JPH05267429A - 雰囲気の評価方法 - Google Patents
雰囲気の評価方法Info
- Publication number
- JPH05267429A JPH05267429A JP6412992A JP6412992A JPH05267429A JP H05267429 A JPH05267429 A JP H05267429A JP 6412992 A JP6412992 A JP 6412992A JP 6412992 A JP6412992 A JP 6412992A JP H05267429 A JPH05267429 A JP H05267429A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- evaluation
- atmosphere
- hydrogen fluoride
- containing hydrogen
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 雰囲気の評価方法に係り，特に，半導体周囲
の雰囲気の評価方法に関し，微細な粒子や微量の成分の
存在を容易に判別する方法を目的とする。 【構成】 シリコンウエハー１をフッ化水素を含む液体
２又はフッ化水素を含む気体３に曝して表面処理を行う
ことにより評価用シリコンウエハーを作成し，評価用シ
リコンウエハーを被評価雰囲気内に放置して，予め定め
た時間後評価用シリコンウエハー表面に付着した物質の
数量を計測するように構成する。また，シリコンウエハ
ー１を酸化性薬液で処理した後，シリコンウエハー１を
フッ化水素を含む液体２又はフッ化水素を含む気体３に
曝して表面処理を行うことにより評価用シリコンウエハ
ーを作成し，評価用シリコンウエハーを被評価雰囲気内
に放置して，予め定めた時間後評価用シリコンウエハー
表面に付着した物質の数量を計測するように構成する。
の雰囲気の評価方法に関し，微細な粒子や微量の成分の
存在を容易に判別する方法を目的とする。 【構成】 シリコンウエハー１をフッ化水素を含む液体
２又はフッ化水素を含む気体３に曝して表面処理を行う
ことにより評価用シリコンウエハーを作成し，評価用シ
リコンウエハーを被評価雰囲気内に放置して，予め定め
た時間後評価用シリコンウエハー表面に付着した物質の
数量を計測するように構成する。また，シリコンウエハ
ー１を酸化性薬液で処理した後，シリコンウエハー１を
フッ化水素を含む液体２又はフッ化水素を含む気体３に
曝して表面処理を行うことにより評価用シリコンウエハ
ーを作成し，評価用シリコンウエハーを被評価雰囲気内
に放置して，予め定めた時間後評価用シリコンウエハー
表面に付着した物質の数量を計測するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は雰囲気の評価方法に係
り，特に，半導体周囲の雰囲気の評価方法に関する。
り，特に，半導体周囲の雰囲気の評価方法に関する。
【０００２】近年の半導体デバイスは微細化，高密度化
が進められ，その製造過程においては極めて清浄度の高
い雰囲気が要請される。したがって，雰囲気が含む微細
な粒子や微量な成分を精度よく評価する必要がある。
が進められ，その製造過程においては極めて清浄度の高
い雰囲気が要請される。したがって，雰囲気が含む微細
な粒子や微量な成分を精度よく評価する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】従来，半導体周囲の雰囲気が含む微細な
粒子の計測にはパーティクルカウンタが一般に使用され
ている。また，雰囲気に存在する微量な成分はウエハー
に吸着させてそれを例えば原子吸光により分析し評価す
ることが行われている。
粒子の計測にはパーティクルカウンタが一般に使用され
ている。また，雰囲気に存在する微量な成分はウエハー
に吸着させてそれを例えば原子吸光により分析し評価す
ることが行われている。
【０００４】評価に用いる試料として裸のシリコンウエ
ハーが使用される。ところが裸のシリコンウエハー表面
には自然酸化膜が生じていたり，有機物が既に付着して
いたりして，評価に用いる試料としては必ずしも適切で
はなかった。そこで，裸のシリコンウエハーに酸化処理
を施して表面に清浄な酸化膜を形成し，そのような酸化
膜の形成されたシリコンウエハーを使用して雰囲気の評
価を行っている。
ハーが使用される。ところが裸のシリコンウエハー表面
には自然酸化膜が生じていたり，有機物が既に付着して
いたりして，評価に用いる試料としては必ずしも適切で
はなかった。そこで，裸のシリコンウエハーに酸化処理
を施して表面に清浄な酸化膜を形成し，そのような酸化
