JPH05275557A - パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 - Google Patents
パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH05275557A JPH05275557A JP6820492A JP6820492A JPH05275557A JP H05275557 A JPH05275557 A JP H05275557A JP 6820492 A JP6820492 A JP 6820492A JP 6820492 A JP6820492 A JP 6820492A JP H05275557 A JPH05275557 A JP H05275557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alumina substrate
- circuit board
- silver
- alloy plate
- power module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
- H05K3/202—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高品質、高性能で安価なパワーモジュール用
セラミックス回路基板を提供する。 【構成】 パターン化した銅被覆銀−タングステン合金
板と、厚さ３０〜１５０μｍのアルミナ基板とを積層し
て酸化雰囲気中、１０６５〜１０８５℃で加熱して接合
する。 【効果】 超薄型アルミナ基板を用いるため、アルミナ
基板による熱伝導性の問題が改善され、系外への熱放散
性の高いセラミックス回路基板が提供される。このよう
な超薄型アルミナ基板を回路基板として銅被覆銀−タン
グステン合金板と酸化加熱接合するため、回路基板とア
ルミナ基板との熱膨張係数を同等とすることができ、両
板間の熱膨張係数の差に起因する割れや剥離の問題は解
決される。
セラミックス回路基板を提供する。 【構成】 パターン化した銅被覆銀−タングステン合金
板と、厚さ３０〜１５０μｍのアルミナ基板とを積層し
て酸化雰囲気中、１０６５〜１０８５℃で加熱して接合
する。 【効果】 超薄型アルミナ基板を用いるため、アルミナ
基板による熱伝導性の問題が改善され、系外への熱放散
性の高いセラミックス回路基板が提供される。このよう
な超薄型アルミナ基板を回路基板として銅被覆銀−タン
グステン合金板と酸化加熱接合するため、回路基板とア
ルミナ基板との熱膨張係数を同等とすることができ、両
板間の熱膨張係数の差に起因する割れや剥離の問題は解
決される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パワーＩＣ、パワート
ランジスター等搭載のモジュールやスイッチ電源用モジ
ュール用回路基板等のパワーモジュール用セラミックス
回路基板の製造方法に係り、特に、セラミックス基板と
銅板とを直接接合して得られる、高品質かつ高性能で安
価に提供されるパワーモジュール用セラミックス回路基
板の製造方法に関する。
ランジスター等搭載のモジュールやスイッチ電源用モジ
ュール用回路基板等のパワーモジュール用セラミックス
回路基板の製造方法に係り、特に、セラミックス基板と
銅板とを直接接合して得られる、高品質かつ高性能で安
価に提供されるパワーモジュール用セラミックス回路基
板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パワーＩＣ、パワートランジスタ
ー等搭載のモジュールやスイッチ電源用モジュールで
は、使用電力が増々増大し、大電力を使用することか
ら、発生する熱量が多く、そのため高温化に対処した高
熱放散性と高信頼性を具備したパワーモジュール用回路
基板が要望されてきた。
ー等搭載のモジュールやスイッチ電源用モジュールで
は、使用電力が増々増大し、大電力を使用することか
ら、発生する熱量が多く、そのため高温化に対処した高
熱放散性と高信頼性を具備したパワーモジュール用回路
基板が要望されてきた。
【０００３】従来、この種のパワーモジュール用回路基
板は、一般に厚さが０．６〜１ｍｍ程度、表面粗さＲａ
が０．５〜０．６μｍ程度のアルミナ基板と、厚さが
０．３〜０．５ｍｍの回路用銅板とを接触させながら、
微量酸素を含む窒素雰囲気中で銅−酸素の共晶温度、即
ち１０６０〜１０９０℃の温度で加熱して直接接合する
ことにより製造された、所謂、ＤＢＣ回路基板が製品化
されている。
板は、一般に厚さが０．６〜１ｍｍ程度、表面粗さＲａ
が０．５〜０．６μｍ程度のアルミナ基板と、厚さが
０．３〜０．５ｍｍの回路用銅板とを接触させながら、
微量酸素を含む窒素雰囲気中で銅−酸素の共晶温度、即
ち１０６０〜１０９０℃の温度で加熱して直接接合する
ことにより製造された、所謂、ＤＢＣ回路基板が製品化
されている。
【０００４】このＤＢＣ回路基板は、アルミナ基板と銅
板との間の接合層が比較的薄く、しかも、銅ないし銅酸
化物から形成されるので、比較的熱放散性に優れるとい
う利点があり、大電力用のモジュール用回路基板として
適用されている。
板との間の接合層が比較的薄く、しかも、銅ないし銅酸
化物から形成されるので、比較的熱放散性に優れるとい
う利点があり、大電力用のモジュール用回路基板として
適用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ＤＢＣ回路基板には、次のような欠点があった。 アルミナ基板と銅板との接合力にバラツキがあり、
これが弱い場合には剥離が生ずることがあった。この原
因は、焼成窒素雰囲気中の酸素量の微量コントロールが
難しいことと、アルミナ基板表面の粗さが大きいので接
合層の接触面積が小さいことによると思われる。
ＤＢＣ回路基板には、次のような欠点があった。 アルミナ基板と銅板との接合力にバラツキがあり、
これが弱い場合には剥離が生ずることがあった。この原
因は、焼成窒素雰囲気中の酸素量の微量コントロールが
難しいことと、アルミナ基板表面の粗さが大きいので接
合層の接触面積が小さいことによると思われる。
【０００６】 使用するアルミナ基板の厚みが厚いた
め、熱伝導性が低く、系外への熱放散性が十分でないた
め、熱的問題が発生する。
め、熱伝導性が低く、系外への熱放散性が十分でないた
め、熱的問題が発生する。
【０００７】 基板と銅板との熱膨張係数が大きく異
なるため、両者を接合した回路基板は、ヒートショック
に弱く、例えば半田付け等により、アルミナ基板自体の
クラック、割れが発生したり、アルミナ基板／銅板間で
の剥離が生じることがある。
なるため、両者を接合した回路基板は、ヒートショック
に弱く、例えば半田付け等により、アルミナ基板自体の
クラック、割れが発生したり、アルミナ基板／銅板間で
の剥離が生じることがある。
【０００８】このように、従来の回路基板では、いずれ
も品質、性能、価格等の面で問題があった。
も品質、性能、価格等の面で問題があった。
【０００９】本発明は上記従来の問題点を解決し、ハイ
パワー、大電力用パワーハイブリッド用回路基板として
好適な、高品質、高性能かつ安価なパワーモジュール用
回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
パワー、大電力用パワーハイブリッド用回路基板として
好適な、高品質、高性能かつ安価なパワーモジュール用
回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１のパワーモジュ
ール用セラミックス回路基板の製造方法は、銅被覆を有
するパターン化した銀−タングステン合金板と、厚さ３
０〜１５０μｍのアルミナ基板とを積層して、酸素雰囲
気中、１０６５〜１０８５℃に加熱することにより接合
することを特徴とする。
ール用セラミックス回路基板の製造方法は、銅被覆を有
するパターン化した銀−タングステン合金板と、厚さ３
０〜１５０μｍのアルミナ基板とを積層して、酸素雰囲
気中、１０６５〜１０８５℃に加熱することにより接合
することを特徴とする。
【００１１】請求項２のパワーモジュール用セラミック
ス回路基板の製造方法は、請求項１の方法において、銀
−タングステン合金板が銀５〜３０重量％を含有するこ
とを特徴とする。
ス回路基板の製造方法は、請求項１の方法において、銀
−タングステン合金板が銀５〜３０重量％を含有するこ
とを特徴とする。
【００１２】請求項３のパワーモジュール用セラミック
ス回路基板の製造方法は、請求項１又は２の方法におい
て、アルミナ基板の銀−タングステン合金板との積層面
の表面粗さＲａが０．２μｍ以下であることを特徴とす
る。
ス回路基板の製造方法は、請求項１又は２の方法におい
て、アルミナ基板の銀−タングステン合金板との積層面
の表面粗さＲａが０．２μｍ以下であることを特徴とす
る。
【００１３】以下に本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて使用される銀−タングステン合金板は、例えば、
タングステン粉末を焼結して多孔体とし、これに銀を溶
浸させることにより製造される複合材料であって、銀と
タングステンとの配合比によりその熱膨張係数をある程
度任意に変えることができる。このような銀−タングス
テン合金板には市販品があり、それを購入して使用する
ことができる。アルミナの熱膨張係数に適応する銀−タ
ングステン合金中の銀含有量は、５〜３０重量％の範囲
が好適であり、特に１０〜３０重量％の範囲が好まし
い。
おいて使用される銀−タングステン合金板は、例えば、
タングステン粉末を焼結して多孔体とし、これに銀を溶
浸させることにより製造される複合材料であって、銀と
タングステンとの配合比によりその熱膨張係数をある程
度任意に変えることができる。このような銀−タングス
テン合金板には市販品があり、それを購入して使用する
ことができる。アルミナの熱膨張係数に適応する銀−タ
ングステン合金中の銀含有量は、５〜３０重量％の範囲
が好適であり、特に１０〜３０重量％の範囲が好まし
い。
【００１４】この銀−タングステン合金板は、回路用と
して用いるものであるため、プレスでパターン状に打ち
抜くことにより、或いは、エッチング等によりパターン
状とすることによりパターン化されたものである。この
ような銀−タングステン合金板の厚みは、通常０．３〜
０．５ｍｍ程度であることが好ましいが、この範囲外の
厚みのものであっても良い。
して用いるものであるため、プレスでパターン状に打ち
抜くことにより、或いは、エッチング等によりパターン
状とすることによりパターン化されたものである。この
ような銀−タングステン合金板の厚みは、通常０．３〜
０．５ｍｍ程度であることが好ましいが、この範囲外の
厚みのものであっても良い。
【００１５】このような銀−タングステン合金板は、ア
ルミナ基板との接合のために、好ましくは１００μｍ厚
さ程度の銅被覆を施す。銅被覆は電気又は無電界による
めっき、更には、スパッタ、イオンプレーティング等に
より形成することができる。
ルミナ基板との接合のために、好ましくは１００μｍ厚
さ程度の銅被覆を施す。銅被覆は電気又は無電界による
めっき、更には、スパッタ、イオンプレーティング等に
より形成することができる。
【００１６】一方、アルミナ基板は厚さ３０〜１５０μ
ｍで、その少なくとも銅被覆銀−タングステン合金板と
の積層面の表面粗さ（以下、単に「表面粗さ」と称
す。）Ｒａが好ましくは０．２μｍ以下のものである。
アルミナ基板の厚さが３０μｍ未満であると基板として
の機械的特性を満足し得ず、１５０μｍを超えると本発
明による熱放散性の改善効果が十分に得られない。
ｍで、その少なくとも銅被覆銀−タングステン合金板と
の積層面の表面粗さ（以下、単に「表面粗さ」と称
す。）Ｒａが好ましくは０．２μｍ以下のものである。
アルミナ基板の厚さが３０μｍ未満であると基板として
の機械的特性を満足し得ず、１５０μｍを超えると本発
明による熱放散性の改善効果が十分に得られない。
【００１７】また、アルミナ基板の表面粗さＲａが０．
２μｍを超えると、アルミナ基板と銅被覆銀−タングス
テン合金板との接合層の接触面積が十分に得られず、剥
離の問題を確実に解決し得ない。
２μｍを超えると、アルミナ基板と銅被覆銀−タングス
テン合金板との接合層の接触面積が十分に得られず、剥
離の問題を確実に解決し得ない。
【００１８】このような極薄フィルム状のアルミナ基板
は、従来のアルミナ粉末法では製造が困難であり、好ま
しくは、水酸化アルミニウムのコロイド物質を出発原料
とする製造法、例えば、アルコキシド加水分解法により
製造するのが有利である。
は、従来のアルミナ粉末法では製造が困難であり、好ま
しくは、水酸化アルミニウムのコロイド物質を出発原料
とする製造法、例えば、アルコキシド加水分解法により
製造するのが有利である。
【００１９】アルコキシド加水分解法による場合、アル
ミニウムアルコキシドを合成した後、これに水を加えて
加水分解し、ベーマイトを生成させる。更に、これに酸
を添加して解膠させ、超微粒子のコロイドを作製する。
次いで、これに有機バインダーを加えて粘度調整し、成
形乾燥した後、得られたグリーンシートを焼成すること
によって、３０〜１５０μｍという極薄で、しかも、表
面粗さＲａ０．２μｍ以下の緻密なアルミナ基板を得る
ことができる。
ミニウムアルコキシドを合成した後、これに水を加えて
加水分解し、ベーマイトを生成させる。更に、これに酸
を添加して解膠させ、超微粒子のコロイドを作製する。
次いで、これに有機バインダーを加えて粘度調整し、成
形乾燥した後、得られたグリーンシートを焼成すること
によって、３０〜１５０μｍという極薄で、しかも、表
面粗さＲａ０．２μｍ以下の緻密なアルミナ基板を得る
ことができる。
【００２０】もちろん、本発明に係るアルミナ基板の製
造方法は、上記アルコキシド加水分解法に何ら限定され
るものでなく、無機塩加水分解法、その他の従来の一般
的な製造方法である粉末法により得たアルミナ基板を必
要に応じて研磨することにより製造することもできる。
造方法は、上記アルコキシド加水分解法に何ら限定され
るものでなく、無機塩加水分解法、その他の従来の一般
的な製造方法である粉末法により得たアルミナ基板を必
要に応じて研磨することにより製造することもできる。
【００２１】銅被覆銀−タングステン合金板とアルミナ
基板との接合は、銅被覆銀−タングステン合金板とアル
ミナ基板とを積層した状態で加熱することにより、積層
面に銅酸化層を形成させて直接接合することにより行な
う。
基板との接合は、銅被覆銀−タングステン合金板とアル
ミナ基板とを積層した状態で加熱することにより、積層
面に銅酸化層を形成させて直接接合することにより行な
う。
【００２２】この加熱接合は、酸化雰囲気中、１０６５
〜１０８５℃で、５〜３０分程度、好ましくは１０〜２
０分程度行なう。なお、加熱時の酸化雰囲気としては、
空気、酸素、或いは、酸素と不活性ガスとの混合ガスが
挙げられる。
〜１０８５℃で、５〜３０分程度、好ましくは１０〜２
０分程度行なう。なお、加熱時の酸化雰囲気としては、
空気、酸素、或いは、酸素と不活性ガスとの混合ガスが
挙げられる。
【００２３】この加熱接合温度が１０６５℃未満である
と十分な接合強度が得られず、１０８５℃を超えると銅
が融解し始める。加熱処理後は冷却し、必要に応じて銅
被覆銀−タングステン合金板の表面に形成された酸化膜
を酸処理等により除去して製品とする。
と十分な接合強度が得られず、１０８５℃を超えると銅
が融解し始める。加熱処理後は冷却し、必要に応じて銅
被覆銀−タングステン合金板の表面に形成された酸化膜
を酸処理等により除去して製品とする。
【００２４】
【作用】本発明においては、厚さ３０〜１５０μｍとい
う超薄型アルミナ基板を用いるため、アルミナ基板によ
る熱伝導性の問題が改善され、系外への熱放散性の高い
セラミックス回路基板が提供される。
う超薄型アルミナ基板を用いるため、アルミナ基板によ
る熱伝導性の問題が改善され、系外への熱放散性の高い
セラミックス回路基板が提供される。
【００２５】しかも、このような超薄型アルミナ基板を
回路基板として銅被覆銀−タングステン合金板と酸化加
熱接合するため、回路基板とアルミナ基板との熱膨張係
数を同等とすることができ、両板間の熱膨張係数の差に
起因する割れや剥離の問題は解決される。
回路基板として銅被覆銀−タングステン合金板と酸化加
熱接合するため、回路基板とアルミナ基板との熱膨張係
数を同等とすることができ、両板間の熱膨張係数の差に
起因する割れや剥離の問題は解決される。
【００２６】特に、請求項２の方法によれば、銅被覆銀
−タングステン合金板の熱膨張係数をアルミナ基板の熱
膨張係数に一致させて、両板間の熱膨張係数の差に起因
する割れや剥離の問題をより一層確実に防止することが
できる。
−タングステン合金板の熱膨張係数をアルミナ基板の熱
膨張係数に一致させて、両板間の熱膨張係数の差に起因
する割れや剥離の問題をより一層確実に防止することが
できる。
【００２７】特に、請求項３の方法によれば、アルミナ
基板の表面が平滑であるため、銅被覆銀−タングステン
合金板との接触面積を大きく確保することができ、より
一層接合強度が高められる。
基板の表面が平滑であるため、銅被覆銀−タングステン
合金板との接触面積を大きく確保することができ、より
一層接合強度が高められる。
【００２８】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
【００２９】実施例１ 超微粒子のベーマイトゾルを出発原料とし、アルコキシ
ド加水分解法によりアルミナ基板を作製した。具体的に
は、アルミニウムインゴットとアルコールとを反応さ
せ、アルミニウムアルコキシドを合成し、加水分解した
後、更に酸を添加して解膠し、ベーマイトゾルを生成さ
せた。これに有機バインダーを加え、スラリー化した
後、ドクターブレードを通してキャスティングしながら
成形、乾燥してグリーンシートとした。その後、所定の
形状に切断して電気炉で焼成し、表面粗さＲａが０．２
μｍで、厚さ１００μｍの緻密なアルミナ基板を得た。
なお、このようにして得られるアルミナ基板は、微粒子
から構成されているため、厚みが薄くてもピンホールを
生成することがなく、表面粗さが小さく、平滑性が非常
に良いものであった。また、厚さも所望の厚さに容易に
制御することができた。
ド加水分解法によりアルミナ基板を作製した。具体的に
は、アルミニウムインゴットとアルコールとを反応さ
せ、アルミニウムアルコキシドを合成し、加水分解した
後、更に酸を添加して解膠し、ベーマイトゾルを生成さ
せた。これに有機バインダーを加え、スラリー化した
後、ドクターブレードを通してキャスティングしながら
成形、乾燥してグリーンシートとした。その後、所定の
形状に切断して電気炉で焼成し、表面粗さＲａが０．２
μｍで、厚さ１００μｍの緻密なアルミナ基板を得た。
なお、このようにして得られるアルミナ基板は、微粒子
から構成されているため、厚みが薄くてもピンホールを
生成することがなく、表面粗さが小さく、平滑性が非常
に良いものであった。また、厚さも所望の厚さに容易に
制御することができた。
【００３０】このアルミナ基板と、電気めっきにより１
００μｍ厚さの銅被覆を形成したパターン状の銀−タン
グステン合金板（銀１０重量％，タングステン９０重量
％，厚さ０．５ｍｍ）とを積層配置して加熱炉内に入
れ、酸素１００ｐｐｍを含む窒素雰囲気中、１０６５℃
で２０分間加熱し、その後冷却した。
００μｍ厚さの銅被覆を形成したパターン状の銀−タン
グステン合金板（銀１０重量％，タングステン９０重量
％，厚さ０．５ｍｍ）とを積層配置して加熱炉内に入
れ、酸素１００ｐｐｍを含む窒素雰囲気中、１０６５℃
で２０分間加熱し、その後冷却した。
【００３１】このようにして得た回路付きアルミナ基板
は、大電力用のパワーモジュール用セラミックス回路基
板として好適に使用することができた。
は、大電力用のパワーモジュール用セラミックス回路基
板として好適に使用することができた。
【００３２】実施例２ 実施例１と同様のゾルゲル法により、表面粗さＲａ０．
１μｍ程度で、厚さ５０μｍのアルミナ基板を作製し
た。このアルミナ基板と、１００μｍ厚さの銅被覆を有
するパターン化した銀−タングステン合金板（銀２０重
量％，タングステン８０重量％，厚さ０．５ｍｍ）とを
積層してバッチタイプの加熱炉に入れ、酸素５００ｐｐ
ｍ含有の窒素ガス雰囲気にて１０８０℃で１０分間加熱
した後、冷却した。このようにして得た回路付きアルミ
ナ基板は、大電力用のパワーモジュール用セラミックス
回路基板として好適に使用することができた。
１μｍ程度で、厚さ５０μｍのアルミナ基板を作製し
た。このアルミナ基板と、１００μｍ厚さの銅被覆を有
するパターン化した銀−タングステン合金板（銀２０重
量％，タングステン８０重量％，厚さ０．５ｍｍ）とを
積層してバッチタイプの加熱炉に入れ、酸素５００ｐｐ
ｍ含有の窒素ガス雰囲気にて１０８０℃で１０分間加熱
した後、冷却した。このようにして得た回路付きアルミ
ナ基板は、大電力用のパワーモジュール用セラミックス
回路基板として好適に使用することができた。
【００３３】実施例３ 実施例１と同様のゾルゲル法により、表面粗さＲａ０．
０５μｍ程度で、厚さ３０μｍのアルミナ基板を作製し
た。このアルミナ基板と、１００μｍ厚さの銅被覆を有
するパターン化した銀−タングステン合金板（銀３０重
量％，タングステン７０重量％，厚さ０．５ｍｍ）とを
積層して連続加熱炉に入れ、酸素２００ｐｐｍ含有の窒
素ガス雰囲気にて１０７０℃で１０分間加熱した後、冷
却した。このようにして得た回路付きアルミナ基板は、
大電力用のパワーモジュール用セラミックス回路基板と
して好適に使用することができた。
０５μｍ程度で、厚さ３０μｍのアルミナ基板を作製し
た。このアルミナ基板と、１００μｍ厚さの銅被覆を有
するパターン化した銀−タングステン合金板（銀３０重
量％，タングステン７０重量％，厚さ０．５ｍｍ）とを
積層して連続加熱炉に入れ、酸素２００ｐｐｍ含有の窒
素ガス雰囲気にて１０７０℃で１０分間加熱した後、冷
却した。このようにして得た回路付きアルミナ基板は、
大電力用のパワーモジュール用セラミックス回路基板と
して好適に使用することができた。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のパワーモジ
ュール用セラミックス回路基板の製造方法によれば、回
路用銅被覆銀−タングステン合金板とアルミナ基板との
接合強度が強く、また、熱放散性の良い、高信頼性、高
性能、高品質、低コストのパワーモジュール用セラミッ
クス回路基板が提供される。
ュール用セラミックス回路基板の製造方法によれば、回
路用銅被覆銀−タングステン合金板とアルミナ基板との
接合強度が強く、また、熱放散性の良い、高信頼性、高
性能、高品質、低コストのパワーモジュール用セラミッ
クス回路基板が提供される。
【００３５】請求項２のパワーモジュール用セラミック
ス回路基板の製造方法によれば、銅被覆銀−タングステ
ン合金板とアルミナ基板との熱膨張係数を一致させるこ
とができ、両板の熱膨張係数の差に起因する割れや剥離
の問題はより一層確実に防止される。
ス回路基板の製造方法によれば、銅被覆銀−タングステ
ン合金板とアルミナ基板との熱膨張係数を一致させるこ
とができ、両板の熱膨張係数の差に起因する割れや剥離
の問題はより一層確実に防止される。
【００３６】請求項３のパワーモジュール用セラミック
ス回路基板の製造方法によれば、接合強度はより一層改
善される。
ス回路基板の製造方法によれば、接合強度はより一層改
善される。
Claims (3)
- 【請求項１】 銅被覆を有するパターン化した銀−タン
グステン合金板と、厚さ３０〜１５０μｍのアルミナ基
板とを積層して、酸素雰囲気中、１０６５〜１０８５℃
に加熱することにより接合することを特徴とするパワー
モジュール用セラミックス回路基板の製造方法。 - 【請求項２】 銀−タングステン合金板が銀５〜３０重
量％を含有することを特徴とする請求項１に記載のパワ
ーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 アルミナ基板の銀−タングステン合金板
との積層面の表面粗さＲａが０．２μｍ以下であること
を特徴とする請求項１又は２に記載のパワーモジュール
用セラミックス回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6820492A JPH05275557A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6820492A JPH05275557A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275557A true JPH05275557A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13367034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6820492A Pending JPH05275557A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275557A (ja) |
-
1992
- 1992-03-26 JP JP6820492A patent/JPH05275557A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4959507A (en) | Bonded ceramic metal composite substrate, circuit board constructed therewith and methods for production thereof | |
| JPH05504933A (ja) | 窒化アルミニウム基板への銅の直接結合 | |
| JPH03150236A (ja) | セラミック組成物およびその利用 | |
| JP2003040668A (ja) | 低温焼成セラミック焼結体およびその製造方法、並びに配線基板 | |
| JP2002111210A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP3089973B2 (ja) | ガラスセラミックス積層体の焼結方法 | |
| JPH03125463A (ja) | 半導体装置用軽量基板 | |
| CN115274462B (zh) | 一种制作Mini基板的方法 | |
| JP3422495B2 (ja) | セラミックスｄｂｃ基板の製造方法 | |
| JPH05275567A (ja) | パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JPH05275557A (ja) | パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JPH05275566A (ja) | パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JPS6184037A (ja) | 窒化アルミニウム系セラミツクス基板 | |
| JPH05275558A (ja) | パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JPH11154719A (ja) | 窒化珪素回路基板、半導体装置及び窒化珪素回路基板の製造方法 | |
| JPH05275559A (ja) | パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JPH05259636A (ja) | パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JPH02221162A (ja) | 窒化アルミニウム質焼成体の製法 | |
| JPH10194846A (ja) | 低温焼成基板の製造方法 | |
| JP2003188316A (ja) | セラミックｄｂｃ基板およびその製造方法。 | |
| JPH01317164A (ja) | セラミック組成物 | |
| JPH1125754A (ja) | 銅メタライズ組成物及びガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JPH0466688B2 (ja) | ||
| JPH1087385A (ja) | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 | |
| JPH03277544A (ja) | 高熱伝導性絶縁金属基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990323 |