JPH05245899A - 電動式射出成形機の射出制御方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基準波形に基く射出条件を僅かな記憶容量で
多数記憶する。 【構成】 射出圧力が基準波形と一致するようにフィー
ドバック制御を行ってスクリュー位置をサンプリング
し、スクリュー位置とサンプリング周期との関係を記憶
領域Ｃに格納する（Ｓ１〜Ｓ３）。サンプリングの順に
従ってスクリュー位置を３組ずつ読み出し、前後の位置
関係から各読み出し時における第２のサンプリング位置
におけるスクリュー移動速度の変化率を求め（Ｓ４〜Ｓ
７）、変化率の大きな順にｍ個のスクリュー位置を抽出
した後（Ｓ１４〜Ｓ２４）、該スクリュー位置によって
射出工程におけるスクリュー移動区間を複数に分割する
（Ｓ２５）。各区間毎に（Ｓ２６，Ｓ３１〜Ｓ３２）、
平均的なスクリュー移動速度と最大射出圧力を求めて以
降の射出条件としてメモリに保存することにより（Ｓ２
７〜Ｓ３０）、基準波形に基く射出条件を僅かな記憶容
量で多数記憶すると共に、速度優先の制御で基準波形と
同等の射出特性を再現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電動式射出成形機の射
出制御方式に関する。

【０００２】

【従来の技術】射出開始後の経過時間と射出圧力、また
は、射出開始後のスクリュー位置と射出圧力の基準波形
を制御装置に設定して射出工程でのスクリュー移動を射
出圧力波形が基準波形となるように制御するようにした
電動式射出成形機は、特開平３−５８８２１号公報等に
より既に公知である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】特開平３−５８８２１
号公報等で開示された電動式射出成形機は、ＣＲＴ／Ｍ
ＤＩ等のデータ入力装置を介して射出開始後の経過時間
と射出圧力との関係を示す基準波形を制御装置に設定し
た後、射出開始後の射出圧力の変化が基準波形と一致す
るように実際の射出圧力をフィードバック制御するもの
であるため、安定した射出成形作業を繰り返し実行する
ことができるが、基準波形を再現するために、経過時間
と射出圧力の関係を示す点要素の全てを制御装置に記憶
させていたので、単一の制御装置に多数の成形品の射出
条件を同時に記憶させておくような場合にはメモリの記
憶容量が不足する可能性があった。射出開始後のスクリ
ュー位置と射出圧力の基準波形を制御装置に設定して射
出圧力をフィードバック制御する場合もこれと同様であ
り、スクリュー位置と射出圧力の関係を示す点要素の全
てを制御装置に記憶させるので、やはり、メモリの記憶
容量不足という問題が生じる。そこで、本発明の目的
は、前記従来技術の欠点を解消し、僅かな記憶容量で多
数の成形品の射出条件を記憶することができ、しかも、
基準波形をそのまま記憶した場合と同様に精密な射出成
形作業を行うことのできる電動式射出成形機の射出制御
方式を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明による電動式射出
成形機の射出制御方式は、射出開始後の経過時間と射出
圧力、または、射出開始後のスクリュー位置と射出圧力
の基準波形を制御装置に設定し、射出工程での射出圧力
が前記基準波形と一致するようにスクリュー移動をフィ
ードバック制御した時のスクリュー移動速度の変化を検
出し、略一定のスクリュー移動速度が持続するスクリュ
ー移動区間によって射出開始位置から保圧完了位置まで
の区間を複数に分割すると共に、分割された各移動区間
毎にスクリュー移動速度を求め、各スクリュー移動区間
の開始位置および各開始位置毎のスクリュー移動速度を
射出条件として制御装置に記憶した後、この射出条件に
基いて以降の射出成形作業を行わせることにより前記目
的を達成した。また、分割された各移動区間毎に最大射
出圧力を求め、各スクリュー移動区間の開始位置および
各開始位置毎のスクリュー移動速度と共に各スクリュー
移動区間毎の最大射出圧力を射出条件として制御装置に
記憶することにより、スクリュー移動速度を優先制御し
た時の射出圧力の異常な上昇を抑制し、金型の破損やバ
リの発生を未然に防止した。

【０００５】

【作用】まず、射出開始後の経過時間と射出圧力、また
は、射出開始後のスクリュー位置と射出圧力の基準波形
を制御装置に設定し、該制御装置により、射出工程での
射出圧力が前記基準波形と一致するようにスクリュー移
動のフィードバック制御を開始させる。

【０００６】スクリュー移動のフィードバック制御を開
始した制御装置は、所定周期毎にスクリュー現在位置と
現在射出圧力をサンプリングし、該制御装置内のメモリ
に順次記憶する。

【０００７】１射出工程のフィードバック制御を終了し
た制御装置は、メモリに記憶されたスクリュー位置をサ
ンプリングの順に従って逐次３組ずつ読み出し、読み出
された第１のサンプリング位置から第２のサンプリング
位置に至るスクリュー移動距離と読み出された第２のサ
ンプリング位置から第３のサンプリング位置に至るスク
リュー距離との差を各読み出し時における第２のサンプ
リング位置のスクリュー移動速度の変化率として求め、
変化率の大きな順に所定数のスクリュー位置を抽出し、
該所定数のスクリュー位置によって射出開始位置から保
圧完了位置までの区間を複数に分割する。または、各サ
ンプリング位置におけるスクリュー移動速度の変化率を
求めた後、変化率が設定値を越える全てのスクリュー位
置を抽出し、該抽出したスクリュー位置によって射出開
始位置から保圧完了位置までの区間を複数に分割する。

【０００８】次いで、制御装置は、分割された各移動区
間のスクリュー位置とサンプリング周期数とに基いて各
移動区間毎に平均的なスクリュー移動速度を求め、各ス
クリュー移動区間の開始位置および各開始位置毎のスク
リュー移動速度と各スクリュー移動区間毎の最大射出圧
力を射出条件として記憶し、以降の射出成形作業では、
該記憶した射出条件に基いて射出工程におけるスクリュ
ーの移動を制御する。

【０００９】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は本発明の方式を適用した一実施例の電動式
射出成形機の要部を示すブロック図で、符号１は射出シ
リンダ、符号２はスクリューであり、該スクリュー２
は、プッシャープレート７のボールナット部に螺合した
リードネジ４やリードネジ４と一体のプーリ５に巻回さ
れた動力伝達ベルト６等を介して射出用サーボモータＭ
１により射出軸方向に駆動される。スクリュー２の基部
とプッシャープレート７との間に介装された圧力検出器
３は、スクリュー２の軸方向に作用する樹脂圧力を射出
圧力として検出するようになっており、射出用サーボモ
ータＭ１には、スクリュー２の現在位置を検出するパル
スコーダＰ１が装着されている。なお、符号８は射出成
形金型である。

【００１０】射出成形機の制御装置１００は、数値制御
およびサーボ制御用のマイクロプロセッサ等を備えたＮ
Ｃ用制御部１０７と、プログラマブルマシンコントロー
ラ用のマイクロプロセッサ等を備えたシーケンス制御部
１０４、および、樹脂に加わる圧力の測定や後述する
「射出条件検出設定処理」等の処理を行うためのマイク
ロプロセッサを備えた計測用制御部１０５、並びに、表
示制御用のマイクロプロセッサを備えた表示制御部１１
４を有し、バス１１１を介して相互の入出力を選択する
ことにより各制御部間での情報伝達が行えるようになっ
ている。また、シーケンス制御部１０４には、射出成形
機のシーケンス動作を制御するシーケンスプログラム等
を記憶したＲＯＭや演算データの一時記憶等に利用され
るＲＡＭ等によって構成されるメモリ１０８と、射出成
形機の各部に配備したリミットスイッチや操作盤からの
信号を受信したり射出成形機の周辺機器等に各種の指令
を伝達したりするための入出力インターフェイス１０１
が接続される。ＮＣ用制御部１０７には、射出成形機を
全体的に制御するプログラム等を記憶したＲＯＭや射出
成形機の各種動作を指令するＮＣプログラムおよび各種
設定値，パラメータ，マクロ変数等を記憶する不揮発性
のメモリや、演算データの一時記憶等に利用されるＲＡ
Ｍ等によって構成されるメモリ１１０と、各軸のサーボ
制御用マイクロプロセッサからの指令に基いて型締め
用，スクリュー回転用，エジェクタ用および射出用等の
各軸のサーボモータを駆動するサーボアンプが接続され
いる（図１では射出用サーボモータＭ１のサーボアンプ
１０３のみを表示）。メモリ１１０の不揮発性メモリに
は、制御装置１００に外部から入力された基準波形、即
ち、経過時間と射出圧力の関係を示す点要素の全て、ま
たは、スクリュー位置と射出圧力の関係を示す点要素の
全てを記憶する１組の初期条件記憶領域と、スクリュー
移動区間の開始位置および開始位置毎のスクリュー移動
速度と最大射出圧力とを対応させて射出条件として記憶
する多数組の射出条件記憶領域が設けられている。

【００１１】そして、ＮＣ用制御部１０７のマイクロプ
ロセッサがメモリ１１０に書き込んだデータをシーケン
ス制御部１０４のマイクロプロセッサが所定周期毎にメ
モリ１１０から読取ってメモリ１０８に格納する一方、
シーケンス制御部１０４のマイクロプロセッサがメモリ
１０８に書き込んだデータをＮＣ用制御部１０７のマイ
クロプロセッサが所定周期毎にメモリ１０８から読取っ
てメモリ１１０に格納することにより、ＮＣ用制御部１
０７およびシーケンス制御部１０４のマイクロプロセッ
サが利用する各種のデータが前記メモリ１１０，１０８
に共に記憶されるようになっている。

【００１２】また、射出用サーボモータＭ１に配備した
パルスコーダＰ１からの出力はＮＣ用制御部１０７に入
力され、パルスコーダＰ１からのフィードバックパルス
に基いて算出されたスクリュー２の現在位置がメモリ１
１０の現在位置記憶レジスタに常時更新記憶されるよう
になっている。射出工程（いわゆる保圧工程全般を含
む）において圧力検出器３から出力される射出圧力の現
在値は、Ａ／Ｄ変換器１０２を介して所定のサンプリン
グ周期毎に計測用制御部１０５に入力されているる。計
測用制御部１０５のマイクロプロセッサはサンプリング
した射出圧力と該サンプリング周期に同期してメモリ１
１０の現在位置記憶レジスタに記憶するスクリュー２の
現在位置およびそのサンプリング時におけるトルク指令
値を読み出し、該サンプリング周期毎に射出圧力の現在
値Ｐ（ｘ）とスクリュー２の現在位置Ｑ（ｘ）および射
出用サーボモータＭ１へのトルク指令値Ｔ（ｘ）を対応
させて最大Ｎ個まで前記ＲＡＭ１０９の書き込み・表示
データ記憶領域（以下、単に記憶領域という）に記憶す
る。

【００１３】図５において概念的に示すように、ＲＡＭ
１０９には２組の記憶領域ＡおよびＢが設けられてお
り、１射出工程が完了する毎に記憶領域ＡとＢの間で表
示ポインタと書き込みポインタが交互に移動して、前記
３種のサンプリングデータの記憶先が選択されるように
なっている。例えば、図６に示されるように、連続射出
成形作業を行っているときの第１回目の射出工程で記憶
領域Ａに書き込みポインタが設定され、記憶領域Ｂに表
示ポインタが設定されていたとすれば、第２回目の射出
工程では、記憶領域Ａに表示ポインタが設定され、記憶
領域Ｂには書き込みポインタが設定されることとなる。
計測用制御部１０５のマイクロプロセッサは書き込みポ
インタが設定されている側の記憶領域ＡまたはＢを選択
して前記３種のサンプリングデータを記憶するので、記
憶領域ＡまたはＢに記憶された１射出工程分のサンプリ
ングデータは次の次の１射出工程が開始されるまでの間
ＲＡＭ１０９内に保持される。例えば、図６における第
１回目の射出工程で記憶領域Ａに記憶されたサンプリン
グデータは第３回目の射出工程が開始されるまで、その
状態を維持して該記憶領域Ａに保持されることとなる。
つまり、現時点で表示ポインタが設定されている側の記
憶領域は、直前に完了した１射出工程のサンプリングデ
ータを保存する記憶領域であり、一方、現時点で書き込
みポインタが設定されている側の記憶領域は、実行中の
１射出工程のサンプリングデータを新たに記憶する記憶
領域である。

