JPH0526188B2 - - Google Patents
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- JPH0526188B2 JPH0526188B2 JP7782382A JP7782382A JPH0526188B2 JP H0526188 B2 JPH0526188 B2 JP H0526188B2 JP 7782382 A JP7782382 A JP 7782382A JP 7782382 A JP7782382 A JP 7782382A JP H0526188 B2 JPH0526188 B2 JP H0526188B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は1μｍ以下の微細パターンの転写に威
力を発揮するＸ線リソグラフイの分野におけるＸ
線露光方式に関するものである。
力を発揮するＸ線リソグラフイの分野におけるＸ
線露光方式に関するものである。
Ｘ線リソグラフイでは、通常５〜15Å程度の波
長域をデバイス作製時のパターン転写に用いる
が、Ｘ線リソグラフイの実用化における一つの重
要な鍵は、実用に耐えるＸ線マスクの作製技術を
確立すること、及び多量のＸ線マスクの供給態勢
を整えることである。特に後者は、多数のウエハ
ーを処理する生産ラインにおいて重要である。Ｘ
線露光の一括あるいは部分転写によつてスループ
ツトを向上させるという長所を大いに生かすため
には、Ｘ線マスクが安価に多量に供給されるとい
うことが不可欠である。
長域をデバイス作製時のパターン転写に用いる
が、Ｘ線リソグラフイの実用化における一つの重
要な鍵は、実用に耐えるＸ線マスクの作製技術を
確立すること、及び多量のＸ線マスクの供給態勢
を整えることである。特に後者は、多数のウエハ
ーを処理する生産ラインにおいて重要である。Ｘ
線露光の一括あるいは部分転写によつてスループ
ツトを向上させるという長所を大いに生かすため
には、Ｘ線マスクが安価に多量に供給されるとい
うことが不可欠である。
広く行われているＸ線マスクの作製において、
多大の時間を消費し、Ｘ線マスク作製のコストを
相当高めていると考えられる必須な工程として、
電子線露光によるレジストのパターンニング工程
がある。1μｍ以下の微細パターンを形成する描
画技術としては、現状及び将来に渡つて電子線露
光が最有力と考えられる。従つて、電子線露光に
よる描画はＸ線マスク作製において不可欠である
が、電子線露光が多大の時間を要すること、すな
わちスループツトが悪いということは、ほぼ一般
の認識と考えて差支えないであろう。特にサブミ
クロン線巾の領域においては、この傾向は一層顕
著である。すなわち、広く行われている一枚のＸ
線マスク毎に電子線露光によつてレジストのパタ
ーニングをするという方式では、安価に多量にＸ
線マスクを供給することはほとんど不可能であろ
う。
多大の時間を消費し、Ｘ線マスク作製のコストを
相当高めていると考えられる必須な工程として、
電子線露光によるレジストのパターンニング工程
がある。1μｍ以下の微細パターンを形成する描
画技術としては、現状及び将来に渡つて電子線露
光が最有力と考えられる。従つて、電子線露光に
よる描画はＸ線マスク作製において不可欠である
が、電子線露光が多大の時間を要すること、すな
わちスループツトが悪いということは、ほぼ一般
の認識と考えて差支えないであろう。特にサブミ
クロン線巾の領域においては、この傾向は一層顕
著である。すなわち、広く行われている一枚のＸ
線マスク毎に電子線露光によつてレジストのパタ
ーニングをするという方式では、安価に多量にＸ
線マスクを供給することはほとんど不可能であろ
う。
この問題点を解決する一つの方法として、Ｘ線
露光用マスクのマスターマスク（原マスク）を準
備しておく方式が考えられる。電子線描画工程を
含むＸ線マスク作製工程によつて一つの原マスク
を作製し、この原マスクを用いて、Ｘ線露光転写
によつて多数のＸ線露光用ワーキングマスクを供
出すると言う訳である。ただし、この方式にも次
のような厳しい条件が付く。
露光用マスクのマスターマスク（原マスク）を準
備しておく方式が考えられる。電子線描画工程を
含むＸ線マスク作製工程によつて一つの原マスク
を作製し、この原マスクを用いて、Ｘ線露光転写
によつて多数のＸ線露光用ワーキングマスクを供
出すると言う訳である。ただし、この方式にも次
のような厳しい条件が付く。
(1) 原マスクを用いて、多数のＸ線露光用マスク
を作製する際に、原マスクに損傷が加わらない
こと。
を作製する際に、原マスクに損傷が加わらない
こと。
(2) 多数のＸ線露光用マスクを作製する工程にお
いて、原マスクからの転写精度が十分に高く、
かつマスク作製の十分なスループツトを得るこ
とができて実用的であること。
いて、原マスクからの転写精度が十分に高く、
かつマスク作製の十分なスループツトを得るこ
とができて実用的であること。
このような条件の下で多数のＸ線露光用ワーキ
ングマスクが作製されれば、目的とするデバイス
作製のスループツトの向上及び生産コストの低減
化を図ることができる。
ングマスクが作製されれば、目的とするデバイス
作製のスループツトの向上及び生産コストの低減
化を図ることができる。
ところで、原マスクを準備するという考え方自
体は、着想としてそれほど珍奇という訳ではなく
ある意味では容易に着意できる考え方と言えるだ
ろう。文献に示されている一例を第１図に示す。
1979年に発行された刊行物ジヤーナル・オブ・バ
キユウム・サイエンス・アンド・テクノロジー
（J.Vac.Sci.Technol.）、第16巻、第６号、1965〜
1967頁に同様の図が載つている。
体は、着想としてそれほど珍奇という訳ではなく
ある意味では容易に着意できる考え方と言えるだ
ろう。文献に示されている一例を第１図に示す。
1979年に発行された刊行物ジヤーナル・オブ・バ
キユウム・サイエンス・アンド・テクノロジー
（J.Vac.Sci.Technol.）、第16巻、第６号、1965〜
1967頁に同様の図が載つている。
まず電子線露光によつて厚さ4000ÅのPMMA
レジストパターン１を形成し、電気メツキ法によ
つて厚さ3000ÅのAu吸収体パターン２を形成す
る。このとき微細パターンを形成できるようにす
るために、厚さ2μｍのポリイミド膜マスク基板
にPMMAを塗布する手法が採られた。薄い有機
膜によつて二次反射電子量を減少できるからであ
る。このようにして、マスターマスク（原マス
ク）が形成される（第１１図）。
レジストパターン１を形成し、電気メツキ法によ
つて厚さ3000ÅのAu吸収体パターン２を形成す
る。このとき微細パターンを形成できるようにす
るために、厚さ2μｍのポリイミド膜マスク基板
にPMMAを塗布する手法が採られた。薄い有機
膜によつて二次反射電子量を減少できるからであ
る。このようにして、マスターマスク（原マス
ク）が形成される（第１１図）。
次いで原マスクをマスクとして、CuLα線（波
長13.34Å）を用いてＸ線転写を行い、反転マス
クを作成する。つまりPMMAレジスト３を厚さ
8000Å塗布し、パターニングしてレジストが除去
された部分に電気メツキ法によつて厚さ6000Åの
Au吸収体パターン４を形成する（第１図２図）。
長13.34Å）を用いてＸ線転写を行い、反転マス
クを作成する。つまりPMMAレジスト３を厚さ
8000Å塗布し、パターニングしてレジストが除去
された部分に電気メツキ法によつて厚さ6000Åの
Au吸収体パターン４を形成する（第１図２図）。
次に前記反転マスクを用いて、AlKα線（波長
8.34Å）によるＸ線転写によつてレジストパター
ン５をウエハー６上に形成する（第１図３図）。
本工程の要点は、CuLa線を用いて反転マスクを
作成する点に尽きる。すなわち、電子線露光に
おいて出来るだけ微細パターンの形成できる条件
の下で原マスクを作成する、この結果通常のＸ
線マスクに比べて、Au吸収体の膜厚は3000Åと
薄くなるが、反転マスク作成に使用する波長の長
いCuLα線に対しては十分に大きな透過Ｘ線のコ
ントラストを得ることができる、という訳であ
る。
8.34Å）によるＸ線転写によつてレジストパター
ン５をウエハー６上に形成する（第１図３図）。
本工程の要点は、CuLa線を用いて反転マスクを
作成する点に尽きる。すなわち、電子線露光に
おいて出来るだけ微細パターンの形成できる条件
の下で原マスクを作成する、この結果通常のＸ
線マスクに比べて、Au吸収体の膜厚は3000Åと
薄くなるが、反転マスク作成に使用する波長の長
いCuLα線に対しては十分に大きな透過Ｘ線のコ
ントラストを得ることができる、という訳であ
る。
しかしながら、このような従来技術は次のよう
な欠点を有している。CuLα線を用いての反転マ
スクの作成という着想は興味深いが、実用的には
種々の困難な問題がある。CuLα線の場合波長が
長いため、通常のＸ線窓（Be箔を用いる）を設
けるＸ線露光装置としての構成を取り難く、Ｘ線
発生源、露光サンプルが同一真空内という真空中
露光方式を取らざるを得ない。例えば、普通用い
られる30μｍ厚のBe箔をＸ線取出し窓として用い
ると、この窓を通過するCuLa線（波長13.34Å）
