JPH05248951A - 受光ic - Google Patents

受光ic

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Publication number
JPH05248951A
JPH05248951A JP8446992A JP8446992A JPH05248951A JP H05248951 A JPH05248951 A JP H05248951A JP 8446992 A JP8446992 A JP 8446992A JP 8446992 A JP8446992 A JP 8446992A JP H05248951 A JPH05248951 A JP H05248951A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
output
base
emitter
output transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP8446992A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Wada
義幸 和田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP8446992A priority Critical patent/JPH05248951A/ja
Publication of JPH05248951A publication Critical patent/JPH05248951A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フォトダイオード出力の増幅信号を増幅する
出力トランジスタに流れる電流を一定化して、フォトカ
レントの多少等によって伝搬遅延時間に差が生じるのを
防止する。 【構成】 フォトダイオードPDのフォトカレントを増
幅器OP、帰還抵抗RFからなる増幅回路で増幅し、そ
の出力信号を出力トランジスタQ1 のベースに入力す
る。Q1 のコレクタを電源端子VCCに、エミッタを負荷
抵抗RL を介して接地端子GNDに接続する。制御トラ
ンジスタQ2 のベース、エミッタをRL の両端に接続
し、コレクタをQ1 のベースに接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトダイオードとそ
の後段に接続される周辺回路とを1チップ上に集積化し
たフォトダイオード内蔵受光ICに関する。
【0002】
【従来の技術】図4はこの種従来の受光ICの等価回路
図である。同図に示されるように、フォトダイオードP
Dの出力するフォトカレントは、増幅器OPと帰還抵抗
F からなる増幅回路において電圧信号に変換され、こ
の電圧信号は出力トランジスタQ1 と負荷抵抗RL との
回路によって増幅され、出力端子Outから出力される。
【0003】受光ICが例えば、フォトカプラの受光素
子として用いられるときは、発光ダイオードの出射光が
フォトダイオードPDに入射するとフォトダイオードに
フォトカレントが流れ、この信号が増幅されて出力トラ
ンジスタがオンする。発光ダイオードが消灯すると出力
トランジスタもオフする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】フォトカプラ等におい
て重要な特性の一つは伝搬遅延時間であるが、これはほ
とんど受光素子のそれによって決定される。而して、上
述の受光ICにおいては、出力トランジスタがオン動作
時に流入するベース電流にばらつきが大きかったため、
伝搬遅延時間に大きなばらつきが生じた。
【0005】すなわち、オン時のベース電流が小さい場
合、オフ状態からオン状態になるまでの時間が長くな
り、逆に、オン状態からオフ状態になる時間は、出力ト
ランジスタのベース、コレクタ間にチャージされた電荷
量が少ないため、放電が短時間で済むことにより短くな
る。また、逆に出力トランジスタのベース電流が大きい
場合には、出力トランジスタのドライブ能力が強化され
るためにオフ状態からオン状態になる時間は短くなる
が、オン状態からオフ状態になるまでには放電する電荷
量が多いため長時間を要する。
【0006】上述した従来の受光ICでは、発光素子の
発光強度、フォトダイオードの感度、増幅器の増幅度、
帰還抵抗の抵抗値等のばらつきにより、出力トランジス
タのベース電流が大きく変化するため、伝搬遅延時間の
変動が大きかった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の受光ICは、フ
ォトダイオードと、該フォトダイオードの出力信号を増
幅する増幅器と、該増幅器の出力端子にベースが接続さ
れ、コレクタが第1の電源に、エミッタが負荷抵抗を介
して第2の電源に接続されている出力トランジスタと、
ベースおよびエミッタが前記負荷抵抗に接続されて前記
出力トランジスタのエミッタ電流を一定に制御している
制御トランジスタと、が1チップ内に集積化されたもの
である。
【0008】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は、本発明の第1の実施例の等価回路
図である。本実施例ではフォトダイオードPDのフォト
カレントを、増幅器OPと帰還抵抗RF とからなる増幅
回路で増幅し、その出力信号を出力トランジスタQ1
ベースに入力している。出力トランジスタのコレクタは
電源端子VCCに接続され、エミッタは出力端子Outに接
続されるとともに負荷抵抗RL を介して接地端子GND
に接続されている。
【0009】さらに、本実施例では、負荷抵抗RL の両
端端部にベース、エミッタが接続され、コレクタが出力
トランジスタのベースに接続された制御トランジスタQ
2 が設けられている。
【0010】このように構成された回路では、出力トラ
ンジスタQ1 に流れるエミッタ電流IE は、 IE =VBE2 /RL (但し、VBE2 は制御トランジスタQ2 のベース−エミ
ッタ間電圧)で決定されるため、出力トランジスタの電
流は一定化される。
【0011】いま、フォトダイオードPDに光が入射さ
れ、出力トランジスタQ1 がオフからオンに転ずるもの
とする。このとき出力トランジスタのエミッタ電流が次
第に増加して上記した一定値のIE に到達すると制御ト
ランジスタQ2 がオンし、出力トランジスタのベース電
流はそれ以上には増加しなくなる。従って、例えばフォ
トカレント過大である場合でも出力端子Outの電圧立ち
上がり時間は一定化され、伝搬遅延時間の差は緩和され
る。
【0012】フォトダイオードPDへの入射光が遮断す
るとフォトカレントの流出はなくなる。しかし、その時
点では制御トランジスタQ2 はオンしているので、制御
トランジスタQ2 により、トランジスタQ1 のベースに
蓄積されていた電荷は放電され、両トランジスタはオフ
となる。この放電過程において、蓄積されていた電荷が
一定化されていることおよびこの電荷が制御トランジス
タを介して放電されることにより、出力トランジスタの
オフへの遷移時間は一定化され、かつ短縮化される。
【0013】従来の受光ICをフォトカプラ等の受光素
子として組み込んだ場合、フォトカプラの入力電流IF
を5mA〜20mAに変化させた場合の伝搬遅延の変動
は50%程度であったが、本実施例受光ICをフォトカ
プラに組み込み同様な測定をしたところ、伝搬遅延の変
動は20%程度であった。
【0014】図2は、本発明の第2の実施例の等価回路
図である。本実施例では、出力トランジスタQ1 がダー
リントン構成になされている。本実施例は、大電流駆動
の受光ICに対して伝搬遅延の変動を少なくしたもので
ある。
【0015】図3は、本発明の第3の実施例の等価回路
図である。本実施例は、先の実施例に対し、半導体の導
電型を逆にしている外、負荷抵抗をRL1、RL2の2本に
分割し、RL2側に制御トランジスタQ2 のベース、エミ
ッタを接続したものである。本実施例では、第1、第2
の実施例と同様の効果を有する外、出力電圧を高くでき
るという利点がある。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の受光IC
は、フォトダイオード出力の増幅信号が入力される出力
トランジスタのエミッタ側に負荷抵抗を接続し、この負
荷抵抗に制御トランジスタのベース、エミッタを接続し
たものであるので、本発明によれば、フォトダイオード
によって生成されるフォトカレント等の変化に関係なく
出力トランジスタのエミッタ電流を一定化することがで
き、また出力トランジスタのオフ動作時間を短縮するこ
とができる。
【0017】よって、本発明のよれば、フォトカレント
の多少等に関係なく出力トランジスタの立ち上がり、立
ち下がり時間を一定化させることができ、本受光ICを
組み込んだ応用機器の伝搬遅延時間の変動を抑制するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の等価回路図。
【図2】本発明の第2の実施例の等価回路図。
【図3】本発明の第3の実施例の等価回路図。
【図4】従来例の等価回路図。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フォトダイオードと、該フォトダイオー
    ドの出力信号を増幅する増幅器と、該増幅器の出力端子
    にベースが接続され、コレクタが第1の電源に、エミッ
    タが負荷抵抗を介して第2の電源に接続されている出力
    トランジスタと、ベースおよびエミッタが前記負荷抵抗
    に接続されて前記出力トランジスタのエミッタ電流を一
    定に制御している制御トランジスタと、が1チップ内に
    形成されている受光IC。
JP8446992A 1992-03-06 1992-03-06 受光ic Pending JPH05248951A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8446992A JPH05248951A (ja) 1992-03-06 1992-03-06 受光ic

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8446992A JPH05248951A (ja) 1992-03-06 1992-03-06 受光ic

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05248951A true JPH05248951A (ja) 1993-09-28

Family

ID=13831501

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8446992A Pending JPH05248951A (ja) 1992-03-06 1992-03-06 受光ic

Country Status (1)

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JP (1) JPH05248951A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100719395B1 (ko) * 2005-11-23 2007-05-17 주식회사 제이시스메디칼 주름제거용 고주파 핸드피스

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100719395B1 (ko) * 2005-11-23 2007-05-17 주식회사 제이시스메디칼 주름제거용 고주파 핸드피스

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