JPH05275384A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPH05275384A
JPH05275384A JP7184292A JP7184292A JPH05275384A JP H05275384 A JPH05275384 A JP H05275384A JP 7184292 A JP7184292 A JP 7184292A JP 7184292 A JP7184292 A JP 7184292A JP H05275384 A JPH05275384 A JP H05275384A
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JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
gas
substrate
main body
plasma etching
Prior art date
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Pending
Application number
JP7184292A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashige Nagamatsu
隆重 永松
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NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】平行平板方式のＲＩＥプラズマエッチング装置
において、半導体基板面内及び基板間のエッチング速度
均一性向上を計る。 【構成】半導体基板に向い斜め方向にガスを吹き出すガ
ス吹き出し口と、半導体基板を支持する支持台周囲の側
面に複数個の排気孔とを設ける。 【効果】半導体基板表面及び本体内のガスの分布均一性
を可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置で
ある平行平板方式のＲＩＥプラズマエッチング装置に関
し、特に処理ガス吹き出し口と排気孔の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、平行平板方式のＲＩＥプラズマ
エッチング装置は、図３に示すように、対向する半導体
基板６に向かい、垂直にガス４を吹き出す上部電極２に
設けられたガス吹き出し口３と、半導体基板６を支持
し、かつ回転軸８に連結された下部支持台７の周囲の本
体１の側面に排気孔５を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の平行平板方式の
ＲＩＥプラズマエッチング装置では、半導体基板に対し
処理ガスが垂直に吹き出るために半導体基板表面や本体
内部でガスが不均一になり、プラズマの発生密度分布が
均一でなく、半導体基板へのエッチング速度が半導体基
板面内及び基板間で、例えばＲ／（２倍のｘバー）が１
５％程度になるバラツキが発生するという問題点があっ
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の平行平板方式Ｒ
ＩＥプラズマエッチング装置は、対向する半導体基板に
向い斜め方向に処理ガスを吹き出すガス吹き出し口と、
半導体基板を支持する支持台周囲の側面に複数個の排気
孔とを備えている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のＲＩＥプラズマエッチン
グ装置の断面図である。上部電極２に半導体基板６に対
し斜にガス４を吹き出すガス吹き出し口３を設け、また
本体１の側面に複数個の排気孔５を設けることで、回転
軸８に連結した下部支持台７上の半導体基板６の表面ま
た本体内均のガスの均一性を上げることができる。
【０００６】また図２では本体側面上下に排気孔５を設
けることで更に本体内部のガス均一性を上げることがで
きる。尚、図２で図１と同一もしくは類似の機能の箇所
は同じ符号で示してある。
【０００７】これにより半導体基板表面及び本体内部の
プラズマ密度分布を均一化させ、半導体基板面内及び基
板間のエッチング速度の均一性を向上させることができ
るものである。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は半導体基
板に向い斜めに吹き出すガス吹き出し口と、本体側面に
複数個の排気孔を有することで、半導体基板面内及び基
板間のエッチング速度を均一化することができるという
結果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】本発明の一実施例を変更した例を示す断面図。
【図３】従来の装置の構造を示す断面図。
【符号の説明】
１ 本体 ２ 上部電極 ３ ガス吹き出し口 ４ ガス ５ 排気孔 ６ 半導体基板 ７ 下部支持台 ８ 回転軸

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平行平板方式のＲＩＥプラズマエッチン
    グ装置において、対向する半導体基板に向い斜め方向に
    処理ガスを吹き出すガス吹き出し口と、半導体基板を支
    持する支持台周囲の側面に複数個の排気孔とを有するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造装置。
JP7184292A 1992-03-30 1992-03-30 半導体装置の製造装置 Pending JPH05275384A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6531069B1 (en) 2000-06-22 2003-03-11 International Business Machines Corporation Reactive Ion Etching chamber design for flip chip interconnections

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5694746A (en) * 1979-12-28 1981-07-31 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Plasma etching device
JPS5919326A (ja) * 1982-07-23 1984-01-31 Hitachi Ltd プラズマ処理装置

Patent Citations (2)

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980506