はわずか約４％強に減衰してしまう。大気中露光
でなく、真空中露光であることは、スループツト
の観点から言つて、非常に大きな短所である。真
空露光チヤンバへの露光ウエハーの設定及び取外
しの手間、余分な真空排気時間の消費、Ｘ線発生
源が露光の度に大気にさらされることによる汚染
の問題、真空中でのマスク及びウエハーの固定の
問題（真空吸着が使えない）、マスクの真空吸着
による固定が出来ないために機械的固定手段を採
用した際のマスクへの損傷の問題、さらには余分
な真空排気設備の必要性等の問題が生じる。また
真空中露光において特性の劣化するレジストも少
くない。放射線（電子線、Ｘ線）露光後真空中に
放置することによつて起こる余分の架橋現象（ネ
ガレジストにおいてよくみられ、後重合効果と言
われる）がその一つである。
な欠点を有している。CuLα線を用いての反転マ
スクの作成という着想は興味深いが、実用的には
種々の困難な問題がある。CuLα線の場合波長が
長いため、通常のＸ線窓（Be箔を用いる）を設
けるＸ線露光装置としての構成を取り難く、Ｘ線
発生源、露光サンプルが同一真空内という真空中
露光方式を取らざるを得ない。例えば、普通用い
られる30μｍ厚のBe箔をＸ線取出し窓として用い
ると、この窓を通過するCuLa線（波長13.34Å）
はわずか約４％強に減衰してしまう。大気中露光
でなく、真空中露光であることは、スループツト
の観点から言つて、非常に大きな短所である。真
空露光チヤンバへの露光ウエハーの設定及び取外
しの手間、余分な真空排気時間の消費、Ｘ線発生
源が露光の度に大気にさらされることによる汚染
の問題、真空中でのマスク及びウエハーの固定の
問題（真空吸着が使えない）、マスクの真空吸着
による固定が出来ないために機械的固定手段を採
用した際のマスクへの損傷の問題、さらには余分
な真空排気設備の必要性等の問題が生じる。また
真空中露光において特性の劣化するレジストも少
くない。放射線（電子線、Ｘ線）露光後真空中に
放置することによつて起こる余分の架橋現象（ネ
ガレジストにおいてよくみられ、後重合効果と言
われる）がその一つである。
要するに、CuLα線の場合、Ｘ線窓無しのＸ線
露光装置を用いて真空中露光方式を採らざるを得
ないが、本従来方式では、実用生産的観点から言
つてＸ線露光用マスクの生産効率を上げることは
難しいということが第一の欠点である。
露光装置を用いて真空中露光方式を採らざるを得
ないが、本従来方式では、実用生産的観点から言
つてＸ線露光用マスクの生産効率を上げることは
難しいということが第一の欠点である。
次に前記第一の欠点とも関係あるが、CuLα線
を発生する線源が電子ビーム励起線源であるとい
うことが次の第二の欠点を生む。いわゆるＸ線発
生のための電子ビーム励起方式は、歴史も古く、
現状において確立された唯一の実用的Ｘ線（硬Ｘ
線、軟Ｘ線を含めて）発生方式であることは疑う
余地はない。これは将来においても変りなく、現
在はまだ開発されていないが、実用的なＸ線露光
装置も当然電子ビーム励起線源をＸ線源として有
することとなるであろう。ところが、この電子ビ
ーム励起線源は重大な欠点を有している。
を発生する線源が電子ビーム励起線源であるとい
うことが次の第二の欠点を生む。いわゆるＸ線発
生のための電子ビーム励起方式は、歴史も古く、
現状において確立された唯一の実用的Ｘ線（硬Ｘ
線、軟Ｘ線を含めて）発生方式であることは疑う
余地はない。これは将来においても変りなく、現
在はまだ開発されていないが、実用的なＸ線露光
装置も当然電子ビーム励起線源をＸ線源として有
することとなるであろう。ところが、この電子ビ
ーム励起線源は重大な欠点を有している。
電子ビーム励起線源は、高圧加速された電子ビ
ームを金属ターゲツトに収束照射して、そのほぼ
点光源から励起Ｘ線を発生させるものである。そ
のとき、励起Ｘ線は全立体角方向に放射される発
散Ｘ線である。この発散Ｘ線であることが重大な
欠陥である。すなわち、原マスクからＸ線露光マ
スク作製のためのCuLα線による転写において、
転写精度の大きな悪化をまねくことになる。Ｘ線
転写においてよく知られた半影ぼけδ及び幾何学
的ずれΔは次式で表わされる。
ームを金属ターゲツトに収束照射して、そのほぼ
点光源から励起Ｘ線を発生させるものである。そ
のとき、励起Ｘ線は全立体角方向に放射される発
散Ｘ線である。この発散Ｘ線であることが重大な
欠陥である。すなわち、原マスクからＸ線露光マ
スク作製のためのCuLα線による転写において、
転写精度の大きな悪化をまねくことになる。Ｘ線
転写においてよく知られた半影ぼけδ及び幾何学
的ずれΔは次式で表わされる。
δ＝Ｓ・ｄ／Ｄ
Δ＝Ｓ・Ｗ／2D
ここで、Ｓはマスクとウエハーのギヤツプ、ｄ
は線源の直径、Ｄは線源とマスクとの距離、Ｗは
ウエハーの直径を表わす。Ｓの値としては、原マ
スクからのＸ線露光用マスクの転写の際に、原マ
スクに損傷を与えないことが条件であるから、最
低20μｍは必要である。ｄとしては５mm、Ｄは30
cm、またＷとしては、ステツプ・アンド・リピー
ト方式によつて露光面積が小さくなつたとして２
cm位の値が妥当であろう。これらの値を上式に代
入すると、δとして0.33μｍ、Δとして0.66μｍが
得られる。これらの値は非常に大きく、転写精度
の大幅な悪化をまねく。特に1μｍさらにはサブ
ミクロンのパターンを形成することを考えると、
上記δ、Δの値では到底転写精度の優れたＸ線露
光用マスクを作製することは不可能であることが
分る。
は線源の直径、Ｄは線源とマスクとの距離、Ｗは
ウエハーの直径を表わす。Ｓの値としては、原マ
スクからのＸ線露光用マスクの転写の際に、原マ
スクに損傷を与えないことが条件であるから、最
低20μｍは必要である。ｄとしては５mm、Ｄは30
cm、またＷとしては、ステツプ・アンド・リピー
ト方式によつて露光面積が小さくなつたとして２
cm位の値が妥当であろう。これらの値を上式に代
入すると、δとして0.33μｍ、Δとして0.66μｍが
得られる。これらの値は非常に大きく、転写精度
の大幅な悪化をまねく。特に1μｍさらにはサブ
ミクロンのパターンを形成することを考えると、
上記δ、Δの値では到底転写精度の優れたＸ線露
光用マスクを作製することは不可能であることが
分る。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去
せしめて一枚の原マスクから多数のＸ線露光用マ
クスを、良好な転写精度でかつ実用生産的に作製
し、スループツトの向上を達成できる新規なＸ線
マスクの作製方法を提供することにある。
せしめて一枚の原マスクから多数のＸ線露光用マ
クスを、良好な転写精度でかつ実用生産的に作製
し、スループツトの向上を達成できる新規なＸ線
マスクの作製方法を提供することにある。
本発明によれば、デバイス作製に使用する５〜
15Å程度のシンクロトロン軌道放射Ｘ線の波長に
対して低コントラストであるＸ線マスクを原マス
クとして用い、該原マスクからパターンを転写し
てワーキングマスクを作製するＸ線マスク作製方
法であつてパターンを転写するためのＸ線源とし
て前記デバイス作製に使用するＸ線波長より長波
長のシンクロトロン軌道放射Ｘ線を用いることを
特徴としたＸ線マスクの作製方法が得られる。
15Å程度のシンクロトロン軌道放射Ｘ線の波長に
対して低コントラストであるＸ線マスクを原マス
クとして用い、該原マスクからパターンを転写し
てワーキングマスクを作製するＸ線マスク作製方
法であつてパターンを転写するためのＸ線源とし
て前記デバイス作製に使用するＸ線波長より長波
長のシンクロトロン軌道放射Ｘ線を用いることを
特徴としたＸ線マスクの作製方法が得られる。
以下本発明について図面を参照して詳しく説明
する。第２図は本発明の一つの構成を示す図面で
ある。
する。第２図は本発明の一つの構成を示す図面で
ある。
まずAu吸収体パターンの膜厚が千Å程度と比
較的薄いＸ線マスクを原マスクとして作製する
（第２図１図）。千Å程度の薄い膜厚のAu吸収体
パターンを有するＸ線マスクの作製は、それほど
困難を伴うことなく達成することができる。原マ
スクとして優れた寸法精度をもつていることは、
当然の前提条件である。言うまでもなくこの原マ
スクの作製においては、電子線露光による微細レ
ジストパターン形成の工程が含まれており、この
原マスク作製のための全消費時間及び全消費コス
トは少からず多大なものになることはやむを得な
いところである。
較的薄いＸ線マスクを原マスクとして作製する
（第２図１図）。千Å程度の薄い膜厚のAu吸収体
パターンを有するＸ線マスクの作製は、それほど
困難を伴うことなく達成することができる。原マ
スクとして優れた寸法精度をもつていることは、
当然の前提条件である。言うまでもなくこの原マ
スクの作製においては、電子線露光による微細レ
ジストパターン形成の工程が含まれており、この
原マスク作製のための全消費時間及び全消費コス
トは少からず多大なものになることはやむを得な
いところである。
次に前記原マスクをマスクとして、シンクロト
ロン軌道放射光によつて、多数のＸ線転写用のＸ
線露光用ワーキングマスクを作製する（第２図２
図）。シンクロトロン軌道放射光をＸ線露光用線
源として使用することは、実験的に若干検討され
ているに過ぎない。
ロン軌道放射光によつて、多数のＸ線転写用のＸ
線露光用ワーキングマスクを作製する（第２図２
図）。シンクロトロン軌道放射光をＸ線露光用線
源として使用することは、実験的に若干検討され
ているに過ぎない。
実際問題としては、シンクロトロン軌道放射線
源の建設費があまりにも膨大（少くとも数十億円
以上かかると思われる）であること、装置運転並
びに保守等にまた相当の費用を要すること、また
該装置はそのサイズにおいて相当の大きさを有し
ていること（放射リングは少くとも直径10ｍ以上
である）等によつて、該装置をＸ線露光に適用す
ることは、全く実用的でないと言い切つてもよ
い。実際のＸ線露光の研究開発に携わる者にとつ
ては、シンクロトロン軌道放射線源のことは、ほ
とんど念頭にないというのが偽らざる吐露であろ
う。
源の建設費があまりにも膨大（少くとも数十億円
以上かかると思われる）であること、装置運転並
びに保守等にまた相当の費用を要すること、また
該装置はそのサイズにおいて相当の大きさを有し
ていること（放射リングは少くとも直径10ｍ以上
である）等によつて、該装置をＸ線露光に適用す
ることは、全く実用的でないと言い切つてもよ
い。実際のＸ線露光の研究開発に携わる者にとつ
ては、シンクロトロン軌道放射線源のことは、ほ
とんど念頭にないというのが偽らざる吐露であろ
う。
ところが、シンクロトロン軌道放射線源には他
のＸ線源と比較して次の重要な三つの長所を有し
いる。平行放射Ｘ線を得ることができるというこ
とと、高強度であるということと、長波長域まで
カバーする線源であるということである。これら
の長所を、本発明ではまさに有効に利用すること
ができる。第２図２図のシンクロトロン軌道放射
線源２１から平行かつ高強度の軟Ｘ線２２を取り
出し、原マスク２３をマスクとして転写Ｘ線露光
用マスク２４を作製する。平行Ｘ線であるから前
述のぼけδ及びずれΔは全く零となるという効果
が生じ、同時にマスクとウエハーとのギヤツプに
対しては大きな許容度を与えるという効果をも生
じる。数十μｍ〜数百μｍのギヤツプをとつても
転写精度はいささかも損わない。このギヤツプの
許容性は、原マスクに損傷を与えない、原マ
スクからの転写によつて多数のＸ線露光用マスク
を作製するという方式にとつて基本的に重要なポ
イントであるという意味をもつ。またシンクロト
ロン軌道放射線源が高強度であるということが、
原マスクから多数のＸ線露光用マスクを作製する
際の生産性の向上にとつて大きな力となる。また
もう一つの特長であるシンクロトロン軌道放射線
源の長波長性についてであるが、このことによつ
て原マスクのコントラストに対する要求は非常に
緩やかとなる。シンクロトロン軌道放射線源の波
長域は通常数十Å〜数百Å（あるいは数千Åまで
及ぶこともある）にまで及んでおり、このような
長波長であれば、千Å程度のAu吸収体膜厚があ
れば十分である。千Å程度のAu吸収体膜厚は、
通常用いられる電子ビーム励起線源の波長域（数
Å〜十数Å）では低コントラストであり、良好な
転写特性を得ることはできない。要するに割と製
作容易な低コントラストマスクを原マスクとして
使用できるということが、一つの重要な長所であ
る。
のＸ線源と比較して次の重要な三つの長所を有し
いる。平行放射Ｘ線を得ることができるというこ
とと、高強度であるということと、長波長域まで
カバーする線源であるということである。これら
の長所を、本発明ではまさに有効に利用すること
ができる。第２図２図のシンクロトロン軌道放射
線源２１から平行かつ高強度の軟Ｘ線２２を取り
出し、原マスク２３をマスクとして転写Ｘ線露光
用マスク２４を作製する。平行Ｘ線であるから前
述のぼけδ及びずれΔは全く零となるという効果
が生じ、同時にマスクとウエハーとのギヤツプに
対しては大きな許容度を与えるという効果をも生
じる。数十μｍ〜数百μｍのギヤツプをとつても
転写精度はいささかも損わない。このギヤツプの
許容性は、原マスクに損傷を与えない、原マ
スクからの転写によつて多数のＸ線露光用マスク
を作製するという方式にとつて基本的に重要なポ
イントであるという意味をもつ。またシンクロト
ロン軌道放射線源が高強度であるということが、
原マスクから多数のＸ線露光用マスクを作製する
際の生産性の向上にとつて大きな力となる。また
もう一つの特長であるシンクロトロン軌道放射線
源の長波長性についてであるが、このことによつ
て原マスクのコントラストに対する要求は非常に
緩やかとなる。シンクロトロン軌道放射線源の波
長域は通常数十Å〜数百Å（あるいは数千Åまで
及ぶこともある）にまで及んでおり、このような
長波長であれば、千Å程度のAu吸収体膜厚があ
れば十分である。千Å程度のAu吸収体膜厚は、
通常用いられる電子ビーム励起線源の波長域（数
Å〜十数Å）では低コントラストであり、良好な
転写特性を得ることはできない。要するに割と製
作容易な低コントラストマスクを原マスクとして
使用できるということが、一つの重要な長所であ
る。
第２図２図で説明した工程において多数の良品
質のＸ線露光用マスクが多数作製され、これら多
数のマスクを用いて、Ｘ線転写によつてデバイス
が、高スループツトで生産される。（第２図３図）
デバイス作製のとき用いられるＸ線露光用マスク
は高コントラストであることが要求される。数Å
〜十数Åの波長域の電子ビーム励起線源等をＸ線
源として用いることを前提としているため、Au
の膜厚で約6000Å以上の高コントラストマスクが
必要である。シンクロトロン軌道放射線源の高強
度性の特長によつて、厚膜のレジストのハイアス
ペクトパターンの形成は容易であり、本レジスト
パターンを利用して厚膜のAu吸収体パターンも
容易に形成できる。すなわちＸ線転写によつてデ
バイス作製をするのに適した高品質（高精度で高
コントラスト）のＸ線露光用マスクが多数作製さ
れ、これらを用いてＸ線転写によつて高スループ
ツトでデバイスが生産されるということになる。
このような新規Ｘ線露光方式を採用すれば、前述
の問題点が解決され、本発明の目的が達成される
ことは以上の説明から明らかである。
質のＸ線露光用マスクが多数作製され、これら多
数のマスクを用いて、Ｘ線転写によつてデバイス
が、高スループツトで生産される。（第２図３図）
デバイス作製のとき用いられるＸ線露光用マスク
は高コントラストであることが要求される。数Å
〜十数Åの波長域の電子ビーム励起線源等をＸ線
源として用いることを前提としているため、Au
の膜厚で約6000Å以上の高コントラストマスクが
必要である。シンクロトロン軌道放射線源の高強
度性の特長によつて、厚膜のレジストのハイアス
ペクトパターンの形成は容易であり、本レジスト
パターンを利用して厚膜のAu吸収体パターンも
容易に形成できる。すなわちＸ線転写によつてデ
バイス作製をするのに適した高品質（高精度で高
コントラスト）のＸ線露光用マスクが多数作製さ
れ、これらを用いてＸ線転写によつて高スループ
ツトでデバイスが生産されるということになる。
このような新規Ｘ線露光方式を採用すれば、前述
の問題点が解決され、本発明の目的が達成される
ことは以上の説明から明らかである。
本発明の効果について述べる。本発明を適用す
るならば、第一に技術的に言つて作製の容易でな
い高コントラストのＸ線マスクを容易にかつ多量
に作製でき、第二に電子線リソグラフイとＸ線リ
ソグラフイのそれぞれの特長を最大限に生かすこ
とができ、第三にVLSI等の微細パターンを有す
るデバイスの作製における最大の目標であるスル
ープツトの向上を達成でき、第四にＸ線露光用線
源としても有望であるシンクロトロンの線源の長
所を極めて巧みにかつ有効に利用することができ
る。
るならば、第一に技術的に言つて作製の容易でな
い高コントラストのＸ線マスクを容易にかつ多量
に作製でき、第二に電子線リソグラフイとＸ線リ
ソグラフイのそれぞれの特長を最大限に生かすこ
とができ、第三にVLSI等の微細パターンを有す
るデバイスの作製における最大の目標であるスル
ープツトの向上を達成でき、第四にＸ線露光用線
源としても有望であるシンクロトロンの線源の長
所を極めて巧みにかつ有効に利用することができ
る。
第１図は従来のＸ線露光方式を示す図、第２図
は本発明によるＸ線露光方式を示す図である。 図において、１，３，５はレジストパターン、
２，４はAu吸収体パターン、６はウエハー、２
１はシンクロトロン軌道放射線源、２２は放射軟
Ｘ線、２３は原マスク、２４は転写Ｘ線露光用マ
スクを示す。
は本発明によるＸ線露光方式を示す図である。 図において、１，３，５はレジストパターン、
２，４はAu吸収体パターン、６はウエハー、２
１はシンクロトロン軌道放射線源、２２は放射軟
Ｘ線、２３は原マスク、２４は転写Ｘ線露光用マ
スクを示す。
Claims (1)
- １ デバイス作製に使用する５〜15Å程度のシン
クロトロン軌道放射Ｘ線の波長に対して低コント
ラストであるＸ線マスクを原マスクとして用い、
該原マスクからパターンを転写してワーキングマ
スクを作製するＸ線マスクの作製方法であつて、
パターンを転写するためのＸ線源として前記デバ
イス作製に使用するＸ線波長より長波長のシンク
ロトロン軌道放射Ｘ線を用いることを特徴とした
Ｘ線マスクの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57077823A JPS58194339A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | Ｘ線マスクの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57077823A JPS58194339A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | Ｘ線マスクの作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194339A JPS58194339A (ja) | 1983-11-12 |
| JPH0526188B2 true JPH0526188B2 (ja) | 1993-04-15 |
Family
ID=13644757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57077823A Granted JPS58194339A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | Ｘ線マスクの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194339A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3529966C1 (de) * | 1985-08-22 | 1987-01-15 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Roentgentiefenlithographie |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS542823A (en) * | 1977-06-02 | 1979-01-10 | Porigurafu Raipuchitsuhi Konbi | Device of catching content for bookbinding |
| JPS55113330A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | X-ray exposure system and device |
| JPS5645024A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Lithography apparatus |
| JPS5759544A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-09 | Terumo Corp | Adsorbing type artificial organ and pretreatment thereof |
-
1982
- 1982-05-10 JP JP57077823A patent/JPS58194339A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS542823A (en) * | 1977-06-02 | 1979-01-10 | Porigurafu Raipuchitsuhi Konbi | Device of catching content for bookbinding |
| JPS55113330A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | X-ray exposure system and device |
| JPS5645024A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Lithography apparatus |
| JPS5759544A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-09 | Terumo Corp | Adsorbing type artificial organ and pretreatment thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58194339A (ja) | 1983-11-12 |
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