JPH05271951A - 大面積ラジカルソース - Google Patents
大面積ラジカルソースInfo
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- JPH05271951A JPH05271951A JP10056792A JP10056792A JPH05271951A JP H05271951 A JPH05271951 A JP H05271951A JP 10056792 A JP10056792 A JP 10056792A JP 10056792 A JP10056792 A JP 10056792A JP H05271951 A JPH05271951 A JP H05271951A
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- Japan
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- radical
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板が荷電粒子にさらされることなく、か
つ、ラジカルの再結合による減衰を避けることができる
大面積に照射可能なラジカルソースを提供する。 【構成】 プラズマ源から発生したラジカルが３００℃
以上に加熱されてなる輸送チューブを通して輸送されて
なるものである。好ましい実施例においては、輸送チュ
ーブの内面のＲｍａｘが０．１μｍとされている。
つ、ラジカルの再結合による減衰を避けることができる
大面積に照射可能なラジカルソースを提供する。 【構成】 プラズマ源から発生したラジカルが３００℃
以上に加熱されてなる輸送チューブを通して輸送されて
なるものである。好ましい実施例においては、輸送チュ
ーブの内面のＲｍａｘが０．１μｍとされている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種薄膜形成装置、コ
ーティング装置、エッチング装置に応用可能な大面積ラ
ジカルソースに関し、さらに詳しくは、薄膜ポリシリコ
ン、ａ−Ｓｉ：Ｈ、超電導薄膜等の大面積形成に応用可
能な大面積ラジカルソースに関する。
ーティング装置、エッチング装置に応用可能な大面積ラ
ジカルソースに関し、さらに詳しくは、薄膜ポリシリコ
ン、ａ−Ｓｉ：Ｈ、超電導薄膜等の大面積形成に応用可
能な大面積ラジカルソースに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ラジカル発生源としては、Ｒ
Ｆプラズマ、ＤＣプラズマ、マイクロ波、プラズマ等の
プラズマ放電によるもの、タングスランフィラメント等
の熱分解によるものが用いられているが、いずれの場合
も基板が荷電粒子（イオン、電子）にさらされるという
欠点を有している。またイオン、電子によるダメージを
さけるため、プラズマをリモート源としたラジカルソー
スもあるが、このものにおいては輸送中における再結合
によりラジカルが消滅するといった欠点がある。さら
に、グリッド等による荷電粒子の除去も試みられている
が、このものも開きが小さくなることによる再結合の増
加があり、取り出せるラジカル濃度が小さくなるという
欠点を有している。
Ｆプラズマ、ＤＣプラズマ、マイクロ波、プラズマ等の
プラズマ放電によるもの、タングスランフィラメント等
の熱分解によるものが用いられているが、いずれの場合
も基板が荷電粒子（イオン、電子）にさらされるという
欠点を有している。またイオン、電子によるダメージを
さけるため、プラズマをリモート源としたラジカルソー
スもあるが、このものにおいては輸送中における再結合
によりラジカルが消滅するといった欠点がある。さら
に、グリッド等による荷電粒子の除去も試みられている
が、このものも開きが小さくなることによる再結合の増
加があり、取り出せるラジカル濃度が小さくなるという
欠点を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点に鑑みなされたものであって、基板が荷電粒
子にさらされることなく、かつ、ラジカルの再結合によ
る減衰を避けることができる大面積に照射可能なラジカ
ルソースを提供することを目的とする。
術の問題点に鑑みなされたものであって、基板が荷電粒
子にさらされることなく、かつ、ラジカルの再結合によ
る減衰を避けることができる大面積に照射可能なラジカ
ルソースを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の大面積ラジカル
ソースは、プラズマ源から発生したラジカルが、３００
℃以上に加熱された輸送チューブを通して輸送されてな
ることを特徴としている。
