JPH0492899A - 半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板の製造方法 - Google Patents
半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板の製造方法Info
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- JPH0492899A JPH0492899A JP20605990A JP20605990A JPH0492899A JP H0492899 A JPH0492899 A JP H0492899A JP 20605990 A JP20605990 A JP 20605990A JP 20605990 A JP20605990 A JP 20605990A JP H0492899 A JPH0492899 A JP H0492899A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電子デバイス、特に○ＥＩＣ，ＨＥＭＴ、イ
オン注入型ＦＥＴなどに用いる半絶縁性ＩｎＰ単結晶及
びその製造方法に関する。
オン注入型ＦＥＴなどに用いる半絶縁性ＩｎＰ単結晶及
びその製造方法に関する。
［従来の技術］
化合物半導体材料を半絶縁性化するにあたり、ｎ型の不
純物となるＳｉやＳを含む材料では、深いアクセプター
となるＦｅ、ＣｏまたはＣｒ等を添加する方法が工業的
に用いられている。この半絶縁性化は、浅いドナーを深
いアクセプターで補償するという機構によるものである
。したがって、深いアクセプターとなる元素の添加量は
、結晶材料中に含有されているドナーの量より多くなけ
れば、半絶縁性化することはできないとされている。
純物となるＳｉやＳを含む材料では、深いアクセプター
となるＦｅ、ＣｏまたはＣｒ等を添加する方法が工業的
に用いられている。この半絶縁性化は、浅いドナーを深
いアクセプターで補償するという機構によるものである
。したがって、深いアクセプターとなる元素の添加量は
、結晶材料中に含有されているドナーの量より多くなけ
れば、半絶縁性化することはできないとされている。
ところが、Ｆｅ、ＣｏまたはＣｒ等をドープして半絶縁
性化する場合、これらの量はできるだけ少ないことが望
ましい。なぜならば、Ｆｅ、Ｃｏ。
性化する場合、これらの量はできるだけ少ないことが望
ましい。なぜならば、Ｆｅ、Ｃｏ。
Ｃｒ等は、深いアクセプターとして作用するため、イオ
ン注入型の電子デバイス（ＦＥＴなと）においては活性
化率を低下させたり、また高周波で動作させるデバイス
（ＯＥＩＣやＨＥ Ｍ Ｔなと）においてはエピタキシ
ャル膜中にこれらの元素が拡散しトラップとして作用し
て高周波かつ高速化を妨げてしまうからである。
ン注入型の電子デバイス（ＦＥＴなと）においては活性
化率を低下させたり、また高周波で動作させるデバイス
（ＯＥＩＣやＨＥ Ｍ Ｔなと）においてはエピタキシ
ャル膜中にこれらの元素が拡散しトラップとして作用し
て高周波かつ高速化を妨げてしまうからである。
従来、電子デバイスに用いる半絶縁性のＩｎＰとしては
、ＦｅドープＩｎＰが主として用いられている。
、ＦｅドープＩｎＰが主として用いられている。
しかし、Ｆｅの含有濃度が０ 、 ２ ｐｐｍｗ以下で
あると、抵抗率が１０’Ω・ｃｍより低くなってしまい
、半絶縁性が低下してしまう。これを半絶縁性結晶とす
るためには、Ｆｅのドープ量を一定量（０゜２ｐｐｍｗ
）以上にしなければならなかった。
あると、抵抗率が１０’Ω・ｃｍより低くなってしまい
、半絶縁性が低下してしまう。これを半絶縁性結晶とす
るためには、Ｆｅのドープ量を一定量（０゜２ｐｐｍｗ
）以上にしなければならなかった。
このように、化合物半導体でＦｅ、Ｃｒ等の含有濃度が
低くなると抵抗率が下がってしまうのは、ドナーとなる
不純物がその水準まで残留不純物として結晶中に存在す
るためと一般に考えられていた。ところが、本発明者等
は、ＩｎＰ単結晶の半絶縁性化の機構は、ドナーと深い
アクセプターによる補償のみでなく、さらに電気的に活
性な点欠陥も関与していると考え、鋭意研究の結果、結
晶を熱処理することにより点欠陥の濃度を制御すること
により、従来に比し格段と低い深いアクセプターの不純
物濃度でも化合物半導体を半絶縁性化できることを見い
出した。
低くなると抵抗率が下がってしまうのは、ドナーとなる
不純物がその水準まで残留不純物として結晶中に存在す
るためと一般に考えられていた。ところが、本発明者等
は、ＩｎＰ単結晶の半絶縁性化の機構は、ドナーと深い
アクセプターによる補償のみでなく、さらに電気的に活
性な点欠陥も関与していると考え、鋭意研究の結果、結
晶を熱処理することにより点欠陥の濃度を制御すること
により、従来に比し格段と低い深いアクセプターの不純
物濃度でも化合物半導体を半絶縁性化できることを見い
出した。
これにより本発明者等は先に、Ｆｅ、ＣｏまたはＣｒの
いずれか１種以上の含有濃度の合計が０゜２ ｐｐｍｗ
以下でありかつ抵抗率が１０’Ω・印以上である化合物
半導体の製造技術を提案した（特願昭６３−２２０６３
２号）。
いずれか１種以上の含有濃度の合計が０゜２ ｐｐｍｗ
以下でありかつ抵抗率が１０’Ω・印以上である化合物
半導体の製造技術を提案した（特願昭６３−２２０６３
２号）。
すなわち、Ｆｅ、ＣｏまたはＣｒを０ 、２ ｐｐｍｗ
以下含有する化合物半導体材料を石英アンプル内に真空
封入するとともに、この石英アンプル内に前記化合物半
導体材料の構成元素またはその構成元素を含む別個の化
合物半導体材料を配置し、石英アンプル内を前記薄板か
らなる化合物半導体材料の解離圧以上となる圧力とし、
石英アンプルを４００〜６４０℃で加熱するというもの
である。
以下含有する化合物半導体材料を石英アンプル内に真空
封入するとともに、この石英アンプル内に前記化合物半
導体材料の構成元素またはその構成元素を含む別個の化
合物半導体材料を配置し、石英アンプル内を前記薄板か
らなる化合物半導体材料の解離圧以上となる圧力とし、
石英アンプルを４００〜６４０℃で加熱するというもの
である。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記先願発明にあっては、移動度として３７０
０ｃｆｆｌ／Ｖ−ｓが限度であり、しかも熱処理温度を
４００’Ｃ以下または６４０’Ｃ以上にすると、移動度
として３０００ｃ＋＋ｔ／Ｖ・Ｓ以上を達成できなかっ
た。
０ｃｆｆｌ／Ｖ−ｓが限度であり、しかも熱処理温度を
４００’Ｃ以下または６４０’Ｃ以上にすると、移動度
として３０００ｃ＋＋ｔ／Ｖ・Ｓ以上を達成できなかっ
た。
一方、本発明者らは、先に、ノンドープＩｎＰ単結晶す
なわち故意に不純物を添加することなく、かつ残留不純
物として存在するＦｅ、ＣｏまたはＣｒのいずれか１種
以上の不純物の含有濃度が分析下限である０、０５ｐｐ
ｍｗ以下のＴｎＰ単結晶と所定量のリンを石英アンプル
内に配置して、真空封入するとともに、石英アンプル内
を６ ｋｇ ／ ａｎｔ（絶対値）を超えるリン蒸気圧
として石英アンプルを加熱することにより、３００にで
の抵抗率が１０°Ω−１以上で移動度が３０００ｃｎｔ
／Ｖ−ｓを超える半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法を開
発し、提案した（特願平２−１１５４０３号）。
なわち故意に不純物を添加することなく、かつ残留不純
物として存在するＦｅ、ＣｏまたはＣｒのいずれか１種
以上の不純物の含有濃度が分析下限である０、０５ｐｐ
ｍｗ以下のＴｎＰ単結晶と所定量のリンを石英アンプル
内に配置して、真空封入するとともに、石英アンプル内
を６ ｋｇ ／ ａｎｔ（絶対値）を超えるリン蒸気圧
として石英アンプルを加熱することにより、３００にで
の抵抗率が１０°Ω−１以上で移動度が３０００ｃｎｔ
／Ｖ−ｓを超える半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法を開
発し、提案した（特願平２−１１５４０３号）。
本発明の目的は、Ｆｅ、ＣｏまたはＣｒ等深いアクセプ
タとなる不純物を含有したＩｎＰ単結晶において、抵抗
率４ Ｘ １０’Ω・ｃｍ以上で、かつ移動度が３５０
０ｃｎｔ／Ｖ −ｓを達成し得る半絶縁性１ｎＰ単結晶
の製造方法を提供することにある。
タとなる不純物を含有したＩｎＰ単結晶において、抵抗
率４ Ｘ １０’Ω・ｃｍ以上で、かつ移動度が３５０
０ｃｎｔ／Ｖ −ｓを達成し得る半絶縁性１ｎＰ単結晶
の製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明者らが先に提案した［故意に不純物を添加するこ
となく、かつ残留不純物として存在するＦｅ、Ｃｏまた
はＣｒのいずれか１種以上の不純物の含有濃度が分析下
限である０、０５ｐｐｍｗ以下のＩｎＰ単結晶と所定量
のリンを石英アンプル内に配置して、真空封入するとと
もに、石英アンプル内を６ｋｇ／ｃｏ！（絶対値）を超
えるリン蒸気圧として石英アンプルを加熱する」という
方法により、３００にでの抵抗率が１０”Ω・ｃｍ以上
で移動度が３０００ｃｎ！／Ｖ−ｓを超える半絶縁性Ｉ
ｎＰ単結晶が得られるのは、熱処理によって形成される
電気的に活性な点欠陥が結晶中に残留する浅いドナーを
補償するためである。
となく、かつ残留不純物として存在するＦｅ、Ｃｏまた
はＣｒのいずれか１種以上の不純物の含有濃度が分析下
限である０、０５ｐｐｍｗ以下のＩｎＰ単結晶と所定量
のリンを石英アンプル内に配置して、真空封入するとと
もに、石英アンプル内を６ｋｇ／ｃｏ！（絶対値）を超
えるリン蒸気圧として石英アンプルを加熱する」という
方法により、３００にでの抵抗率が１０”Ω・ｃｍ以上
で移動度が３０００ｃｎ！／Ｖ−ｓを超える半絶縁性Ｉ
ｎＰ単結晶が得られるのは、熱処理によって形成される
電気的に活性な点欠陥が結晶中に残留する浅いドナーを
補償するためである。
そこで、本発明者らは予め深いアクセプタとなる不純物
を含有させたＩｎＰ単結晶をリン蒸気圧下で熱処理すれ
ば、より低い蒸気圧で半絶縁性化できるのではないかと
考え、さらに研究を行なった。
を含有させたＩｎＰ単結晶をリン蒸気圧下で熱処理すれ
ば、より低い蒸気圧で半絶縁性化できるのではないかと
考え、さらに研究を行なった。
その結果、０ 、 ５ ｐｐｍｗ以下のＦｅを含有した
■ｎＰ単結晶を３ ｋｇ ／ ｃｎｔ以上のリン蒸気圧
下で熱処理することにより４ ｘ ｌ Ｏ’Ω・ゴ以上
の抵抗率が得られることを見出した。しかも都合のよい
ことに、０．４ ｐｐｍｗ以下のＦｅを含有したＩｎＰ
単結晶を３ ｋｇ／７以上のリン蒸気圧下で熱処理する
ことにより３５００ｃｎｌ／Ｖ −ｓ以上の移動度が得
られることが分かった。
■ｎＰ単結晶を３ ｋｇ ／ ｃｎｔ以上のリン蒸気圧
下で熱処理することにより４ ｘ ｌ Ｏ’Ω・ゴ以上
の抵抗率が得られることを見出した。しかも都合のよい
ことに、０．４ ｐｐｍｗ以下のＦｅを含有したＩｎＰ
単結晶を３ ｋｇ／７以上のリン蒸気圧下で熱処理する
ことにより３５００ｃｎｌ／Ｖ −ｓ以上の移動度が得
られることが分かった。
本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、Ｆｅ、
ＣｏまたはＣｒのいずれか１種以上のアクセプタ型不純
物を、それらの含有濃度の合計が０゜４ ｐｐｍｗ以下
となるように添加させてなるＩｎＰ単結晶を、３ｋｇ／
ｃＩ１１以上のリン蒸気圧雰囲気で熱処理することを提
案するものである。
ＣｏまたはＣｒのいずれか１種以上のアクセプタ型不純
物を、それらの含有濃度の合計が０゜４ ｐｐｍｗ以下
となるように添加させてなるＩｎＰ単結晶を、３ｋｇ／
ｃＩ１１以上のリン蒸気圧雰囲気で熱処理することを提
案するものである。
また、移動度として４０００ｃｎｔ／Ｖ−ｓ以上を得る
ためには、ドープする上記アクセプタ型不純物濃度を０
．２５ｐｐｍｗ以下とするのが望ましい。
ためには、ドープする上記アクセプタ型不純物濃度を０
．２５ｐｐｍｗ以下とするのが望ましい。
［実施例コ
（第１実施例）
種々のＦｅ濃度０． １〜０．５ｐｐｍｗを有する厚さ
０．５ｍｍのアズカットＦｅドープＩｎＰウェハ（薄板
）と赤リンとを石英アンプル内にセットし、石英アンプ
ル内を１ｘｌＯ−“ｔｏｒｒまで真空排気した後、酸水
素バーナーにより石英アンプルの開口部を封止した。こ
の際、赤リンの量は、石英アンプル内のリン蒸気圧が熱
処理温度で１５ｋｇ／ａｎｔ（絶対圧）となるように調
整した。次に、この石英アンプルを横型加熱炉内に設置
し、熱処理温度９００℃で２０時間加熱保持した後、冷
却した。
０．５ｍｍのアズカットＦｅドープＩｎＰウェハ（薄板
）と赤リンとを石英アンプル内にセットし、石英アンプ
ル内を１ｘｌＯ−“ｔｏｒｒまで真空排気した後、酸水
素バーナーにより石英アンプルの開口部を封止した。こ
の際、赤リンの量は、石英アンプル内のリン蒸気圧が熱
処理温度で１５ｋｇ／ａｎｔ（絶対圧）となるように調
整した。次に、この石英アンプルを横型加熱炉内に設置
し、熱処理温度９００℃で２０時間加熱保持した後、冷
却した。
上記横型加熱炉は密閉型でｌ ＯＯｋｇ／ｃｎｌ （ゲ
ージ圧）の圧力まで加圧できるものを使用し、昇温時お
よび冷却時に、その温度に対応するリン蒸気圧に見合う
圧力のアルゴンガスを加熱炉内に導入して、石英アンプ
ルの内外の圧力のバランスを保ち、石英アンプルの破壊
を防止した。
ージ圧）の圧力まで加圧できるものを使用し、昇温時お
よび冷却時に、その温度に対応するリン蒸気圧に見合う
圧力のアルゴンガスを加熱炉内に導入して、石英アンプ
ルの内外の圧力のバランスを保ち、石英アンプルの破壊
を防止した。
（第２実施例）
赤リンの量を、石英アンプル内のリン蒸気圧が、熱処理
温度（９００℃）で１ 、 ５ ｋｇ／ｃｎｔ、 ３
ｋｇ／ｃＩ′ＩＩ、 ７．５ ｋｇ ／ ｃｎｔなら
びに２０ｋｇ／ｃｉｔ（絶対圧）となる量に調整し、Ｆ
ｅドープＩｎＰウェハとともに真空封入したアンプルを
用意した。その他の条件は、第１実施例と同様にして種
々のＦｅ濃度０．１〜０． ５ｐｐｍｗを有するＦｅド
ープＩｎＰウェハについて熱処理を行なった。
温度（９００℃）で１ 、 ５ ｋｇ／ｃｎｔ、 ３
ｋｇ／ｃＩ′ＩＩ、 ７．５ ｋｇ ／ ｃｎｔなら
びに２０ｋｇ／ｃｉｔ（絶対圧）となる量に調整し、Ｆ
ｅドープＩｎＰウェハとともに真空封入したアンプルを
用意した。その他の条件は、第１実施例と同様にして種
々のＦｅ濃度０．１〜０． ５ｐｐｍｗを有するＦｅド
ープＩｎＰウェハについて熱処理を行なった。
上記各実施例で得られたウェハについて、電気特性を調
べるためウェハの表面を５０μｍラッピングにより除去
した後、Ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法によって抵抗
率および移動度を３００にで測定した。第１図に熱処理
時のリン蒸気圧と熱処理後の抵抗率との関係を、また、
第２図に熱処理時のリン蒸気圧と熱処理後の移動度との
関係を示す。
べるためウェハの表面を５０μｍラッピングにより除去
した後、Ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法によって抵抗
率および移動度を３００にで測定した。第１図に熱処理
時のリン蒸気圧と熱処理後の抵抗率との関係を、また、
第２図に熱処理時のリン蒸気圧と熱処理後の移動度との
関係を示す。
第１図から分かるように、本発明の方法によれば、熱処
理前の抵抗率が２Ｘ１０’〜７×１０“Ω・ｃｍであっ
たものが、リン蒸気圧３ ｋｇ ／ ＋ｍ以上では３Ｘ
ＩＯ“〜１．２Ｘ１０”Ω・ｃｍの抵抗率となる。
理前の抵抗率が２Ｘ１０’〜７×１０“Ω・ｃｍであっ
たものが、リン蒸気圧３ ｋｇ ／ ＋ｍ以上では３Ｘ
ＩＯ“〜１．２Ｘ１０”Ω・ｃｍの抵抗率となる。
また、第２図から移動度も熱処理前は３０００ｃｎｔ／
ｖ−３程度であったものが、熱処理により３５００〜４
９０Ｏｃｔ＋！／Ｖ−８と非常に高くなることが分かっ
た。
ｖ−３程度であったものが、熱処理により３５００〜４
９０Ｏｃｔ＋！／Ｖ−８と非常に高くなることが分かっ
た。
第３図および第４図には、リン蒸気圧３ ｋｇ ／ ｃ
ｍ以上で熱処理したウェハについて測定した抵抗率と移
動度を、Ｆｅ濃度を横軸としてプロットしたものを示す
。第３図からＦｅ濃度が低いほど高抵抗化していること
、また第４図から移動度を３５００ｃｒ＋ｔ／Ｖ−ｓ以
上とするにはＦｅ濃度を０．４ｐｐｍｗ以下、移動度を
４０００ｃｎｔ／Ｖ −ｓ以上とするにはＦｅ濃度を０
．２５ｐｐｍｗ以下とすればよいことがわかる。
ｍ以上で熱処理したウェハについて測定した抵抗率と移
動度を、Ｆｅ濃度を横軸としてプロットしたものを示す
。第３図からＦｅ濃度が低いほど高抵抗化していること
、また第４図から移動度を３５００ｃｒ＋ｔ／Ｖ−ｓ以
上とするにはＦｅ濃度を０．４ｐｐｍｗ以下、移動度を
４０００ｃｎｔ／Ｖ −ｓ以上とするにはＦｅ濃度を０
．２５ｐｐｍｗ以下とすればよいことがわかる。
なお、上記実施例ではいずれもＩｎＰ単結晶の熱処理温
度を９００℃とした場合について説明したが、他の温度
条件でもリン蒸気圧下の熱処理によって、３００にでの
抵抗率４×１０“Ω・ｃｍ以上で、移動度が３５００ｃ
ｎｔ／Ｖ−ｓを超える半絶縁性ＩｎＰ単結晶が得られる
。
度を９００℃とした場合について説明したが、他の温度
条件でもリン蒸気圧下の熱処理によって、３００にでの
抵抗率４×１０“Ω・ｃｍ以上で、移動度が３５００ｃ
ｎｔ／Ｖ−ｓを超える半絶縁性ＩｎＰ単結晶が得られる
。
また、ドープする不純物もＦｅに限定されず、ＩｎＰ単
結晶に対してアクセプタ型不純物となるＣｏ、Ｃｒ等を
用いてもよい。
結晶に対してアクセプタ型不純物となるＣｏ、Ｃｒ等を
用いてもよい。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明は、Ｆｅ、ＣｏまたはＣｒの
いずれか１種以上のアクセプタ型不純物を、それらの含
有濃度の合計が０．４ｐｐｒｎｗ以下となるように添加
させてなるＩｎＰ単結晶を、３ｋｇ／ ｃｒｄ以上のリ
ン蒸気圧雰囲気で熱処理するようにしたので、抵抗率４
×１０”Ω・ｃｍ以上で、かつ移動度が３５００ｃｎ！
／Ｖ−ｓの半絶縁性ＩｎＰ単結晶が得られるという効果
がある。
いずれか１種以上のアクセプタ型不純物を、それらの含
有濃度の合計が０．４ｐｐｒｎｗ以下となるように添加
させてなるＩｎＰ単結晶を、３ｋｇ／ ｃｒｄ以上のリ
ン蒸気圧雰囲気で熱処理するようにしたので、抵抗率４
×１０”Ω・ｃｍ以上で、かつ移動度が３５００ｃｎ！
／Ｖ−ｓの半絶縁性ＩｎＰ単結晶が得られるという効果
がある。
また、ドープするアクセプタ型不純物の濃度を０．２５
ｐｐｍｗ以下とすれば、抵抗率８×１０■Ω・ｃｍ以上
、移動度が４０００ａｋ／Ｖ−ｓ以上の半絶縁性ＩｎＰ
単結晶が得られる。
ｐｐｍｗ以下とすれば、抵抗率８×１０■Ω・ｃｍ以上
、移動度が４０００ａｋ／Ｖ−ｓ以上の半絶縁性ＩｎＰ
単結晶が得られる。
第１図は本発明を適用したＦｅドープＩｎＰ単結晶ウェ
ハの熱処理前後の抵抗率をリン蒸気圧との関係で示すグ
ラフ、 第２図は本発明を適用したＦｅドープＩｎＰ単結晶ウェ
ハの熱処理前後の移動度をリン蒸気圧との関係で示すグ
ラフ、 第３図は本発明を適用したＦｅドープＩｎＰ単結晶ウェ
ハの熱処理前後の抵抗率をＦｅ濃度との関係で示すグラ
フ、
ハの熱処理前後の抵抗率をリン蒸気圧との関係で示すグ
ラフ、 第２図は本発明を適用したＦｅドープＩｎＰ単結晶ウェ
ハの熱処理前後の移動度をリン蒸気圧との関係で示すグ
ラフ、 第３図は本発明を適用したＦｅドープＩｎＰ単結晶ウェ
ハの熱処理前後の抵抗率をＦｅ濃度との関係で示すグラ
フ、
Claims (2)
- （１）Ｆｅ、ＣｏまたはＣｒのいずれか１種以上の不純
物を含有するとともに、含有濃度の合計が０．４ｐｐｍ
ｗ以下であり、かつ温度３００Ｋでの抵抗率が４×１０
＾■Ω・ｃｍ以上で、移動度が３５００ｃｍ＾２／Ｖ・
ｓを超えることを特徴とする半絶縁性ＩｎＰ単結晶。 - （２）Ｆｅ、ＣｏまたはＣｒのいずれか１種以上の不純
物を、それらの含有濃度の合計が０．４ｐｐｍｗ以下と
なるように添加させてなるＩｎＰ単結晶を、３ｋｇ／ｃ
ｍ＾２以上のリン蒸気圧雰囲気で熱処理する工程を含む
ことを特徴とする半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206059A JP2572297B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206059A JP2572297B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492899A true JPH0492899A (ja) | 1992-03-25 |
| JP2572297B2 JP2572297B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=16517179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2206059A Expired - Lifetime JP2572297B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572297B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5179698A (en) * | 1975-01-08 | 1976-07-12 | Nippon Electric Co | Rinkainjiumuno seizohoho |
| JPS62275099A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-30 | Showa Denko Kk | 半絶縁性リン化インジウム単結晶 |
| JPH0269307A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Nippon Mining Co Ltd | リン化インジウムおよびその製造方法 |
| JPH02239199A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
| JPH02239195A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半絶縁性３―５族化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JPH03279299A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-12-10 | Nikko Kyodo Co Ltd | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-08-03 JP JP2206059A patent/JP2572297B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2572297B2 (ja) | 1997-01-16 |
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