【００１４】更に、実際の射出動作による射出開始後の
経過時間と射出圧力およびスクリュー位置の関係をグラ
フ表示するための高速モニタ機能が選択されている状態
では、表示制御部１１４のマイクロプロセッサの処理に
より、表示ポインタが設定されている側の記憶領域Ａま
たはＢのサンプリングデータに基いて、水平軸をサンプ
リング周期数〔ｉ〕として各サンプリング周期に対応す
る射出圧力Ｐ（ｘ−１）〔ｉ〕およびスクリュー位置Ｑ
（ｘ−１）〔ｉ〕がＣＲＴ表示装置付手動データ入力装
置１１８の表示画面に図３のような状態で表示される。
なお、図３では実線による線図でサンプリング周期数
（射出開始後の経過時間）と射出圧力との関係を示し、
また、一点鎖線による線図でサンプリング周期数とスク
リュー位置との関係を示している。

【００１５】ＮＣ用制御部１０７の数値制御用マイクロ
プロセッサはＮＣプログラムに基づいて各軸のサーボモ
ータにパルス分配を行い、サーボ制御用マイクロプロセ
ッサは、各軸にパルス分配された移動指令とパルスコー
ダＰ１で検出された位置のフィードバック信号とに基づ
いて、従来と同様に位置ループ制御，速度ループ制御お
よび電流ループ制御等のディジタルサーボ制御を行う。
なお、射出工程を圧力フィードバック制御モードにした
ときには数値制御用マイクロプロセッサが各処理周期毎
に初期条件記憶領域の基準圧力波形に基いて圧力指令を
出力し、サーボ制御用マイクロプロセッサは圧力検出器
３で検出された樹脂圧力がこの指令圧力と一致するよう
に制御する。

【００１６】１１８はＣＲＴ／ＭＤＩインターフェイス
１１７を介して表示制御部１１４に接続されたＣＲＴ表
示装置付手動データ入力装置（以下、ＣＲＴ／ＭＤＩと
いう）であり、ＣＲＴ表示画面上に各種設定画面や作業
メニューを表示したり、各種操作キー（ソフトキーやテ
ンキー等）を操作することにより様々な設定データの入
力や設定画面の選択ができるようになっており、ソフト
キーの操作によって高速モニタ機能が選択されると、前
述の処理により、直前に実行された射出工程における経
過時間と射出圧力およびスクリュー位置の関係をグラフ
表示する。

【００１７】１１２はホストコンピュータを接続するた
めのシリアルインターフェイスであり、セルコントロー
ラとしてのホストコンピュータ１１５との間で各種情報
の入出力を行う。ホストコンピュータ１１５には、作業
場内に併設された射出成形機毎の制御装置が多数接続さ
れており、ホストコンピュータ１１５と各射出成形機の
制御装置１００との間で、成形条件や作業スケジュール
およびショット数データ等の入出力が行われるようにな
っている。また、１１３はデータのハードコピーを出力
するプリンタやプロッタ１１６を接続するためのインタ
ーフェイスである。

【００１８】以上のような構成において、メモリ１１０
の不揮発性メモリ部に記憶されたＮＣプログラムや設定
メモリ部に記憶された各種成形条件、および、メモリ１
０８に格納されたシーケンスプログラム等により、シー
ケンス制御部１０４がシーケンス制御を行いながら、Ｎ
Ｃ用制御部１０７の数値制御マイクロプロセッサが射出
成形機各軸のサーボモータにパルス分配し、サーボ制御
用マイクロプロセッサがディジタルサーボ制御を行って
射出成形機を駆動制御するものである。

【００１９】本発明は、与えられた基準波形のデータ、
即ち、経過時間と射出圧力の関係を示す点要素の全て、
または、スクリュー位置と射出圧力の関係を示す点要素
の全てを制御装置１００に恒常的に記憶させる代わり
に、該基準波形のデータを実質的にこれと同等な内容を
有する他の縮小データに変換して制御装置１００に記憶
させることによってメモリの記憶領域を節約しようとす
るものである。よって、与えられた基準波形のデータを
一旦射出成形機に設定して圧力フィードバック制御モー
ドで射出圧力優先の射出工程を実際に実施し、この段階
で縮小データを得るためのサンプリング処理を行う必要
があるが、基準波形のデータを制御装置１００に設定す
る時の処理については、特開昭３−５８８２１号公報等
で既に公知である。また、本願出願人が特願平３−１５
９５９号で提案した、良品を成形したときに検出した実
際の圧力波形を基準波形として設定する方法、さらに、
類似する金型に対して設定された圧力波形を修正して基
準波形を設定する方法を適用して基準波形のデータを制
御装置１００に設定しても良い。

【００２０】そして、オペレータが基準波形のデータを
制御装置１００に設定した後、射出成形機を圧力フィー
ドバック制御モードにして射出成形動作を行わせると、
数値制御用マイクロプロセッサは初期条件記憶領域の基
準波形に基いて各処理周期毎に基準波形に基いて圧力指
令を出力し、サーボ制御用マイクロプロセッサは圧力検
出器３で検出された樹脂圧力がこの指令圧力と一致する
ように射出用サーボモータＭ１を駆動制御してスクリュ
ー２を射出移動させる。この間、計測用制御部１０５の
マイクロプロセッサは、前述の処理により、書き込みポ
インタが設定されている側の記憶領域ＡまたはＢに、サ
ンプリング周期毎、射出圧力の現在値Ｐ（ｘ）とスクリ
ュー２の現在位置Ｑ（ｘ）および射出用サーボモータＭ
１へのトルク指令値Ｔ（ｘ）を対応させて記憶してゆ
く。

【００２１】一般に、射出成形作業を開始した直後の段
階で射出成形機各部の動作が安定するわけではないか
ら、オペレータは射出成形機を自動運転状態として基準
波形に基く射出成形作業を連続的に実行させ、この間、
前述の高速モニタ機能によりＣＲＴ／ＭＤＩ１１８の表
示画面に図３に示されるようなモニタ画面を表示させ、
１射出工程毎に切り替え表示されるグラフを参照して射
出動作の安定状態を監視し、射出動作が安定したことを
確認した段階で、ＣＲＴ／ＭＤＩ１１８の設定変換キー
（ソフトキー）を操作する。

【００２２】図１０〜図１３はＲＯＭ１０６に記憶され
た「射出条件検出設定処理」の概略を示すフローチャー
トであり、この処理は、前述の高速モニタ機能が選択さ
れた状態で、計測用制御部１０５のマイクロプロセッサ
（以下、ＭＰＵという）により繰り返し実行されてい
る。

【００２３】ステップＳ１の判別処理でオペレータによ
る設定変換キーの操作を検出したＭＰＵは、まず、表示
ポインタのセットされている記憶領域ＡまたはＢから直
前の１射出工程のサンプリングデータとその個数ｎ（ｎ
≦Ｎ）を読み込んでＲＡＭ１０９の記憶領域Ｃに一旦格
納する（ステップＳ２，図５参照）。次に、各サンプリ
ング位置におけるスクリュー移動速度変化量の絶対値を
上位から順に所定の数ｍだけ記憶するＲＡＭ１０９内の
変化率記憶ファイルＦｘ（図７参照）の各データを０に
初期化する（ステップＳ３）。そして、サンプリングデ
ータ検索指標ｉに初期値２をセットした後（ステップＳ
４）、該検索指標ｉの値に基いて、記憶領域Ｃから第
〔ｉ−１〕番目，第〔ｉ〕番目，第〔ｉ＋１〕番目の各
サンプリング周期に対応して記憶されたスクリュー位置
Ｑ（ｘ−１）〔ｉ−１〕，Ｑ（ｘ−１）〔ｉ〕，Ｑ（ｘ
−１）〔ｉ＋１〕を読み込み（ステップＳ５）、スクリ
ュー２がサンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔ｉ−１〕から
サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔ｉ〕まで移動した時の
平均移動速度Ｑ（ｘ−１）〔ｉ〕−Ｑ（ｘ−１）〔ｉ−
１〕と、サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔ｉ〕からサン
プリング位置Ｑ（ｘ−１）〔ｉ＋１〕まで移動した時の
平均移動速度Ｑ（ｘ−１）〔ｉ＋１〕−Ｑ（ｘ−１）
〔ｉ〕を求め、後者の値から前者の値を減じることによ
りサンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔ｉ〕を基準とするス
クリュー移動速度変化量の絶対値Δｘを算出する（ステ
ップＳ６）。なお、Ｑ（ｘ−１）〔ｉ〕−Ｑ（ｘ−１）
〔ｉ−１〕およびＱ（ｘ−１）〔ｉ＋１〕−Ｑ（ｘ−
１）〔ｉ〕は距離の変化量であって厳密な意味での移動
速度ではないが、平均移動速度を算出するときの分母と
なるサンプリング周期が共通であるから、距離の変化量
自体を平均移動速度として扱っている。

【００２４】従って、ステップＳ５およびステップＳ６
の処理を初めて実行する段階では、スクリュー２が第１
回目のサンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔１〕から第２回
目のサンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔２〕まで移動した
時の平均移動速度と、第２回目のサンプリング位置Ｑ
（ｘ−１）〔２〕から第３回目のサンプリング位置Ｑ
（ｘ−１）〔３〕まで移動した時の平均移動速度が求め
られ、第２回目のサンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔２〕
を基準とするスクリュー移動速度変化量の絶対値Δｘが
算出されることとなる。

【００２５】次いで、ＭＰＵは変化率記憶ファイル検索
指標ｊに初期値〔ｍ−１〕をセットし（ステップＳ
７）、該指標ｊの値に基いて変化率記憶ファイルＦｘの
第〔ｊ〕番目のアドレスに記憶されたスクリュー移動速
度変化量の絶対値Ｑｙ〔ｊ〕を読み込み（ステップＳ１
４）、スクリュー移動速度変化量の絶対値Ｑｙ〔ｊ〕と
Δｘとの大小関係を比較するが（ステップＳ１５）、ス
クリュー移動速度変化量の絶対値Δｘの値がスクリュー
移動速度変化量の絶対値Ｑｙ〔ｊ〕の値よりも大きけれ
ば、更に、変化率記憶ファイル検索指標ｊの現在値が２
以下になっているか否かを判別する（ステップＳ１
６）。そして、変化率記憶ファイル検索指標ｊの現在値
が２以下になっていなければ、該指標ｊの値を１ディク
リメントした後（ステップＳ１７）、ステップＳ１４の
処理へと復帰して、以下、スクリュー移動速度変化量の
絶対値Δｘの値がスクリュー移動速度変化量の絶対値Ｑ
ｙ〔ｊ〕の値よりも小さくなるか（ステップＳ１５の判
別結果が偽）、または、変化率記憶ファイル検索指標ｊ
の値が２以下になるまでの間（ステップＳ１６の判別結
果が真）、前記と同様にしてステップＳ１４〜ステップ
Ｓ１７の処理を繰り返し実行する。

【００２６】変化率記憶ファイルＦｘを初期化した直後
の段階では、該ファイルＦｘに記憶されているスクリュ
ー移動速度変化量の絶対値Ｑｙ〔ｊ〕（但し、ｊは１〜
ｍの整数）の全てが０にセットされているので、ＭＰＵ
は、ステップＳ１６の判別結果が真となった段階でステ
ップＳ１４〜ステップＳ１７の処理ループを抜け、変化
率記憶ファイルＦｘの第〔ｊ〕番目以降のアドレスに記
憶されている全てのデータを１アドレスずつ後位にシフ
トし（ステップＳ２０）、変化率記憶ファイル検索指標
ｊの現在値に基いて、該ファイルＦｘの第〔ｊ〕番目の
アドレスにスクリュー移動速度変化量の絶対値Δｘとサ
ンプリングデータ検索指標ｉの現在値を対応させて記憶
する（ステップＳ２１）。現時点では、変化率記憶ファ
イル検索指標ｊの値が２、サンプリングデータ検索指標
ｉの値が２であるから、まず、変化率記憶ファイルＦｘ
の第２番目のアドレスに、第２回目のサンプリング位置
Ｑ（ｘ−１）〔２〕を基準とするスクリュー移動速度変
化量の絶対値Δｘと、サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）
〔２〕に対応する記憶領域Ｃのサンプリングアドレスの
値２が記憶され、ファイルＦｘにおける別のアドレスの
データは全て０に保持される。

【００２７】次いで、ＭＰＵはサンプリングデータ検索
指標ｉの値を１インクリメントし（ステップＳ２２）、
該指標ｉの現在値が記憶領域Ｃにおけるサンプリングデ
ータの個数ｎに達しているか否かを判別する（ステップ
Ｓ２３）。

【００２８】そして、サンプリングデータ検索指標ｉの
値がサンプリングデータの個数ｎに達していなければ、
ＭＰＵは再びステップＳ５の処理に復帰し、該指標ｉの
現在値に基いて再び前記と同様の処理を繰り返し実行
し、第２番目，第３番目，第４番目の各サンプリング周
期に対応して記憶されたスクリュー位置Ｑ（ｘ−１）
〔２〕，Ｑ（ｘ−１）〔３〕，Ｑ（ｘ−１）〔４〕の値
を記憶領域Ｃから読み込み（ステップＳ５）、スクリュ
ー２がサンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔２〕からサンプ
リング位置Ｑ（ｘ−１）〔３〕まで移動した時の平均移
動速度とサンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔３〕からサン
プリング位置Ｑ（ｘ−１）〔４〕まで移動した時の平均
移動速度を求め、サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔３〕
を基準とするスクリュー移動速度変化量の絶対値Δｘを
求めて（ステップＳ６）、再び変化率記憶ファイル検索
指標ｊに初期値〔ｍ−１〕をセットし（ステップＳ
７）、変化率記憶ファイルＦｘの第〔ｊ〕番目のアドレ
スに記憶されたスクリュー移動速度変化量の絶対値Ｑｙ
〔ｊ〕を読み込み（ステップＳ１４）、スクリュー移動
速度変化量の絶対値Ｑｙ〔ｊ〕とΔｘとの大小関係を比
較する（ステップＳ１５）。

【００２９】現時点では、変化率記憶ファイルＦｘの第
３番目のアドレスから第〔ｍ−１〕番目のアドレスのデ
ータは全て０であるから、変化率記憶ファイル検索指標
ｊの値が３になるまでの間、ステップＳ１４〜ステップ
Ｓ１７の処理ループが無条件で繰り返される。そして、
ステップＳ１７の処理でディクリメントされた変化率記
憶ファイル検索指標ｊの値が２となり、変化率記憶ファ
イルＦｘの第２番目のアドレスに記憶されているスクリ
ュー移動速度変化量の絶対値Ｑｙ〔２〕、即ち、サンプ
リング位置Ｑ（ｘ−１）〔２〕を基準とするスクリュー
移動速度変化量の絶対値がステップＳ１４の処理で読み
出されると、ＭＰＵは、サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）
〔３〕を基準とするスクリュー移動速度変化量の絶対値
Δｘとサンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔２〕を基準とす
るスクリュー移動速度変化量の絶対値Ｑｙ〔２〕との大
小関係を比較することとなる（ステップＳ１５）。

【００３０】そして、サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）
〔３〕を基準とするスクリュー移動速度変化量の絶対値
Δｘがサンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔２〕を基準とす
るスクリュー移動速度変化量の絶対値Ｑｙ〔２〕よりも
大きければ、ＭＰＵは前記と同様に、変化率記憶ファイ
ル検索指標ｊの現在値が２以下になっているか否かを判
別するが（ステップＳ１６）、この場合判別結果は真と
なるから、変化率記憶ファイルＦｘの第２番目以降のア
ドレスに記憶されている全てのデータを１アドレスずつ
後位にシフトした後（ステップＳ２０）、変化率記憶フ
ァイル検索指標ｊの現在値に基いて、該ファイルＦｘの
第２番目のアドレスにサンプリング位置Ｑ（ｘ−１）
〔３〕を基準とするスクリュー移動速度変化量の絶対値
Δｘとサンプリングデータ検索指標ｉの現在値、即ち、
サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔３〕に対応するサンプ
リングアドレスの値３を対応させて記憶する（ステップ
Ｓ２１）。つまり、変化率記憶ファイルＦｘの第２番目
のアドレスには、サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔３〕
を基準とするスクリュー移動速度変化量の絶対値Δｘと
サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔３〕に対応する記憶領
域Ｃのサンプリングアドレスの値３（スクリュー移動速
度変化量の絶対値が大きい方）が記憶され、また、変化
率記憶ファイルＦｘの第３番目のアドレスには、サンプ
リング位置Ｑ（ｘ−１）〔２〕を基準とするスクリュー
移動速度変化量の絶対値とサンプリング位置Ｑ（ｘ−
１）〔２〕に対応する記憶領域Ｃのサンプリングアドレ
スの値２（スクリュー移動速度変化量の絶対値が小さい
方）が記憶されることとなる。

【００３１】一方、ステップＳ１５の判別結果が偽とな
った場合、即ち、サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔２〕
を基準とするスクリュー移動速度変化量の絶対値Ｑｙ
〔２〕がサンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔３〕を基準と
するスクリュー移動速度変化量の絶対値Δｘよりも大き
かった場合は、ＭＰＵは、次いで、変化率記憶ファイル
検索指標ｊの現在値が変化率記憶ファイルＦｘの最大記
憶数ｍより１を減じた値と一致しているか否かを判別す
るが（ステップＳ１８）、現段階では変化率記憶ファイ
ル検索指標ｊの値が２であって判別結果が偽となるの
で、ＭＰＵは変化率記憶ファイル検索指標ｊの値を１イ
ンクリメントし（ステップＳ１９）、変化率記憶ファイ
ルＦｘの第３番目以降のアドレスに記憶されている全て
のデータを１アドレスずつ後位にシフトした後（ステッ
プＳ２０）、変化率記憶ファイル検索指標ｊの現在値に
基いて、該ファイルＦｘの第３番目のアドレスにサンプ
リング位置Ｑ（ｘ−１）〔３〕を基準とするスクリュー
移動速度変化量の絶対値Δｘとサンプリングデータ検索
指標ｉの現在値３を対応させて記憶する（ステップＳ２
１）。つまり、変化率記憶ファイルＦｘの第２番目のア
ドレスには、サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）〔２〕を基
準とするスクリュー移動速度変化量の絶対値とサンプリ
ング位置Ｑ（ｘ−１）〔２〕に対応する記憶領域Ｃのサ
ンプリングアドレスの値２（スクリュー移動速度変化量
の絶対値が大きい方）がそのまま保持され、また、変化
率記憶ファイルＦｘの第３番目のアドレスには、サンプ
リング位置Ｑ（ｘ−１）〔３〕を基準とするスクリュー
移動速度変化量の絶対値Δｘとサンプリング位置Ｑ（ｘ
−１）〔３〕に対応する記憶領域Ｃのサンプリングアド
レスの値３（スクリュー移動速度変化量の絶対値が小さ
い方）が新たに記憶されることとなる。

【００３２】以下、ＭＰＵは、ステップＳ２３の判別処
理でサンプリングデータ検索指標ｉの値が記憶領域Ｃに
おけるサンプリングデータの個数ｎに達したことが確認
されるまでの間、ステップＳ２２の判別処理でサンプリ
ングデータ検索指標ｉの値を順次インクリメントしてス
テップＳ５〜ステップＳ７およびステップＳ１４〜ステ
ップＳ２１の処理を繰り返し実行し、サンプリング位置
Ｑ（ｘ−１）〔ｉ〕を基準とするスクリュー移動速度変
化量の絶対値Δｘを求める毎に（ステップＳ５〜ステッ
プＳ６）、変化率記憶ファイルＦｘに既に記憶されてい
るスクリュー移動速度変化量の絶対値を該ファイルＦｘ
の後位側から順に読み出して、サンプリング位置Ｑ（ｘ
−１）〔ｉ〕を基準とするスクリュー移動速度変化量の
絶対値Δｘとの大小関係を比較し（ステップＳ１４〜ス
テップＳ１７）、スクリュー移動速度変化量の絶対値が
大きい順に、その移動速度変化量の絶対値とこれに対応
する記憶領域Ｃのサンプリングアドレスの値を対応さ
せ、順次、変化率記憶ファイルＦｘの先頭側から記憶し
てゆく（ステップＳ１８〜ステップＳ２１）。

【００３３】つまり、ステップＳ１４〜ステップＳ１７
の処理ループを繰り返し実行している間にステップＳ１
６の判別結果が真となった場合には、変化率記憶ファイ
ルＦｘに既に記憶されているスクリュー移動速度変化量
の絶対値のどれと比べても今回の処理で求められたスク
リュー移動速度変化量の絶対値Δｘの方が大きいことを
意味するので、ＭＰＵは、変化率記憶ファイルＦｘの第
２番目以降のアドレスに既に記憶されているスクリュー
移動速度変化量の絶対値とこれに対応する記憶領域Ｃの
サンプリングアドレスの値を全て１アドレスずつ後位に
シフトした後、今回の処理で求められたスクリュー移動
速度変化量の絶対値Δｘとこれに対応する記憶領域Ｃの
サンプリングアドレスの値を変化率記憶ファイルＦｘの
第２番目のアドレスに記憶する（ステップＳ２０〜ステ
ップＳ２１）。

【００３４】また、ステップＳ１４〜ステップＳ１７の
処理ループを繰り返し実行している間にステップＳ１５
の判別結果が偽となった場合には、今回の処理で求めら
れたスクリュー移動速度変化量の絶対値Δｘの値が変化
率記憶ファイルＦｘの第〔ｊ＋１〕番目のアドレスに記
憶されているスクリュー移動速度変化量の絶対値よりも
大きく、かつ、第〔ｊ〕番目のアドレスに記憶されてい
るスクリュー移動速度変化量の絶対値よりは小さいこと
を意味する。しかし、今回の処理で求められたスクリュ
ー移動速度変化量の絶対値Δｘの値が、変化率記憶ファ
イルＦｘの最後のアドレスに記憶されたスクリュー移動
速度変化量の絶対値Ｑｙ〔ｍ−１〕よりも小さな値であ
れば、今回の処理で求められたスクリュー移動速度変化
量の絶対値Δｘが上位（ｍ−２）個に達していないこと
を意味するので、該スクリュー移動速度変化量の絶対値
Δｘを変化率記憶ファイルＦｘに登録する必要はない。
一方、今回求めた絶対値Δｘの値が変化率記憶ファイル
Ｆｘの最後のアドレスに記憶されたスクリュー移動速度
変化量の絶対値Ｑｙ〔ｍ−１〕よりも大きな値であった
とするなら、今回の処理で求められたスクリュー移動速
度変化量の絶対値Δｘが上位（ｍ−２）個の範囲に位置
することを意味するので、該スクリュー移動速度変化量
の絶対値Δｘを変化率記憶ファイルＦｘにおける第〔ｊ
＋１〕番目のアドレスに割り込ませて登録する必要があ
る。

【００３５】そこで、ステップＳ１５の判別結果が偽と
なった場合、ＭＰＵは、該ステップＳ１５の判別処理で
比較の対象となっていたスクリュー移動速度変化量の絶
対値Ｑｙ〔ｊ〕が変化率記憶ファイルＦｘの最後のアド
レスに記憶されていたものであるか否かを判別するた
め、更に、変化率記憶ファイル検索指標ｊの現在値が
（ｍ−１）と一致しているか否かを判別することとなる
（ステップＳ１８）。この時、変化率記憶ファイル検索
指標ｊの現在値が（ｍ−１）以外の値であれば、前述し
たように、今回の処理で求められたスクリュー移動速度
変化量の絶対値Δｘを変化率記憶ファイルＦｘにおける
第〔ｊ＋１〕番目のアドレスに割り込ませて登録する必
要があるので、ＭＰＵは変化率記憶ファイル検索指標ｊ
の値を１インクリメントして（ステップＳ１９）、変化
率記憶ファイルＦｘの第〔ｊ〕番目以降のアドレスに既
に記憶されているスクリュー移動速度変化量の絶対値と
これに対応する記憶領域Ｃのサンプリングアドレスの値
を全て１アドレスずつ後位にシフトした後、今回の処理
周期で求められたスクリュー移動速度変化量の絶対値Δ
ｘとこれに対応する記憶領域Ｃのサンプリングアドレス
の値を変化率記憶ファイルＦｘの第〔ｊ〕番目のアドレ
ス、即ち、ステップＳ１５で検出されたアドレス位置
〔ｊ〕を基準として〔ｊ＋１〕の位置に記憶する（ステ
ップＳ２０〜ステップＳ２１）。

【００３６】また、今回の処理で求められたスクリュー
移動速度変化量の絶対値Δｘが変化率記憶ファイルＦｘ
の第〔ｍ−１〕番目のアドレスに記憶されたスクリュー
移動速度変化量の絶対値よりも小さいと判別された場
合、即ち、ステップＳ１５の判別結果が偽でステップＳ
１８の判別結果が真となった場合には、前述したよう
に、今回の処理で求められたスクリュー移動速度変化量
の絶対値Δｘが上位（ｍ−２）個に達していないことを
意味するので、ファイルＦｘへの記憶の必要はなく、ス
テップＳ１９〜ステップＳ２１の処理は非実行とされ
る。

【００３７】従って、サンプリング位置Ｑ（ｘ−１）
〔ｉ〕（但し、ｉは２〜ｎ−１の整数）の全てに対して
ステップＳ５〜ステップＳ７およびステップＳ１４〜ス
テップＳ２１の処理が完了してステップＳ２３の判別結
果が偽となった段階では、変化率記憶ファイルＦｘの第
２番目のアドレスから第〔ｍ−１〕番目のアドレスの間
に、スクリュー移動速度変化量の絶対値が大きなサンプ
リングアドレスの値が、変化量の大きさに従って上位か
ら順に〔ｍ−２〕個だけ記憶されることとなる。また、
変化率記憶ファイルＦｘに記憶されていないサンプリン
グアドレスに対応する位置でのスクリュー移動速度変化
量の値は比較的小さなものであるから、変化率記憶ファ
イルＦｘに記憶されたサンプリングアドレスで分割され
る各区間でのスクリュー移動速度は略一定と見做すこと
ができる。

【００３８】例えば、現段階で記憶領域Ｃに記憶されて
いる射出圧力およびスクリュー位置のサンプリングデー
タとサンプリングアドレスとの関係が図２に示されるよ
うな状態にあり、サンプリングアドレスＤｂのスクリュ
ー位置Ｑｂにおけるスクリュー移動速度変化量の絶対値
ΔＱｂ，サンプリングアドレスＤｄのスクリュー位置Ｑ
ｄにおけるスクリュー移動速度変化量の絶対値ΔＱｄ，
サンプリングアドレスＤａのスクリュー位置Ｑａにおけ
るスクリュー移動速度変化量の絶対値ΔＱａ，サンプリ
ングアドレスＤｃのスクリュー位置Ｑｃにおけるスクリ
ュー移動速度変化量の絶対値ΔＱｃがこの順に大きなも
のであったとすれば、変化率記憶ファイルＦｘの最大記
憶数ｍの値が６の場合、変化率記憶ファイルＦｘの記憶
内容は図８に示されるような状態になる。変化率記憶フ
ァイルＦｘは各サンプリング時のスクリュー位置におけ
るスクリュー移動速度変化量の絶対値の大小に基いて、
移動速度変化量の大きなサンプリングアドレスを上位か
ら順に〔ｍ−２〕個だけ記憶するものであるから、サン
プリングアドレス自体の並びは時系列と無関係であり、
また、該ファイルＦｘに射出開始時や射出完了時のサン
プリングアドレスが記憶されているという保証もない。

【００３９】そこで、ステップＳ２３の処理ループを抜
けて全てのサンプリング位置に対して前述の処理を完了
したＭＰＵは、変化率記憶ファイルＦｘの第１番目のア
ドレスに射出開始時のサンプリングアドレス１を記憶さ
せ、かつ、変化率記憶ファイルＦｘの第〔ｍ〕番目のア
ドレスに射出完了時のサンプリングアドレスｎを記憶さ
せた後（ステップＳ２４）、サンプリングアドレスのオ
ーダーに基いてファイルＦｘをソーティングして、図９
に示されるように、サンプリングアドレスの小さい順に
サンプリングアドレスの並べ変えを行う（ステップＳ２
５）。

【００４０】次いで、ＭＰＵは変化率記憶ファイル検索
指標ｊに１を再設定して（ステップＳ２６）、変化率記
憶ファイルＦｘの第〔ｊ〕番目のアドレスに記憶された
サンプリングアドレスＴｙ〔ｊ〕に対応するスクリュー
位置Ｑ（ｘ−１）［Ｔｙ〔ｊ〕］と変化率記憶ファイル
Ｆｘの第〔ｊ＋１〕番目のアドレスに記憶されたサンプ
リングアドレスＴｙ〔ｊ＋１〕に対応するスクリュー位
置Ｑ（ｘ−１）［Ｔｙ〔ｊ＋１〕］を記憶領域Ｃから読
み込み（ステップＳ２７）、この区間におけるスクリュ
ー２の移動量Ｑ（ｘ−１）［Ｔｙ〔ｊ＋１〕］−Ｑ（ｘ
−１）［Ｔｙ〔ｊ〕］と所用時間［Ｔｙ〔ｊ＋１〕−Ｔ
ｙ〔ｊ〕］・Δｔ（但し、Δｔはサンプリング周期）と
に基いて当該区間のスクリュー移動速度の平均値Ｖ
〔ｊ〕を求め、該スクリュー移動速度Ｖ〔ｊ〕を射出
〔ｊ〕段の射出速度として設定候補記憶メモリに記憶す
ると共に、スクリュー位置Ｑ（ｘ−１）［Ｔｙ〔ｊ＋
１〕］の値を射出〔ｊ〕段から射出〔ｊ＋１〕段への射
出速度切替位置Ｓ〔ｊ〕として設定候補記憶メモリに記
憶する（ステップＳ２８）。現段階では変化率記憶ファ
イル検索指標ｊの値が１であるから、図２および図９の
例でいえば、サンプリングアドレス１に対応する射出開
始位置Ｑ１からサンプリングアドレスＤａに対応するス
クリュー位置Ｑａまでの区間のスクリュー移動量Ｑａ−
Ｑ１とその所用時間Ｄａ・Δｔとの関係により、射出１
段のスクリュー移動速度Ｖ〔１〕（例えば３０mm/s）が
求められ、スクリュー位置Ｑａの値が射出１段から射出
２段への射出速度切替位置Ｓ〔１〕（例えば２８mm/s）
として記憶されることとなる。なお、スクリュー移動速
度Ｖ〔ｊ〕の算出に際しては、図２に破線で示すような
単純な平均化による処理の他、サンプリングアドレスＴ
ｙ〔ｊ〕からサンプリングアドレスＴｙ〔ｊ＋１〕に至
る区間の全てのサンプリングデータを用いて最小二乗法
を適用したり、射出用サーボモータＭ１の時定数を考慮
して曲線補間を行ったりすることも可能である。

