JPH05311406A - レーザ蒸着方法 - Google Patents
レーザ蒸着方法Info
- Publication number
- JPH05311406A JPH05311406A JP11617392A JP11617392A JPH05311406A JP H05311406 A JPH05311406 A JP H05311406A JP 11617392 A JP11617392 A JP 11617392A JP 11617392 A JP11617392 A JP 11617392A JP H05311406 A JPH05311406 A JP H05311406A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基体に対する蒸着膜の密着強度を著しく高め
ることができるようにする。 【構成】 基板６の表面にレーザ蒸着によって蒸着膜を
形成させるに際し、基体６の表面をイオン衝撃によりク
リーニングした後、イオンビームエネルギを最大２００
０ｅＶまで上げ、引続いてレーザ蒸着を行い、イオン衝
撃を徐々に緩和していくことにより、基体６の新生面に
基体材料とターゲット材料とが傾斜的に変化した中間層
を形成する。
ることができるようにする。 【構成】 基板６の表面にレーザ蒸着によって蒸着膜を
形成させるに際し、基体６の表面をイオン衝撃によりク
リーニングした後、イオンビームエネルギを最大２００
０ｅＶまで上げ、引続いてレーザ蒸着を行い、イオン衝
撃を徐々に緩和していくことにより、基体６の新生面に
基体材料とターゲット材料とが傾斜的に変化した中間層
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、金属等の基体上にセ
ラミックスを蒸着するのに利用される蒸着方法に関し、
特に、レーザ光を加熱源とするレーザ蒸着方法に関する
ものである。
ラミックスを蒸着するのに利用される蒸着方法に関し、
特に、レーザ光を加熱源とするレーザ蒸着方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザ蒸着方法としては、例え
ば、図１に示す概略構造のレーザ蒸着装置を用いたレー
ザ蒸着方法がある。
ば、図１に示す概略構造のレーザ蒸着装置を用いたレー
ザ蒸着方法がある。
【０００３】図１に示す概略構造のレーザ蒸着装置１に
おいて、２は真空などの減圧チャンバ、３はガス排出
口、４はターゲット、５はシャッタ、６は基板などの基
体、７はヒータ、８は光学窓、９はレーザ光、１０はイ
オン源、１１は電源、１２はガス導入口である。
おいて、２は真空などの減圧チャンバ、３はガス排出
口、４はターゲット、５はシャッタ、６は基板などの基
体、７はヒータ、８は光学窓、９はレーザ光、１０はイ
オン源、１１は電源、１２はガス導入口である。
【０００４】このようなレーザ蒸着装置１を用いてレー
ザ蒸着を行うに際しては、まず、真空などの減圧チャン
バ２内に、アセトン中で超音波洗浄した基体６およびタ
ーゲット４を設置する。次いで、減圧チャンバ２内をガ
ス排出口３から１０−４Ｐａ台まで排気した後、基体６
をヒータ７により約３８０Ｋに加熱し、脱ガスを行う。
脱ガス後、基体６を所定の温度まで上げてその温度で保
持する。
ザ蒸着を行うに際しては、まず、真空などの減圧チャン
バ２内に、アセトン中で超音波洗浄した基体６およびタ
ーゲット４を設置する。次いで、減圧チャンバ２内をガ
ス排出口３から１０−４Ｐａ台まで排気した後、基体６
をヒータ７により約３８０Ｋに加熱し、脱ガスを行う。
脱ガス後、基体６を所定の温度まで上げてその温度で保
持する。
【０００５】続いて、イオン源１０で基体６のクリーニ
ングを行う。この場合の基体６に対するクリーニング方
法としては、２〜３ＳＣＣＭのアルゴンガスまたは窒素
ガスをガス導入口１２からイオン源１０に注入し、イオ
ンビームエネルギ５００ｅＶのイオンを基体６に照射し
て、基体表面の酸化物等を除去する。そして、１５分程
度経過したあとイオン源１０を切り、ガス排出口３を通
して再び１０−４Ｐａ台まで排気する。
ングを行う。この場合の基体６に対するクリーニング方
法としては、２〜３ＳＣＣＭのアルゴンガスまたは窒素
ガスをガス導入口１２からイオン源１０に注入し、イオ
ンビームエネルギ５００ｅＶのイオンを基体６に照射し
て、基体表面の酸化物等を除去する。そして、１５分程
度経過したあとイオン源１０を切り、ガス排出口３を通
して再び１０−４Ｐａ台まで排気する。
【０００６】その後、レーザ光９を光学窓８を通してタ
ーゲット４に照射する。レーザ光９が照射されたターゲ
ット４は局部的に昇温し、ターゲット４の放線方向に蒸
発粒子１３となって飛び出す、このとき、蒸着膜の組成
を化学量論比に近づけるため、再びイオン源１０から基
体６にイオンビームエネルギ５００ｅＶの窒素イオンを
照射し、蒸着中に窒素をアシストする。
ーゲット４に照射する。レーザ光９が照射されたターゲ
ット４は局部的に昇温し、ターゲット４の放線方向に蒸
発粒子１３となって飛び出す、このとき、蒸着膜の組成
を化学量論比に近づけるため、再びイオン源１０から基
体６にイオンビームエネルギ５００ｅＶの窒素イオンを
照射し、蒸着中に窒素をアシストする。
【０００７】ターゲット４の蒸発速度がほぼ一定になっ
たところで、シャッタ５を開けて蒸着を行う。そして、
蒸発粒子１３は雰囲気中の窒素イオンを取り込みなが
ら、所定の温度に保持された基体６の表面で堆積し、蒸
着膜を形成する。
たところで、シャッタ５を開けて蒸着を行う。そして、
蒸発粒子１３は雰囲気中の窒素イオンを取り込みなが
ら、所定の温度に保持された基体６の表面で堆積し、蒸
着膜を形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のレーザ蒸着方法にあっては、図２のオージェ
分析結果でも明らかなように、オーステナイト系ステン
レス鋼（ＳＵＳ ３０４）よりなる基体と窒化ほう素
（ＢＮ）よりなる蒸着膜との境界がはっきり分かれてい
るため、基体と蒸着膜との密着強度が十分であるとは言
えず、密着強度の向上が最も大きな課題となっていた。
うな従来のレーザ蒸着方法にあっては、図２のオージェ
分析結果でも明らかなように、オーステナイト系ステン
レス鋼（ＳＵＳ ３０４）よりなる基体と窒化ほう素
（ＢＮ）よりなる蒸着膜との境界がはっきり分かれてい
るため、基体と蒸着膜との密着強度が十分であるとは言
えず、密着強度の向上が最も大きな課題となっていた。
【０００９】
【発明の目的】この発明は、上記した従来の課題にかん
がみてなされたものであって、基体とと蒸着膜との密着
強度を十分なものとすることが可能であって、蒸着膜の
剥離を生じがたいものとすることが可能であるレーザ蒸
着方法を提供することを目的としている。
がみてなされたものであって、基体とと蒸着膜との密着
強度を十分なものとすることが可能であって、蒸着膜の
剥離を生じがたいものとすることが可能であるレーザ蒸
着方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるレーザ
蒸着方法は、真空などの減圧チャンバ内に導入したレー
ザ光をターゲットに照射し、前記ターゲットを蒸発させ
て基体の表面に堆積させることにより蒸着膜を形成させ
るに際し、基体の表面をイオン衝撃によりクリーニング
した後、イオンビームエネルギを最大２０００ｅＶまで
上げ、引続いてレーザ蒸着を行い、イオン衝撃を徐々に
緩和していくことにより、基体の新生面に基体材料とタ
ーゲット材料とが傾斜的に変化した中間層を形成する構
成としたことを特徴としている。
蒸着方法は、真空などの減圧チャンバ内に導入したレー
ザ光をターゲットに照射し、前記ターゲットを蒸発させ
て基体の表面に堆積させることにより蒸着膜を形成させ
るに際し、基体の表面をイオン衝撃によりクリーニング
した後、イオンビームエネルギを最大２０００ｅＶまで
上げ、引続いてレーザ蒸着を行い、イオン衝撃を徐々に
緩和していくことにより、基体の新生面に基体材料とタ
ーゲット材料とが傾斜的に変化した中間層を形成する構
成としたことを特徴としている。
【００１１】本発明に係わるレーザ蒸着方法においても
図１に示す概略構造のレーザ蒸着装置１を用いることが
可能であり、先に説明したと同様に、２は真空などの減
圧チャンバ、３は減圧チャンバ２内を排気するガス排出
口、４は蒸着膜の素材成分を含むターゲット、５はシャ
ッタ、６は蒸着膜が形成される基板などの基体、７は基
体６を加熱するためのヒータ、８はレーザ光９を導入す
るための光学窓、１０はイオン源、１１は電源、１２は
ガス導入口である。
図１に示す概略構造のレーザ蒸着装置１を用いることが
可能であり、先に説明したと同様に、２は真空などの減
圧チャンバ、３は減圧チャンバ２内を排気するガス排出
口、４は蒸着膜の素材成分を含むターゲット、５はシャ
ッタ、６は蒸着膜が形成される基板などの基体、７は基
体６を加熱するためのヒータ、８はレーザ光９を導入す
るための光学窓、１０はイオン源、１１は電源、１２は
ガス導入口である。
【００１２】このようなレーザ蒸着装置１を用いてレー
ザ蒸着を行うに際しては、まず、真空などの減圧チャン
バ２内に、アセトン中で超音波洗浄した基体６およびタ
ーゲット４を設置する。次いで、減圧チャンバ２内をガ
ス排出口３から１０−４Ｐａ台まで排気した後、アセト
ン中で超音波洗浄後に設置した基体６をヒータ７により
約３８０Ｋに加熱し、脱ガスを行う。脱ガス後、基体６
を所定の温度まで上げてその温度で保持する。
ザ蒸着を行うに際しては、まず、真空などの減圧チャン
バ２内に、アセトン中で超音波洗浄した基体６およびタ
ーゲット４を設置する。次いで、減圧チャンバ２内をガ
ス排出口３から１０−４Ｐａ台まで排気した後、アセト
ン中で超音波洗浄後に設置した基体６をヒータ７により
約３８０Ｋに加熱し、脱ガスを行う。脱ガス後、基体６
を所定の温度まで上げてその温度で保持する。
【００１３】続いて、イオン源１０で基体６のクリーニ
ングを行う。この場合の基体６に対するクリーニング方
法としては、従来と同様に、２〜３ＳＣＣＭの窒素ガス
をガス導入口１２からイオン源１０に導入し、イオンビ
ームエネルギ５００ｅＶ程度の窒素イオンを約１５分間
基体６に照射して、基体表面の酸化物等を除去する。
ングを行う。この場合の基体６に対するクリーニング方
法としては、従来と同様に、２〜３ＳＣＣＭの窒素ガス
をガス導入口１２からイオン源１０に導入し、イオンビ
ームエネルギ５００ｅＶ程度の窒素イオンを約１５分間
基体６に照射して、基体表面の酸化物等を除去する。
【００１４】このようなイオン衝撃によるクリーニング
後、イオンビームエネルギを最大１５００ｅＶ程度まで
上げ、窒素イオンを基体６に注入させる。
後、イオンビームエネルギを最大１５００ｅＶ程度まで
上げ、窒素イオンを基体６に注入させる。
【００１５】引続き、レーザ光９を光学窓８を通してタ
ーゲット４に照射する。その間、イオンビームを連続し
て照射しておく。そして、ターゲット４からの蒸発粒子
１３の蒸発速度がほぼ一定になったところで、シャッタ
５を開けて蒸着を行う。
ーゲット４に照射する。その間、イオンビームを連続し
て照射しておく。そして、ターゲット４からの蒸発粒子
１３の蒸発速度がほぼ一定になったところで、シャッタ
５を開けて蒸着を行う。
【００１６】次いで、イオンビームエネルギを徐々に下
げいくことによって、イオン衝撃を徐々に緩和し、５０
０ｅＶ程度で保持することにより、蒸着膜を形成する。
げいくことによって、イオン衝撃を徐々に緩和し、５０
０ｅＶ程度で保持することにより、蒸着膜を形成する。
【００１７】このようにして基体の表面に蒸着膜を形成
した後の状態においては、基体材料の原子とターゲット
材料の原子とが傾斜的に変化した中間層が形成される。
した後の状態においては、基体材料の原子とターゲット
材料の原子とが傾斜的に変化した中間層が形成される。
【００１８】
【発明の作用】この発明に係わるレーザ蒸着方法では、
基体の表面をイオン衝撃によりクリーニングした後、イ
オンビームエネルギを最大２０００ｅＶまで上げ、引続
いてレーザ蒸着を行い、イオン衝撃を徐々に緩和してい
くことにより、基体の新生面に基体材料とターゲット材
料とが傾斜的に変化した中間層を形成するようにしてい
るので、基体と蒸着膜との境界がはっきり分かれたもの
とはならず、基体材料とターゲット材料とが傾斜的に変
化した中間層が形成されることによって、基体と蒸着膜
との密着強度が十分なものとなり、基体からの蒸着膜の
剥離などが生じがたいものとなる。そして、本発明のレ
ーザ蒸着方法では、イオンビームエネルギは５００〜１
５００ｅＶの範囲が最も好ましい。
基体の表面をイオン衝撃によりクリーニングした後、イ
オンビームエネルギを最大２０００ｅＶまで上げ、引続
いてレーザ蒸着を行い、イオン衝撃を徐々に緩和してい
くことにより、基体の新生面に基体材料とターゲット材
料とが傾斜的に変化した中間層を形成するようにしてい
るので、基体と蒸着膜との境界がはっきり分かれたもの
とはならず、基体材料とターゲット材料とが傾斜的に変
化した中間層が形成されることによって、基体と蒸着膜
との密着強度が十分なものとなり、基体からの蒸着膜の
剥離などが生じがたいものとなる。そして、本発明のレ
ーザ蒸着方法では、イオンビームエネルギは５００〜１
５００ｅＶの範囲が最も好ましい。
【００１９】
（実施例１）図１に示した概略構造のレーザ蒸着装置１
を用い、減圧チャンバ２内に、アセトン中で超音波洗浄
した基体６およびターゲット４を設置した。この場合、
基体６としては、オーステナイト系ステンレス鋼（ＳＵ
Ｓ ３０４）を用い、ターゲット４としては窒化ほう素
セラミックス（ＢＮ）を用いた。
を用い、減圧チャンバ２内に、アセトン中で超音波洗浄
した基体６およびターゲット４を設置した。この場合、
基体６としては、オーステナイト系ステンレス鋼（ＳＵ
Ｓ ３０４）を用い、ターゲット４としては窒化ほう素
セラミックス（ＢＮ）を用いた。
【００２０】そして、減圧チャンバ２内をガス排出口３
から１０−４Ｐａ台まで排気した後、アセトン中で超音
波洗浄後に設置した基体６をヒータ７により約３８０Ｋ
に加熱し、脱ガスを行った。この脱ガス後、基体６を７
００℃まで上げてその温度で保持した。
から１０−４Ｐａ台まで排気した後、アセトン中で超音
波洗浄後に設置した基体６をヒータ７により約３８０Ｋ
に加熱し、脱ガスを行った。この脱ガス後、基体６を７
００℃まで上げてその温度で保持した。
【００２１】続いて、イオン源１０で基体６のクリーニ
ングを行った。この場合の基体６に対するクリーニング
方法としては、従来と同様に、２〜３ＳＣＣＭの窒素ガ
スをガス導入口１２からイオン源１０に導入し、イオン
ビームエネルギ１０００ｅＶ程度の窒素イオンを約１５
分間基体６に照射して、基体６の表面の酸化物等を除去
した。
ングを行った。この場合の基体６に対するクリーニング
方法としては、従来と同様に、２〜３ＳＣＣＭの窒素ガ
スをガス導入口１２からイオン源１０に導入し、イオン
ビームエネルギ１０００ｅＶ程度の窒素イオンを約１５
分間基体６に照射して、基体６の表面の酸化物等を除去
した。
【００２２】このようなイオン衝撃によるクリーニング
を行った後、イオンビームエネルギを１５００ｅＶ程度
まで上げ、窒素イオンを基体６に注入させた。
を行った後、イオンビームエネルギを１５００ｅＶ程度
まで上げ、窒素イオンを基体６に注入させた。
【００２３】引続き、レーザ光９を光学窓８を通してタ
ーゲット４に照射した。その間、イオンビームを連続し
て照射しておいた。そして、ターゲット４からの蒸発粒
子１３の蒸発速度がほぼ一定になったところで、シャッ
タ５を開けて蒸着を行った。
ーゲット４に照射した。その間、イオンビームを連続し
て照射しておいた。そして、ターゲット４からの蒸発粒
子１３の蒸発速度がほぼ一定になったところで、シャッ
タ５を開けて蒸着を行った。
【００２４】次いで、イオンビームエネルギを徐々に下
げていくことによって、イオン衝撃を徐々に緩和し、５
００ｅＶで保持することにより蒸着膜を形成した。
げていくことによって、イオン衝撃を徐々に緩和し、５
００ｅＶで保持することにより蒸着膜を形成した。
【００２５】このようにして、オーステナイト系ステン
レス鋼（ＳＵＳ ３０４）よりなる基体の表面に窒化ほ
う素（ＢＮ）よりなる蒸着膜を形成した後の状態におい
ては、図３のオージェ分析プロファイルに示すように、
基体材料の原子とターゲット材料の原子とが傾斜的に変
化した中間層が形成されていた。
レス鋼（ＳＵＳ ３０４）よりなる基体の表面に窒化ほ
う素（ＢＮ）よりなる蒸着膜を形成した後の状態におい
ては、図３のオージェ分析プロファイルに示すように、
基体材料の原子とターゲット材料の原子とが傾斜的に変
化した中間層が形成されていた。
【００２６】（実施例２）基体６として宇宙・航空機器
用材料としてよく利用されるＴｉ−６Ａｌ−４Ｖを選
び、ターゲット４として窒化ほう素セラミックス（Ｂ
Ｎ）を選んで、実施例１と同様にして基体６の表面に蒸
着膜を形成し、その後、図４に示すような引き倒し法に
よって、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖよりなる基体６の表面に蒸
着した窒化ほう素（ＢＮ）よりなる蒸着膜１４の密着性
評価を行った。
用材料としてよく利用されるＴｉ−６Ａｌ−４Ｖを選
び、ターゲット４として窒化ほう素セラミックス（Ｂ
Ｎ）を選んで、実施例１と同様にして基体６の表面に蒸
着膜を形成し、その後、図４に示すような引き倒し法に
よって、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖよりなる基体６の表面に蒸
着した窒化ほう素（ＢＮ）よりなる蒸着膜１４の密着性
評価を行った。
【００２７】この評価試験では、図４に示すように、基
体６の表面に蒸着した蒸着膜１４と相手部材１６とを接
着剤１５で接合し、相手部材１６に対して矢印Ｆ方向に
荷重を加えることにより、蒸着膜１４の基体６への密着
性を評価した。この結果、図５に示すように、従来法で
は蒸着膜１４が剥離して破断されたのに対して、本発明
法で蒸着した蒸着膜１４では膜の剥離が起こらず、接着
剤１５の部分から破断した。このことから、本発明方法
により蒸着した蒸着膜１４は、接着剤１５の接合強度で
ある５０ＭＰａ以上の付着力を有し、従来法に対して密
着性が著しく向上したことが確認された。
体６の表面に蒸着した蒸着膜１４と相手部材１６とを接
着剤１５で接合し、相手部材１６に対して矢印Ｆ方向に
荷重を加えることにより、蒸着膜１４の基体６への密着
性を評価した。この結果、図５に示すように、従来法で
は蒸着膜１４が剥離して破断されたのに対して、本発明
法で蒸着した蒸着膜１４では膜の剥離が起こらず、接着
剤１５の部分から破断した。このことから、本発明方法
により蒸着した蒸着膜１４は、接着剤１５の接合強度で
ある５０ＭＰａ以上の付着力を有し、従来法に対して密
着性が著しく向上したことが確認された。
【００２８】
【発明の効果】この発明に係わるレーザ蒸着方法では、
基体の表面をイオン衝撃によりクリーニングした後、イ
オンビームエネルギを最大２０００ｅＶまで上げ、引続
いてレーザ蒸着を行い、イオン衝撃を徐々に緩和してい
くことにより、基体の新生面に基体材料とターゲット材
料とが傾斜的に変化した中間層を形成するようにしたか
ら、基体と蒸着膜との境界がはっきり分かれたものとは
ならず、基体材料とターゲット材料とが傾斜的に変化し
た中間層が形成されることによって、基体と蒸着膜との
密着強度が十分なものとなり、基体からの蒸着膜の剥離
などが生じがたい密着性の良い窒化物等のセラミックス
蒸着膜が形成できるという著しく優れた効果がもたらさ
れる。
基体の表面をイオン衝撃によりクリーニングした後、イ
オンビームエネルギを最大２０００ｅＶまで上げ、引続
いてレーザ蒸着を行い、イオン衝撃を徐々に緩和してい
くことにより、基体の新生面に基体材料とターゲット材
料とが傾斜的に変化した中間層を形成するようにしたか
ら、基体と蒸着膜との境界がはっきり分かれたものとは
ならず、基体材料とターゲット材料とが傾斜的に変化し
た中間層が形成されることによって、基体と蒸着膜との
密着強度が十分なものとなり、基体からの蒸着膜の剥離
などが生じがたい密着性の良い窒化物等のセラミックス
蒸着膜が形成できるという著しく優れた効果がもたらさ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係わるレーザ蒸着方法の実施に使用
されるイオン源を設置した一般的なレーザ蒸着装置の基
本構造を示す説明図である。
されるイオン源を設置した一般的なレーザ蒸着装置の基
本構造を示す説明図である。
【図２】従来法によってオーステナイト系ステンレス鋼
（ＳＵＳ ３０４）よりなる基体の表面に窒化ほう素
（ＢＮ）よりなる蒸着膜を形成したときのオージェ分析
結果を示すグラフである。
（ＳＵＳ ３０４）よりなる基体の表面に窒化ほう素
（ＢＮ）よりなる蒸着膜を形成したときのオージェ分析
結果を示すグラフである。
【図３】本発明法によってオーステナイト系ステンレス
鋼（ＳＵＳ ３０４）よりなる基体の表面に窒化ほう素
（ＢＮ）よりなる蒸着膜を形成したときのオージェ分析
結果を示すグラフである。
鋼（ＳＵＳ ３０４）よりなる基体の表面に窒化ほう素
（ＢＮ）よりなる蒸着膜を形成したときのオージェ分析
結果を示すグラフである。
【図４】密着性評価のために採用した引き倒し法の原理
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図５】従来法および本発明法によりＴｉ−６Ａｌ−４
Ｖよりなる基体上に蒸着した窒化ほう素（ＢＮ）よりな
る蒸着膜の密着性評価の結果を示す説明図である。
Ｖよりなる基体上に蒸着した窒化ほう素（ＢＮ）よりな
る蒸着膜の密着性評価の結果を示す説明図である。
１ レーザ蒸着装置 ２ 減圧チャンバ ３ ガス排出口 ４ ターゲット ５ シャッタ ６ 基体 ９ レーザ光 １０ イオン源 １２ ガス導入口 １３ 蒸発粒子 １４ 蒸着膜 １５ 接着剤 １６ ロッド
Claims (1)
- 【請求項１】 減圧チャンバ内に導入したレーザ光をタ
ーゲットに照射し、前記ターゲットを蒸発させて基体の
表面に堆積させることにより蒸着膜を形成させるに際
し、基体の表面をイオン衝撃によりクリーニングした
後、イオンビームエネルギを最大２０００ｅＶまで上
げ、引続いてレーザ蒸着を行い、イオン衝撃を徐々に緩
和していくことにより、基体の新生面に基体材料とター
ゲット材料とが傾斜的に変化した中間層を形成すること
を特徴とするレーザ蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11617392A JPH05311406A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | レーザ蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11617392A JPH05311406A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | レーザ蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05311406A true JPH05311406A (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=14680607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11617392A Pending JPH05311406A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | レーザ蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05311406A (ja) |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP11617392A patent/JPH05311406A/ja active Pending
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