膜の形成されたシリコンウエハーを使用して雰囲気の評
価を行っている。
【０００５】しかし，半導体装置製造に関わる雰囲気は
ますます高度の清浄度が要求され，これまでの評価方法
では限界がある。
ますます高度の清浄度が要求され，これまでの評価方法
では限界がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，雰囲気の評価に用いる試料の表面を活性化して，
高度の清浄度評価にも対応できるようにするものであ
る。
鑑み，雰囲気の評価に用いる試料の表面を活性化して，
高度の清浄度評価にも対応できるようにするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１(a), (b)は評価用シ
リコンウエハーの表面処理を示す図である。上記課題
は，シリコンウエハー１をフッ化水素を含む液体２又は
フッ化水素を含む気体３に曝して表面処理を行うことに
より評価用シリコンウエハーを作成し，該評価用シリコ
ンウエハーを被評価雰囲気内に放置して，予め定めた時
間後該評価用シリコンウエハー表面に付着した物質の数
量を計測する雰囲気の評価方法によって解決される。
リコンウエハーの表面処理を示す図である。上記課題
は，シリコンウエハー１をフッ化水素を含む液体２又は
フッ化水素を含む気体３に曝して表面処理を行うことに
より評価用シリコンウエハーを作成し，該評価用シリコ
ンウエハーを被評価雰囲気内に放置して，予め定めた時
間後該評価用シリコンウエハー表面に付着した物質の数
量を計測する雰囲気の評価方法によって解決される。
【０００８】また，シリコンウエハー１を酸化性薬液で
処理した後，該シリコンウエハー１をフッ化水素を含む
液体２又はフッ化水素を含む気体３に曝して表面処理を
行うことにより評価用シリコンウエハーを作成し，該評
価用シリコンウエハーを被評価雰囲気内に放置して，予
め定めた時間後該評価用シリコンウエハー表面に付着し
た物質の数量を計測する雰囲気の評価方法によって解決
される。
処理した後，該シリコンウエハー１をフッ化水素を含む
液体２又はフッ化水素を含む気体３に曝して表面処理を
行うことにより評価用シリコンウエハーを作成し，該評
価用シリコンウエハーを被評価雰囲気内に放置して，予
め定めた時間後該評価用シリコンウエハー表面に付着し
た物質の数量を計測する雰囲気の評価方法によって解決
される。
【０００９】
【作用】シリコンウエハー１をフッ化水素を含む液体２
又はフッ化水素を含む気体３に曝す表面処理を施すこと
によって表面が活性化され，微粒子の付着や，不純物を
含む気体の吸着が活発になる。それゆえ，従来より少量
の微粒子や，不純物を含む雰囲気まで判別することがで
きる。
又はフッ化水素を含む気体３に曝す表面処理を施すこと
によって表面が活性化され，微粒子の付着や，不純物を
含む気体の吸着が活発になる。それゆえ，従来より少量
の微粒子や，不純物を含む雰囲気まで判別することがで
きる。
【００１０】また，シリコンウエハー１を酸化性薬液で
処理すれば，表面に吸着している有機物を除去すること
ができ，その後シリコンウエハー１をフッ化水素を含む
液体２又はフッ化水素を含む気体３に曝すようにすれ
ば，清浄で活性に富む表面が得られる。それゆえ，従来
より少量の微粒子や，不純物を含む雰囲気まで判別する
ことができる。
処理すれば，表面に吸着している有機物を除去すること
ができ，その後シリコンウエハー１をフッ化水素を含む
液体２又はフッ化水素を含む気体３に曝すようにすれ
ば，清浄で活性に富む表面が得られる。それゆえ，従来
より少量の微粒子や，不純物を含む雰囲気まで判別する
ことができる。
【００１１】
【実施例】図１(a), (b)は評価用シリコンウエハーの表
面処理を示す図であり, １は評価用シリコンウエハー，
２はフッ酸，３はフッ化水素を含む雰囲気，４はウエハ
ーキャリア，５は処理槽を表す。フッ酸２は例えば５％
のフッ化水素を含む水溶液である。フッ化水素を含む気
体３はこのフッ酸２と平衡するフッ化水素を含んでい
る。
面処理を示す図であり, １は評価用シリコンウエハー，
２はフッ酸，３はフッ化水素を含む雰囲気，４はウエハ
ーキャリア，５は処理槽を表す。フッ酸２は例えば５％
のフッ化水素を含む水溶液である。フッ化水素を含む気
体３はこのフッ酸２と平衡するフッ化水素を含んでい
る。
【００１２】シリコンウエハーをウエハーキャリア４に
載せて常温のフッ酸２に１分間浸漬する。その後水洗
し， 200℃の炉に入れて乾燥し，評価用シリコンウエハ
ーとする。これを試料Ａとする。
載せて常温のフッ酸２に１分間浸漬する。その後水洗
し， 200℃の炉に入れて乾燥し，評価用シリコンウエハ
