JPH05283375A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH05283375A JPH05283375A JP4076598A JP7659892A JPH05283375A JP H05283375 A JPH05283375 A JP H05283375A JP 4076598 A JP4076598 A JP 4076598A JP 7659892 A JP7659892 A JP 7659892A JP H05283375 A JPH05283375 A JP H05283375A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】三層レジストの中間層無機膜パターンをマスク
としてドライエッチングにより下層有機膜にパターンを
形成する際に、有機膜の寸法シフトを抑え、中間層無機
膜，被加工膜の削れを防止する。 【構成】有機膜をエッチングする際に、ジクロルメタン
と酸素の混合ガスを用いる。 【効果】中間層無機膜，下層有機膜エッチング時の寸法
細りを低減し、被加工膜の削れを防止できる。
としてドライエッチングにより下層有機膜にパターンを
形成する際に、有機膜の寸法シフトを抑え、中間層無機
膜，被加工膜の削れを防止する。 【構成】有機膜をエッチングする際に、ジクロルメタン
と酸素の混合ガスを用いる。 【効果】中間層無機膜，下層有機膜エッチング時の寸法
細りを低減し、被加工膜の削れを防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機膜のドライエッチ
ング方法に関する。
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体の高集積化が進み製造プロ
セスでは加工寸法が微細化してきている。従って、リソ
グラフィ工程では、単層レジストに代わり多層レジスト
が用いられるようになってきた。多層レジストには特開
昭51−107775号公報に記載されている三層レジスト法、
そして特開昭57−172735号公報に記載されている二層レ
ジスト法がある。
セスでは加工寸法が微細化してきている。従って、リソ
グラフィ工程では、単層レジストに代わり多層レジスト
が用いられるようになってきた。多層レジストには特開
昭51−107775号公報に記載されている三層レジスト法、
そして特開昭57−172735号公報に記載されている二層レ
ジスト法がある。
【０００３】従来の三層レジストを用いたパターン形成
方法を図２を用いて説明する。(ａ)は下地基板１，加工
する被加工膜２上に下層有機膜３，その上に塗布性無機
膜４、そしてその上にレジスト層５を形成後、露光，現
像によりレジスト層５にパターンを形成する。その後、
ＣＦ4 系のガスでドライエッチングにより無機膜４にパ
ターンを転写し、次に無機膜４をマスクとして、ドライ
エッチングにより有機膜３にパターンを転写する
（ｂ）。次に、無機膜４を除去し有機膜３をマスクとし
て、被加工膜２をドライエッチングにより加工している
（ｃ）。
方法を図２を用いて説明する。(ａ)は下地基板１，加工
する被加工膜２上に下層有機膜３，その上に塗布性無機
膜４、そしてその上にレジスト層５を形成後、露光，現
像によりレジスト層５にパターンを形成する。その後、
ＣＦ4 系のガスでドライエッチングにより無機膜４にパ
ターンを転写し、次に無機膜４をマスクとして、ドライ
エッチングにより有機膜３にパターンを転写する
（ｂ）。次に、無機膜４を除去し有機膜３をマスクとし
て、被加工膜２をドライエッチングにより加工している
（ｃ）。
【０００４】同様のエッチングはポリイミド樹脂等の有
機膜を層間絶縁膜として使用したときにも用いられる。
この従来技術では、無機膜４をマスクとして有機膜３を
エッチングする時にエッチングガスとして酸素ガスが用
いられる。また塩素のような添加ガスと酸素との混合ガ
スを用いると加工寸法精度（レジスト上に形成されたパ
ターンと有機膜エッチング後のパターンとの寸法差）が
向上することも知られている（特開平2−244625 号公
報）。
機膜を層間絶縁膜として使用したときにも用いられる。
この従来技術では、無機膜４をマスクとして有機膜３を
エッチングする時にエッチングガスとして酸素ガスが用
いられる。また塩素のような添加ガスと酸素との混合ガ
スを用いると加工寸法精度（レジスト上に形成されたパ
ターンと有機膜エッチング後のパターンとの寸法差）が
向上することも知られている（特開平2−244625 号公
報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】酸素と塩素の混合ガス
を用いた実験の結果、中間層無機膜４と下層有機膜３と
の選択比、また被加工膜２と下層有機膜３との選択比の
減少が加工精度向上とトレードオフになることがわかっ
た。添加した塩素が無機膜や下地のエッチング速度を速
めたと考えられる。中間層無機膜４との選択比（下層有
機膜／中間層無機膜）が減少すると、厚い有機膜３をエ
ッチングする場合に無機膜の膜厚を厚くしなければなら
ず、このため上層レジスト５から無機膜４にドライエッ
チングによりパターンを転写するとき、また下層有機膜
エッチング後、無機膜４の除去時の寸法シフトが大きく
なってしまい問題である。
を用いた実験の結果、中間層無機膜４と下層有機膜３と
の選択比、また被加工膜２と下層有機膜３との選択比の
減少が加工精度向上とトレードオフになることがわかっ
た。添加した塩素が無機膜や下地のエッチング速度を速
めたと考えられる。中間層無機膜４との選択比（下層有
機膜／中間層無機膜）が減少すると、厚い有機膜３をエ
ッチングする場合に無機膜の膜厚を厚くしなければなら
ず、このため上層レジスト５から無機膜４にドライエッ
チングによりパターンを転写するとき、また下層有機膜
エッチング後、無機膜４の除去時の寸法シフトが大きく
なってしまい問題である。
【０００６】また被加工膜２との選択比（有機膜／被加
工膜）が減少すると、図２（ｃ）に示すようにオーバー
エッチ時に被加工膜２が削れてしまう。これは被加工膜
２表面の荒れや膜厚変化６を生じ、これが後の工程での
欠陥発生の原因となり問題である。また塩素ガスは劇物
に指定されており、使用上安全性に問題がある。また強
い腐食性を持つため、排気系のポンプ本体，オイルなど
の劣化が速く、装置のメンテナンスにかかる時間が膨大
となる。このため装置の稼働効率がかなり低下し大きな
問題となっている。
工膜）が減少すると、図２（ｃ）に示すようにオーバー
エッチ時に被加工膜２が削れてしまう。これは被加工膜
２表面の荒れや膜厚変化６を生じ、これが後の工程での
欠陥発生の原因となり問題である。また塩素ガスは劇物
に指定されており、使用上安全性に問題がある。また強
い腐食性を持つため、排気系のポンプ本体，オイルなど
の劣化が速く、装置のメンテナンスにかかる時間が膨大
となる。このため装置の稼働効率がかなり低下し大きな
問題となっている。
【０００７】本発明の目的は、に無機膜パターンをマス
クとしてドライエッチングにより有機膜にパターンを形
成する際に、有機膜の寸法シフトを抑えつつ、かつ無機
膜，被加工膜と有機膜との選択比が大きく、また腐食性
の無い安定なガスを用いたドライエッチング方法を提供
することにある。
クとしてドライエッチングにより有機膜にパターンを形
成する際に、有機膜の寸法シフトを抑えつつ、かつ無機
膜，被加工膜と有機膜との選択比が大きく、また腐食性
の無い安定なガスを用いたドライエッチング方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、有機膜を
ドライエッチングによりパターニングする際に、炭素と
塩素，炭素と臭素、または炭素と塩素と臭素の元素を含
むガスを用いることにより達成される。
ドライエッチングによりパターニングする際に、炭素と
塩素，炭素と臭素、または炭素と塩素と臭素の元素を含
むガスを用いることにより達成される。
【０００９】
【作用】有機膜ドライエッチング時に用いるジクロルメ
タン，クロロホルム，ブロモホルムなどのガスはハロゲ
ン元素を含むため、塩素ガスと同様、側壁付着効果を生
じ、寸法シフトを防ぐことができる。また炭素＋ハロゲ
ンの付着が無機膜，被加工膜上に生じるため、無機膜，
被加工膜のエッチング速度が減少し、有機膜との選択比
が大きくなると考えられる。
タン，クロロホルム，ブロモホルムなどのガスはハロゲ
ン元素を含むため、塩素ガスと同様、側壁付着効果を生
じ、寸法シフトを防ぐことができる。また炭素＋ハロゲ
ンの付着が無機膜，被加工膜上に生じるため、無機膜，
被加工膜のエッチング速度が減少し、有機膜との選択比
が大きくなると考えられる。
【００１０】
【実施例】＜実施例１＞以下、図１を用いて説明する。
本実施例は、三層レジストにおいて中間層無機膜として
ＳｉＯ2 膜，被加工膜としてｐ−ＴＥＯＳ(plasma-Tetr
a Ethoxy OrthoSilicate：ＴＥＯＳを原料ガスとしてプ
ラズマ放電により形成したＳｉＯ2 系の膜）を用いた例
である。
本実施例は、三層レジストにおいて中間層無機膜として
ＳｉＯ2 膜，被加工膜としてｐ−ＴＥＯＳ(plasma-Tetr
a Ethoxy OrthoSilicate：ＴＥＯＳを原料ガスとしてプ
ラズマ放電により形成したＳｉＯ2 系の膜）を用いた例
である。
【００１１】図１（ａ）は半導体基板１上に被加工膜２
としてｐ−ＴＥＯＳ膜２００ｎｍを形成し、その上に２
μｍのノボラック樹脂を主成分とした有機膜３，無機膜
４としてＳｉＯ2 膜、さらにその上に０.３μｍ の上層
レジスト５からなる三層レジストを形成し、上層レジス
トにパターンを形成した図である。次にＣＦ4 系のガス
を用いてドライエッチングによりパターンを転写し
（ｂ）、その後、無機膜パターンをマスクとしてドライ
エッチングにより５０％のオーバーエッチを行ない有機
膜３にパターンを転写する（ｃ）。
としてｐ−ＴＥＯＳ膜２００ｎｍを形成し、その上に２
μｍのノボラック樹脂を主成分とした有機膜３，無機膜
４としてＳｉＯ2 膜、さらにその上に０.３μｍ の上層
レジスト５からなる三層レジストを形成し、上層レジス
トにパターンを形成した図である。次にＣＦ4 系のガス
を用いてドライエッチングによりパターンを転写し
（ｂ）、その後、無機膜パターンをマスクとしてドライ
エッチングにより５０％のオーバーエッチを行ない有機
膜３にパターンを転写する（ｃ）。
【００１２】ここで従来は、エッチング時の寸法シフト
を抑えるためエッチングガスとして塩素と酸素の混合ガ
スを用いていたが、無機膜（ＳｉＯ2 膜）４と有機膜３
との選択比（有機膜／ＳｉＯ2 膜）が２５と小さいため
無機膜の膜厚は１２０ｎｍ必要である。中間層無機膜４
が厚いと無機膜をパターニングする時に寸法シフトが生
じ、１２０ｎｍの場合、約０.０６μｍ 細ってしまう。
従って、有機膜３をエッチングした後もパターンに寸法
シフトが生じる。また被加工膜２ｐ−ＴＥＯＳと有機膜
３との選択比（有機膜／ｐ−ＴＥＯＳ膜）が２５と小さ
いためオーバーエッチング時にｐ−ＴＥＯＳ膜は約４０
ｎｍも削れてしまっていた。
を抑えるためエッチングガスとして塩素と酸素の混合ガ
スを用いていたが、無機膜（ＳｉＯ2 膜）４と有機膜３
との選択比（有機膜／ＳｉＯ2 膜）が２５と小さいため
無機膜の膜厚は１２０ｎｍ必要である。中間層無機膜４
が厚いと無機膜をパターニングする時に寸法シフトが生
じ、１２０ｎｍの場合、約０.０６μｍ 細ってしまう。
従って、有機膜３をエッチングした後もパターンに寸法
シフトが生じる。また被加工膜２ｐ−ＴＥＯＳと有機膜
３との選択比（有機膜／ｐ−ＴＥＯＳ膜）が２５と小さ
いためオーバーエッチング時にｐ−ＴＥＯＳ膜は約４０
ｎｍも削れてしまっていた。
【００１３】それに対し本実施例では、有機膜のエッチ
ングガスとしてジクロルメタンと酸素の混合ガスを用
い、ジクロルメタンの含有率２５％，圧力２ｍTorr，パ
ワー４００Ｗの条件でエッチングを行なった。この条件
での無機膜ＳｉＯ2 膜４と有機膜３との選択比（有機膜
／ＳｉＯ2 膜）は７５と大きく、中間層の膜厚は５０ｎ
ｍと薄くてよい。よって中間層無機膜エッチング時の寸
法シフトも０.０２μmと小さく抑えることができる。ま
た被加工膜２ｐ−ＴＥＯＳと有機膜３との選択比（有機
膜／ｐ−ＴＥＯＳ膜）も７５と大きいためｐ−ＴＥＯＳ
膜の削れも約１３ｎｍに抑えることができた。従って本
実施例では、寸法シフト，被加工膜の削れが無い高精度
の加工が可能となった。
ングガスとしてジクロルメタンと酸素の混合ガスを用
い、ジクロルメタンの含有率２５％，圧力２ｍTorr，パ
ワー４００Ｗの条件でエッチングを行なった。この条件
での無機膜ＳｉＯ2 膜４と有機膜３との選択比（有機膜
／ＳｉＯ2 膜）は７５と大きく、中間層の膜厚は５０ｎ
ｍと薄くてよい。よって中間層無機膜エッチング時の寸
法シフトも０.０２μmと小さく抑えることができる。ま
た被加工膜２ｐ−ＴＥＯＳと有機膜３との選択比（有機
膜／ｐ−ＴＥＯＳ膜）も７５と大きいためｐ−ＴＥＯＳ
膜の削れも約１３ｎｍに抑えることができた。従って本
実施例では、寸法シフト，被加工膜の削れが無い高精度
の加工が可能となった。
【００１４】また、塩素ガスでは、配管の腐食によるガ
ス漏れを防ぐために使用時の前後に約１０分ほどかけて
毎回配管を排気する必要があった。また強い腐食性を持
つため、排気系のポンプ本体，オイルなどの劣化が速
く、装置のメンテナンスにかかる時間が膨大となる。こ
のため装置の稼働効率がかなり低下し大きな問題となっ
ていたが、本実施例のようにジクロルメタンガスを用い
るとジクロルメタンガス自体は腐食性を持たないため配
管の排気は必要とせず、またポンプ、装置の保守に必要
な時間も塩素ガスのときの約５分の１に減少することが
できた。
ス漏れを防ぐために使用時の前後に約１０分ほどかけて
毎回配管を排気する必要があった。また強い腐食性を持
つため、排気系のポンプ本体，オイルなどの劣化が速
く、装置のメンテナンスにかかる時間が膨大となる。こ
のため装置の稼働効率がかなり低下し大きな問題となっ
ていたが、本実施例のようにジクロルメタンガスを用い
るとジクロルメタンガス自体は腐食性を持たないため配
管の排気は必要とせず、またポンプ、装置の保守に必要
な時間も塩素ガスのときの約５分の１に減少することが
できた。
【００１５】なお本実施例では、有機膜のエッチングガ
スとしてジクロルメタンと酸素の混合ガスを用いたが、
これに限らずクロロホルム，ブロモホルムなどと酸素と
の混合ガスを用いてもよい。また、本実施例では、下層
有機膜としてノボラック系樹脂を用いたがこれに限らず
ポリスチレン系の樹脂を用いても同様の結果が得られ
た。
スとしてジクロルメタンと酸素の混合ガスを用いたが、
これに限らずクロロホルム，ブロモホルムなどと酸素と
の混合ガスを用いてもよい。また、本実施例では、下層
有機膜としてノボラック系樹脂を用いたがこれに限らず
ポリスチレン系の樹脂を用いても同様の結果が得られ
た。
【００１６】＜実施例２＞以下、他の実施例を図３を用
いて説明する。本実施例は、配線パターン上の被加工膜
(ここではＰＳＧ膜：Phosphosilicate glass）上に三層
レジストを用いてホールパターンを形成した例である。
いて説明する。本実施例は、配線パターン上の被加工膜
(ここではＰＳＧ膜：Phosphosilicate glass）上に三層
レジストを用いてホールパターンを形成した例である。
【００１７】図３（ａ）は、Ａｌで形成したパターン７
上に被加工膜２としてＰＳＧ膜を５００ｎｍ形成し、そ
の上に有機膜３を１.６μｍ ，中間層無機膜４として塗
布形成ＳｉＯ2 膜１００ｎｍ，上層レジスト５：０.５
μｍ からなる三層レジストを形成し、上層レジスト５
をパターニングした図である。次に、ＣＦ4 系のガスを
用いてドライエッチングにより無機膜４をパターニング
し、その後、無機膜パターン４をマスクとしてドライエ
ッチングにより有機膜３にパターンを転写する（ｂ）。
ここではエッチングガスとして、クロロホルムガスと酸
素ガスの混合ガスを用いた。クロロホルムの含有率は２
５％，圧力５ｍTorr，ＲＦパワー４００Ｗで行なった。
上に被加工膜２としてＰＳＧ膜を５００ｎｍ形成し、そ
の上に有機膜３を１.６μｍ ，中間層無機膜４として塗
布形成ＳｉＯ2 膜１００ｎｍ，上層レジスト５：０.５
μｍ からなる三層レジストを形成し、上層レジスト５
をパターニングした図である。次に、ＣＦ4 系のガスを
用いてドライエッチングにより無機膜４をパターニング
し、その後、無機膜パターン４をマスクとしてドライエ
ッチングにより有機膜３にパターンを転写する（ｂ）。
ここではエッチングガスとして、クロロホルムガスと酸
素ガスの混合ガスを用いた。クロロホルムの含有率は２
５％，圧力５ｍTorr，ＲＦパワー４００Ｗで行なった。
【００１８】本実施例によれば、従来のＯ2 ガスのみの
有機膜エッチング時に生じる寸法シフト０.１５μｍ を
ほぼ０μｍとすることができる。この場合、塩素ガスと
酸素ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いても
寸法シフトをほぼ０μｍとすることができるが、有機膜
３と被加工膜ＰＳＧ２との選択比(有機膜／ＰＳＧ膜)が
約１２と小さいため、有機膜１.６μｍ の６０％オーバ
ーエッチを行なった場合、ＰＳＧ膜は約８０ｎｍも削れ
てしまう（ｃ）。
有機膜エッチング時に生じる寸法シフト０.１５μｍ を
ほぼ０μｍとすることができる。この場合、塩素ガスと
酸素ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いても
寸法シフトをほぼ０μｍとすることができるが、有機膜
３と被加工膜ＰＳＧ２との選択比(有機膜／ＰＳＧ膜)が
約１２と小さいため、有機膜１.６μｍ の６０％オーバ
ーエッチを行なった場合、ＰＳＧ膜は約８０ｎｍも削れ
てしまう（ｃ）。
【００１９】多層レジストを用いた工程の場合、上層レ
ジストパターンと下地パターン（配線パターン）との合
わせ検査は、厚い有機膜が間にあるため精度が悪く、有
機膜をエッチングした後、合わせがずれていることがわ
かることも多い。この場合、有機膜３，中間層無機膜
４，上層レジスト５と除去し、もう一度多層レジストを
塗布し合わせパターンを形成し直している。塩素ガスを
用いた有機膜エッチング方法では、多層レジストを除去
すると（ｅ）に示すように被加工膜ＰＳＧ２に削れ６が
残ってしまう。もう一度多層レジスト工程をやり直すと
（ｇ）のようにずれた場所に段差が残ってしまいそれ以
降の工程での不良の原因となり問題である。
ジストパターンと下地パターン（配線パターン）との合
わせ検査は、厚い有機膜が間にあるため精度が悪く、有
機膜をエッチングした後、合わせがずれていることがわ
かることも多い。この場合、有機膜３，中間層無機膜
４，上層レジスト５と除去し、もう一度多層レジストを
塗布し合わせパターンを形成し直している。塩素ガスを
用いた有機膜エッチング方法では、多層レジストを除去
すると（ｅ）に示すように被加工膜ＰＳＧ２に削れ６が
残ってしまう。もう一度多層レジスト工程をやり直すと
（ｇ）のようにずれた場所に段差が残ってしまいそれ以
降の工程での不良の原因となり問題である。
【００２０】それに対し本実施例によれば、有機膜のエ
ッチング時の寸法シフトを塩素ガス使用時と同等に抑え
ることができ、かつ被加工膜ＰＳＧ２の削れを１７ｎｍ
程度に抑えることができる。従って、合わせずれが発生
して多層レジスト工程をやり直しても（ｆ）に示すよう
に削れが残らないため、不良の発生を防ぐことができ、
歩留を向上させることができた。またクロロホルムガス
は塩素ガスと異なり腐食性が無いため、排気系のポン
プ，装置の保守にかかる時間が大幅に短縮でき、装置の
稼働効率が向上した。
ッチング時の寸法シフトを塩素ガス使用時と同等に抑え
ることができ、かつ被加工膜ＰＳＧ２の削れを１７ｎｍ
程度に抑えることができる。従って、合わせずれが発生
して多層レジスト工程をやり直しても（ｆ）に示すよう
に削れが残らないため、不良の発生を防ぐことができ、
歩留を向上させることができた。またクロロホルムガス
は塩素ガスと異なり腐食性が無いため、排気系のポン
プ，装置の保守にかかる時間が大幅に短縮でき、装置の
稼働効率が向上した。
【００２１】なお本方法では、有機膜のエッチングガス
としてクロロホルムと酸素の混合ガスを用いたが、これ
に限らずジクロルメタン，ブロモホルムなどと酸素との
混合ガスを用いてもよい。
としてクロロホルムと酸素の混合ガスを用いたが、これ
に限らずジクロルメタン，ブロモホルムなどと酸素との
混合ガスを用いてもよい。
【００２２】＜実施例３＞以下、実施例を図４を用いて
説明する。本実施例は、有機膜としてポリイミド樹脂膜
に開口部を形成した例である。
説明する。本実施例は、有機膜としてポリイミド樹脂膜
に開口部を形成した例である。
【００２３】図４（ａ）は、配線パターン７上に層間絶
縁膜としてポリイミド膜３を３μｍを形成し、その上に
ＳｉＯ2 膜４を５０ｎｍ、その上に０.５μｍ のレジス
ト膜５を形成し、さらにレジスト層にパターンを形成し
た図である。次にＣＦ4 系のガスを用いてドライエッチ
ングによりＳｉＯ2 膜４にパターンを転写する。さらに
そのＳｉＯ2 膜パターンをマスクとしてドライエッチン
グにより３０％のオーバーエッチングを行ないポリイミ
ド膜３にパターンを転写する（ｂ）。
縁膜としてポリイミド膜３を３μｍを形成し、その上に
ＳｉＯ2 膜４を５０ｎｍ、その上に０.５μｍ のレジス
ト膜５を形成し、さらにレジスト層にパターンを形成し
た図である。次にＣＦ4 系のガスを用いてドライエッチ
ングによりＳｉＯ2 膜４にパターンを転写する。さらに
そのＳｉＯ2 膜パターンをマスクとしてドライエッチン
グにより３０％のオーバーエッチングを行ないポリイミ
ド膜３にパターンを転写する（ｂ）。
【００２４】本実施例では、ポリイミド膜のエッチング
ガスとしてクロロホルムと酸素の混合ガスを用い、クロ
ロホルムの含有率２５％，圧力２ｍTorr，パワー４００
Ｗの条件でエッチングを行なった。次に、ＣＦ4系のド
ライエッチングによりＳｉＯ2膜４を除去し、ポリイミ
ド樹脂パターンを形成した（ｃ）。本実施例では、エッ
チング時のマスクとして使用したＳｉＯ2 膜とポリイミ
ド膜との選択比（ポリイミド膜／ＳｉＯ2 膜）が８０と
大きいためＳｉＯ2 膜厚は５０ｎｍと薄膜化でき、従っ
てＳｉＯ2 膜加工時の寸法シフトは０.０２μｍ 程度に
抑えることができる。また、ポリイミド膜エッチング時
の寸法シフトもほぼ０に抑えることができるため、寸法
シフトの無い高精度の加工が可能となった。
ガスとしてクロロホルムと酸素の混合ガスを用い、クロ
ロホルムの含有率２５％，圧力２ｍTorr，パワー４００
Ｗの条件でエッチングを行なった。次に、ＣＦ4系のド
ライエッチングによりＳｉＯ2膜４を除去し、ポリイミ
ド樹脂パターンを形成した（ｃ）。本実施例では、エッ
チング時のマスクとして使用したＳｉＯ2 膜とポリイミ
ド膜との選択比（ポリイミド膜／ＳｉＯ2 膜）が８０と
大きいためＳｉＯ2 膜厚は５０ｎｍと薄膜化でき、従っ
てＳｉＯ2 膜加工時の寸法シフトは０.０２μｍ 程度に
抑えることができる。また、ポリイミド膜エッチング時
の寸法シフトもほぼ０に抑えることができるため、寸法
シフトの無い高精度の加工が可能となった。
【００２５】なお、本実施例では、有機膜のエッチング
ガスとしてクロロホルムと酸素の混合ガスを用いたが、
これに限らずジクロルメタン，ブロモホルムなどと酸素
との混合ガスを用いても同様の結果が得られた。
ガスとしてクロロホルムと酸素の混合ガスを用いたが、
これに限らずジクロルメタン，ブロモホルムなどと酸素
との混合ガスを用いても同様の結果が得られた。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、多層レジストの下層有
機膜ドライエッチング時に生じる寸法細りを防ぐことが
できる。また中間層無機膜と下層有機膜との選択比が大
きくなるため、中間層エッチング時の寸法細りも低減で
きる。かつ被加工膜と有機膜との選択比も大きくなるた
め、有機膜エッチング時の被加工膜の削れも防ぐことが
できる。従って、多層レジストの高精度な加工が可能と
なる。また本発明で用いるガスは安全で使用が容易であ
り、また腐食性のガスではないためポンプへの負担も少
なく、ポンプのオイル交換などの装置の保守に要する時
間も少なくなるため、装置の稼働効率が向上する。
機膜ドライエッチング時に生じる寸法細りを防ぐことが
できる。また中間層無機膜と下層有機膜との選択比が大
きくなるため、中間層エッチング時の寸法細りも低減で
きる。かつ被加工膜と有機膜との選択比も大きくなるた
め、有機膜エッチング時の被加工膜の削れも防ぐことが
できる。従って、多層レジストの高精度な加工が可能と
なる。また本発明で用いるガスは安全で使用が容易であ
り、また腐食性のガスではないためポンプへの負担も少
なく、ポンプのオイル交換などの装置の保守に要する時
間も少なくなるため、装置の稼働効率が向上する。
【図１】本発明の一実施例の三層レジストの加工を示す
断面図。
断面図。
【図２】三層レジストを用いた被加工膜加工を示す断面
図。
図。
【図３】三層レジストを用いた合わせパターン加工を示
す断面図。
す断面図。
【図４】ポリイミド樹脂膜の加工を示す断面図。
１…半導体基板、２…被加工膜、３…有機膜、４…無機
膜、５…レジスト膜、６…被加工膜の削れ、７…配線パ
ターン。
膜、５…レジスト膜、６…被加工膜の削れ、７…配線パ
ターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久▲禮▼ 得男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 村井 二三夫 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 長谷川 昇雄 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】有機膜をドライエッチングによりパターニ
ングする方法において、エッチングするガスが少なくと
も炭素と塩素、または炭素と臭素、または炭素と塩素お
よび臭素の元素を含むことを特徴とするドライエッチン
グ方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記有機膜をエッチン
グするガスが炭素と塩素、または炭素と臭素、または炭
素と塩素および臭素の元素を含むガスと酸素ガスとの混
合物であるドライエッチング方法。 - 【請求項３】請求項２において、前記有機膜をエッチン
グするガスが少なくともクロロホルムと酸素を含むドラ
イエッチング方法。 - 【請求項４】請求項２において、前記有機膜をエッチン
グするガスが少なくともジクロルメタンと酸素を含むド
ライエッチング方法。 - 【請求項５】請求項２において、前記有機膜をエッチン
グするガスが少なくともブロモホルムと酸素を含むドラ
イエッチング方法。 - 【請求項６】請求項２において、有機膜は多層レジスト
の下層であるドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076598A JPH05283375A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076598A JPH05283375A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283375A true JPH05283375A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13609758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4076598A Withdrawn JPH05283375A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283375A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002510878A (ja) * | 1998-04-02 | 2002-04-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低ｋ誘電体をエッチングする方法 |
| JP2008004376A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Seiko Epson Corp | デバイス、薄膜形成方法及びデバイスの製造方法並びに電子機器 |
| US7914975B2 (en) | 2007-04-10 | 2011-03-29 | International Business Machines Corporation | Multiple exposure lithography method incorporating intermediate layer patterning |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP4076598A patent/JPH05283375A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002510878A (ja) * | 1998-04-02 | 2002-04-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低ｋ誘電体をエッチングする方法 |
| JP2008004376A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Seiko Epson Corp | デバイス、薄膜形成方法及びデバイスの製造方法並びに電子機器 |
| US7914975B2 (en) | 2007-04-10 | 2011-03-29 | International Business Machines Corporation | Multiple exposure lithography method incorporating intermediate layer patterning |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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