ソースは、プラズマ源から発生したラジカルが、３００
℃以上に加熱された輸送チューブを通して輸送されてな
ることを特徴としている。
【０００５】本発明の大面積ラジカルソースにおいて
は、前記３００℃以上に加熱された輸送チューブがシリ
コン酸化物、シリコン窒化物、ボロンナイトライドまた
はアルミナ酸化物であるのが好ましく、そして、表面の
Ｒｍａｘが０．１μｍ以下であるのが好ましい。
は、前記３００℃以上に加熱された輸送チューブがシリ
コン酸化物、シリコン窒化物、ボロンナイトライドまた
はアルミナ酸化物であるのが好ましく、そして、表面の
Ｒｍａｘが０．１μｍ以下であるのが好ましい。
【０００６】また、本発明の大面積ラジカルソースにお
いては、前記プラズマ源が永久磁石を有するＥＣＲプラ
ズマソースであるのが好ましい。
いては、前記プラズマ源が永久磁石を有するＥＣＲプラ
ズマソースであるのが好ましい。
【０００７】さらに、本発明の大面積ラジカルソースに
おいては、前記ラジカルが水素、酸素、窒素またはハロ
ゲンであるのが好ましく、そして、ラジカルが水素また
は酸素であるときは、水晶振動子上の銀の酸化還元速度
から求めたラジカルフラックスが１×１０16ａｔｏｍ／
ｃｍ2・ｓｅｃ以上であるのが好ましい。
おいては、前記ラジカルが水素、酸素、窒素またはハロ
ゲンであるのが好ましく、そして、ラジカルが水素また
は酸素であるときは、水晶振動子上の銀の酸化還元速度
から求めたラジカルフラックスが１×１０16ａｔｏｍ／
ｃｍ2・ｓｅｃ以上であるのが好ましい。
【０００８】
【作用】本発明の大面積ラジカルソースにおいては、３
００℃以上に加熱された輸送チューブによりラジカルを
供給しているので、基板表面が荷電粒子にさらされるこ
となくかつラジカルの再結合をも減少でき、それにより
大きなフラックスのラジカルを基板表面に導入すること
ができる。
００℃以上に加熱された輸送チューブによりラジカルを
供給しているので、基板表面が荷電粒子にさらされるこ
となくかつラジカルの再結合をも減少でき、それにより
大きなフラックスのラジカルを基板表面に導入すること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明を実施
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
【００１０】図１は本発明の大面積ラジカルソースを用
いた成膜装置の概略図、図２はＥＣＲプラズマにより発
生したラジカルの測定結果のグラフである。図におい
て、１は反応室、２は基板、３はヒータ、４は水晶振動
子、５は石英管、６は石英管５に内蔵されたヒータ、７
はＥＣＲプラズマ発生装置、８はマイクロ波導入アンテ
ナ、９はマッチングボックス、１０はマイクロ波電源を
示す。
いた成膜装置の概略図、図２はＥＣＲプラズマにより発
生したラジカルの測定結果のグラフである。図におい
て、１は反応室、２は基板、３はヒータ、４は水晶振動
子、５は石英管、６は石英管５に内蔵されたヒータ、７
はＥＣＲプラズマ発生装置、８はマイクロ波導入アンテ
ナ、９はマッチングボックス、１０はマイクロ波電源を
示す。
【００１１】図１に示される成膜装置においては、ヒー
タ６を内蔵した石英管５、ＥＣＲプラズマ発生装置７、
マイクロ波導入アンテナ８、マッチングボックス９およ
びマイクロ波電源１０がラジカルソースを構成し、石英
管５が輸送チューブを構成する。
タ６を内蔵した石英管５、ＥＣＲプラズマ発生装置７、
マイクロ波導入アンテナ８、マッチングボックス９およ
びマイクロ波電源１０がラジカルソースを構成し、石英
管５が輸送チューブを構成する。
【００１２】図１に示される実施例においては、輸送チ
ューブを構成する石英管５は、それが内蔵しているヒー
タ６により３００℃以上に加熱されている。この３００
℃以上に加熱された輸送チューブを用いれば、基板２の
表面が荷電粒子にさらされることがなくなり、しかもラ
ジカルの再結合をも減少できる。そのため、より大きな
フラックスのラジカルを基板２の表面に導入することが
できる。
ューブを構成する石英管５は、それが内蔵しているヒー
タ６により３００℃以上に加熱されている。この３００
℃以上に加熱された輸送チューブを用いれば、基板２の
表面が荷電粒子にさらされることがなくなり、しかもラ
ジカルの再結合をも減少できる。そのため、より大きな
フラックスのラジカルを基板２の表面に導入することが
できる。
【００１３】ラジカルの基板２への輸送効率を向上させ
るプラズマ源（ラジカル発生源）としては、反応圧力が
低い方が衝突による再結合が少なくなるので、低圧でも
放電可能なＥＣＲプラズマ源が好ましい。また、大面積
なプラズマ源とする観点からは、電磁石を用いた磁場を
有するＥＣＲプラズマ源より、永久磁石を用いたＥＣＲ
プラズマ源の方が、さらに好ましい。そして、永久磁石
としては、マイクロ波の伝播に対してできるだけ磁場勾
配を形成しない、つまり磁場が急しゅんに減衰する磁場
の厚み特性を有する磁石が好ましい。
るプラズマ源（ラジカル発生源）としては、反応圧力が
低い方が衝突による再結合が少なくなるので、低圧でも
放電可能なＥＣＲプラズマ源が好ましい。また、大面積
なプラズマ源とする観点からは、電磁石を用いた磁場を
有するＥＣＲプラズマ源より、永久磁石を用いたＥＣＲ
プラズマ源の方が、さらに好ましい。そして、永久磁石
としては、マイクロ波の伝播に対してできるだけ磁場勾
配を形成しない、つまり磁場が急しゅんに減衰する磁場
の厚み特性を有する磁石が好ましい。
【００１４】次に輸送チューブ表面の温度であるが、使
用するラジカルの種類により最適温度は異なるが、どの
ラジカルにおいても表面温度が３００℃以上とされれば
よい。それ以下の温度、例えば、室温ではラジカルが輸
送チューブ表面に吸着し、輸送チューブ表面においてラ
ジカル同志が再結合し、基板２の表面に到達するラジカ
ルが減少する。なお、水素原子では３００℃以上でよい
が、酸素原子では４００℃以上とされるのがより好まし
い。
用するラジカルの種類により最適温度は異なるが、どの
ラジカルにおいても表面温度が３００℃以上とされれば
よい。それ以下の温度、例えば、室温ではラジカルが輸
送チューブ表面に吸着し、輸送チューブ表面においてラ
ジカル同志が再結合し、基板２の表面に到達するラジカ
ルが減少する。なお、水素原子では３００℃以上でよい
が、酸素原子では４００℃以上とされるのがより好まし
い。
【００１５】輸送チューブの表面形状は、ラジカルの吸
着面積の観点から、吸着面積を少なくする点で、表面粗
度（以下、Ｒｍａｘという）が０．１μｍ以下であるの
が好ましい。
着面積の観点から、吸着面積を少なくする点で、表面粗
度（以下、Ｒｍａｘという）が０．１μｍ以下であるの
が好ましい。
【００１６】輸送チューブの材質としては、酸素ラジカ
ルに対しては酸化物、窒素ラジカルに対しては窒化物、
水素ラジカルに対しては酸化物や窒化物、ハロゲン系の
ラジカルに対しては窒化物が好ましい。
ルに対しては酸化物、窒素ラジカルに対しては窒化物、
水素ラジカルに対しては酸化物や窒化物、ハロゲン系の
ラジカルに対しては窒化物が好ましい。
【００１７】もちろん金属、例えばステンレスの表面を
前記酸化物や窒化物にてコーティングしてもよい。
前記酸化物や窒化物にてコーティングしてもよい。
【００１８】その余の構成については、従来のラジカル
ソースと特に異なる点はないので、その構成の詳細な説
明は省略する。
ソースと特に異なる点はないので、その構成の詳細な説
明は省略する。
【００１９】次に、この様にして構成されたラジカルソ
ースを用いてラジカルフラックスを生成し、その生成量
の測定を行った。その結果を図２に示す。その際におけ
るラジカルフラックスの算出は、水晶振動子４上の銀の
酸化還元速度から酸素原子および水素原子フラックスの
生成量を換算することにより行った。すなわち、まず酸
素プラズマにより水晶振動子４上の銀を酸化し、その重
量増加から酸素原子フラックスを求めた。その結果、酸
素原子フラックスは、５×１０15ａｔｏｍ／ｃｍ2・ｓ
ｅｃであった。次に、酸化銀の還元速度、つまり重量減
少から水素原子フラックスを求めた。その結果、水素原
子フラックは、５×１０15ａｔｏｍ／ｃｍ2・ｓｅｃで
あった。
ースを用いてラジカルフラックスを生成し、その生成量
の測定を行った。その結果を図２に示す。その際におけ
るラジカルフラックスの算出は、水晶振動子４上の銀の
酸化還元速度から酸素原子および水素原子フラックスの
生成量を換算することにより行った。すなわち、まず酸
素プラズマにより水晶振動子４上の銀を酸化し、その重
量増加から酸素原子フラックスを求めた。その結果、酸
素原子フラックスは、５×１０15ａｔｏｍ／ｃｍ2・ｓ
ｅｃであった。次に、酸化銀の還元速度、つまり重量減
少から水素原子フラックスを求めた。その結果、水素原
子フラックは、５×１０15ａｔｏｍ／ｃｍ2・ｓｅｃで
あった。
【００２０】ここにおける絶対値は、酸素、水素の付着
確立の不明確さから、必ずしも正しいとはかぎらない
が、最小限のフラックス量の測定は可能でかつある数値
以上であることはわかるので、相対的な比較は行いうる
ものである。
確立の不明確さから、必ずしも正しいとはかぎらない
が、最小限のフラックス量の測定は可能でかつある数値
以上であることはわかるので、相対的な比較は行いうる
ものである。
【００２１】以下、より具体的な実施例に基づいて本発
明をより詳細に説明する。
明をより詳細に説明する。
【００２２】実施例１および比較例１ 図１に示す装置の永久磁石７ａを用いたＥＣＲ放電管７
ｂを有するＥＣＲプラズマ発生装置７をプラズマ源とし