ーとする。これを試料Ａとする。
【００１３】別のシリコンウエハーを酸化性薬液に浸漬
して表面に吸着している有機物を除去する。酸化性薬液
として，例えば硫酸と過酸化水素の混合液を用いる。酸
化性薬液処理後，シリコンウエハーをウエハーキャリア
４に載せて常温のフッ酸２に１分間浸漬する。その後水
洗し， 200℃の炉に入れて乾燥し，評価用シリコンウエ
ハーとする。これを試料Ｂとする。
して表面に吸着している有機物を除去する。酸化性薬液
として，例えば硫酸と過酸化水素の混合液を用いる。酸
化性薬液処理後，シリコンウエハーをウエハーキャリア
４に載せて常温のフッ酸２に１分間浸漬する。その後水
洗し， 200℃の炉に入れて乾燥し，評価用シリコンウエ
ハーとする。これを試料Ｂとする。
【００１４】さらに別のシリコンウエハーを熱酸化し
て，表面に厚さ 0.1μｍの熱酸化膜を形成する。これを
試料Ｃとする。試料Ｃは従来例のものであるが，比較の
ために作成した。
て，表面に厚さ 0.1μｍの熱酸化膜を形成する。これを
試料Ｃとする。試料Ｃは従来例のものであるが，比較の
ために作成した。
【００１５】試料Ａ，試料Ｂ，試料Ｃを各２枚づつ，シ
リコンウエハーを保管するストッカーに水平に配置して
２０日間放置した。その後，表面の吸着物を原子吸光法
により分析した。その結果を表１に示す。
リコンウエハーを保管するストッカーに水平に配置して
２０日間放置した。その後，表面の吸着物を原子吸光法
により分析した。その結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】 ２０日放置後の吸着物 （単位
１０10atoms/cm2 ） 評価用ウエハー Ｎａ Ｃｒ Ｎｉ Ｃｕ Ａｌ 試料Ａ No.１ 14 ＜0.26 ＜1.6 ＜0.34 ＜6.8 試料Ａ No.２ 6.0 ＜0.26 ＜1.6 ＜0.34 ＜6.8 試料Ｂ No.３ 7.1 ＜0.26 ＜1.6 ＜0.34 ＜6.8 試料Ｂ No.４ 3.7 ＜0.26 ＜1.6 ＜0.34 ＜6.8 試料Ｃ No.５ 4.9 ＜0.21 ＜1.2 ＜0.27 ＜5.4 試料Ｃ No.６ 3.7 ＜0.21 ＜1.2 ＜0.27 ＜5.4 表１に見るように，試料ＣはＮａ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，
Ａｌとも試料Ａ及び試料Ｂに比べて吸着量が少ない。こ
のことは試料Ａ及び試料Ｂの方が試料Ｃよりも活性が大
きく，不純物原子を取込みやすいことを示している。
１０10atoms/cm2 ） 評価用ウエハー Ｎａ Ｃｒ Ｎｉ Ｃｕ Ａｌ 試料Ａ No.１ 14 ＜0.26 ＜1.6 ＜0.34 ＜6.8 試料Ａ No.２ 6.0 ＜0.26 ＜1.6 ＜0.34 ＜6.8 試料Ｂ No.３ 7.1 ＜0.26 ＜1.6 ＜0.34 ＜6.8 試料Ｂ No.４ 3.7 ＜0.26 ＜1.6 ＜0.34 ＜6.8 試料Ｃ No.５ 4.9 ＜0.21 ＜1.2 ＜0.27 ＜5.4 試料Ｃ No.６ 3.7 ＜0.21 ＜1.2 ＜0.27 ＜5.4 表１に見るように，試料ＣはＮａ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，
Ａｌとも試料Ａ及び試料Ｂに比べて吸着量が少ない。こ
のことは試料Ａ及び試料Ｂの方が試料Ｃよりも活性が大
きく，不純物原子を取込みやすいことを示している。
【００１７】また，試料Ａ及び試料Ｂの方が試料Ｃより
微粒子の付着量も多かった。試料Ａ及び試料Ｂは図１
(a) に示すようなフッ酸２に浸漬する処理を行ったが，
図１(b) に示すようにフッ化水素を含む気体３に曝すよ
うにしても活性化された表面が得られる。
微粒子の付着量も多かった。試料Ａ及び試料Ｂは図１
(a) に示すようなフッ酸２に浸漬する処理を行ったが，
図１(b) に示すようにフッ化水素を含む気体３に曝すよ
うにしても活性化された表面が得られる。
【００１８】上の例は試料Ａ及び試料Ｂをシリコンウエ
ハーを保管するストッカーに配置した例であるが，同様
にして試料Ａ或いは試料Ｂをクリーンルーム内に配置し
て，その雰囲気を評価することもできる。
ハーを保管するストッカーに配置した例であるが，同様
にして試料Ａ或いは試料Ｂをクリーンルーム内に配置し
て，その雰囲気を評価することもできる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
シリコンウエハー表面或いは酸化性薬液処理したシリコ
ンウエハー表面をフッ化水素で活性化することにより，
不純物の取込みを容易にし，高度の清浄度の半導体周囲
の雰囲気の評価に対応することができる。
シリコンウエハー表面或いは酸化性薬液処理したシリコ
ンウエハー表面をフッ化水素で活性化することにより，
不純物の取込みを容易にし，高度の清浄度の半導体周囲
の雰囲気の評価に対応することができる。
【図１】(a), (b)は評価用シリコンウエハーの表面処理
を示す図である。
を示す図である。
１はシリコンウエハーであって評価用シリコンウエハー ２はフッ酸であってフッ化水素の水溶液 ３はフッ化水素を含む気体 ４はウエハーキャリア ５は処理槽
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコンウエハー(1) をフッ化水素を含
む液体(2) 又はフッ化水素を含む気体(3) に曝して表面
処理を行うことにより評価用シリコンウエハーを作成
し，該評価用シリコンウエハーを被評価雰囲気内に放置
して，予め定めた時間後該評価用シリコンウエハー表面
に付着した物質の数量を計測することを特徴とする雰囲
気の評価方法。 - 【請求項２】 シリコンウエハー１(1) を酸化性薬液で
処理した後，該シリコンウエハー(1) をフッ化水素を含
む液体(2) 又はフッ化水素を含む気体(3) に曝して表面
処理を行うことにより評価用シリコンウエハーを作成
し，該評価用シリコンウエハーを被評価雰囲気内に放置
して，予め定めた時間後該評価用シリコンウエハー表面
に付着した物質の数量を計測することを特徴とする雰囲
気の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6412992A JPH05267429A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 雰囲気の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6412992A JPH05267429A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 雰囲気の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267429A true JPH05267429A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13249158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6412992A Withdrawn JPH05267429A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 雰囲気の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267429A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5748362A (en) * | 1994-12-23 | 1998-05-05 | Thomson-Csf | Frequency converter, with very high efficiency, in guided optics |
| US7263558B1 (en) | 1999-09-15 | 2007-08-28 | Narus, Inc. | Method and apparatus for providing additional information in response to an application server request |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP6412992A patent/JPH05267429A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5748362A (en) * | 1994-12-23 | 1998-05-05 | Thomson-Csf | Frequency converter, with very high efficiency, in guided optics |
| US7263558B1 (en) | 1999-09-15 | 2007-08-28 | Narus, Inc. | Method and apparatus for providing additional information in response to an application server request |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |