JPH05256797A - 光磁気記録媒体の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光磁気記録媒体の多層薄膜内に存在するガス
元素を高い精度で定量できる検査方法を提供すること。 【構成】 荷電粒子加速装置１から単一のエネルギーを
持ったヘリウム原子核を放出して試料台２上の試料３へ
衝突させると共に、試料３の衝突面に対し荷電粒子加速
装置１側の特定方向へ後方散乱されたヘリウム原子核の
エネルギースペクトルを測定して試料３内に存在するガ
ス元素を定量することを特徴とする。そして、従来の検
査方法に較べ試料３表面をスパッタエッチングして分析
対象である薄膜を露出させる必要がないため定量誤差が
起き難く、かつ、分析対象である薄膜の酸化も防止され
るため上記ガス元素を高い精度で定量することが可能と
なり、この結果、多層薄膜の適正な製膜条件が求められ
磁気特性の揃った光磁気記録媒体を安定して量産できる
効果を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体の検査方
法に係り、特に、磁性膜を主要部とした多層薄膜の製膜
時に不可避的に混入され薄膜の物理的性質に大きな影響
を与えるアルゴン等のスパッタリングガス元素や酸素等
の残留ガス元素をラザフォード後方散乱（Rutherford
backscattering）法を用いて高精度に定量できる検査方
法の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁性膜を主要部とした多層薄膜をスパッ
タリング法や蒸着法等により基板上に製膜して光磁気記
録媒体を製造する際、ターゲットのスパッタリングに適
用されたガス元素や製膜室内の残留ガス元素が上記多層
薄膜中に混入することは良く知られている。また、薄膜
中に混入されたガス元素は一般に深さ方向に分布をもつ
場合が多く、かつ、薄膜が複数の層から構成される多層
薄膜においては各層によって混入したガス元素の濃度が
異なる場合が一般的である。

【０００３】そして、ガス元素が薄膜中に混入すると薄
膜の物理的性質に大きな影響を与える。我々は、光磁気
記録膜のようなフェリ磁性体においては１ atm％以下の
ガス元素の混入に伴う組成変動が起こっても磁化やキュ
リー温度等の磁気特性に大きな影響を及ぼしてしまうこ
とを平均場近似を用いた磁気特性のコンピュータシミュ
レーションによりすでに見出している（IEEE TRANSACTI
ON ON MAGNETICS,VOL.26,NO.5 SEPTEMBER 1990年 1909-
1911頁参照）。

【０００４】従って、磁気特性の揃った光磁気記録媒体
を安定して製造するためには、製造された光磁気記録媒
体の多層薄膜内に存在するガス元素の濃度を定期的に検
査し、その検査結果に基づいて製膜室内の真空度やガス
圧、ガス流量等の製膜条件を適正な値に設定することを
必要とする。

【０００５】ところで、薄膜の組成分析には、従来、蛍
光Ｘ線、ＥＰＭＡ、オージェ電子分光、ＸＰＳ（Ｘ線光
電子分光法）、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析）等が利
用されており、多層薄膜の深さ方向の分析には上記オー
ジェ電子分光、ＸＰＳ、ＳＩＭＳが広く用いられてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、これ等オージ
ェ電子分光、ＸＰＳ、及び、ＳＩＭＳ等の分析方法を適
用した場合、多層薄膜の深さ方向の組成を調べるために
は真空中で薄膜表面をスパッタエッチングし分析対象で
ある各層を順次露出させる必要があるため、薄膜内に存
在するガス元素を高い精度でもって定量できない問題点
があった。

【０００７】すなわち、薄膜内に存在するガス元素が上
記スパッタエッチング時に膜中から離脱して定量誤差が
起き易く、かつ、スパッタエッチングに適用されたガス
元素と薄膜内に含まれるガス元素とが同一の場合にはそ
の区別が困難なため、上記従来法においては薄膜内に存
在するガス元素を１ atm％以下のレベルで定量できない
問題点があった。

【０００８】特に、ＴｂＦｅＣｏ等の磁性膜は酸化を受
け易い性質を有しているため、分析途中で分析室内の残
留酸素により上記磁性膜が酸化されることがあり、薄膜
内に存在する酸素元素の定量が実質的に困難となる問題
点があった。

【０００９】このため、製膜条件や製膜に用いた装置が
相違すると、製膜された各多層薄膜が従来の検査法では
同じ組成比と分析された光磁気記録媒体であるにも拘ら
ずその磁気特性が異なる場合があり、その原因がはっき
り分らず磁気特性の揃った光磁気記録媒体を安定して製
造できない問題点があった。

【００１０】本発明はこの様な問題点に着目してなされ
たもので、その課題とするところは、多層薄膜内に存在
するガス元素を０．１ atm％程度の高い精度で定量でき
る光磁気記録媒体の検査方法を提供しもって上記問題点
を解消することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】すなわち請求項１に係る
発明は、希土類金属−遷移金属から成る磁性膜を主要部
とした多層薄膜が基板上に積層されている光磁気記録媒
体の検査方法を前提とし、上記多層薄膜面へ単一のエネ
ルギーを持った荷電粒子を照射すると共に、この照射面
に対し照射源側の特定の方向へ後方散乱された荷電粒子
のエネルギースペクトルを測定して多層薄膜内に存在す
るガス元素を定量することを特徴とするものであり、他
方、請求項２に係る発明は請求項１に係る光磁気記録媒
体の検査方法を前提とし、上記希土類金属−遷移金属か
ら成る磁性膜の膜厚が６００Å以下に設定され、かつ、
定量されるガス元素がアルゴンであることを特徴とする
ものである。

【００１２】以下、請求項１〜２に係る検査方法につい
て図面を参照して説明する。

【００１３】まず、図１はこの検査方法に用いられる機
器の配置を示した概念図であり、荷電粒子加速装置１か
ら１〜２ＭｅＶの単一のエネルギーを持ったヘリウム原
子核（Ｈｅ⁺ ）が放出されて試料台２上の試料３に衝突
し、試料３中の構成原子とヘリウム原子核（Ｈｅ⁺ ）が
弾性衝突を起こしてヘリウム原子核（Ｈｅ⁺ ）が散乱さ
れる。ここで、図１に示すように入射方向に対し９０°
〜１８０°の角（θ）をなす方向に検出装置４を配置
し、散乱されたヘリウム原子核（Ｈｅ⁺ ）を検出する分
析方法を上述したラザフォード後方散乱（Rutherford
backscattering）法という。

【００１４】そして、理想的な弾性散乱の場合は衝突す
る試料中の構成原子の質量と散乱角度（θ）によって散
乱されたヘリウム原子核（Ｈｅ⁺ ）の持つエネルギーが
一義的に決められる。従って、特定の散乱角度（θ）に
検出装置４を固定し、この検出装置４により散乱された
ヘリウム原子核（Ｈｅ⁺ ）の持つエネルギーを測定すれ
ば元素の分析が可能となる。

【００１５】また、単一のエネルギーを持ったヘリウム
原子核（Ｈｅ⁺ ）等の荷電粒子が物質中を高速で通過す
ると、その物質の密度と膜厚に応じて一定の割合で上記
荷電粒子はその運動エネルギーを失う。この原理を用い
て多層膜における各層の分析が可能となる。

【００１６】そこで、このラザフォード後方散乱法によ
り光磁気記録媒体の多層薄膜を分析する方法について図
２〜図３を用いて説明する。

【００１７】まず、図２は、光磁気記録媒体の構成断面
図を示したもので、基板５と、この上に積層された化合
物ＡｍＢｎ層（Ａ，Ｂは元素名、ｍ，ｎは元素比をそれ
ぞれ示す）６と、この上に積層されたＣ層（Ｃは元素名
を示す）７と、この上に積層された化合物ＡｘＢｙ層
（Ａ，Ｂは元素名、ｘ，ｙは元素比をそれぞれ示す）８
とでその主要部が構成されている。尚、構成元素の原子
番号はＣ＞Ｂ＞Ａの関係にあり、基板５を構成している
原子はＡよりも軽い元素である。

【００１８】また、図３は、図２に示された光磁気記録
媒体の多層薄膜についてラザフォード後方散乱法により
分析を行って得られたエネルギースペクトルを示すグラ
フ図である。ここで、この縦軸は、BACKSCATTERING YIE
LD（バックスキャッタリングイールド）と呼ばれ散乱さ
れたヘリウム原子核（Ｈｅ⁺ ）の数に対応した量を示し
ており、また、横軸は、CHANNEL NUMBER（チャネル ナ
ンバー）と呼ばれ散乱されたヘリウム原子核（Ｈｅ⁺ ）
が持っている運動エネルギーに対応した量を示してい
る。

【００１９】そして、この図３において、０ チャネル
ナンバーから続いているなだらかなピーク９が基板５
の情報を示し、次のピーク１０，１１が元素Ａ、ピーク
１２，１３が元素Ｂ、ピーク１４が元素Ｃから散乱され
たヘリウム原子核（Ｈｅ⁺ ）を示している。また、ピー
ク１０と１２はＡｍＢｎ層６を示しそのピークの面積比
が組成比を表し、他方、ピーク１１と１３はＡｘＢｙ層
８を示しそのピークの面積比が組成比を表している。

【００２０】従って、このエネルギースペクトルから上
記多層薄膜の組成分析が可能となり、かつ、多層薄膜内
に存在するガス元素の定量も可能となる。特に、この検
査方法においては、従来法のように薄膜表面をスパッタ
エッチングして分析対象である各層を露出させる必要が
ないため定量誤差が起き難く、かつ、分析対象である各
層の酸化も防止されるため上記ガス元素を高い精度で定
量できる利点を有している。

【００２１】また、このラザフォード後方散乱法により
多層薄膜の組成分析を行う場合、上述したように薄膜の
膜厚と密度に応じて荷電粒子がその運動エネルギーを失
うことになるため、その構成元素に対応したピークのエ
ネルギー位置が本来の位置からずれて現れることにな
る。従って、多層薄膜の構成元素が既知の場合には、薄
膜の膜厚又は密度を他の手段で予め測定しておくことに
より、既知元素に対応したピークの出現エネルギーの位
置ずれから未知の密度又は膜厚を求めることが可能とな
る。特に、膜厚１０００Å以下の薄膜の密度を測定する
ことは通常の体積法のような方法では困難なため、ピー
クの出現エネルギーの位置ずれからその密度が求められ
る上記手段は有益な方法となる。

【００２２】ここで、希土類金属−遷移金属から成る磁
性膜を主要部とした多層薄膜の組成分析を上記ラザフォ
ード後方散乱法により行う場合、遷移金属元素に対応し
たピークのエネルギー位置とアルゴン元素に対応したピ
ークのエネルギー位置とが近似しているため、磁性膜の
設定密度又は膜厚如何によって遷移金属元素に対応した
ピークのエネルギー位置が低エネルギー側に伸びてアル
ゴンのピーク位置と重なってしまいアルゴンの定量に悪
影響を及ぼすことがある。この場合、磁性膜の密度か膜
厚のいづれか一方を制御して遷移金属元素に対応したピ
ークの低エネルギー側への伸びを防止すればよいが、光
磁気記録媒体においてその磁性膜の密度は通常６〜８．
５ｇ／ｃｃに設定されており簡単に制御できるものでは
ないことを考えると、希土類金属−遷移金属から成る磁
性膜の膜厚を制御することが望ましい。

【００２３】上述した請求項２に係る発明はこの様な技
術的理由から創作されたものであり、上記希土類金属−
遷移金属から成る磁性膜の膜厚を制御するに当たりその
膜厚を６００Å以下に設定し、遷移金属元素に対応した
ピークのエネルギー位置とアルゴン元素に対応したピー
クのエネルギー位置との重なりを防止してアルゴンを
０．１ atm％程度の高い精度で定量できるようにしたも
のである。

【００２４】尚、請求項１〜２に係る発明において検査
対象である光磁気記録媒体の基板に適用できる材料とし
ては、従来同様、ガラス、ポリカーボネート、エポキシ
樹脂、ポリオレフィン系樹脂等があり、また、多層薄膜
の主要部を構成する磁性膜の材料としては、ガドリニウ
ム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ディスプロシウム
（Ｄｙ）等の希土類金属と、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃ
ｏ）等の遷移金属の結晶質又は非晶質合金が適用でき、
具体的にはＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＣｏ、ＴｂＤｙＦ
ｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ等の３
元系合金や、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ等の４元系合金等が挙げられる。

【００２５】また、多層薄膜を構成する磁性膜以外の被
膜としては、ＳｉＮ_x 、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＡｌＳｉＯＮ等から構成される干渉膜や保護膜に加
えて、アルミニウム系等から構成される反射膜が挙げら
れる。

【００２６】

【作用】請求項１に係る発明によれば、希土類金属−遷
移金属から成る磁性膜を主要部とした多層薄膜内に存在
するガス元素を定量するに際し、上記多層薄膜面へ単一
のエネルギーを持った荷電粒子を照射すると共に、この
照射面に対し照射源側の特定の方向へ後方散乱された荷
電粒子を検出してそのエネルギースペクトルを求めこの
エネルギースペクトルから上記ガス元素を定量してい
る。

【００２７】従って、従来の検査方法のように薄膜表面
をスパッタエッチングして分析対象である各層を露出さ
せる必要がないため定量誤差が起き難く、かつ、分析対
象である各層の酸化も防止されるため上記ガス元素を高
い精度で定量することが可能となる。

【００２８】他方、請求項２に係る発明によれば、上記
希土類金属−遷移金属から成る磁性膜の膜厚が６００Å
以下に設定されているため、遷移金属元素に対応したピ
ークのエネルギー位置とアルゴン元素に対応したピーク
のエネルギー位置との重なりが防止され、求められたエ
ネルギースペクトルから多層薄膜内に存在するアルゴン
元素を０．１ atm％程度の高い精度で定量することが可
能となる。

【００２９】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。

【００３０】［実施例１］この実施例の検査方法に適用
された光磁気ディスクは、図４に示すようにポリカーボ
ネート製の透明基板５０と、この基板５０上にスパッタ
法にて製膜された膜厚１０００Åの窒化硅素（Ｓｉ
Ｎ_x ）の干渉膜６０と、この干渉膜６０上へスパッタ法
にて製膜された膜厚３００ÅのＴｂＦｅＣｏ系の磁性膜
７０と、この磁性膜７０上にスパッタ法にて製膜された
膜厚３００Åの窒化硅素の保護膜８０と、この保護膜８
０上にスパッタ法にて製膜された膜厚６００Åのアルミ
ニウム系の反射膜９０とでその主要部が構成されている
ものである。

【００３１】尚、これ等スパッタ法に適用されたガス元
素はアルゴンであった。

【００３２】そして、磁気特性が正常な光磁気ディスク
を試料１とし、この試料１の多層薄膜（干渉膜６０、磁
性膜７０、保護膜８０、及び、反射膜９０から成る）に
ついてラザフォード後方散乱法によりその組成を検査
し、求めたエネルギースペクトルのグラフ図を図５に示
す。

【００３３】他方、保磁力が減少し、Ｍ−Ｈループの角
型が悪い等の磁気特性に異常を示した光磁気ディスクを
試料２とし、この試料２についてもその多層薄膜をラザ
フォード後方散乱法により検査し、求めたエネルギース
ペクトルのグラフ図を図６に示す。

【００３４】これ等図５と図６に示されたグラフ図の比
較から、図６にはチャネル ナンバー１９７付近に図５
には無いピークが確認できる。

【００３５】そこで、測定結果を解析するために図５及
び図６の波形分離を行った。図７は図６のエネルギース
ペクトルについてその波形分離を行った結果を示すエネ
ルギースペクトルのグラフ図である。

【００３６】以下、図７に示されたグラフ図に従って各
ピークにつき詳細に説明する。

【００３７】まず、ピーク１５はポリカーボネート基板
５０からの情報を示し、ピーク１６は干渉膜６０の一部
を構成する窒素元素、ピーク１７は保護膜８０の一部を
構成する窒素元素、ピーク１８は磁性膜７０の干渉膜６
０側に存在した酸素元素、ピーク１９は反射膜９０の表
面に存在する酸素元素、ピーク２０は干渉膜６０の一部
を構成する硅素元素、ピーク２１は反射膜９０を構成す
るアルミニウム元素、ピーク２２は保護膜８０の一部を
構成する硅素元素、ピーク２３は干渉膜６０内に存在す
るアルゴン元素、ピーク２４は磁性膜７０内に存在する
アルゴン元素、ピーク２５は保護膜８０内に存在するア
ルゴン元素、ピーク２６は磁性膜７０の一部を構成する
遷移金属元素、ピーク２７は磁性膜７０の一部を構成す
るテルビウム（Ｔｂ）元素をそれぞれ示している。

【００３８】尚、図５のエネルギースペクトルについて
その波形分離を行った結果を示すエネルギースペクトル
のグラフ図（図示せず）からは、図７のピーク１８（す
なわち磁性膜７０の干渉膜６０側に存在した酸素元素）
に相当するピークは確認できなかった。

【００３９】そして、上記波形分離に基づき試料１のエ
ネルギースペクトルを解析した結果を以下の表１に、ま
た、試料２のエネルギースペクトルを解析した結果を表
２に示す。尚、これ等表において多層薄膜を構成する各
薄膜の膜厚は、各製膜材料について予めスパッタリング
時間と膜厚の関係を示す換算表を作成しておきそのスパ
ッタリング時間から求めたものであり、また、密度につ
いては、上述したように既知元素に対応したピークの出
現エネルギーの位置ずれから計算により求めている。

【００４０】

【表１】

【表２】 表２に示された結果から、試料２の光磁気ディスクはＴ
ｂＦｅＣｏ系磁性膜７０の干渉膜６０側が酸化されてい
ることが確認できる。

【００４１】また、図５及び図６のグラフ図の比較か
ら、試料１と試料２のアルゴン元素を示すチャネル ナ
ンバー３３２付近のピークの高さと形状が異なってい
る。

【００４２】そこで、これを解析した結果、表１及び表
２に示すように試料１における磁性膜７０内のアルゴン
の濃度が試料２より高くなっていること、及び、試料２
は試料１に較べて窒化硅素膜（干渉膜６０、保護膜８
０）内のアルゴン濃度が高くなっており、これ等が原因
となって試料２に係る光磁気ディスクの磁気特性が異常
を示していることが判明した。

【００４３】従って、これ等現象が回避されるスパッタ
条件を設定することにより試料１と同様の磁気特性を備
えた光磁気ディスクを求めることが可能となる。

【００４４】この様に、実施例に係る検査方法を適用す
ることにより多層薄膜の一部が部分的に酸化されてるか
否かの分析や、各薄膜内のアルゴン濃度を１ atm％以下
の精度で定量できる利点を有している。

【００４５】［比較例１］実施例１において検査された
試料１と試料２に係る多層薄膜をオージェ電子分光法に
よりその深さ方向の定性分析を行った。尚、試料１の結
果を図８に、また試料２の結果を図９にそれぞれ示す。

【００４６】そして、図８と図９の比較から、図９には
磁性膜内に酸素のピークが存在していることを確認でき
たがその定量は困難であった。

【００４７】この様にオージェ電子分光法を適用した場
合、酸素の分析は定性的には実施例１の結果と同じであ
ったがその定量は困難であり、かつ、実施例１において
確認できたアルゴン元素の分布についてはこの方法では
分からなかった。

【００４８】［比較例２］実施例１において検査された
試料１につきこれを従来の検査手段であるＸＰＳ（Ｘ線
光電子分光法）で分析した場合に分析途上における磁性
膜の経時的酸化を調べた。

【００４９】すなわち、真空度２×１０^-9mbarのチャン
バー中で上記試料１に係る多層薄膜をアルゴンイオンに
よりスパッタエッチングして磁性膜を露出させ、その時
点でスパッタエッチングをストップした後、ＸＰＳによ
り酸素原子の１ｓ状態から放出される電子の数（酸素１
ｓのピーク強度）の経時変化を測定した。この結果を図
１０に示す。

【００５０】この図１０から時間と共に酸素１ｓのピー
ク強度が大きくなっていることが分かる。これは、２×
１０^-9mbar程度の高真空中でも１０分以上露出している
と薄膜の酸化が進行していることを示している。

【００５１】そして、ＸＰＳで定量分析を行うためには
測定元素のＸＰＳスペクトルのピークを波形分離する必
要があり、多層薄膜における深さ方向の１点の測定に少
なくとも１０分以上の時間を要するため測定中に薄膜の
酸化が進行してしまうことを示している。

【００５２】従って、ＸＰＳに限らず測定に１０分以上
の時間が必要な従来の検査方法で光磁気ディスクにおけ
る多層薄膜の分析を行った場合、磁性膜中の酸素濃度に
ついて高い精度で定量することは困難であることが確認
できる。

【００５３】［実施例２］この実施例の検査方法に適用
された光磁気ディスクは、実施例１に係る光磁気ディス
クと同様に、ポリカーボネート製の透明基板と、この基
板上にスパッタ法にて製膜された膜厚１０００Åの窒化
硅素の干渉膜と、この干渉膜上へスパッタ法にて製膜さ
れたＴｂＦｅＣｏ系の磁性膜と、この磁性膜上にスパッ
タ法にて製膜された膜厚２００Åの窒化硅素の保護膜
と、この保護膜上にスパッタ法にて製膜された膜厚５０
０Åのアルミニウム系の反射膜とでその主要部が構成さ
れているものである。

【００５４】但し、ＴｂＦｅＣｏ系の磁性膜についてそ
の膜厚が４５０Å、７５０Å、及び、１０００Åに設定
された３種類の光磁気ディスクを用意し、その各々の光
磁気ディスクについてラザフォード後方散乱法によりそ
の多層薄膜内に存在するガス元素の分析を行った。図１
１に示されたエネルギースペクトルのグラフ図は磁性膜
の膜厚が４５０Åの場合、図１２に示されたエネルギー
スペクトルのグラフ図は磁性膜の膜厚が７５０Åの場
合、及び、図１３に示されたエネルギースペクトルのグ
ラフ図は磁性膜の膜厚が１０００Åの場合である。

【００５５】図１１のグラフ図に示されているようにチ
ャネル ナンバー ３３２付近にアルゴン元素のピーク
が確認できる。そして、図１１、図１２、図１３と磁性
膜の膜厚が増えるに従ってＦｅＣｏのピークが低チャネ
ル ナンバー側に広がり、アルゴン元素のピークと重な
っていることが確認できる。また、アルゴン元素のピー
クよりＦｅＣｏ等遷移金属のピークが大きいため、遷移
金属とアルゴン元素のピークが重なるとアルゴン元素の
定量精度が悪くなることも確認できる。

【００５６】次に、図１１、図１２、図１３のグラフ図
から多層薄膜内に存在するアルゴン濃度を計算により求
めた。図１１から求められたアルゴン濃度は０．３ atm
％、図１２から求められたアルゴン濃度は１．８ atm％
であり、図１３からはアルゴン濃度は求められなかっ
た。

【００５７】他方、これ等３種類の光磁気ディスクにつ
いてその磁気特性を調べたところ、アルゴン濃度が相違
するにも拘らず測定結果は同じ性質を示している。

【００５８】このように各光磁気ディスクの磁気特性が
同じ性質を示していることから、上記測定結果に反して
膜厚４５０Åと７５０Åとでその磁性膜内に存在するア
ルゴン濃度が１．５ atm％も相違するとは考え難い。す
なわち、このアルゴン濃度差は、Ｆｅ、Ｃｏ等の遷移金
属元素を示すピークの裾がアルゴン元素を示すピークに
重なったためであると推察される。

【００５９】一般に光磁気ディスクの磁性膜において遷
移金属を示すピークはＦｅ、Ｃｏ等２種類以上の元素の
ピークが重なってできているため、アルゴン元素のピー
クと遷移金属元素のピークの裾の重なりを分離すること
は難しい。しかし、磁性膜の膜厚を４５０Åと小さく設
定することにより遷移金属元素におけるピークの低エネ
ルギー側への伸びを防止することができるため、ピーク
の重なりが起こり難くなってアルゴン元素を高い精度で
定量できることをこの例は示している。また、この膜厚
を７５０Åにするとピークの重なりが起こって定量精度
が低下し、１０００Åでは分析できないこともこれ等例
は示している。

【００６０】この様に、磁性膜の膜厚を６００Å以下の
薄膜に設定することにより遷移金属元素のピークの低エ
ネルギー側への伸びを防止することが可能となり、多層
薄膜内に存在するアルゴン濃度を０．１ atm％程度の高
い精度で定量できることが確認できる。

【００６１】

【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、従来の検
査方法のように薄膜表面をスパッタエッチングして分析
対象である各層を露出させる必要がないため定量誤差が
起き難く、かつ、分析対象である各層の酸化も防止され
るためガス元素を高い精度で定量することが可能とな
る。

【００６２】従って、この検査結果に基づいて多層薄膜
における適正な製膜条件を求めることが可能になるた
め、磁気特性の揃った光磁気記録媒体を安定して量産で
きる効果を有している。

【００６３】他方、請求項２に係る発明によれば、遷移
金属元素に対応したピークのエネルギー位置とアルゴン
元素に対応したピークのエネルギー位置との重なりが防
止され、求められたエネルギースペクトルから多層薄膜
内に存在するアルゴン元素を０．１ atm％程度の高い精
度で定量することが可能となる。

【００６４】従って、より適正な製膜条件を求めること
が可能となるため、更に安定して磁気特性の揃った光磁
気記録媒体を量産できる効果を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る検査方法を示す説明図。

【図２】光磁気記録媒体の構成を示す断面図。

【図３】ラザフォード後方散乱法により求められたエネ
ルギースペクトルを示したグラフ図。

【図４】実施例１の検査方法に適用された光磁気ディス
クの断面図。

【図５】実施例１に係る試料１の多層薄膜についてラザ
フォード後方散乱法により求められたエネルギースペク
トルを示したグラフ図。

【図６】実施例１に係る試料２の多層薄膜についてラザ
フォード後方散乱法により求められたエネルギースペク
トルを示したグラフ図。

【図７】図６のエネルギースペクトルについてその波形
分離を行った結果を示すエネルギースペクトルのグラフ
図。

【図８】比較例１に係る試料１の多層薄膜についてオー
ジェ電子分光法により求めた分析結果を示すグラフ図。

【図９】比較例１に係る試料２の多層薄膜についてオー
ジェ電子分光法により求めた分析結果を示すグラフ図。

【図１０】比較例２に係る試料１の多層薄膜についてＸ
ＰＳ法における酸素１Ｓピークの経時変化を示すグラフ
図。

【図１１】実施例２に係る光磁気ディスクの多層薄膜
（磁性膜の膜厚が４５０Å）についてラザフォード後方
散乱法により求められたエネルギースペクトルを示した
グラフ図。

【図１２】実施例２に係る光磁気ディスクの多層薄膜
（磁性膜の膜厚が７５０Å）についてラザフォード後方
散乱法により求められたエネルギースペクトルを示した
グラフ図。

【図１３】実施例２に係る光磁気ディスクの多層薄膜
（磁性膜の膜厚が１０００Å）についてラザフォード後
方散乱法により求められたエネルギースペクトルを示し
たグラフ図。

【符号の説明】

１ 荷電粒子加速装置 ２ 試料台 ３ 試料 ４ 検出装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米山 幸伸 兵庫県姫路市網干区新在家1239 ダイセル 化学工業株式会社総合研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】希土類金属−遷移金属から成る磁性膜を主
   要部とした多層薄膜が基板上に積層されている光磁気記
   録媒体の検査方法において、 上記多層薄膜面へ単一のエネルギーを持った荷電粒子を
   照射すると共に、この照射面に対し照射源側の特定の方
   向へ後方散乱された荷電粒子のエネルギースペクトルを
   測定して多層薄膜内に存在するガス元素を定量すること
   を特徴とする光磁気記録媒体の検査方法。
2. 【請求項２】上記希土類金属−遷移金属から成る磁性膜
   の膜厚が６００Å以下に設定され、かつ、定量されるガ
   ス元素がアルゴンであることを特徴とする請求項１記載
   の光磁気記録媒体の検査方法。