JPH0524890A - 噴流層造粒設備 - Google Patents
噴流層造粒設備Info
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- JPH0524890A JPH0524890A JP20241391A JP20241391A JPH0524890A JP H0524890 A JPH0524890 A JP H0524890A JP 20241391 A JP20241391 A JP 20241391A JP 20241391 A JP20241391 A JP 20241391A JP H0524890 A JPH0524890 A JP H0524890A
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- Japan
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- raw material
- layer
- material powder
- jet
- spouted bed
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- Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 噴流層造粒炉のアニュラス上部と下部に予熱
原料粉を各別に投入し、夫々の部位に投入される原料粉
の割合を調整して自己造粒の割合を変化させ、製品粒径
を任意に変えることができる噴流層造粒設備を提供する
ことにある。 【構成】 複数段のサイクロンから構成される原料予熱
装置（サスペンションプレヒータ）で予熱された原料粉
を、噴流層造流炉にて造粒する噴流層造粒設備におい
て、予熱，捕集された原料粉を、分配手段を介して上記
噴流層造粒炉の噴動層上部と下部に適当な割合比で分配
投入するようにしたことを特徴とするものである。
原料粉を各別に投入し、夫々の部位に投入される原料粉
の割合を調整して自己造粒の割合を変化させ、製品粒径
を任意に変えることができる噴流層造粒設備を提供する
ことにある。 【構成】 複数段のサイクロンから構成される原料予熱
装置（サスペンションプレヒータ）で予熱された原料粉
を、噴流層造流炉にて造粒する噴流層造粒設備におい
て、予熱，捕集された原料粉を、分配手段を介して上記
噴流層造粒炉の噴動層上部と下部に適当な割合比で分配
投入するようにしたことを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セメントクリンカなど
の粉体を造粒する噴流層造粒設備の造粒粒径制御に関す
る。
の粉体を造粒する噴流層造粒設備の造粒粒径制御に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】複数段のサイクロンから構成されるサス
ペンションプレヒータで予熱されたセメントなどの原料
粉を、噴流層造粒炉にて熱間自己造粒し、粒径２〜３mm
の造粒物を製造する装置は知られている。（例えば、特
開昭６２−２３０６５７号公報，特開昭６３−６０１３
３号公報，特開昭６３−１３４５４０号公報参照）
ペンションプレヒータで予熱されたセメントなどの原料
粉を、噴流層造粒炉にて熱間自己造粒し、粒径２〜３mm
の造粒物を製造する装置は知られている。（例えば、特
開昭６２−２３０６５７号公報，特開昭６３−６０１３
３号公報，特開昭６３−１３４５４０号公報参照）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術のように、噴
流層造粒炉で造粒される造粒物の粒径は、造粒温度によ
って制御していたが、温度制御範囲が狭く、数℃の温度
制御に困難性が認められ、加えて、造粒粒径の制御幅も
比較的狭いという課題がある。また、粒径のを制御した
いのに、焼成の反応温度も変わることから、セメント焼
成の場合などに製品の品質が変化するなどの不都合があ
る。
流層造粒炉で造粒される造粒物の粒径は、造粒温度によ
って制御していたが、温度制御範囲が狭く、数℃の温度
制御に困難性が認められ、加えて、造粒粒径の制御幅も
比較的狭いという課題がある。また、粒径のを制御した
いのに、焼成の反応温度も変わることから、セメント焼
成の場合などに製品の品質が変化するなどの不都合があ
る。
【０００４】更に、噴流層造粒炉のみ、即ち、１炉で２
〜３mmのセメント原料粉を熱間自己造粒することは、造
粒用種核（細粒）の生成量の制御操作と、細粒へのセメ
ント原料粉の付着造粒操作とを同時に行うことであるこ
とから、このような２操作を１炉で同時に、而も、最適
に行うことは非常にむずかしい。そのため、１炉で熱間
自己造粒することは、操作幅がきわめて狭く、操業には
高度の熟練を要するし、また、造粒粒径の制御幅も比較
的狭いという課題もある。
〜３mmのセメント原料粉を熱間自己造粒することは、造
粒用種核（細粒）の生成量の制御操作と、細粒へのセメ
ント原料粉の付着造粒操作とを同時に行うことであるこ
とから、このような２操作を１炉で同時に、而も、最適
に行うことは非常にむずかしい。そのため、１炉で熱間
自己造粒することは、操作幅がきわめて狭く、操業には
高度の熟練を要するし、また、造粒粒径の制御幅も比較
的狭いという課題もある。
【０００５】本発明の目的は、噴流層造粒炉のアニュラ
ス上部と下部に予熱原料粉を各別に投入し、夫々の部位
に投入される原料粉の割合を調整して自己造粒の割合を
変化させ、製品粒径を任意に変えることができる噴流層
造粒設備を提供することにある。
ス上部と下部に予熱原料粉を各別に投入し、夫々の部位
に投入される原料粉の割合を調整して自己造粒の割合を
変化させ、製品粒径を任意に変えることができる噴流層
造粒設備を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】従来技術の課題を解決す
る本発明の構成は、複数段のサイクロンから構成される
原料予熱装置（サスペンションプレヒータ）で予熱され
た原料粉を、噴流層造流炉にて造粒する噴流層造粒設備
において、予熱，捕集された原料粉を、分配手段を介し
て上記噴流層造粒炉の噴動層上部と下部に適当な割合比
で分配投入するようにしたものである。
る本発明の構成は、複数段のサイクロンから構成される
原料予熱装置（サスペンションプレヒータ）で予熱され
た原料粉を、噴流層造流炉にて造粒する噴流層造粒設備
において、予熱，捕集された原料粉を、分配手段を介し
て上記噴流層造粒炉の噴動層上部と下部に適当な割合比
で分配投入するようにしたものである。
【０００７】
【作用】噴流層の上部に投入された原料粉の一部は、噴
流層の周辺部の下降移動層（アニュラス）で二次粒子を
形成し、他は二次粒子表面に付着する。一次粒子である
原料粉が集合して形成された二次粒子は、噴流部（スパ
ウト）内で反応して自己造粒し、粒径がＤｏの種核にな
る。一方、二次粒子の表面に付着する原料粉、即ち、ア
ニュラス下部に投入された原料粉は、スパウト内で反応
し径が増加する。
流層の周辺部の下降移動層（アニュラス）で二次粒子を
形成し、他は二次粒子表面に付着する。一次粒子である
原料粉が集合して形成された二次粒子は、噴流部（スパ
ウト）内で反応して自己造粒し、粒径がＤｏの種核にな
る。一方、二次粒子の表面に付着する原料粉、即ち、ア
ニュラス下部に投入された原料粉は、スパウト内で反応
し径が増加する。
【０００８】定常状態で抜き出した粒子径をＤとする
と、（Ｄｏ／Ｄ）3が原料粉自己造粒した重量割合であ
るため、逆に自己造粒する割合を変えれば、製品粒径を
変えることができる。
と、（Ｄｏ／Ｄ）3が原料粉自己造粒した重量割合であ
るため、逆に自己造粒する割合を変えれば、製品粒径を
変えることができる。
【０００９】
【実施例】次に、図について本発明実施例の詳細を説明
する。図１は、本発明設備の概略説明図、図２は、流動
層造粒炉部の説明図である。
する。図１は、本発明設備の概略説明図、図２は、流動
層造粒炉部の説明図である。
【００１０】１は、複数段のサイクロンＣ２，Ｃ３，Ｃ
４で構成されるサスペンションプレヒータで、このサス
ペンションプレヒータ１を構成するサイクロンＣ３，Ｃ
４を結ぶ管路２に設けた原料投入シュート３からセメン
ト原料粉を投入する。投入されたセメント原料粉は、サ
イクロンＣ４を経てサイクロンＣ３で捕集され、サイク
ロンＣ１の排ガス中に投入されてサイクロンＣ２に導入
せしめられる。サイクロンＣ２で捕集されたセメント原
料粉は、シール弁４を介して電動分配弁５で２つに分流
せしめられる。
４で構成されるサスペンションプレヒータで、このサス
ペンションプレヒータ１を構成するサイクロンＣ３，Ｃ
４を結ぶ管路２に設けた原料投入シュート３からセメン
ト原料粉を投入する。投入されたセメント原料粉は、サ
イクロンＣ４を経てサイクロンＣ３で捕集され、サイク
ロンＣ１の排ガス中に投入されてサイクロンＣ２に導入
せしめられる。サイクロンＣ２で捕集されたセメント原
料粉は、シール弁４を介して電動分配弁５で２つに分流
せしめられる。
【００１１】電動分配弁５で分配された一方のセメント
原料粉は、管路６，投入シュート７を経て噴流層造粒炉
８の噴流層９の上部に、また、他方のセメント原料粉
は、管路１０，投入シュート１１を経て上記噴流層９の
下部に夫々各別に投入される。
原料粉は、管路６，投入シュート７を経て噴流層造粒炉
８の噴流層９の上部に、また、他方のセメント原料粉
は、管路１０，投入シュート１１を経て上記噴流層９の
下部に夫々各別に投入される。
【００１２】上記噴流層９の上部に投入されたセメント
原料粉の一部は、噴流層の周辺部の下降移動層（アニュ
ラス）９ａで二次粒子を形成し、残部は二次粒子の表面
に付着する。一次粒子であるセメント原料粉が集まって
形成される上記二次粒子は、噴流部（スパウト）９ｂ内
で反応して自己造粒し粒径がＤｏの種核になり、図２の
矢印で示すように噴流層９の上部に至りアニュラス９
ａ，スパウト９ｂの順路で循環せしめられる。
原料粉の一部は、噴流層の周辺部の下降移動層（アニュ
ラス）９ａで二次粒子を形成し、残部は二次粒子の表面
に付着する。一次粒子であるセメント原料粉が集まって
形成される上記二次粒子は、噴流部（スパウト）９ｂ内
で反応して自己造粒し粒径がＤｏの種核になり、図２の
矢印で示すように噴流層９の上部に至りアニュラス９
ａ，スパウト９ｂの順路で循環せしめられる。
【００１３】一方、二次粒子の表面に付着したセメント
原料粉は、スパウト９ｂ内で反応し粒径が増加する。定
常状態で抜き出した粒子径をＤとすると、（Ｄｏ／Ｄ ）
3が原料中、自己造粒した重量割合であるため、逆に自
己造粒する割合を変えれば、製品粒径を変えることがで
きる。
原料粉は、スパウト９ｂ内で反応し粒径が増加する。定
常状態で抜き出した粒子径をＤとすると、（Ｄｏ／Ｄ ）
3が原料中、自己造粒した重量割合であるため、逆に自
己造粒する割合を変えれば、製品粒径を変えることがで
きる。
【００１４】アニュラス９ａの上部に投入されたセメン
ト原料粉は、アニュラス９ａ内で二次粒子を形成し、ス
パウト９ｂ内の反応空間で初期核になる割合が多く、こ
れをα１とする。一方、アニュラス９ａの下部に投入さ
れたセメント原料粉は、直ぐにスパウト９ｂに導かれる
ため、二次粒子になる割合が少ない。これをα２とする
と、α１＞α２によってアニュラス９ａの上部と下部に
投入供給するセメント原料粉の割合を変えることによっ
て、径をＤｏα１-1/3からＤｏα２-1/3まで任意の粒子
径をつくることができる。図中１２はバーナである。
ト原料粉は、アニュラス９ａ内で二次粒子を形成し、ス
パウト９ｂ内の反応空間で初期核になる割合が多く、こ
れをα１とする。一方、アニュラス９ａの下部に投入さ
れたセメント原料粉は、直ぐにスパウト９ｂに導かれる
ため、二次粒子になる割合が少ない。これをα２とする
と、α１＞α２によってアニュラス９ａの上部と下部に
投入供給するセメント原料粉の割合を変えることによっ
て、径をＤｏα１-1/3からＤｏα２-1/3まで任意の粒子
径をつくることができる。図中１２はバーナである。
【００１５】投入シュート７，１１から投入供給するセ
メント原料粉の割合を調整することにより得られた所定
径の造粒物は、気密排出装置（Ｌバルブ）１３を介して
流動層焼成炉１４に投入され、そこで更に高温で焼成せ
しめられてクリンカ反応を完結する。クリンカ反応を完
結したセメントクリンカを、流動層クーラ１５で冷却し
たのち、シール弁１６をもつ管路１７から系外に排出回
収する。
メント原料粉の割合を調整することにより得られた所定
径の造粒物は、気密排出装置（Ｌバルブ）１３を介して
流動層焼成炉１４に投入され、そこで更に高温で焼成せ
しめられてクリンカ反応を完結する。クリンカ反応を完
結したセメントクリンカを、流動層クーラ１５で冷却し
たのち、シール弁１６をもつ管路１７から系外に排出回
収する。
【００１６】一方、噴流層造粒炉８で未造粒、あるい
は、二次粒子に付着しなかったセメント原料粉は、サイ
クロンＣ１に飛散捕集され、シール弁１８，電動分配弁
１９を経て上記投入シュート７，１１から噴流層造粒炉
８の噴流層９に投入される。
は、二次粒子に付着しなかったセメント原料粉は、サイ
クロンＣ１に飛散捕集され、シール弁１８，電動分配弁
１９を経て上記投入シュート７，１１から噴流層造粒炉
８の噴流層９に投入される。
【００１７】また、図１に示す押込みブロア２０，２１
により押込まれた空気は、流動層クーラ１５の冷却空
気、または、流動層焼成炉１４の燃焼空気，流動化空気
として用いられ、その後合流して圧力調整用絞り２２を
介し噴流層造粒炉８の噴流管２３に導入される。また、
各炉の燃焼排ガスは、再び合流してサイクロンＣ１に導
入され、サイクロンＣ１の排ガスは、セメント原料粉の
予熱用として用いられ、除塵後大気に放出せしめられ
る。図中２４は、大塊排出部である。
により押込まれた空気は、流動層クーラ１５の冷却空
気、または、流動層焼成炉１４の燃焼空気，流動化空気
として用いられ、その後合流して圧力調整用絞り２２を
介し噴流層造粒炉８の噴流管２３に導入される。また、
各炉の燃焼排ガスは、再び合流してサイクロンＣ１に導
入され、サイクロンＣ１の排ガスは、セメント原料粉の
予熱用として用いられ、除塵後大気に放出せしめられ
る。図中２４は、大塊排出部である。
【００１８】尚、上記電動分配弁５の管路６，１０を投
入シュート７，１１に接続したが、この管路６，１０を
投入シュート構造として、直接噴流層造粒８に接続する
ことも可能であるので、この管路、および、投入シュー
ト構造は図示のものに特定されない。
入シュート７，１１に接続したが、この管路６，１０を
投入シュート構造として、直接噴流層造粒８に接続する
ことも可能であるので、この管路、および、投入シュー
ト構造は図示のものに特定されない。
【００１９】上記実施例は、噴流層９の上，下部に投入
するセメント原料粉の投入割合を変えることにより、製
品粒径を変えることについて説明したが、温度を変えて
粒径を変える手段、滞留量を変えて粒径を変える手段、
造粒物を粉砕し、これを種核としてリサイクルする手段
を併用することも可能である。
するセメント原料粉の投入割合を変えることにより、製
品粒径を変えることについて説明したが、温度を変えて
粒径を変える手段、滞留量を変えて粒径を変える手段、
造粒物を粉砕し、これを種核としてリサイクルする手段
を併用することも可能である。
【００２０】上述のように本発明の構成によれば、次の
ような効果が得られる。 （ａ）噴流層の上部に投入された原料粉の一部は、噴流
層の周辺部の下降移動層（アニュラス）で二次粒子を形
成し、他は二次粒子表面に付着され、スパウト内で反応
して自己造粒し種核とすることができる。一方、アニュ
ラス下部に投入された原料粉は二次粒子に付着しスパウ
ト内で反応し、粒径が増し、これの繰り返し作用により
所要径の造粒物を得ることができる。 （ｂ）噴流層、即ち、アニュラスの上，下部に投入する
原料粉の割合は分配手段によって容易に調整することが
できることから、初期核が発生するアニュラス上部に原
料粉の投入量を多くすると粒子径は小さくなり、逆に、
二次粒子が太るアニュラス下部に多くの原料粉投入する
と粒子径が大きくなることを利用し、任意の温度で任意
の径で造粒することができ、従来技術に比べ、粒径制御
を向上させ、造粒操作の簡略化、および、造粒効率の向
上が図れる。
ような効果が得られる。 （ａ）噴流層の上部に投入された原料粉の一部は、噴流
層の周辺部の下降移動層（アニュラス）で二次粒子を形
成し、他は二次粒子表面に付着され、スパウト内で反応
して自己造粒し種核とすることができる。一方、アニュ
ラス下部に投入された原料粉は二次粒子に付着しスパウ
ト内で反応し、粒径が増し、これの繰り返し作用により
所要径の造粒物を得ることができる。 （ｂ）噴流層、即ち、アニュラスの上，下部に投入する
原料粉の割合は分配手段によって容易に調整することが
できることから、初期核が発生するアニュラス上部に原
料粉の投入量を多くすると粒子径は小さくなり、逆に、
二次粒子が太るアニュラス下部に多くの原料粉投入する
と粒子径が大きくなることを利用し、任意の温度で任意
の径で造粒することができ、従来技術に比べ、粒径制御
を向上させ、造粒操作の簡略化、および、造粒効率の向
上が図れる。
【図１】本発明設備の概略説明図である。
【図２】噴流層造粒炉の概略説明図である。
１ サスペンションプレヒータ ２ 管路 ３ 原料投入シュート ４ シール弁 ５ 電動分配弁 ６ 管路 ７ 投入シュート ８ 噴流層造粒炉 ９ 噴流層 ９ａ 下降移動層（アニュラス） ９ｂ 噴流部（スパウト） １０ 管路 １１ 投入シュート １２ バーナ １３ Ｌバルブ １４ 流動層焼成炉 １５ 流動層クーラ １６ シール弁 １７ 管路 １８ シール弁 １９ 電動分配弁 ２０ 押込みブロア ２１ 押込みブロア ２２ 圧力調整用絞り ２３ 噴流管 ２４ 大塊排出部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 複数段のサイクロンから構成される原料
予熱装置（サスペンションプレヒータ）で予熱された原
料粉を、噴流層造流炉にて造粒する噴流層造粒設備にお
いて、予熱，捕集された原料粉を、分配手段を介して上
記噴流層造粒炉の噴動層上部と下部に適当な割合比で分
配投入するようにしたことを特徴とする噴流層造粒設
備。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03202413A JP3118652B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 噴流層造粒設備 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03202413A JP3118652B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 噴流層造粒設備 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0524890A true JPH0524890A (ja) | 1993-02-02 |
| JP3118652B2 JP3118652B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=16457097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03202413A Expired - Fee Related JP3118652B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 噴流層造粒設備 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3118652B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102219411A (zh) * | 2011-03-24 | 2011-10-19 | 西安建筑科技大学 | 使用卧式旋风筒实现的外循环式高固气比分解反应器 |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP03202413A patent/JP3118652B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3118652B2 (ja) | 2000-12-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |