JPH05273738A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH05273738A JPH05273738A JP7176992A JP7176992A JPH05273738A JP H05273738 A JPH05273738 A JP H05273738A JP 7176992 A JP7176992 A JP 7176992A JP 7176992 A JP7176992 A JP 7176992A JP H05273738 A JPH05273738 A JP H05273738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shifter
- light shielding
- glass substrate
- light
- shift mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 クロムレス型位相シフトマスクの欠陥検査を
可能とする技術を提供する。 【構成】 ガラス基板２上に形成した位相シフタ３のエ
ッジに沿って遮光パターン４を設けた位相シフトマスク
１である。この位相シフトマスク１に光を照射して得ら
れる光学像は、位相シフタ３のエッジ（遮光部）とその
他の部分（光透過部）とのコントラストが高い像となる
ので、データ比較検査方式による欠陥検査が可能とな
る。
可能とする技術を提供する。 【構成】 ガラス基板２上に形成した位相シフタ３のエ
ッジに沿って遮光パターン４を設けた位相シフトマスク
１である。この位相シフトマスク１に光を照射して得ら
れる光学像は、位相シフタ３のエッジ（遮光部）とその
他の部分（光透過部）とのコントラストが高い像となる
ので、データ比較検査方式による欠陥検査が可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程などで
使用されるフォトマスクに関し、特に、位相シフトマス
クに適用して有効な技術に関する。
使用されるフォトマスクに関し、特に、位相シフトマス
クに適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化、高密度化は、0.５μ
ｍから0.３μｍ以下の微細なパターンの加工技術を要求
している。しかし、パターンの寸法がこの程度まで微細
になると、従来のフォトリソグラフィ技術では、パター
ンの加工寸法が露光光の波長と同等ないしはそれ以下に
なってしまうため、光の回折現象により高精度なパター
ン形成が困難となる。
ｍから0.３μｍ以下の微細なパターンの加工技術を要求
している。しかし、パターンの寸法がこの程度まで微細
になると、従来のフォトリソグラフィ技術では、パター
ンの加工寸法が露光光の波長と同等ないしはそれ以下に
なってしまうため、光の回折現象により高精度なパター
ン形成が困難となる。
【０００３】近年、このような問題を改善する手段とし
て、フォトマスクを透過する光の位相を反転させて投影
像のコントラストを向上させる位相シフト方式が注目さ
れている。
て、フォトマスクを透過する光の位相を反転させて投影
像のコントラストを向上させる位相シフト方式が注目さ
れている。
【０００４】位相シフト方式には、各種のものが提案さ
れているが、その一つにクロムなどの遮光膜を使わずに
位相シフタだけを使ってパターンを転写するクロムレス
方式がある。クロムレス方式は、ガラス基板上に形成し
た位相シフタのエッジに沿ってパターンを形成するた
め、適用できるパターンに制約があるものの、極めて高
い解像度が得られるという利点がある。また、クロムな
どの遮光パターンを必要としないので、マスクの設計、
製作が容易になるという利点もある。
れているが、その一つにクロムなどの遮光膜を使わずに
位相シフタだけを使ってパターンを転写するクロムレス
方式がある。クロムレス方式は、ガラス基板上に形成し
た位相シフタのエッジに沿ってパターンを形成するた
め、適用できるパターンに制約があるものの、極めて高
い解像度が得られるという利点がある。また、クロムな
どの遮光パターンを必要としないので、マスクの設計、
製作が容易になるという利点もある。
【０００５】なお、上記クロムレス方式の位相シフトマ
スクについては、日経ＢＰ社、１９９１年５月１日発行
の「日経マイクロデバイス ５月号」Ｐ５２〜Ｐ５８な
どに記載がある。
スクについては、日経ＢＰ社、１９９１年５月１日発行
の「日経マイクロデバイス ５月号」Ｐ５２〜Ｐ５８な
どに記載がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クロム
レス方式の位相シフトマスクは、位相シフタ材料に用い
るスピンオングラス(Spin On Glass) が異物としてガラ
ス基板上に残ったり、スピンオングラス中に気泡が取り
込まれたりする欠陥が発生し易いにもかかわらず、その
欠陥検査が極めて困難であるという問題がある。
レス方式の位相シフトマスクは、位相シフタ材料に用い
るスピンオングラス(Spin On Glass) が異物としてガラ
ス基板上に残ったり、スピンオングラス中に気泡が取り
込まれたりする欠陥が発生し易いにもかかわらず、その
欠陥検査が極めて困難であるという問題がある。
【０００７】現在、フォトマスクの欠陥検査方式は、デ
ータ比較検査方式が主流となっている。この方式は、フ
ォトマスクに光を照射して得られる光学像と、設計デー
タからパターンを発生させて作製した電気的な像とを比
較して不一致部分を欠陥として認識するものである。
ータ比較検査方式が主流となっている。この方式は、フ
ォトマスクに光を照射して得られる光学像と、設計デー
タからパターンを発生させて作製した電気的な像とを比
較して不一致部分を欠陥として認識するものである。
【０００８】ところが、クロムレス方式の位相シフトマ
スクに光を照射してその光学像を作る場合は、位相シフ
タのエッジが明確な像として結像しないため、その光学
像を電気的な像と比較することができない。
スクに光を照射してその光学像を作る場合は、位相シフ
タのエッジが明確な像として結像しないため、その光学
像を電気的な像と比較することができない。
【０００９】そこで、本発明の目的は、クロムレス型の
位相シフトマスクの欠陥検査を可能とする技術を提供す
ることにある。
位相シフトマスクの欠陥検査を可能とする技術を提供す
ることにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１２】本発明のフォトマスクは、ガラス基板上に
形成した位相シフタのエッジに沿って遮光パターンを設
けたものである。
形成した位相シフタのエッジに沿って遮光パターンを設
けたものである。
【００１３】
【作用】上記した手段によれば、位相シフタのエッジに
沿って遮光パターンを設けることにより、フォトマスク
に光を照射して得られる光学像は、位相シフタのエッジ
（遮光部）とその他の部分（光透過部）とのコントラス
トが高い像となる。これにより、この光学像と設計デー
タから作製した電気的な像との比較が可能となるので、
クロムレス型位相シフトマスクの欠陥検査が可能とな
る。
沿って遮光パターンを設けることにより、フォトマスク
に光を照射して得られる光学像は、位相シフタのエッジ
（遮光部）とその他の部分（光透過部）とのコントラス
トが高い像となる。これにより、この光学像と設計デー
タから作製した電気的な像との比較が可能となるので、
クロムレス型位相シフトマスクの欠陥検査が可能とな
る。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の一実施例であるクロムレス
型の位相シフトマスク１の要部を示す平面図、図２は、
図１のII−II線における断面図である。
型の位相シフトマスク１の要部を示す平面図、図２は、
図１のII−II線における断面図である。
【００１５】この位相シフトマスク１は、半導体ウエハ
に所定の集積回路パターンを転写するための、例えば実
寸の５倍の寸法の集積回路パターンの原画が形成された
レチクルである。
に所定の集積回路パターンを転写するための、例えば実
寸の５倍の寸法の集積回路パターンの原画が形成された
レチクルである。
【００１６】屈折率が1.４７程度の合成石英からなる透
明なガラス基板２上の有効露光領域内には、例えば矩形
のパターンを有する位相シフタ３が形成されている。位
相シフタ３は、ガラス基板２の全面に被着したスピンオ
ングラス膜を周知のリソグラフィ技術を使ってパターニ
ングすることにより作製される。
明なガラス基板２上の有効露光領域内には、例えば矩形
のパターンを有する位相シフタ３が形成されている。位
相シフタ３は、ガラス基板２の全面に被着したスピンオ
ングラス膜を周知のリソグラフィ技術を使ってパターニ
ングすることにより作製される。
【００１７】上記ガラス基板２上には、位相シフタ３の
エッジに沿って幅の狭い遮光パターン４が形成されてい
る。遮光パターン４は、クロムまたは酸化クロムなどの
遮光膜からなり、通常のフォトマスクの製造方法によっ
て作製される。遮光パターン４は、位相シフタ３のパタ
ーンをブローデン処理することにより容易に発生させる
ことができる。
エッジに沿って幅の狭い遮光パターン４が形成されてい
る。遮光パターン４は、クロムまたは酸化クロムなどの
遮光膜からなり、通常のフォトマスクの製造方法によっ
て作製される。遮光パターン４は、位相シフタ３のパタ
ーンをブローデン処理することにより容易に発生させる
ことができる。
【００１８】上記のように構成された本実施例の位相シ
フトマスク１によれば、位相シフトマスク１に光を照射
して得られる光学像は、位相シフタ３のエッジ（遮光
部）とその他の部分（光透過部）とのコントラストが高
い像となる。
フトマスク１によれば、位相シフトマスク１に光を照射
して得られる光学像は、位相シフタ３のエッジ（遮光
部）とその他の部分（光透過部）とのコントラストが高
い像となる。
【００１９】これにより、この光学像と設計データから
作製した電気的な像との比較が可能となるので、データ
比較検査方式による位相シフトマスク１の欠陥検査が可
能となる。
作製した電気的な像との比較が可能となるので、データ
比較検査方式による位相シフトマスク１の欠陥検査が可
能となる。
【００２０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２１】例えば位相シフタ材料として、ＣＶＤ法で
堆積した酸化シリコン膜などを使用する場合にも適用す
ることができる。
堆積した酸化シリコン膜などを使用する場合にも適用す
ることができる。
【００２２】また、位相シフタのエッジに沿って配置す
る遮光パターンは、クロム以外の金属膜などによって構
成してもよい。
る遮光パターンは、クロム以外の金属膜などによって構
成してもよい。
【００２３】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００２４】本発明によれば、クロムレス型の位相シフ
トマスクの欠陥検査が可能となるので、その製造歩留り
を向上させることができる。また、このマスクを用いた
露光プロセスの歩留りを向上させることができる。
トマスクの欠陥検査が可能となるので、その製造歩留り
を向上させることができる。また、このマスクを用いた
露光プロセスの歩留りを向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例である位相シフトマスクの要
部平面図である。
部平面図である。
【図２】図１のII−II線における断面図である。
１ 位相シフトマスク ２ ガラス基板 ３ 位相シフタ ４ 遮光パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ 8406−4Ｍ 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３１１ Ｗ (72)発明者 石川 清司 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 宮崎 勝 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板上に形成した位相シフタのエ
ッジに沿って遮光パターンを設けたことを特徴とするフ
ォトマスク。 - 【請求項２】 前記位相シフタは、スピンオングラスか
らなることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7176992A JPH05273738A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7176992A JPH05273738A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05273738A true JPH05273738A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13470096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7176992A Withdrawn JPH05273738A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05273738A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321348A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-08 | Nec Corp | 光電変換素子 |
| KR100382609B1 (ko) * | 2000-08-28 | 2003-05-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP7176992A patent/JPH05273738A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321348A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-08 | Nec Corp | 光電変換素子 |
| KR100382609B1 (ko) * | 2000-08-28 | 2003-05-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5804340A (en) | Photomask inspection method and inspection tape therefor | |
| US6258493B1 (en) | Phase shifting circuit manufacture method and apparatus | |
| Lin | Phase-shifting masks gain an edge | |
| US5620817A (en) | Fabrication of self-aligned attenuated rim phase shift mask | |
| JP2002131883A (ja) | フォトマスクの製造方法およびフォトマスク | |
| TWI286795B (en) | Manufacturing method for semiconductor integrated circuit device | |
| JPH06289589A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法そしてそれに用いるブランク | |
| JPH05273738A (ja) | フォトマスク | |
| JPH06250376A (ja) | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPS59160144A (ja) | ホトマスク | |
| JPH05289305A (ja) | 位相シフトフォトマスク | |
| KR920009369B1 (ko) | 마스크의 제작방법 | |
| JPH05275303A (ja) | 露光方法およびそれに用いるフォトマスク | |
| US20030039892A1 (en) | Method of optical proximity correction | |
| JPH10186630A (ja) | 位相シフト露光マスクおよびその製造方法 | |
| JPH0468352A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 | |
| JP3268692B2 (ja) | 半導体集積回路パターンの形成方法およびそれに用いるマスクの製造方法 | |
| JP2802611B2 (ja) | 位相反転マスク | |
| JPH07219203A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法 | |
| JPH0651489A (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| KR0146399B1 (ko) | 반도체 패턴 형성 방법 | |
| JPH04269749A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH07159970A (ja) | 位相シフトマスクおよび露光方法 | |
| KR0151228B1 (ko) | 고립된 다수의 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 | |
| KR960006820B1 (ko) | 위상 시프트 광학 마스크의 제조방법 및 그것을 사용한 반도체 집적회로장치의 노광방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |