JPH0528725Y2 - - Google Patents

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JPH0528725Y2
JPH0528725Y2 JP2386986U JP2386986U JPH0528725Y2 JP H0528725 Y2 JPH0528725 Y2 JP H0528725Y2 JP 2386986 U JP2386986 U JP 2386986U JP 2386986 U JP2386986 U JP 2386986U JP H0528725 Y2 JPH0528725 Y2 JP H0528725Y2
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groove
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【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はチツプ抵抗体に用いられるセラミツク
基板に係り、特に抵抗体層を印刷形成した後に分
割して多数のチツプを得るタイプのセラミツク基
板に関する。
〔従来の技術〕
従来のチツプ抵抗体の構造及びその製造方法に
ついて、第6図、第7図、第8図に基づいて説明
する。
まず、セラミツク粉,バインダ樹脂等を混合さ
せてなるスラリを薄板状に形成したグリーンシー
トを用意し、このグリーンシートにプレス成形に
より溝2,3を形成する。この溝2,3は図に示
すように縦横に所定の間隔にて配されたものであ
つて、後に個々のチツプ抵抗体として分割するた
めの分割溝である。次にグリーンシートを焼成し
て硬質のセラミツク基板1とした後縦横の一方の
溝2にまたがるようにグリーンシート上に電極4
をスクリーン印刷により形成し、更に電極4間に
は図に示すように抵抗体層5を印刷形成し、抵抗
体層5の上にガラス材にてオーバコート6を施
し、焼成の後前記溝2に沿つてセラミツク基板1
を分割し、第8図に示す如き多数の抵抗体を連設
した細長いセラミツク分割板1aを複数個得る。
次いでこのセラミツク分割板1aの電極4を形成
した側の分割端面及び裏面に、第7図に示すよう
な電極4と連結するように側面電極7及び裏面電
極8を印刷により形成し、しかる後セラミツク分
割板1aの他方の分割溝3によつてセラミツク分
割板1aを細分割し、電極4,7,8にニツケル
メツキ、更に半田メツキを施し多数の個々のチツ
プ抵抗体Aを得るのである。
〔考案が解決しようとする問題点〕
ところで上記チツプ抵抗体は硬質のセラミツク
基板1に形成した溝2,3部分で折られて個々の
チツプに分離されるが、これら溝2,3が浅いと
溝2,3に沿つて長方体形状にきれいに分割する
ことが難しく、その結果、当該チツプ抵抗体を実
装する際、例えばパーツフイーダによる搬送が困
難になつたり、あるいはテーピング包装からの取
出しが困難になる等の不具合を生じる。勿論、上
記溝2,3を充分に深く形成すれば分割面に沿つ
て形できれいに分割することができるが、この場
合は、分割の前工程であるグリーンシートの焼成
時や電極4および抵抗体層5の印刷形成時などに
溝2,3部分で折れてしまい、溝2,3をあまり
深く形成することは実際上不可能である。
従つて、本考案の目的は、分割を簡単かつ正確
に行うことができるとともに、分割面にバリなど
の如き凹凸面のないセラミツク基板を提供するに
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本考案は、表面に
抵抗体層が印刷形成され、多数に分割されること
により個々のチツプが得られるセラミツク基板に
おいて、個々の分割部が略平行な一対のスリツト
と該スリツト間を略直角に横切る一対の溝とで構
成され、該溝がスリツトに近づくにつれて深くか
つ幅広に形成されていることを、その特徴とす
る。
〔作用〕
すなわち、上記手段によれば、スリツトと溝か
らなる分割部を従来の分割溝と同様にグリーンシ
ート段階においてプレス成形などにより形成で
き、しかもこの溝はスリツトに近づくにつれて深
くかつ幅広の形状であるため、その端面にバリを
生じることなくきれいに分割できる。
〔実施例〕
以下、本考案の実施例を図面について説明す
る。
第1図は本考案の一実施例に係るセラミツク基
板全体を示し、第2図は部分拡大図である。
セラミツク基板1自身の材料及びスリツト,孔
等を含む成形方法は既に述べた従来のものと同様
であるので説明は省略する。
セラミツク基板1は長方形状を呈し、中央を境
にその両側において互いに略平行且つ等間隔にて
複数のスリツト9が横方向に形成され、スリツト
9間にはスリツト9と直交方向に一定間隔にて溝
10が設けられている。この一対のスリツト9と
一対の溝10とで囲まれる小区画は最終的に得ら
れる1個のチツプ抵抗体の本体部分を構成するも
のである。第2図に示すように、各々の溝10と
交差するスリツト9の縁には三角形状の凹部11
が設けられており、分割を容易にする作用を有す
るとともに分割後の各々のチツプ抵抗体の面取り
部を構成している。また同第2図に示すように、
各溝10はスリツト9に近づくにつれてその深さ
が次第に深くかつその幅は次第に広くなるように
形成されている。
セラミツク基板1の中央には1個の円形孔と2
個の長孔とが設けられている。円形孔は後述する
印刷成形の際の位置基準孔12であり、長孔は縦
方向の位置決め孔13である。
またセラミツク基板1の上端両角部には面取り
14が設けられており、電極,抵抗体等を印刷す
る場合のセラミツク基板1設置の方向性をこれに
より判断している。
次に上記セラミツク基板1を用いたチツプ抵抗
体の製造方法について第3図a〜f及び第4図,
第5図に基づき説明する。
第3図は電極,抵抗体の製造工程を示したもの
で、aに示すように等間隔なスリツト9,スリツ
ト間を横切るように等間隔に表面に設けられた溝
10,溝10とスリツト9との交差部分に設けら
れた凹部11等を予め備えたセラミツク基板1を
用意する。これらスリツト9,溝10,凹部11
は従来と同様に未焼成のセラミツクグリーンシー
トにプレスにより形成されたもので、焼成により
硬質のセラミツク基板1となる。
セラミツク基板1にはまずb図の如き表面電極
15及び側面電極16を形成する。これらの電極
はスリツト9と溝10とによつて区画される最小
単位に各々設けられるもので、印刷により形成さ
れる。
第4図,第5図はこの印刷成形の説明図であ
り、定盤17に設けた1個のセンタピン18と2
個のサイドピン19にセラミツク基板1の位置基
準孔12及び2個の位置決め孔13,13を嵌合
して、セラミツク基板1を定盤17上に固定す
る。次にセラミツク基板1の上からマスク20を
載せ、セラミツク基板1上にb図に示す如き表面
電極15及び側面電極16を印刷形成する。この
際側面電極16はc図に示すようにセラミツク基
板1の下方よりスリツト9部分を吸引することに
より、表面電極15部分から延出させて形成す
る。またこの時、側面電極16の一部は溝10方
向に流れ込む。
次に上記表面電極15と全く同様にしてセラミ
ツク基板1の裏面にも裏面電極21を形成する。
裏面電極21はスリツト9に沿つて連続して形成
されており、スリツト9の端部では各々の裏面電
極21は連結されており、メツキ用導体部22を
構成している(d図)。この際、スリツト9の側
面および溝10の一部には表面電極15の形成の
場合と同様に吸引印刷により側面電極16が形成
され、先に形成された側面電極16と連結し、ス
リツト9の全側面および溝10の一部を被覆する
ことになる。
次にセラミツク基板1の表面の電極15間には
e図に示すように抵抗体層23が印刷により形成
される。印刷方法は電極15の方法と同様であ
る。形成された抵抗体層23はレーザートリミン
グ等の公知の作法によりその付着面の一部が削除
され、抵抗値が調整される。抵抗値調整が完了す
ると、抵抗体層23の上方はf図に示す如きガラ
ス層にてオーバコートされる。このオーバコート
はやはり印刷により形成される。
次いで、前記メツキ用導体部22をメツキ装置
の電極(図示せず)に接続し、Niメツキ及び半
田メツキを表面電極15,側面電極16,裏面電
極21に施した後、スリツト9間の分割溝10に
より各々を分離し、個々のチツプ抵抗体Aを得
る。
このようにして得られたチツプ抵抗体Aは、分
割のための縦横の一方がスリツト9で、他方が外
側に向つて順次深くなる溝10であるため、各々
所望の形状にきれいに分割することができる。ま
た、かかるチツプ抵抗体Aは、溝10や凹部11
によつて面取りが施された形状となるため、パー
ツフイーダによる搬送の際の流れ性を向上し、テ
ーピング包装からの取出しの際の引つ掛かりを防
止できる。
尚本実施例では、セラミツク基板1の裏面にも
電極を設けたものについて説明したが、裏電極は
必ずしも必要ではない。裏電極を形成しない場合
には、側面電極16の形成は表電極印刷の際に吸
引条件を変えて行えば可能である。
またメツキ工程は各々のチツプ抵抗体分割の後
に行つてもよい。その場合はバレルメツキ法など
が適当であり、裏電極は各々接続されていなくと
もよい。
〔考案の効果〕
以上説明したように、本考案に係るセラミツク
基板によれば、分割後のチツプ抵抗体の一方の両
側面は金型で成形された滑らかな面であり、他方
の両側面は中央が浅く外に向かって深くなる溝に
沿つて分割された切断面であるため、分割動作を
正確かつ簡単に行うことができるとともに、側面
電極の形成を溝の一部まで延設させることができ
るため、半田付け性の良好なチツプ抵抗体を得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例に係るセラミツク基板
の平面図、第2図は同セラミツク基板の部分拡大
平面図、第3図a〜fは本実施例に係るセラミツ
ク基板を用いたチツプ抵抗体の製造工程図、第4
図は印刷作業を説明する斜視図、第5図は印刷作
業を説明する断面図、第6図は従来のセラミツク
基板の平面図、第7図はチツプ抵抗体の断面図、
第8図は従来のセラミツク基板からチツプ抵抗体
を得る際のセラミツク分割板を示す斜視図であ
る。 1……セラミツク基板、9……スリツト、10
……溝、11……凹部、15……表面電極、16
……側面電極、23……抵抗体層、A……チツプ
抵抗体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 表面に抵抗体層が印刷形成され、多数に分割さ
    れることにより個々のチツプが得られるセラミツ
    ク基板において、個々の分割部が略平行な一対の
    スリツトと該スリツト間を略直角に横切る一対の
    溝とで構成され、該溝がスリツトに近づくにつれ
    て深くかつ幅広に形成されていることを特徴とす
    るセラミツク基板。
JP2386986U 1986-02-22 1986-02-22 Expired - Lifetime JPH0528725Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP2386986U JPH0528725Y2 (ja) 1986-02-22 1986-02-22

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JP2386986U JPH0528725Y2 (ja) 1986-02-22 1986-02-22

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JPS62138405U JPS62138405U (ja) 1987-09-01
JPH0528725Y2 true JPH0528725Y2 (ja) 1993-07-23

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