JPH0526752Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0526752Y2 JPH0526752Y2 JP1985028542U JP2854285U JPH0526752Y2 JP H0526752 Y2 JPH0526752 Y2 JP H0526752Y2 JP 1985028542 U JP1985028542 U JP 1985028542U JP 2854285 U JP2854285 U JP 2854285U JP H0526752 Y2 JPH0526752 Y2 JP H0526752Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dummy pattern
- semiconductor
- chip
- semiconductor device
- pad electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案はスクライブ領域で区画された複数のチ
ツプ領域を有し、所定部分に特性評価用ダミーパ
ターンが形成されて成る半導体装置に関する。
ツプ領域を有し、所定部分に特性評価用ダミーパ
ターンが形成されて成る半導体装置に関する。
本考案はスクライブ領域で区画された複数のチ
ツプ領域を有し、所定部分に特性評価用ダミーパ
ターンが形成されて成る半導体装置に関し、半導
体ダミーパターン及び複数の測定針当接用パツド
電極は、スクライブ領域及び複数のチツプ領域の
うちの複数の領域に分散されて形成されると共
に、複数の測定針当接用パツド電極は、複数のチ
ツプ領域のいずれかにのみ形成されるようにして
成ることにより、複数のチツプ領域が小さくても
あるいはその余白が狭くても、測定針を当接する
のに十分な大きさの測定針当接用パツド電極を有
する特性評価用ダミーパターンを形成することが
できるようにしたものである。
ツプ領域を有し、所定部分に特性評価用ダミーパ
ターンが形成されて成る半導体装置に関し、半導
体ダミーパターン及び複数の測定針当接用パツド
電極は、スクライブ領域及び複数のチツプ領域の
うちの複数の領域に分散されて形成されると共
に、複数の測定針当接用パツド電極は、複数のチ
ツプ領域のいずれかにのみ形成されるようにして
成ることにより、複数のチツプ領域が小さくても
あるいはその余白が狭くても、測定針を当接する
のに十分な大きさの測定針当接用パツド電極を有
する特性評価用ダミーパターンを形成することが
できるようにしたものである。
以下に第４図を参照して、第１の従来例を説明
する。第４図は半導体装置の一部を示し、この半
導体装置は、格子状のスクライブ領域２で区画さ
れた多数のチツプ領域から成る。その各チツプ領
域には夫々半導体集積回路が形成され、スクライ
ブ領域２でスクライブされることにより、個々の
半導体チツプが得られる。
する。第４図は半導体装置の一部を示し、この半
導体装置は、格子状のスクライブ領域２で区画さ
れた多数のチツプ領域から成る。その各チツプ領
域には夫々半導体集積回路が形成され、スクライ
ブ領域２でスクライブされることにより、個々の
半導体チツプが得られる。
１はその多数のチツプ領域の１つを示し、ここ
には特性評価用タミーパターン６が形成されてい
る。３は半導体ダミーパターン、４ａ〜４ｃは接
続導電層５を介して半導体ダミーパターンに接続
された測定針当接用パツド電極である。
には特性評価用タミーパターン６が形成されてい
る。３は半導体ダミーパターン、４ａ〜４ｃは接
続導電層５を介して半導体ダミーパターンに接続
された測定針当接用パツド電極である。
かかる半導体装置の形成後、半導体特性測定機
の測定針（プローブ）をパツド電極４ａ〜４ｃに
当接して、半導体装置全体の特性評価を行なう。
の測定針（プローブ）をパツド電極４ａ〜４ｃに
当接して、半導体装置全体の特性評価を行なう。
ところで、半導体チツプがより小型になつて来
ると、チツプ領域に、特性評価用ダミーパターン
を形成するための十分な余白（回路形成に使用さ
れない部分）がなくなり、第５図の第２の従来例
に示す如く、特性評価用ダミーパターン６をスク
ライブ領域２に形成せざるを得なくなつてしま
う。
ると、チツプ領域に、特性評価用ダミーパターン
を形成するための十分な余白（回路形成に使用さ
れない部分）がなくなり、第５図の第２の従来例
に示す如く、特性評価用ダミーパターン６をスク
ライブ領域２に形成せざるを得なくなつてしま
う。
しかし、第５図のように、スクライブ領域２に
特性評価用ダミーパターン６を形成すると、必然
的にパツド電極４ａ〜４ｃも小さくなり、半導体
特性測定機の測定針のパツド電極４ａ〜４ｃに対
する当接が困難となる他、接触不良による特性測
定の確度が低下し、半導体装置製造の歩留りの向
上、特性の改善を行なうことができなくなつてし
まう。
特性評価用ダミーパターン６を形成すると、必然
的にパツド電極４ａ〜４ｃも小さくなり、半導体
特性測定機の測定針のパツド電極４ａ〜４ｃに対
する当接が困難となる他、接触不良による特性測
定の確度が低下し、半導体装置製造の歩留りの向
上、特性の改善を行なうことができなくなつてし
まう。
かかる点に鑑み、本考案はチツプ領域が小さく
てもあるいはその余白が狭くても、測定針を当接
するに十分な大きさの測定針当接用パツド電極を
有する特性評価用ダミーパターンを形成すること
のできる半導体装置を提案しようとするものであ
る。
てもあるいはその余白が狭くても、測定針を当接
するに十分な大きさの測定針当接用パツド電極を
有する特性評価用ダミーパターンを形成すること
のできる半導体装置を提案しようとするものであ
る。
本考案はスクライブ領域２で区画された複数の
チツプ領域１ａ〜１ｄを有し、半導体ダミーパタ
ーン３及びその半導体ダミーパターン３に接続導
電層５を介して接続された測定針当接用パツド電
極４ａ〜４ｃから成る特性評価用ダミーパターン
６が所定部分に形成されて成る半導体装置に於い
て、半導体ダミーパターン３及び複数の測定針当
接用パツド電極４ａ〜４ｃは、スクライブ領域２
及び複数のチツプ領域１ａ〜１ｄのうちの複数の
領域に分散されて形成されると共に、複数の測定
針当接用パツド電極４ａ〜４ｃは、複数のチツプ
領域１ａ〜１ｄのいずれかにのみ形成されるよう
にして成るものである。
チツプ領域１ａ〜１ｄを有し、半導体ダミーパタ
ーン３及びその半導体ダミーパターン３に接続導
電層５を介して接続された測定針当接用パツド電
極４ａ〜４ｃから成る特性評価用ダミーパターン
６が所定部分に形成されて成る半導体装置に於い
て、半導体ダミーパターン３及び複数の測定針当
接用パツド電極４ａ〜４ｃは、スクライブ領域２
及び複数のチツプ領域１ａ〜１ｄのうちの複数の
領域に分散されて形成されると共に、複数の測定
針当接用パツド電極４ａ〜４ｃは、複数のチツプ
領域１ａ〜１ｄのいずれかにのみ形成されるよう
にして成るものである。
かかる本考案によれば、半導体ダミーパターン
３及び複数の測定針当接用パツド電極４ａ〜４ｃ
は、スクライブ領域２及び複数のチツプ領域１ａ
〜１ｄのうちの複数の領域に分散されて形成され
ると共に、複数の測定針当接用パツド電極４ａ〜
４ｃは、複数のチツプ領域１ａ〜１ｄのいずれか
にのみ形成されるので、一個のチツプ領域での特
性評価用ダミーパターン６の占有面積が小さくな
り、チツプ領域に、測定針当接に十分な大きさの
パツド電極を形成することができる。
３及び複数の測定針当接用パツド電極４ａ〜４ｃ
は、スクライブ領域２及び複数のチツプ領域１ａ
〜１ｄのうちの複数の領域に分散されて形成され
ると共に、複数の測定針当接用パツド電極４ａ〜
４ｃは、複数のチツプ領域１ａ〜１ｄのいずれか
にのみ形成されるので、一個のチツプ領域での特
性評価用ダミーパターン６の占有面積が小さくな
り、チツプ領域に、測定針当接に十分な大きさの
パツド電極を形成することができる。
〔実施例〕
以下に、第１図を参照して、本考案の第１の実
施例を説明するも、第１図に於いて上述の第４図
及び第５図と対応する部分は同一符号を付して、
重複説明を省略する。この実施例では、近接する
４つのチツプ領域１ａ〜１ｄに特性評価用ダミー
パターン（例えば単体特性評価用ダミーパター
ン）６を形成する。即ち、チツプ領域１ａにパツ
ド電極４ａを、チツプ領域１ｂに半導体ダミーパ
ターン３を、チツプ領域１ｃにパツド電極４ｂ
を、チツプ領域１ｄにパツド電極４ｃを夫々形成
する。又、半導体ダミーパターン３及びパツド電
極４ａ〜４ｃは、接続導電層５を介して互いに接
続される。
施例を説明するも、第１図に於いて上述の第４図
及び第５図と対応する部分は同一符号を付して、
重複説明を省略する。この実施例では、近接する
４つのチツプ領域１ａ〜１ｄに特性評価用ダミー
パターン（例えば単体特性評価用ダミーパター
ン）６を形成する。即ち、チツプ領域１ａにパツ
ド電極４ａを、チツプ領域１ｂに半導体ダミーパ
ターン３を、チツプ領域１ｃにパツド電極４ｂ
を、チツプ領域１ｄにパツド電極４ｃを夫々形成
する。又、半導体ダミーパターン３及びパツド電
極４ａ〜４ｃは、接続導電層５を介して互いに接
続される。
次に、第２図を参照して、本考案の第２の実施
例を説明する。この実施例では、スクライブ領域
（100〜150μm幅）２及びこれを挟む２つのチツプ
領域１ａ，１ｃに特性評価用ダミーパターン６を
形成する。即ち、スクライブ領域２に半導体ダミ
ーパターン６を、チツプ領域１ａにパツド電極４
ａを、チツプ領域１ｃにパツド電極４ｂ，４ｃを
夫々形成する。
例を説明する。この実施例では、スクライブ領域
（100〜150μm幅）２及びこれを挟む２つのチツプ
領域１ａ，１ｃに特性評価用ダミーパターン６を
形成する。即ち、スクライブ領域２に半導体ダミ
ーパターン６を、チツプ領域１ａにパツド電極４
ａを、チツプ領域１ｃにパツド電極４ｂ，４ｃを
夫々形成する。
この場合パツド電極４ｃを、チツプ領域１ｂ又
は１ｄに形成しても良い。
は１ｄに形成しても良い。
次に、第３図を参照して、本考案の第３の実施
例を説明する。この場合は、半導体ダミーパター
ン３をスクライブ領域２に形成し、パツド電極４
ａ〜４ｃを１つのチツプ領域１ａに形成した場合
である。
例を説明する。この場合は、半導体ダミーパター
ン３をスクライブ領域２に形成し、パツド電極４
ａ〜４ｃを１つのチツプ領域１ａに形成した場合
である。
尚、パツド電極の個数は、２つ以上であればい
くつでも良い。
くつでも良い。
又、１個の半導体装置に設ける特性評価用ダミ
ーパターンの個数は１個以上任意である。
ーパターンの個数は１個以上任意である。
上述せる本考案によれば、チツプ領域が小さく
てもあるいはその余白が狭くても、測定針を当接
するに十分な大きさの測定針当接用パツド電極を
有する特性評価用ダミーパターンを形成すること
のできる半導体装置を得ることができる。
てもあるいはその余白が狭くても、測定針を当接
するに十分な大きさの測定針当接用パツド電極を
有する特性評価用ダミーパターンを形成すること
のできる半導体装置を得ることができる。
従つて、測定針のパツド電極に対する当接が容
易となり、その接触も確実となるので、半導体装
置の製造の歩留りの向上、特性の改善を容易に行
なうことができる。
易となり、その接触も確実となるので、半導体装
置の製造の歩留りの向上、特性の改善を容易に行
なうことができる。
第１図〜第３図は本考案による半導体装置の第
１〜第３の実施例の平面図、第４図及び第５図は
従来の半導体装置の第１及び第２の例の平面図で
ある。 １ａ〜１ｄはチツプ領域、２はスクライブ領
域、３は半導体ダミーパターン、４ａ〜４ｃは測
定針当接用パツド電極、５は接続導電層、６は特
性評価用ダミーパターンである。
１〜第３の実施例の平面図、第４図及び第５図は
従来の半導体装置の第１及び第２の例の平面図で
ある。 １ａ〜１ｄはチツプ領域、２はスクライブ領
域、３は半導体ダミーパターン、４ａ〜４ｃは測
定針当接用パツド電極、５は接続導電層、６は特
性評価用ダミーパターンである。
Claims (1)
- スクライブ領域で区画された複数のチツプ領域
を有し、半導体ダミーパターン及び該半導体ダミ
ーパターンに接続導電層を介して接続された複数
の測定針当接用パツド電極から成る特性評価用ダ
ミーパターンが所定部分に形成されて成る半導体
装置に於いて、上記半導体ダミーパターン及び複
数の測定針当接用パツド電極は、上記スクライブ
領域及び複数のチツプ領域のうちの複数の領域に
分散されて形成されると共に、上記複数の測定針
当接用パツド電極は、上記複数のチツプ領域のい
ずれかにのみ形成されるようにして成る半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985028542U JPH0526752Y2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985028542U JPH0526752Y2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144645U JPS61144645U (ja) | 1986-09-06 |
| JPH0526752Y2 true JPH0526752Y2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=30526516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985028542U Expired - Lifetime JPH0526752Y2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526752Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108146A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP1985028542U patent/JPH0526752Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108146A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61144645U (ja) | 1986-09-06 |
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