JPH05294768A - 透明導電膜のエッチング方法 - Google Patents
透明導電膜のエッチング方法Info
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- JPH05294768A JPH05294768A JP12572492A JP12572492A JPH05294768A JP H05294768 A JPH05294768 A JP H05294768A JP 12572492 A JP12572492 A JP 12572492A JP 12572492 A JP12572492 A JP 12572492A JP H05294768 A JPH05294768 A JP H05294768A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化錫のように化学的に安定な透明導電膜で
さえも、エッチング残りが生じることなく適正にエッチ
ングすることができる透明導電膜のエッチング方法の提
供。 【構成】 まず、金属亜鉛粉末をまぶした布３を用意
し、この布３でガラス基板５上に成膜した酸化錫透明導
電膜４の表面を覆う。次に、この布３の上方からスプレ
ー１によって 5〜10％の塩酸水溶液２（エッチャント）
を噴霧する。エッチャントの噴霧により、布３中におけ
る亜鉛とエッチャント中における塩素とが反応し、この
反応によって発生する活性な水素により酸化錫透明導電
膜４は還元され、エッチングされる。 【効果】 酸化錫透明導電膜表面における上記活性な水
素の分布が均一になるため、エッチング残りの発生が防
止されるようになる。
さえも、エッチング残りが生じることなく適正にエッチ
ングすることができる透明導電膜のエッチング方法の提
供。 【構成】 まず、金属亜鉛粉末をまぶした布３を用意
し、この布３でガラス基板５上に成膜した酸化錫透明導
電膜４の表面を覆う。次に、この布３の上方からスプレ
ー１によって 5〜10％の塩酸水溶液２（エッチャント）
を噴霧する。エッチャントの噴霧により、布３中におけ
る亜鉛とエッチャント中における塩素とが反応し、この
反応によって発生する活性な水素により酸化錫透明導電
膜４は還元され、エッチングされる。 【効果】 酸化錫透明導電膜表面における上記活性な水
素の分布が均一になるため、エッチング残りの発生が防
止されるようになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化錫膜等の透明導電
膜のエッチング方法に関する。
膜のエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、透明導電膜のエッチング方法
としては、塩酸水溶液や塩化第二鉄水溶液をエッチャン
ト（エッチング液）とする湿式エッチングが広く用いら
れてきた。また、酸化錫透明導電膜などのように化学的
に安定な膜をエッチングする場合、上記のような単なる
湿式エッチングではうまくエッチングすることができな
いため、例えば次のような方法が用いられていた。すな
わち、ガラス基板５上に成膜された酸化錫透明導電膜４
における被エッチング部分表面に亜鉛粉末６を敷き詰
め、その上方からスプレー１によってエッチャント（塩
酸水溶液２）を噴霧し、亜鉛と塩酸とを反応させて高い
エネルギーを持つ活性な水素を発生させ、この水素によ
って酸化錫導電膜４を還元することによりエッチングを
行うというものである（図２）。
としては、塩酸水溶液や塩化第二鉄水溶液をエッチャン
ト（エッチング液）とする湿式エッチングが広く用いら
れてきた。また、酸化錫透明導電膜などのように化学的
に安定な膜をエッチングする場合、上記のような単なる
湿式エッチングではうまくエッチングすることができな
いため、例えば次のような方法が用いられていた。すな
わち、ガラス基板５上に成膜された酸化錫透明導電膜４
における被エッチング部分表面に亜鉛粉末６を敷き詰
め、その上方からスプレー１によってエッチャント（塩
酸水溶液２）を噴霧し、亜鉛と塩酸とを反応させて高い
エネルギーを持つ活性な水素を発生させ、この水素によ
って酸化錫導電膜４を還元することによりエッチングを
行うというものである（図２）。
【０００３】しかしながら、上記従来の透明導電膜のエ
ッチング方法によると、スプレーなどによって導電膜表
面に均一に敷き詰められた亜鉛粉末層の上方から連続的
に供給されるエッチャントは、亜鉛粉末層を速い速度で
通過するため、導電膜上に次々と溜まっていき、エッチ
ャント流れを生じてしまうことがあった。
ッチング方法によると、スプレーなどによって導電膜表
面に均一に敷き詰められた亜鉛粉末層の上方から連続的
に供給されるエッチャントは、亜鉛粉末層を速い速度で
通過するため、導電膜上に次々と溜まっていき、エッチ
ャント流れを生じてしまうことがあった。
【０００４】このようにエッチャント流れが生じると、
導電膜上においてエッチャントと亜鉛との反応により発
生する活性な水素が疎になる部分が生じてしまい、水素
が疎な部分における導電膜のエッチングが遅れたり、エ
ッチングが行われなかったりするため、該部分にエッチ
ングが為されなかった導電膜の「エッチング残り」が生
じてパターニングの精度が著しく低下してしまうという
問題点があった。
導電膜上においてエッチャントと亜鉛との反応により発
生する活性な水素が疎になる部分が生じてしまい、水素
が疎な部分における導電膜のエッチングが遅れたり、エ
ッチングが行われなかったりするため、該部分にエッチ
ングが為されなかった導電膜の「エッチング残り」が生
じてパターニングの精度が著しく低下してしまうという
問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述従来の
技術の問題点を解決し、酸化錫のように化学的に安定な
透明導電膜でさえも、エッチング残りが生じることなく
適正にエッチングすることができる透明導電膜のエッチ
ング方法を提供することを目的とする。
技術の問題点を解決し、酸化錫のように化学的に安定な
透明導電膜でさえも、エッチング残りが生じることなく
適正にエッチングすることができる透明導電膜のエッチ
ング方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意研究の結果、基板上に成膜された
透明導電膜の表面を亜鉛を染み込ませた繊維で覆い、そ
の上方からスプレーによって塩素系のエッチャントを噴
霧することにより、上記課題が解決されることを見い出
し、本発明に到達した。
を達成するために鋭意研究の結果、基板上に成膜された
透明導電膜の表面を亜鉛を染み込ませた繊維で覆い、そ
の上方からスプレーによって塩素系のエッチャントを噴
霧することにより、上記課題が解決されることを見い出
し、本発明に到達した。
【０００７】すなわち、本発明は、透明導電膜の表面に
おいて、金属亜鉛の存在下で塩素系のエッチャントを供
給し、亜鉛と塩素との反応により発生する活性な水素に
よって透明導電膜を還元してエッチングする透明導電膜
のエッチング方法であって、前記透明導電膜の表面を金
属亜鉛を含有し、保湿する部材で覆い、該部材を介して
透明導電膜にエッチャントを供給することを特徴とする
透明導電膜のエッチング方法を提供するものである。
おいて、金属亜鉛の存在下で塩素系のエッチャントを供
給し、亜鉛と塩素との反応により発生する活性な水素に
よって透明導電膜を還元してエッチングする透明導電膜
のエッチング方法であって、前記透明導電膜の表面を金
属亜鉛を含有し、保湿する部材で覆い、該部材を介して
透明導電膜にエッチャントを供給することを特徴とする
透明導電膜のエッチング方法を提供するものである。
【０００８】また、本発明法においては、上記金属亜鉛
を含有する部材として、繊維中に金属亜鉛を混入した
布、金属亜鉛をまぶしたメッシュ、または金属亜鉛から
なるメッシュなどを用いることができる。
を含有する部材として、繊維中に金属亜鉛を混入した
布、金属亜鉛をまぶしたメッシュ、または金属亜鉛から
なるメッシュなどを用いることができる。
【０００９】
【作用】本発明法によると、基板上に成膜された透明導
電膜の表面を金属亜鉛を含有する部材で覆い、この部材
を介して透明導電膜に塩素系のエッチャントを供給して
いる。このように、透明導電膜の少なくとも被エッチン
グ部分を金属亜鉛を含有する部材で覆うことにより、エ
ッチャント流れの発生を防止し、透明導電膜表面におけ
る活性な水素の分布の均一化を図っている。
電膜の表面を金属亜鉛を含有する部材で覆い、この部材
を介して透明導電膜に塩素系のエッチャントを供給して
いる。このように、透明導電膜の少なくとも被エッチン
グ部分を金属亜鉛を含有する部材で覆うことにより、エ
ッチャント流れの発生を防止し、透明導電膜表面におけ
る活性な水素の分布の均一化を図っている。
【００１０】すなわち、基板上に成膜された透明導電膜
の表面を、亜鉛を含有し、エッチャントを保湿する部材
で覆うことにより、この部材の表面に連続的に供給され
たエッチャントは、該部材の上部で吸収され、緩やかに
透明導電膜側に下がっていくため、透明導電膜表面にお
けるエッチャント流れが抑えられ、該表面における活性
な水素の分布がほぼ均一となるのである。
の表面を、亜鉛を含有し、エッチャントを保湿する部材
で覆うことにより、この部材の表面に連続的に供給され
たエッチャントは、該部材の上部で吸収され、緩やかに
透明導電膜側に下がっていくため、透明導電膜表面にお
けるエッチャント流れが抑えられ、該表面における活性
な水素の分布がほぼ均一となるのである。
【００１１】このように、透明導電膜表面における活性
な水素の分布の均一化を図ることにより、エッチング残
りの発生が防止され、適正なエッチングが行われるよう
になる。また、本発明のエッチング方法においては、透
明導電膜の表面をメッシュで覆い、該メッシュを介して
エッチャントを供給することにより、メッシュの網目に
エッチャントの滴を保たせて（保湿させて）、エッチャ
ント流れを抑え、上記同様にエッチング残りの発生を防
止することができる。ここで、上記メッシュは、例え
ば、金属亜鉛粉末をまぶして付着させたメッシュ、ある
いは金属亜鉛を材質とするメッシュが利用できる。
な水素の分布の均一化を図ることにより、エッチング残
りの発生が防止され、適正なエッチングが行われるよう
になる。また、本発明のエッチング方法においては、透
明導電膜の表面をメッシュで覆い、該メッシュを介して
エッチャントを供給することにより、メッシュの網目に
エッチャントの滴を保たせて（保湿させて）、エッチャ
ント流れを抑え、上記同様にエッチング残りの発生を防
止することができる。ここで、上記メッシュは、例え
ば、金属亜鉛粉末をまぶして付着させたメッシュ、ある
いは金属亜鉛を材質とするメッシュが利用できる。
【００１２】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
【００１３】
【実施例１】本発明法の一実施例を以下に示す。
【００１４】まず、金属亜鉛粉末をまぶした布３を用意
し、この布３でガラス基板５上に成膜された酸化錫透明
導電膜４の表面を覆った。ここで布３はエッチャントに
侵されず、エッチャントを吸収するように密に織られて
いる必要がある。次に、この布３の上方からスプレー１
によって 5〜10％の塩酸水溶液２（エッチャント）を噴
霧した（図１）。エッチャントの噴霧により、布３中に
おける亜鉛とエッチャント中における塩素とが反応し、
この反応によって発生する活性な水素により酸化錫透明
導電膜４は還元され、エッチングされる。
し、この布３でガラス基板５上に成膜された酸化錫透明
導電膜４の表面を覆った。ここで布３はエッチャントに
侵されず、エッチャントを吸収するように密に織られて
いる必要がある。次に、この布３の上方からスプレー１
によって 5〜10％の塩酸水溶液２（エッチャント）を噴
霧した（図１）。エッチャントの噴霧により、布３中に
おける亜鉛とエッチャント中における塩素とが反応し、
この反応によって発生する活性な水素により酸化錫透明
導電膜４は還元され、エッチングされる。
【００１５】エッチング後、得られた酸化錫透明導電膜
の表面を観察したところ、エッチング残りは生じていな
かった。
の表面を観察したところ、エッチング残りは生じていな
かった。
【００１６】
【実施例２】本発明法の別の実施例を以下に示す。
【００１７】まず、金属亜鉛の細線で織られたメッシュ
（＃１００）を用意し、このメッシュでガラス基板上に
成膜された酸化錫透明導電膜の表面を覆った。次に、該
メッシュの上方からスプレーによって 5〜10％の塩酸水
溶液（エッチャント）を噴霧してエッチングを行った。
（＃１００）を用意し、このメッシュでガラス基板上に
成膜された酸化錫透明導電膜の表面を覆った。次に、該
メッシュの上方からスプレーによって 5〜10％の塩酸水
溶液（エッチャント）を噴霧してエッチングを行った。
【００１８】エッチング後、得られた酸化錫透明導電膜
の表面を観察したところ、エッチング残りは生じていな
かった。
の表面を観察したところ、エッチング残りは生じていな
かった。
【００１９】
【実施例３】本発明法のさらに別の実施例を以下に示
す。
す。
【００２０】まず、ガラス基板上に成膜された酸化錫透
明導電膜の表面をナイロン製メッシュ（＃２５０）で覆
い、このメッシュの表面に金属亜鉛粉末をふりかけた。
次に、該メッシュの上方からスプレーによって 5〜10％
の塩酸水溶液（エッチャント）を噴霧してエッチングを
行った。
明導電膜の表面をナイロン製メッシュ（＃２５０）で覆
い、このメッシュの表面に金属亜鉛粉末をふりかけた。
次に、該メッシュの上方からスプレーによって 5〜10％
の塩酸水溶液（エッチャント）を噴霧してエッチングを
行った。
【００２１】エッチング後、得られた酸化錫透明導電膜
の表面を観察したところ、エッチング残りは生じていな
かった。実施例２および実施例３において、メッシュを
２枚以上重ねてエッチングを行うと、さらに良好な結果
が得られた。
の表面を観察したところ、エッチング残りは生じていな
かった。実施例２および実施例３において、メッシュを
２枚以上重ねてエッチングを行うと、さらに良好な結果
が得られた。
【００２２】以上説明した実施例では、いずれもエッチ
ャントは塩酸水溶液であり、透明導電膜は酸化錫であっ
たが、本発明はこれに制限されるものではなく、エッチ
ャントは金属亜鉛と反応して活性な水素を発生させるも
のであれば、どのようなものでも良い。また、エッチン
グされる透明導電膜が酸化インジウムやＩＴＯであると
きも、本発明は適用できる。
ャントは塩酸水溶液であり、透明導電膜は酸化錫であっ
たが、本発明はこれに制限されるものではなく、エッチ
ャントは金属亜鉛と反応して活性な水素を発生させるも
のであれば、どのようなものでも良い。また、エッチン
グされる透明導電膜が酸化インジウムやＩＴＯであると
きも、本発明は適用できる。
【００２３】
【発明の効果】本発明法の開発により、酸化錫透明導電
膜のように化学的に安定なためにエッチングが困難な導
電膜でさえも、エッチング残りが生じることなく、適正
にエッチングすることができるようになった。また、本
発明法は、従来の透明導電膜のエッチング方法と比較し
て、大幅にコストが上昇したり作業性が悪化することが
ないため、極めて利用価値の高いものである。
膜のように化学的に安定なためにエッチングが困難な導
電膜でさえも、エッチング残りが生じることなく、適正
にエッチングすることができるようになった。また、本
発明法は、従来の透明導電膜のエッチング方法と比較し
て、大幅にコストが上昇したり作業性が悪化することが
ないため、極めて利用価値の高いものである。
【図１】本発明の透明導電膜のエッチング方法におい
て、ガラス基板上に成膜された酸化錫透明導電膜の表面
を金属亜鉛粉末をまぶした布で覆い、その上方からエッ
チャントを噴霧している際の態様を示す模式図である。
て、ガラス基板上に成膜された酸化錫透明導電膜の表面
を金属亜鉛粉末をまぶした布で覆い、その上方からエッ
チャントを噴霧している際の態様を示す模式図である。
【図２】従来の透明導電膜のエッチング方法において、
ガラス基板上に成膜された酸化錫透明導電膜の表面に金
属亜鉛粉末を敷き詰め、その上方からエッチャントを噴
霧している際の態様を示す模式図である。
ガラス基板上に成膜された酸化錫透明導電膜の表面に金
属亜鉛粉末を敷き詰め、その上方からエッチャントを噴
霧している際の態様を示す模式図である。
１‥‥‥スプレー ２‥‥‥塩酸水溶液 ３‥‥‥金属亜鉛粉末を混入した布 ４‥‥‥酸化錫透明導電膜 ５‥‥‥ガラス基板 ６‥‥‥亜鉛粉末
フロントページの続き (72)発明者 福田 哲夫 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 透明導電膜の表面において、金属亜鉛の
存在下で塩素系のエッチャントを供給し、亜鉛と塩素と
の反応により発生する活性な水素によって透明導電膜を
還元してエッチングする透明導電膜のエッチング方法で
あって、前記透明導電膜の少なくとも被エッチング部分
を金属亜鉛を含有し、エッチャントを保湿する部材で覆
い、該部材にエッチャントを供給することを特徴とする
透明導電膜のエッチング方法。 - 【請求項２】 前記金属亜鉛を含有する部材が、繊維中
に金属亜鉛を混入した布であることを特徴とする請求項
１記載の透明導電膜のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記金属亜鉛を含有する部材が、金属亜
鉛を露出させたメッシュであることを特徴とする請求項
１記載の透明導電膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12572492A JPH05294768A (ja) | 1992-04-18 | 1992-04-18 | 透明導電膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12572492A JPH05294768A (ja) | 1992-04-18 | 1992-04-18 | 透明導電膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05294768A true JPH05294768A (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=14917205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12572492A Withdrawn JPH05294768A (ja) | 1992-04-18 | 1992-04-18 | 透明導電膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05294768A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1055016A1 (en) * | 1998-02-10 | 2000-11-29 | Feldman Technology Corporation | Method for etching |
| WO2007029756A1 (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-15 | Asahi Glass Company, Limited | 補助配線付き基体およびその製造方法 |
| WO2008117742A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Rohm Co., Ltd. | 酸化亜鉛系半導体の製造方法及び酸化亜鉛系半導体の製造装置 |
-
1992
- 1992-04-18 JP JP12572492A patent/JPH05294768A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1055016A1 (en) * | 1998-02-10 | 2000-11-29 | Feldman Technology Corporation | Method for etching |
| EP1055016A4 (en) * | 1998-02-10 | 2005-09-21 | Feldman Technology Corp | METHOD OF METALING |
| US7115212B2 (en) | 1998-02-10 | 2006-10-03 | Feldman Technology Corporation | Method for etching |
| WO2007029756A1 (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-15 | Asahi Glass Company, Limited | 補助配線付き基体およびその製造方法 |
| WO2008117742A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Rohm Co., Ltd. | 酸化亜鉛系半導体の製造方法及び酸化亜鉛系半導体の製造装置 |
| JP2008243987A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 酸化亜鉛系半導体の製造方法及び酸化亜鉛系半導体の製造装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |