JPH03277544A - 高熱伝導性絶縁金属基板 - Google Patents
高熱伝導性絶縁金属基板Info
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- JPH03277544A JPH03277544A JP2078377A JP7837790A JPH03277544A JP H03277544 A JPH03277544 A JP H03277544A JP 2078377 A JP2078377 A JP 2078377A JP 7837790 A JP7837790 A JP 7837790A JP H03277544 A JPH03277544 A JP H03277544A
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 3
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 abstract description 2
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- -1 aluminum alkoxide Chemical class 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
- Y02P20/129—Energy recovery, e.g. by cogeneration, H2recovery or pressure recovery turbines
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は高熱伝導性絶縁金属基板に係り、特に、高集積
化、ハイパワー化を対象とするハイブリッドrc用の高
熱伝導性、高熱放散性絶縁金属基板、とりわけ、セラミ
ックス絶縁基板と金属板とを一体複合化した金属基板の
改良に関するものである。
化、ハイパワー化を対象とするハイブリッドrc用の高
熱伝導性、高熱放散性絶縁金属基板、とりわけ、セラミ
ックス絶縁基板と金属板とを一体複合化した金属基板の
改良に関するものである。
[従来の技術]
電子部品の軽薄短小化、高機能化、高集積化に対応して
、パワーIC等を搭載する実装基板においては、ICか
ら発生する熱を系外へより多量に、より速く放散させる
ことが強く要望されている。このため、従来から種々の
熱伝導性金属基板が開発され、製品化されてきた。一般
には、厚さ600〜1000μm程度のアルミナ基板に
メタライズ層を形成しておき、これと銅、ニッケル、ア
ルミニウム等の熱伝導性の良い金属板等とを、ハンダ、
銀ろう等により接合した熱伝導性絶縁金属基板或いはア
ルミナ基板と該金属板とを有機樹脂等により接着した熱
伝導性絶縁金属基板が提供されている。
、パワーIC等を搭載する実装基板においては、ICか
ら発生する熱を系外へより多量に、より速く放散させる
ことが強く要望されている。このため、従来から種々の
熱伝導性金属基板が開発され、製品化されてきた。一般
には、厚さ600〜1000μm程度のアルミナ基板に
メタライズ層を形成しておき、これと銅、ニッケル、ア
ルミニウム等の熱伝導性の良い金属板等とを、ハンダ、
銀ろう等により接合した熱伝導性絶縁金属基板或いはア
ルミナ基板と該金属板とを有機樹脂等により接着した熱
伝導性絶縁金属基板が提供されている。
具体的には、第6図に示す如く、800μmの厚みのア
ルミナ基板11にパラジウム処理した後、無電解めっぎ
により2〜3μmの銅メタライズ層12を形成し、これ
と2mm厚さの無酸素銅板13とを共晶ハンダ14でハ
ンダ付けしたもの、或いは、第7図に示す如く、635
μm厚みのアルミナ基板15とアルミニウム板16とを
シリコーン樹脂17で接着したものがある。
ルミナ基板11にパラジウム処理した後、無電解めっぎ
により2〜3μmの銅メタライズ層12を形成し、これ
と2mm厚さの無酸素銅板13とを共晶ハンダ14でハ
ンダ付けしたもの、或いは、第7図に示す如く、635
μm厚みのアルミナ基板15とアルミニウム板16とを
シリコーン樹脂17で接着したものがある。
また、アルミナより熱伝導車が大きい絶縁基1として、
ベリリヤ、窒化アルミニウム等があり、これにメタライ
ズ層を形成したものを前記と同4に金属板に接合或いは
接着した熱伝導性絶縁金1基板も提案されている。
ベリリヤ、窒化アルミニウム等があり、これにメタライ
ズ層を形成したものを前記と同4に金属板に接合或いは
接着した熱伝導性絶縁金1基板も提案されている。
[発明が解決しようとする課I!]
しかしながら、上記従来の熱伝導性絶縁金属1板は、次
のような欠点があった。
のような欠点があった。
■ アルミナ絶縁基板又はアルミナよりも更叡熱伝導率
が大きいベリリヤ、窒化アルミニテム絶縁基板は、銅、
アルミニウム等の熱伝導性の良い金属板と熱膨張係数が
大きく異なくため、両者を接合ないし接着して一体化し
た熱伝導性絶縁金属基板は、ヒートシミツタに弱く、ア
ルミナ等のセラミックス絶縁基板自体のクランク、割れ
発生等の破損、或いは、メタライズ層の剥離が発生する
。一方、アルミナの熱膨張係数に合うものとして、コバ
ール、42アロイ等の金属があるが、これらは熱伝導率
が極めて低いため実用的ではない。
が大きいベリリヤ、窒化アルミニテム絶縁基板は、銅、
アルミニウム等の熱伝導性の良い金属板と熱膨張係数が
大きく異なくため、両者を接合ないし接着して一体化し
た熱伝導性絶縁金属基板は、ヒートシミツタに弱く、ア
ルミナ等のセラミックス絶縁基板自体のクランク、割れ
発生等の破損、或いは、メタライズ層の剥離が発生する
。一方、アルミナの熱膨張係数に合うものとして、コバ
ール、42アロイ等の金属があるが、これらは熱伝導率
が極めて低いため実用的ではない。
■ 従来使用されている厚さ600〜1000μm程度
のアルミナ絶縁基板では厚みが大きいため、基板自体の
熱伝導性が悪く、熱伝導性絶縁金属基板としての性能に
劣る。
のアルミナ絶縁基板では厚みが大きいため、基板自体の
熱伝導性が悪く、熱伝導性絶縁金属基板としての性能に
劣る。
■ 熱伝導性の良いベリリヤ絶縁基板は、毒性があるこ
とから国内では殆ど製造できず、供給地がアメリカなど
一部の場所に限定されるため、コスト高となる。また、
窒化アルミニウム絶縁基板では、表面が変質する、或い
は、コストが高い等の難題がある。
とから国内では殆ど製造できず、供給地がアメリカなど
一部の場所に限定されるため、コスト高となる。また、
窒化アルミニウム絶縁基板では、表面が変質する、或い
は、コストが高い等の難題がある。
このように、従来の熱伝導性絶縁金属基板では上記のよ
うな欠点があり、いずれも、性能、品質、コスト、信頼
性等の面で問題があフた。
うな欠点があり、いずれも、性能、品質、コスト、信頼
性等の面で問題があフた。
本発明は上記従来の問題点を解決し、パワーハイブリッ
ドIC用熱伝導性絶縁金属基板として好適な、高性能、
高信頼性、高品質かつ安価な高熱伝導性絶縁金属基板を
提供することを目的とする。
ドIC用熱伝導性絶縁金属基板として好適な、高性能、
高信頼性、高品質かつ安価な高熱伝導性絶縁金属基板を
提供することを目的とする。
[i3!題を解決するための手段]
請求項(1)の高熱伝導性絶縁金属基板は、銅−モリブ
デン合金板と、厚さ10〜150μmのアルミナフィル
ムとを貼り合せてなることを特徴とする 請求項(2)の高熱伝導性絶縁金属基板は、請求項(1
)において、該銅−モリブデン合金板が#!5〜30重
量%を含有してなることを特徴とする。
デン合金板と、厚さ10〜150μmのアルミナフィル
ムとを貼り合せてなることを特徴とする 請求項(2)の高熱伝導性絶縁金属基板は、請求項(1
)において、該銅−モリブデン合金板が#!5〜30重
量%を含有してなることを特徴とする。
即ち、本発明者らは、前記従来の問題点を解決すべく種
々検討した結果、絶縁基板として従来にない超薄型のア
ルミナフィルムを用いることにより熱伝導性を良くし、
また、このアルミナフィルムと熱膨張係数の近似した、
しかも熱伝導性の高い金属板、即ち銅−モリブデン合金
板を貼り合せて一体化することにより、前述の種々の問
題が解決されることを見出し、本発明を完成させた。
々検討した結果、絶縁基板として従来にない超薄型のア
ルミナフィルムを用いることにより熱伝導性を良くし、
また、このアルミナフィルムと熱膨張係数の近似した、
しかも熱伝導性の高い金属板、即ち銅−モリブデン合金
板を貼り合せて一体化することにより、前述の種々の問
題が解決されることを見出し、本発明を完成させた。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明で使用される錆−そリプデン合金板は、例えば、
モリブデン粉末を焼結して多孔体とし、これに銅を溶浸
することにより製造される複合材料であり、銅とモリブ
デンとの配合比により、熱膨張係数又は熱伝導率を任意
に変えることができる。従って、銅とモリブデンとの配
合比を調整することにより、少なくともアルミナフィル
ムの熱膨張係数に近似した銅−モリブデン合金板を使用
するのが好ましい、即ち、アルミナの熱膨張係数は73
x 10−7前後であるので、これに適合させるため
に銅−モリブデン合金中の銅含有量は5〜30!量%の
範囲とするのが好適であり、特に10〜30重量%の範
囲とするのが好ましい。
モリブデン粉末を焼結して多孔体とし、これに銅を溶浸
することにより製造される複合材料であり、銅とモリブ
デンとの配合比により、熱膨張係数又は熱伝導率を任意
に変えることができる。従って、銅とモリブデンとの配
合比を調整することにより、少なくともアルミナフィル
ムの熱膨張係数に近似した銅−モリブデン合金板を使用
するのが好ましい、即ち、アルミナの熱膨張係数は73
x 10−7前後であるので、これに適合させるため
に銅−モリブデン合金中の銅含有量は5〜30!量%の
範囲とするのが好適であり、特に10〜30重量%の範
囲とするのが好ましい。
なお、銅〜モリブデン合金は市販品が提供されているた
め、これを購入使用することができる。
め、これを購入使用することができる。
一方、本発明で使用されるアルミナフィルムは厚さ10
〜150μmのものであり、このような極薄アルミナフ
ィルムは、従来のアルミナ粉末法では製造不可能である
。このような極薄アルミナフィルムは、水酸化アルミニ
ウムのコロイド物買を出発原料として製造することが好
ましく、例えば、アルコキシド加水分解法は好適な製造
方法の一つである。即ち、アルミニウムアルコキシドを
合成した後、これに水を加えて加水分解し、ベーマイト
を生成させる。更に、これに酸を添加して解膠させ、超
微粒子のコロイドを作製する。
〜150μmのものであり、このような極薄アルミナフ
ィルムは、従来のアルミナ粉末法では製造不可能である
。このような極薄アルミナフィルムは、水酸化アルミニ
ウムのコロイド物買を出発原料として製造することが好
ましく、例えば、アルコキシド加水分解法は好適な製造
方法の一つである。即ち、アルミニウムアルコキシドを
合成した後、これに水を加えて加水分解し、ベーマイト
を生成させる。更に、これに酸を添加して解膠させ、超
微粒子のコロイドを作製する。
次いで、これに有機バインダーを加え、粘度調整し、成
形乾燥した後、得られたグリーンシートを焼成する。こ
のような方法によって、10〜150μmという極く薄
い、緻密なアルミナフィルムを作ることができる。もち
ろん、本発明に係るアルミナフィルムの製造方法は上記
アルコキシド加水分解法に何ら限定されるものではなく
、その他の方法、例えば無機塩加水分解法でも製造でき
るや 銅−モリブデン合金板とアルミナフィルムとを貼り合せ
て一体化する方法としては、特に制限はなく、銀ろう付
け、ハンダ付は等による接合法或いは有機樹脂等による
接着法を採用することができる。
形乾燥した後、得られたグリーンシートを焼成する。こ
のような方法によって、10〜150μmという極く薄
い、緻密なアルミナフィルムを作ることができる。もち
ろん、本発明に係るアルミナフィルムの製造方法は上記
アルコキシド加水分解法に何ら限定されるものではなく
、その他の方法、例えば無機塩加水分解法でも製造でき
るや 銅−モリブデン合金板とアルミナフィルムとを貼り合せ
て一体化する方法としては、特に制限はなく、銀ろう付
け、ハンダ付は等による接合法或いは有機樹脂等による
接着法を採用することができる。
銀ろう付け、ハンダ付は等で接合する場合には、銅−モ
リブデン合金板及びアルミナフィルムの接合面側に、銅
、ニッケル、銀、金の接合用メタライズ層を予めめっき
或いは厚膜法で形成しておけば良い、また、樹脂で接着
する場合には、熱伝導性の良いシリコーン樹脂等を用い
て直接接着すれば良い、その他、熱伝導性グリースを使
用することもできる。
リブデン合金板及びアルミナフィルムの接合面側に、銅
、ニッケル、銀、金の接合用メタライズ層を予めめっき
或いは厚膜法で形成しておけば良い、また、樹脂で接着
する場合には、熱伝導性の良いシリコーン樹脂等を用い
て直接接着すれば良い、その他、熱伝導性グリースを使
用することもできる。
[作用]
厚さ10〜150μmの極薄アルミナフィルムは、熱抵
抗が小さく、また、銅−モリブデン合金はアルミナと熱
膨張係数が近似しているため、綱−モリブデン合金板と
アルミナフィルムとを一体化することにより熱?#撃に
強い高熱伝導性絶縁金属基板が提供される。特に、銅−
モリブデン合金の銅含有量を5〜30重量%とじた場合
には、熱膨張係数をアルミナに署しく近づけることがで
き、より一層優れた効果が奏される。
抗が小さく、また、銅−モリブデン合金はアルミナと熱
膨張係数が近似しているため、綱−モリブデン合金板と
アルミナフィルムとを一体化することにより熱?#撃に
強い高熱伝導性絶縁金属基板が提供される。特に、銅−
モリブデン合金の銅含有量を5〜30重量%とじた場合
には、熱膨張係数をアルミナに署しく近づけることがで
き、より一層優れた効果が奏される。
[実施例コ
以下に図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
。
第1図〜第5図は本発明の高熱伝導性絶縁金属基板の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
実施例1
第1図に示す本発明の高熱伝導性絶縁金属基板lを製造
した。
した。
第1図において、アルミナフィルム2は、100μmの
厚みを有している。このアルミナフィルム2は、超微粒
子のベーマイトゾルを出発原料とするものであり、アル
コキシド加水分解法により作製されている。具体的には
、アルミニウムインゴットとアルコールとを反応させ、
アルミニウムアルコキシドを合成し、加水分解した後、
更に酸を添加して解膠し、ベーマイトゾルを生成させた
。これに有機バインダーを加え、スラリー化した後は、
ドクターブレードを通しキャスティングしながら成形、
乾燥してグリーンシートとした。その後、所定の形状に
切断して、焼成炉で焼成し、緻密なアルミナフィルムを
得ることができた。なお、アルミナ粒は微粒子からなっ
ているため、焼成体の厚みが薄くなってもピンホールが
なく、表面の平滑性も非常に良いものであった。また、
アルミナフィルムの厚みも所望の厚みに制御できた。
厚みを有している。このアルミナフィルム2は、超微粒
子のベーマイトゾルを出発原料とするものであり、アル
コキシド加水分解法により作製されている。具体的には
、アルミニウムインゴットとアルコールとを反応させ、
アルミニウムアルコキシドを合成し、加水分解した後、
更に酸を添加して解膠し、ベーマイトゾルを生成させた
。これに有機バインダーを加え、スラリー化した後は、
ドクターブレードを通しキャスティングしながら成形、
乾燥してグリーンシートとした。その後、所定の形状に
切断して、焼成炉で焼成し、緻密なアルミナフィルムを
得ることができた。なお、アルミナ粒は微粒子からなっ
ているため、焼成体の厚みが薄くなってもピンホールが
なく、表面の平滑性も非常に良いものであった。また、
アルミナフィルムの厚みも所望の厚みに制御できた。
このようにして得られた100μm厚みのアルミナフィ
ルム2にパラジウム処理して、無電解め)ぎにより銅メ
タライズ層3Aを形成した。
ルム2にパラジウム処理して、無電解め)ぎにより銅メ
タライズ層3Aを形成した。
次に、銅10重量%、モリブデン90重量%の組成の銅
−モリブデン合金板4に電気めっぎにより2〜3μmの
銅メタライズ層3Bを形成した後、共晶ハンダ5でハン
ダ付けを行ない、アルミナフィルム2と銅−モリブデン
合金板4とを一体化した。
−モリブデン合金板4に電気めっぎにより2〜3μmの
銅メタライズ層3Bを形成した後、共晶ハンダ5でハン
ダ付けを行ない、アルミナフィルム2と銅−モリブデン
合金板4とを一体化した。
実施例2
第2図に示す本発明の高熱伝導性絶縁金属基板1人を製
造した。
造した。
第2図の高熱伝導性絶縁金属基板IAは、実施例1と同
様にして得られた10μm厚さのアルミナフィルム2A
と、銅20重量%、モリブデン80重量%の組成の2m
m厚さの銅−モリブデン合金板4Aとをシリコーン樹脂
6で接着し一体化したものである。
様にして得られた10μm厚さのアルミナフィルム2A
と、銅20重量%、モリブデン80重量%の組成の2m
m厚さの銅−モリブデン合金板4Aとをシリコーン樹脂
6で接着し一体化したものである。
実施例3
第3図に示す本発明の高熱伝導性絶縁金属基板IBを製
造した。
造した。
第3図の高熱伝導性絶縁金属基板IBは、実施例1と同
様にして得られた150μm厚さのアルミナフィルム2
Bに、無電解めっきにより2〜4μm厚みのニッケルメ
タライズ層7Aを形成したものと、銅22.5重量%、
モリブデン77.5重量%の組成の錆−モリブデン合金
板4Bに同様にニッケルメタライズ層7Bを形成したも
のとを銀ろう8でろう付けし一体化したものである。
様にして得られた150μm厚さのアルミナフィルム2
Bに、無電解めっきにより2〜4μm厚みのニッケルメ
タライズ層7Aを形成したものと、銅22.5重量%、
モリブデン77.5重量%の組成の錆−モリブデン合金
板4Bに同様にニッケルメタライズ層7Bを形成したも
のとを銀ろう8でろう付けし一体化したものである。
実施例4
!4rI!Jに示す本発明の高熱伝導性絶縁金属基板t
Cを製造した。
Cを製造した。
1A4図の高熱伝導性絶縁金属基板ICは、実施例!と
同様にして得られた100μm厚さのアルミナフィルム
2Cに無電解めっぎにより銅メタライズ層3Aを形成し
たものと、425重量%、モリブデン75重量%の組成
の銅−モリブデン合金板4Cに同様に銅メタライズ層3
Bを形成したものとを、銅面を介して共晶ハンダ5でハ
ンダ付けしたものである。
同様にして得られた100μm厚さのアルミナフィルム
2Cに無電解めっぎにより銅メタライズ層3Aを形成し
たものと、425重量%、モリブデン75重量%の組成
の銅−モリブデン合金板4Cに同様に銅メタライズ層3
Bを形成したものとを、銅面を介して共晶ハンダ5でハ
ンダ付けしたものである。
実施例5
第5図に示す本発明の高熱伝導性絶縁金属基板IDを製
造した。
造した。
第5図の高熱伝導性絶縁金属基板IDは、実施例1と同
様にして得られた50μm厚さのアルミナフィルム2D
に、銅導体パターン9と銅メタライズ層3Aとを厚膜法
で形成したものと、銅30重量%、モリブデン70重量
%の組成の銅−モリブデン合金板4Dに無電解めっきに
より銅メタライズ層3Bを形成したものとを、共晶ハン
ダ5でハンダ付けして一体化したものである。
様にして得られた50μm厚さのアルミナフィルム2D
に、銅導体パターン9と銅メタライズ層3Aとを厚膜法
で形成したものと、銅30重量%、モリブデン70重量
%の組成の銅−モリブデン合金板4Dに無電解めっきに
より銅メタライズ層3Bを形成したものとを、共晶ハン
ダ5でハンダ付けして一体化したものである。
上記実施例1〜5で製造した高熱伝導性絶縁金属基板!
、IA、1B、IC,IDについて、それぞれ、温度サ
イクル及びサーマルシせツク等の熱衝撃試験を行ない、
また、熱抵抗等を調べた結果、いずれも、接合部分のメ
タライズの剥れ、アルミナのクランクや破損がなく、ま
た、熱抵抗も従来のものよりも低く、高性能、高信頼性
のものであることが確認された。
、IA、1B、IC,IDについて、それぞれ、温度サ
イクル及びサーマルシせツク等の熱衝撃試験を行ない、
また、熱抵抗等を調べた結果、いずれも、接合部分のメ
タライズの剥れ、アルミナのクランクや破損がなく、ま
た、熱抵抗も従来のものよりも低く、高性能、高信頼性
のものであることが確認された。
[発明の効果]
以上詳述した通り、請求項(1)の高熱伝導性絶縁金属
基板によれば、熱衝撃に強く、しかも熱抵抗の小さい、
高性能、高信頼性かつ低コストの高熱伝導性絶縁金属基
板が提供される。
基板によれば、熱衝撃に強く、しかも熱抵抗の小さい、
高性能、高信頼性かつ低コストの高熱伝導性絶縁金属基
板が提供される。
特に、請求項(2)の高熱伝導性絶縁金属基板によれば
、より一層優れた効果が奏される。
、より一層優れた効果が奏される。
!1図、第2図、第3図、14図及び第5図は本発明の
高熱伝導性絶縁金属基板の実施例を示す断面図、第6図
及び第7図は従来例を示す断面図である。 1、IA、IB、IC,ID ・・・高熱伝導性絶縁金属基板、 2.2A、2B、2C,2D ・・・アルミナフィルム、 4.4A、4B、4C,4D ・・・銅−モリブデン合金板。
高熱伝導性絶縁金属基板の実施例を示す断面図、第6図
及び第7図は従来例を示す断面図である。 1、IA、IB、IC,ID ・・・高熱伝導性絶縁金属基板、 2.2A、2B、2C,2D ・・・アルミナフィルム、 4.4A、4B、4C,4D ・・・銅−モリブデン合金板。
Claims (2)
- (1)銅−モリブデン合金板と、厚さ10〜150μm
のアルミナフィルムとを貼り合せてなることを特徴とす
る高熱伝導性絶縁金属基板。 - (2)該銅−モリブデン合金板が銅5〜30重量%を含
有してなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の高熱伝導性絶縁金属基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2078377A JPH03277544A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 高熱伝導性絶縁金属基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2078377A JPH03277544A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 高熱伝導性絶縁金属基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03277544A true JPH03277544A (ja) | 1991-12-09 |
Family
ID=13660329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2078377A Pending JPH03277544A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 高熱伝導性絶縁金属基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03277544A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015063866A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 新日鐵住金株式会社 | 表面処理金属板及び表面処理金属板の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2078377A patent/JPH03277544A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015063866A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 新日鐵住金株式会社 | 表面処理金属板及び表面処理金属板の製造方法 |
JPWO2015063866A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2017-03-09 | 新日鐵住金株式会社 | 表面処理金属板及び表面処理金属板の製造方法 |
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