びその製造方法 |
| WO2005014881A3 (en) * | 2003-08-08 | 2005-04-21 | Showa Denko Kk | Production method of substrate with black film and substrate with black film |
| JP2008056978A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Showa Denko Kk | 最表面層がフッ化ニッケル膜である金属材料およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3115103B2 (ja) | 2000-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100476497B1 (ko) | 알루미늄합금의처리방법및이방법에의해제조된생성물 | |
| US5039388A (en) | Plasma forming electrode and method of using the same | |
| JPS59184527A (ja) | 気相法装置 | |
| CN113718206A (zh) | 一种具有三明治结构的TaTiN多层薄膜的制备方法以及薄膜 | |
| JPH02247393A (ja) | 耐久性電解用電極及びその製造方法 | |
| JP2954716B2 (ja) | フッ化不働態膜を形成した工業材料およびその製造方法 | |
| JPH05311466A (ja) | フッ化不働態膜を形成した工業材料 | |
| US3835007A (en) | Process for bonding copper or iron to titanium or tantalum | |
| US20180374706A1 (en) | Corrosion resistant coating for semiconductor process equipment | |
| US20150197870A1 (en) | Method for Plating Fine Grain Copper Deposit on Metal Substrate | |
| JP2007107100A (ja) | プラズマ処理容器内複合膜被覆部材およびその製造方法 | |
| JP2963169B2 (ja) | 高周波プラズマ発生用電極 | |
| JP2934263B2 (ja) | アルミニウム材及びその製造方法 | |
| JP3020673B2 (ja) | チタン合金素材のめっき前処理法 | |
| Hajdu | Surface preparation for electroless nickel plating | |
| JP2006089821A (ja) | 半導体加工装置用部材の耐食処理方法およびその処理部材 | |
| JPH04193997A (ja) | セラミックスコーティング方法 | |
| JPS6187893A (ja) | チタニウム又はチタニウム合金への表面処理方法 | |
| CN113891960B (zh) | 耐蚀性构件 | |
| TWI783565B (zh) | 耐蝕性構件 | |
| Salakhova et al. | Effects of different factors on electrochemical obtaining of Re-Te-Сu alloys | |
| US20080115810A1 (en) | Method of reactivating electrode for electrolysis | |
| US4975163A (en) | Electrochemical refractory metal stripper and parts cleaning process | |
| JP2005320614A (ja) | 電解用電極の製造方法 | |
| JP3634460B2 (ja) | 耐ハロゲン系ガス腐食性及び耐ハロゲン系プラズマ腐食性に優れたコーティング膜並びに該コーティング膜を施した積層構造体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000822 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070929 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080929 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090929 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100929 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120929 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120929 Year of fee payment: 12 |