て、水素ガス４００ＳＣＣＭ、圧力２０ｍＴｏｒｒ、マ
イクロ波パワー４５０Ｗの条件下において、内径１５０
ｍｍφでＲｍａｘが０．０５μｍ以下の石英管内にてプ
ラズマを発生させ、それにより生成されたラジカルを輸
送チューブを経由して基板２に導入した。そして、その
際生成されたラジカルの酸素原子フラックスおよび水素
原子フラックスを基板２近傍にて前述の方法により測定
し、測定結果を表１に示した（実施例１）。内面がすり
の石英管を用いた他は実施例１と同様にしてラジカルを
生成し、その際生成されたラジカルの酸素原子フラック
スおよび水素原子フラックスを基板２近傍にて前述の方
法により測定し、測定結果を表１に併せて示した（比較
例１）。
ｂを有するＥＣＲプラズマ発生装置７をプラズマ源とし
て、水素ガス４００ＳＣＣＭ、圧力２０ｍＴｏｒｒ、マ
イクロ波パワー４５０Ｗの条件下において、内径１５０
ｍｍφでＲｍａｘが０．０５μｍ以下の石英管内にてプ
ラズマを発生させ、それにより生成されたラジカルを輸
送チューブを経由して基板２に導入した。そして、その
際生成されたラジカルの酸素原子フラックスおよび水素
原子フラックスを基板２近傍にて前述の方法により測定
し、測定結果を表１に示した（実施例１）。内面がすり
の石英管を用いた他は実施例１と同様にしてラジカルを
生成し、その際生成されたラジカルの酸素原子フラック
スおよび水素原子フラックスを基板２近傍にて前述の方
法により測定し、測定結果を表１に併せて示した（比較
例１）。
【００２３】なお、ラングミュアープローブにて基板２
付近の荷電粒子の測定を行なったが、実施例１において
は、イオン、電子とも全く観測されなかった。
付近の荷電粒子の測定を行なったが、実施例１において
は、イオン、電子とも全く観測されなかった。
【００２４】表１より明らかなように、内面がすりの石
英管（比較例１）よりＲｍａｘが０．０５μｍ以下の石
英管（実施例１）を用いることによりラジカルのフラッ
クスが増加するのがわかる。
英管（比較例１）よりＲｍａｘが０．０５μｍ以下の石
英管（実施例１）を用いることによりラジカルのフラッ
クスが増加するのがわかる。
【００２５】実施例２〜３および比較例２〜４ 実施例１の石英管を用いて石英管の表面温度の影響を調
査した。結果を表２に示した（実施例２〜３および比較
例２〜４）。
査した。結果を表２に示した（実施例２〜３および比較
例２〜４）。
【００２６】表２より明らかなように、石英管表面の温
度を上昇させることにより急激にラジカルフラックスが
増加するのがわかる。
度を上昇させることにより急激にラジカルフラックスが
増加するのがわかる。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば基
板が荷電粒子にさらされることなく、かつ、ラジカルの
再結合による減衰をさけることができる大面積に照射可
能なラジカルソースを提供することができる。
板が荷電粒子にさらされることなく、かつ、ラジカルの
再結合による減衰をさけることができる大面積に照射可
能なラジカルソースを提供することができる。
【図１】本発明の大面積ラジカルソースを用いた成膜装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図２】ＥＣＲプラズマにより発生したラジカルの測定
結果のグラフである。
結果のグラフである。
【符号の説明】 １ 反応室 ２ 基板 ３ ヒータ ４ 水晶振動子 ５ 石英管 ６ 石英管に内蔵されたヒータ ７ ＥＣＲプラズマ発生装置 ８ マイクロ波導入アンテナ ９ マッチングボックス 10 マイクロ波電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマ源から発生したラジカルが、３
００℃以上に加熱された輸送チューブを通して輸送され
てなることを特徴とする大面積ラジカルソース。 - 【請求項２】 前記３００℃以上に加熱された輸送チュ
ーブがシリコン酸化物、シリコン窒化物、ボロンナイト
ライドまたはアルミナ酸化物であることを特徴とする請
求項１記載の大面積ラジカルソース。 - 【請求項３】 前記輸送チューブの表面のＲｍａｘが
０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１または
２記載の大面積ラジカルソース。 - 【請求項４】 前記プラズマ源が永久磁石を有するＥＣ
Ｒプラズマソースであることを特徴とする請求項１記載
の大面積ラジカルソース。 - 【請求項５】 前記ラジカルが水素、酸素、窒素または
ハロゲンであることを特徴とする請求項１記載の大面積
ラジカルソース。 - 【請求項６】 請求項５記載のラジカルが水素または酸
素であり、かつ、水晶振動子上の銀の酸化還元速度から
求めたラジカルフラックスが１×１０16ａｔｏｍ／ｃｍ
2・ｓｅｃ以上であることを特徴とする大面積ラジカル
ソース。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10056792A JPH05271951A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 大面積ラジカルソース |
| US08/142,306 US5517037A (en) | 1992-03-25 | 1993-03-23 | Polysilicon thin film with a particulate product of SiOx |
| DE69327559T DE69327559T2 (de) | 1992-03-25 | 1993-03-23 | Dünnfilm aus polysilizium und verfahren zu seiner herstellung |
| PCT/JP1993/000338 WO1993019022A1 (fr) | 1992-03-25 | 1993-03-23 | Couche mince de polysilicium et sa fabrication |
| EP93906804A EP0589049B1 (en) | 1992-03-25 | 1993-03-23 | Thin polysilicon film and production thereof |
| US08/599,652 US5739043A (en) | 1992-03-25 | 1996-02-12 | Method for producing a substrate having crystalline silicon nuclei for forming a polysilicon thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10056792A JPH05271951A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 大面積ラジカルソース |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05271951A true JPH05271951A (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=14277494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10056792A Withdrawn JPH05271951A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 大面積ラジカルソース |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05271951A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010103325A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | プラズマ中に存在する活性種の測定装置及び方法 |
| US8980533B2 (en) | 2012-10-22 | 2015-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Supply apparatus which supplies radicals, lithography apparatus, and method of manufacturing article |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP10056792A patent/JPH05271951A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010103325A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | プラズマ中に存在する活性種の測定装置及び方法 |
| US8980533B2 (en) | 2012-10-22 | 2015-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Supply apparatus which supplies radicals, lithography apparatus, and method of manufacturing article |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |