JPH0527600B2 - - Google Patents
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- JPH0527600B2 JPH0527600B2 JP63186885A JP18688588A JPH0527600B2 JP H0527600 B2 JPH0527600 B2 JP H0527600B2 JP 63186885 A JP63186885 A JP 63186885A JP 18688588 A JP18688588 A JP 18688588A JP H0527600 B2 JPH0527600 B2 JP H0527600B2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明はGaAsウエハにイオン注入を行う際の
熱処理工程において該ウエハ表面の抵抗率が熱処
理しても安定である半絶縁性GaAs単結晶および
その製造方法に関する。 ［従来技術］ 抵抗率が106Ωcm以上の半絶縁性GaAs単結晶は
電界効果トランジスタ等の半導体装置の素子とし
て有用である。通常半絶縁性GaAs単結晶をウエ
ハに加工し、このウエハ上にイオン注入を行い素
子を製造する。このように、イオン注入したウエ
ハの表面は結晶性に乱れを生じているので、それ
を修正するために約800℃で10〜30分程度の熱処
理を行つている。しかしながら、上記熱処理によ
つて、ウエハ表面からAsが蒸発するので、ウエ
ハ表面のAs濃度が減少し、これに伴つて深いド
ナー型欠陥の数も減少する。伴つてアクセプタ型
不純物を補償できなくなり、単結晶作成時に半絶
縁性を有していたとしても、それを失い、ウエハ
表面の抵抗率が低下し、素子として使用するのに
不具合を生ずる。このアクセプタ型不純物として
は、従来は主として炭素が知られており、他の亜
鉛、マンガン等の濃度は無視できる程度なので、
炭素濃度を一定値以下に制御する方法が専らとら
れていた。例えば特開昭62−30700号公報では結
晶中に含有する炭素濃度が1.5×1015原子数／cm3
以下である化合物半導体単結晶を開示し、また特
開昭62−70300号公報では直接合成LEC法によつ
て製造されるアンドープGaAs単結晶であつて、
結晶中に浅いアクセプターおよびドナーレベルを
形成する主要な残留不純物である炭素およびシリ
コンの濃度がそれぞれ５×1515cm-3および２×
1015cm-3以下であり、かつ室温での比抵抗が約３
×107〜１×108Ωcmの範囲内の抵抗率を有する半
絶縁性GaAs単結晶を開示している。しかしなが
ら、上記の公報に示されるような低い炭素濃度に
制御されたGaAs単結晶ウエハであつても、イオ
ン注入後の熱処理によつてウエハの表面抵抗率
（RS）が１×107Ω／□以下になることが多く、熱
的に安定なGaAs単結晶が望まれていた。 ［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は上記問題点を解消し、ウエハに
イオン注入を行う際の熱処理工程において該ウエ
ハの表面抵抗率（RS）が安定である半絶縁性
GaAs単結晶およびその製造方法を提供すること
である。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために第１に本発明の半絶
縁性GaAs単結晶は、液体封止引上法により製造
されるGaAs単結晶であつて、上記単結晶中にホ
ウ素Ｂと炭素Ｃを含有し、該Ｂの2.5％以下と該
Ｃ全量との和が２×1015cm-3以下であり、かつア
クセプタ型不純物である点に特徴がある。第２に
本発明の半絶縁性GaAs単結晶は、液体封止引上
法により製造されるGaAs単結晶であつて、上記
単結晶中にＢを含有し、該Ｂの2.5％以下が２×
1015cm-3以下であり、かつアクセプタ型不純物で
ある点に特徴がある。 第３に本発明は、液体封止引上法でGaAs単結
晶を製造するに際して、前記単結晶からウエハを
加工し該ウエハを850℃で30分間不活性ガスおよ
び／または水素雰囲気中で熱処理した後、該ウエ
ハ中のＢとＣとを分析し該ＢとＣの濃度が（）
式に従うように前記単結晶内に含有するＢおよび
Ｃの濃度を制御する点に特徴がある。 logRS＝ylog（［Ｃ］＋ｘ／100［Ｂ］）＋ｚ （） 但し RS…表面抵抗率［Ω／□］ ［Ｃ］…ウエハ中に含有される炭素濃度 ［原子数／cm3］ ［Ｂ］…ウエハ中に含有されるホウ素濃度 ［原子数／cm3］ ｘ…係数、1.0≦ｘ≦2.5 ｙ…係数、−３≦ｙ≦−１ ｚ…係数、35≦ｚ≦50 ［作用］ 本願発明者らの研究によれば、液体封止引上法
により製造されるGaAs単結晶において熱処理に
よつて作用するアクセプタ型不純物は、Ｃだけで
なく大量に結晶中に残留しているＢのうちの一定
割合以下のＢもまたアクセプタ型不純物として作
用することを見い出し（第34回応用物理学関係連
合講演会予稿集28p−Ｚ−９）たが、以後詳細な
調査検討を行い本発明に到つた。 本発明の半絶縁性GaAs単結晶は液体封止引上
法により得られるものであつて、アンドープ品や
インジウムなどの中性不純物やクロム等の深いア
クセプタ準位を生成するドーピング品でも区別な
く用いることができる。 ガリウム（Ga）およびヒ素（As）は半導体用
に精製した99.999重量％以上の純度を有するもの
が好しく、これらをGaとAsのモル比（As／Ga）
が1.00〜1.05、即ち若干As過剰の条件で仕込むと
好適な半絶縁性のGaAs単結晶を得ることができ
る。該GaAs単結晶がＢとＣを含有する場合には
該Ｂ量の2.5％以下と該Ｃ全量との和が２×1015
cm3以下であり、かつアクセプタ型不純物であるこ
とが必要である。また、該GaAs単結晶がＢを含
有する場合には該Ｂ量の2.5％以下が２×1015cm3
以下であり、かつアクセプタ型不純物であること
が必要である。即ち、該GaAs単結晶中に該Ｂと
Ｃとを共に含有する場合には該Ｂ濃度の大小に関
係なく、その2.5％以下のＢ量と該Ｃ全量との和
が、アクセプタ型不純物として機能する。従つ
て、該和が２×1015cm3を越えると、該GaAsウエ
ハの表面抵抗率が抵下し半絶縁性が損なわれる。
一方、Ｃを含有せずＢを含有する場合には、Ｂ量
の2.5％以下に当たる量が２×1015cm3以下であり、
かつアクセプタ型不純物とする必要がある。 本出願の第３の発明において、該GaAs単結晶
から加工するウエハは通常の大きさ、形状のもの
でよく、例えば直径が２インチ、または３インチ
で厚さが１mm程度のものが用いられる。 液体封止引上法により高純度のGaとAsを原料
としB2O3を封止剤に用い、それぞれ異つたGaAs
融液温度、単結晶引上時間等の条件で製造した
GaAs単結晶をウエハに加工し、熱処理した後
に、これらのウエハ中のＢとＣの定量分析値とウ
エハの表面抵抗率（RS）との関係を求めると第
１図のような相関が認められる。この第１図の相
関は（）式で表わされるものであり、該（）
式中でｘは１〜2.5の範囲で選ばれ百分率を示す
項であつて特にｘ＝２が中央値を示す。またｙは
−３〜−１の範囲、ｚは35〜50の範囲で選ばれ、
特にｙ＝−2.7、Ｚ＝49が中央値を示すものであ
る。（）式によれば、該GaAsウエハ中のＢと
Ｃの濃度を制御することにより、所望のRSを有
するウエハを製造することが可能であり、特に
RSが10Ω／□以上のものとするために有効であ
り、該GaAs単結晶引上に際して条件を加えれば
よい。例えば、Ｂ濃度の低減のためには液体封止
剤B2O3がGaAs融液中へ混入するのを抑制するよ
うに、通常知られているようなB2O3層の温度を
下げたり、結晶引上に要する時間を短縮したり、
酸化ガリウムのようなＢと反応して安全な化合物
を生成する化合物を添加する方法や、水分率の低
いB2O3を用いる方法等が挙げられる。一方Ｃ濃
度の低減のためには、本出願人が特願昭63−
68065号公報で開示したような引上機チヤンバー
内に発生した不純物ガスを精製装置で除去する方
法を挙げることができるが、他の方法でも特に制
限されるものではない。該熱処理は845〜855℃で
29〜31分が好適であり用いる加熱装置は電気炉、
高周波炉、赤外線加熱炉等が望ましい。該不活性
ガスとしては、アルゴン、窒素、ヘリウム等を挙
げることができ、これらガスを単独で用いても混
合して用いても差支えない。該不活性ガスを水素
と混合すれば酸化を防止できてより効果的であ
り、水素単独でも差支えない。該ウエハ中のＢお
よびＣの分析方法は特に限定されないが、Ｂにつ
いては誘導結合プラズマ発光分光分析法（ICP）、
二次イオン質量分析法（SIMS）を挙げることが
でき、特にSIMSが好ましい。またＣについては
放射化分析法、赤外分光分析法を挙げることがで
き、特に放射化分析法が好ましい。該表面抵抗率
（RS）の測定方法としては、特に限定されず、通
常の高抵抗測定器、例えばDIGITAL HIGH
MEGOHM METER（タケダ理研製TR8611A）
を用いればよい。 実施例 １ 99.9999重量％であるGaとAsを用いAs／Gaの
モル比を1.05として封止剤としてB2O3を用いて
液体封止引上法によりアンドープの３種類の
GaAs単結晶を製造した。これらのGaAs単結晶
からそれぞれ直径２インチ厚さ１mmのウエハを切
り出した。水素雰囲気にした電気炉内に同種類の
ウエハを二枚重ね合せて設置しピーク温度850℃
で保持時間30分処理した。熱処理後、このウエハ
のＢについてはSIMS法で、Ｃについては放射化
分析法で分析した。表面抵抗率（RS）について
はDIGITAL HIGH MEGOHM
METERTR8611A（タケダ理研製）を用いて測定
した。Ｂ量分析値の２％を計算し、全Ｃ量分析値
との和を求めRSとの関係を求めた。これらの結
果を第１表に示す。
熱処理工程において該ウエハ表面の抵抗率が熱処
理しても安定である半絶縁性GaAs単結晶および
その製造方法に関する。 ［従来技術］ 抵抗率が106Ωcm以上の半絶縁性GaAs単結晶は
電界効果トランジスタ等の半導体装置の素子とし
て有用である。通常半絶縁性GaAs単結晶をウエ
ハに加工し、このウエハ上にイオン注入を行い素
子を製造する。このように、イオン注入したウエ
ハの表面は結晶性に乱れを生じているので、それ
を修正するために約800℃で10〜30分程度の熱処
理を行つている。しかしながら、上記熱処理によ
つて、ウエハ表面からAsが蒸発するので、ウエ
ハ表面のAs濃度が減少し、これに伴つて深いド
ナー型欠陥の数も減少する。伴つてアクセプタ型
不純物を補償できなくなり、単結晶作成時に半絶
縁性を有していたとしても、それを失い、ウエハ
表面の抵抗率が低下し、素子として使用するのに
不具合を生ずる。このアクセプタ型不純物として
は、従来は主として炭素が知られており、他の亜
鉛、マンガン等の濃度は無視できる程度なので、
炭素濃度を一定値以下に制御する方法が専らとら
れていた。例えば特開昭62−30700号公報では結
晶中に含有する炭素濃度が1.5×1015原子数／cm3
以下である化合物半導体単結晶を開示し、また特
開昭62−70300号公報では直接合成LEC法によつ
て製造されるアンドープGaAs単結晶であつて、
結晶中に浅いアクセプターおよびドナーレベルを
形成する主要な残留不純物である炭素およびシリ
コンの濃度がそれぞれ５×1515cm-3および２×
1015cm-3以下であり、かつ室温での比抵抗が約３
×107〜１×108Ωcmの範囲内の抵抗率を有する半
絶縁性GaAs単結晶を開示している。しかしなが
ら、上記の公報に示されるような低い炭素濃度に
制御されたGaAs単結晶ウエハであつても、イオ
ン注入後の熱処理によつてウエハの表面抵抗率
（RS）が１×107Ω／□以下になることが多く、熱
的に安定なGaAs単結晶が望まれていた。 ［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は上記問題点を解消し、ウエハに
イオン注入を行う際の熱処理工程において該ウエ
ハの表面抵抗率（RS）が安定である半絶縁性
GaAs単結晶およびその製造方法を提供すること
である。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために第１に本発明の半絶
縁性GaAs単結晶は、液体封止引上法により製造
されるGaAs単結晶であつて、上記単結晶中にホ
ウ素Ｂと炭素Ｃを含有し、該Ｂの2.5％以下と該
Ｃ全量との和が２×1015cm-3以下であり、かつア
クセプタ型不純物である点に特徴がある。第２に
本発明の半絶縁性GaAs単結晶は、液体封止引上
法により製造されるGaAs単結晶であつて、上記
単結晶中にＢを含有し、該Ｂの2.5％以下が２×
1015cm-3以下であり、かつアクセプタ型不純物で
ある点に特徴がある。 第３に本発明は、液体封止引上法でGaAs単結
晶を製造するに際して、前記単結晶からウエハを
加工し該ウエハを850℃で30分間不活性ガスおよ
び／または水素雰囲気中で熱処理した後、該ウエ
ハ中のＢとＣとを分析し該ＢとＣの濃度が（）
式に従うように前記単結晶内に含有するＢおよび
Ｃの濃度を制御する点に特徴がある。 logRS＝ylog（［Ｃ］＋ｘ／100［Ｂ］）＋ｚ （） 但し RS…表面抵抗率［Ω／□］ ［Ｃ］…ウエハ中に含有される炭素濃度 ［原子数／cm3］ ［Ｂ］…ウエハ中に含有されるホウ素濃度 ［原子数／cm3］ ｘ…係数、1.0≦ｘ≦2.5 ｙ…係数、−３≦ｙ≦−１ ｚ…係数、35≦ｚ≦50 ［作用］ 本願発明者らの研究によれば、液体封止引上法
により製造されるGaAs単結晶において熱処理に
よつて作用するアクセプタ型不純物は、Ｃだけで
なく大量に結晶中に残留しているＢのうちの一定
割合以下のＢもまたアクセプタ型不純物として作
用することを見い出し（第34回応用物理学関係連
合講演会予稿集28p−Ｚ−９）たが、以後詳細な
調査検討を行い本発明に到つた。 本発明の半絶縁性GaAs単結晶は液体封止引上
法により得られるものであつて、アンドープ品や
インジウムなどの中性不純物やクロム等の深いア
クセプタ準位を生成するドーピング品でも区別な
く用いることができる。 ガリウム（Ga）およびヒ素（As）は半導体用
に精製した99.999重量％以上の純度を有するもの
が好しく、これらをGaとAsのモル比（As／Ga）
が1.00〜1.05、即ち若干As過剰の条件で仕込むと
好適な半絶縁性のGaAs単結晶を得ることができ
る。該GaAs単結晶がＢとＣを含有する場合には
該Ｂ量の2.5％以下と該Ｃ全量との和が２×1015
cm3以下であり、かつアクセプタ型不純物であるこ
とが必要である。また、該GaAs単結晶がＢを含
有する場合には該Ｂ量の2.5％以下が２×1015cm3
以下であり、かつアクセプタ型不純物であること
が必要である。即ち、該GaAs単結晶中に該Ｂと
Ｃとを共に含有する場合には該Ｂ濃度の大小に関
係なく、その2.5％以下のＢ量と該Ｃ全量との和
が、アクセプタ型不純物として機能する。従つ
て、該和が２×1015cm3を越えると、該GaAsウエ
ハの表面抵抗率が抵下し半絶縁性が損なわれる。
一方、Ｃを含有せずＢを含有する場合には、Ｂ量
の2.5％以下に当たる量が２×1015cm3以下であり、
かつアクセプタ型不純物とする必要がある。 本出願の第３の発明において、該GaAs単結晶
から加工するウエハは通常の大きさ、形状のもの
でよく、例えば直径が２インチ、または３インチ
で厚さが１mm程度のものが用いられる。 液体封止引上法により高純度のGaとAsを原料
としB2O3を封止剤に用い、それぞれ異つたGaAs
融液温度、単結晶引上時間等の条件で製造した
GaAs単結晶をウエハに加工し、熱処理した後
に、これらのウエハ中のＢとＣの定量分析値とウ
エハの表面抵抗率（RS）との関係を求めると第
１図のような相関が認められる。この第１図の相
関は（）式で表わされるものであり、該（）
式中でｘは１〜2.5の範囲で選ばれ百分率を示す
項であつて特にｘ＝２が中央値を示す。またｙは
−３〜−１の範囲、ｚは35〜50の範囲で選ばれ、
特にｙ＝−2.7、Ｚ＝49が中央値を示すものであ
る。（）式によれば、該GaAsウエハ中のＢと
Ｃの濃度を制御することにより、所望のRSを有
するウエハを製造することが可能であり、特に
RSが10Ω／□以上のものとするために有効であ
り、該GaAs単結晶引上に際して条件を加えれば
よい。例えば、Ｂ濃度の低減のためには液体封止
剤B2O3がGaAs融液中へ混入するのを抑制するよ
うに、通常知られているようなB2O3層の温度を
下げたり、結晶引上に要する時間を短縮したり、
酸化ガリウムのようなＢと反応して安全な化合物
を生成する化合物を添加する方法や、水分率の低
いB2O3を用いる方法等が挙げられる。一方Ｃ濃
度の低減のためには、本出願人が特願昭63−
68065号公報で開示したような引上機チヤンバー
内に発生した不純物ガスを精製装置で除去する方
法を挙げることができるが、他の方法でも特に制
限されるものではない。該熱処理は845〜855℃で
29〜31分が好適であり用いる加熱装置は電気炉、
高周波炉、赤外線加熱炉等が望ましい。該不活性
ガスとしては、アルゴン、窒素、ヘリウム等を挙
げることができ、これらガスを単独で用いても混
合して用いても差支えない。該不活性ガスを水素
と混合すれば酸化を防止できてより効果的であ
り、水素単独でも差支えない。該ウエハ中のＢお
よびＣの分析方法は特に限定されないが、Ｂにつ
いては誘導結合プラズマ発光分光分析法（ICP）、
二次イオン質量分析法（SIMS）を挙げることが
でき、特にSIMSが好ましい。またＣについては
放射化分析法、赤外分光分析法を挙げることがで
き、特に放射化分析法が好ましい。該表面抵抗率
（RS）の測定方法としては、特に限定されず、通
常の高抵抗測定器、例えばDIGITAL HIGH
MEGOHM METER（タケダ理研製TR8611A）
を用いればよい。 実施例 １ 99.9999重量％であるGaとAsを用いAs／Gaの
モル比を1.05として封止剤としてB2O3を用いて
液体封止引上法によりアンドープの３種類の
GaAs単結晶を製造した。これらのGaAs単結晶
からそれぞれ直径２インチ厚さ１mmのウエハを切
り出した。水素雰囲気にした電気炉内に同種類の
ウエハを二枚重ね合せて設置しピーク温度850℃
で保持時間30分処理した。熱処理後、このウエハ
のＢについてはSIMS法で、Ｃについては放射化
分析法で分析した。表面抵抗率（RS）について
はDIGITAL HIGH MEGOHM
METERTR8611A（タケダ理研製）を用いて測定
した。Ｂ量分析値の２％を計算し、全Ｃ量分析値
との和を求めRSとの関係を求めた。これらの結
果を第１表に示す。
【表】
第１表から（［Ｃ］＋２％［Ｂ］）の値が２×
1015以下であるサンプルNo.１のウエハのみRSが
107Ω／□以上となり、半絶縁性を維持している
ことがわかる。 実施例 ２ 99.9999重量％のGaとAsを原料として用い
As／Gaのモル比を1.0として水分量が200ppm以
下のB2O3を封止剤として用い、添加剤として
Ga2O3を80mg、300mg、1500mgをそれぞれ添加し
てアルゴンを封入して20Kg／cm2とし1500℃に昇温
し液体封止引上法によりアンドープのGaAs単結
晶を製造した。引上機チヤンバ内の発生ガス、主
として一酸化炭素と二酸化炭素とを封入アルゴン
と共に循環速度を１／分にしてマスフローコン
トローラーを用いて循環しジルコニウム−ゼオラ
イト系吸着剤充填カラムへ導入して、これら炭素
含有ガスを除去した。引き上げた単結晶から実施
例１と同様にしてウエハを加工し、熱処理を行
い、ＣおよびＢを定量し、表面抵抗率（RS）を
測定した。第２表にGa2O3の添加量とＣおよびＢ
の濃度そして表面抵抗率（RS）との関係を示す。
今（）式を次の（）′式のように各係数を定
め logRS＝−2.7log（［Ｃ］２／100［Ｂ］）＋49（）′ 定量したＣとＢの分析値を代入して計算したRS
を実測値と比較すると、良い一致を示すことが分
る。
1015以下であるサンプルNo.１のウエハのみRSが
107Ω／□以上となり、半絶縁性を維持している
ことがわかる。 実施例 ２ 99.9999重量％のGaとAsを原料として用い
As／Gaのモル比を1.0として水分量が200ppm以
下のB2O3を封止剤として用い、添加剤として
Ga2O3を80mg、300mg、1500mgをそれぞれ添加し
てアルゴンを封入して20Kg／cm2とし1500℃に昇温
し液体封止引上法によりアンドープのGaAs単結
晶を製造した。引上機チヤンバ内の発生ガス、主
として一酸化炭素と二酸化炭素とを封入アルゴン
と共に循環速度を１／分にしてマスフローコン
トローラーを用いて循環しジルコニウム−ゼオラ
イト系吸着剤充填カラムへ導入して、これら炭素
含有ガスを除去した。引き上げた単結晶から実施
例１と同様にしてウエハを加工し、熱処理を行
い、ＣおよびＢを定量し、表面抵抗率（RS）を
測定した。第２表にGa2O3の添加量とＣおよびＢ
の濃度そして表面抵抗率（RS）との関係を示す。
今（）式を次の（）′式のように各係数を定
め logRS＝−2.7log（［Ｃ］２／100［Ｂ］）＋49（）′ 定量したＣとＢの分析値を代入して計算したRS
を実測値と比較すると、良い一致を示すことが分
る。
【表】
［発明の効果］
本発明を実施することにより、第１としてウエ
ハにイオン注入を行う際の熱処理工程後において
も該ウエハの表面抵抗率（RS）が安定な半絶縁
性GaAs単結晶を得ることができる。また第２と
して、所望の表面抵抗率（RS）を有するGaAs単
結晶ウエハ、特にRSが確実に107Ω／□以上であ
るものを得ることができるのでその効果は極めて
高いものがある。
ハにイオン注入を行う際の熱処理工程後において
も該ウエハの表面抵抗率（RS）が安定な半絶縁
性GaAs単結晶を得ることができる。また第２と
して、所望の表面抵抗率（RS）を有するGaAs単
結晶ウエハ、特にRSが確実に107Ω／□以上であ
るものを得ることができるのでその効果は極めて
高いものがある。
第１図は本発明によるウエハ中の（［Ｃ］＋２％
［Ｂ］）と表面抵抗率（RS）との関係を示すもの
である。
［Ｂ］）と表面抵抗率（RS）との関係を示すもの
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 液体封止引上法により製造されるGaAs単結
晶であつて、上記単結晶中にホウ素と炭素を含有
し、該ホウ素の2.5％以下と該炭素全量との和が
２×1015cm-3以下であり、かつアクセプタ型不純
物であることを特徴とする半絶縁性GaAs単結
晶。 ２ 液体封止引上法により製造されるGaAs単結
晶であつて、上記単結晶中にホウ素を含有し、該
ホウ素の2.5％以下が２×1015cm-3以下であり、か
つアクセプタ型不純物であることを特徴とする半
絶縁性GaAs単結晶。 ３ 液体封止引上法でGaAs単結晶を製造するに
際して、前記単結晶からウエハを加工し該ウエハ
を850℃で30分間不活性ガスおよび／または水素
雰囲気中で熱処理した後、該ウエハ中のホウ素と
炭素とを分析し、該ホウ素と炭素の濃度が（）
式に従うように前記単結晶内に含有するホウ素お
よび炭素の濃度を制御することを特徴とする半絶
縁性GaAs単結晶の製造方法。 logRS＝ylog（［Ｃ］＋ｘ／100［Ｂ］）＋ｚ （） 但し RS…表面抵抗率［Ω／□］ ［Ｃ］…ウエハ中に含有される炭素濃度 ［原子数／cm3］ ［Ｂ］…ウエハ中に含有されるホウ素濃度 ［原子数／cm3］ ｘ…係数、1.0≦ｘ≦2.5 ｙ…係数、−３≦ｙ≦−１ ｚ…係数、35≦ｚ≦50。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18688588A JPH0238400A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18688588A JPH0238400A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0238400A JPH0238400A (ja) | 1990-02-07 |
| JPH0527600B2 true JPH0527600B2 (ja) | 1993-04-21 |
Family
ID=16196389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18688588A Granted JPH0238400A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0238400A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2967780B1 (ja) * | 1998-09-28 | 1999-10-25 | 住友電気工業株式会社 | ＧａＡｓ単結晶基板およびそれを用いたエピタキシャルウェハ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226894A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Hitachi Metals Ltd | ＧａＡｓ単結晶基板 |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP18688588A patent/JPH0238400A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226894A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Hitachi Metals Ltd | ＧａＡｓ単結晶基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0238400A (ja) | 1990-02-07 |
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