【００４１】次いで、ＭＰＵは記憶領域Ｃのサンプリン
グアドレスＴｙ〔ｊ〕からＴｙ〔ｊ＋１〕までの区間に
記憶されている射出圧力を全て検索し、最も値の大きな
射出圧力を射出〔ｊ〕段の最大射出圧Ｐ〔ｊ〕として一
時記憶すると共に、同区間のサンプリングで記憶された
最も値の大きなトルク指令値を検出し、射出〔ｊ〕段の
トルクリミット値Ｔ〔ｊ〕として設定候補記憶メモリに
記憶する（ステップＳ２９）。図２および図９の例でい
えば、サンプリングアドレス１からサンプリングアドレ
スＤａの区間で最も値の大きな射出圧力、例えば、８０
０ Kg/cm² が射出１段の最大射出圧Ｐ〔１〕として一時
記憶され、また、この時のサンプリングアドレスに対応
するトルク指令値が射出１段のトルクリミット値Ｔ
〔１〕として設定候補記憶メモリに記憶されることとな
る。

【００４２】以上のようにして、射出〔ｊ〕段のスクリ
ュー移動速度Ｖ〔ｊ〕，射出〔ｊ〕段から射出〔ｊ＋
１〕段への射出速度切替位置Ｓ〔ｊ〕，射出〔ｊ〕段の
最大射出圧Ｐ〔ｊ〕および射出〔ｊ〕段のトルクリミッ
ト値Ｔ〔ｊ〕を求めたＭＰＵは、表示制御部１１４を介
し、これらの値をＣＲＴ／ＭＤＩ１１８の文字表示領域
における第〔ｊ〕行に表示し（ステップＳ３０）、以
下、ステップＳ３２における変化率記憶ファイル検索指
標ｊの値が該ファイルＦｘの最大記憶数ｍに達するまで
の間、ステップＳ３１の処理で指標ｊの値を逐次インク
リメントしてステップＳ２７〜ステップＳ３０の処理を
繰り返し実行し、射出〔ｊ〕段（但し、ｊは１〜〔ｍ−
１〕の整数）のスクリュー移動速度Ｖ〔ｊ〕，射出速度
切替位置Ｓ〔ｊ〕，最大射出圧Ｐ〔ｊ〕およびトルクリ
ミット値Ｔ〔ｊ〕を求め、設定候補記憶メモリに射出条
件として記憶すると共に、これらの値を図４に示すよう
にしてＣＲＴ／ＭＤＩ１１８の表示画面に表示する。

【００４３】そして、ステップＳ３２の判別結果が偽と
なって前述の処理が終了すると、ＭＰＵは設定条件確定
フラグＦをセットし（ステップＳ３３）、一旦、この
「射出条件検出設定処理」を終了し、以下、再びＣＲＴ
／ＭＤＩ１１８の設定変換キーが操作されるまでの間、
もしくは、設定キーや終了キーが操作されるまでの間、
ＣＲＴ／ＭＤＩ１１８の表示状態を維持したまま、所定
の処理周期毎にステップＳ１，ステップＳ８，ステップ
Ｓ９の判別処理を繰り返し実行することとなる。

【００４４】このような処理を繰り返し実行する間にオ
ペレータが金型番号等を指定してＣＲＴ／ＭＤＩ１１８
の設定キーを操作すると、ＭＰＵはステップＳ８の判別
処理でこの操作を検出し、設定条件確定フラグＦがセッ
トされているか否か、即ち、記憶すべき新たな射出条件
が既に設定候補記憶メモリに保存されているか否かを判
別する（ステップＳ１０）。設定条件確定フラグＦが既
にセットされており、新たに記憶すべき射出条件が設定
候補記憶メモリに保存されていれば、ＭＰＵは指定され
た金型番号等に応じてメモリ１１０の射出条件記憶領域
を選択し、現段階で設定候補記憶メモリ保存されている
射出条件、即ち、射出各段の射出速度切替位置，射出各
段のスクリュー移動速度および射出各段の最大射出圧力
（トルクリミット値）を正規の射出条件として、金型番
号等に対応する射出条件記憶領域に恒常的に記憶し（ス
テップＳ１１）、更に、設定条件確定フラグＦをリセッ
トして（ステップＳ１２）、「射出条件検出設定処理」
に関わる処理を一旦終了する。なお、設定条件確定フラ
グＦがセットされていない場合には設定候補記憶メモリ
に新たな射出条件が保存されていないことを意味するの
で、ステップＳ１１〜ステップＳ１２の処理は非実行と
される。

【００４５】そして、設定候補記憶メモリに保存された
射出条件を金型番号等と対応させて射出条件記憶領域に
恒常的に記憶させたオペレータがＣＲＴ／ＭＤＩ１１８
の終了キーを操作すると、ＭＰＵはステップＳ９の判別
処理でこの操作を検出してＣＲＴ／ＭＤＩ１１８の表示
をクリアし（ステップＳ１３）、設定条件確定フラグＦ
をリセットして（ステップＳ１２）、「射出条件検出設
定処理」に関わる全ての処理を終了する。

【００４６】以下、オペレータは必要に応じ、様々な基
準波形を制御装置１００に設定して圧力フィードバック
制御モードによる射出工程を実際に実施させ、この際の
サンプリングデータに基く前述の処理で、経過時間と射
出圧力の関係を示す多数の点要素、または、スクリュー
位置と射出圧力の関係を示す多数の点要素からなる与え
られた基準波形のデータを、実質的にこれと同等な内容
を有する他の縮小データ、即ち、射出各段の射出速度切
替位置，射出各段のスクリュー移動速度および射出各段
の最大射出圧力（トルクリミット値）からなる射出条件
に変換し、縮小データからなる射出条件の各々を金型番
号等に対応させてメモリ１１０の射出条件記憶領域に恒
常的に記憶させることとなるが、従来のように、基準波
形を構成する多大な数の点要素の全てを記憶させる必要
はなく、射出各段の射出速度切替位置，射出各段のスク
リュー移動速度および射出各段の最大射出圧力（トルク
リミット値）のみを記憶させれば良いから、特に、多数
の金型の射出条件を制御装置１００に同時に保存させて
おくような場合、記憶に必要とされるメモリ容量が従来
のものに比べて大幅に節約される。

【００４７】そして、再び同じ金型を用いて射出成形作
業を行わせる場合は、ＣＲＴ／ＭＤＩ１１８から金型番
号を指定して所望する金型の射出条件をメモリ１１０の
射出条件記憶領域から呼び出した後、従来と同様のスク
リュー移動速度優先の制御方式で射出工程を制御するこ
ととなるが、同一射出段内でのスクリュー移動速度が略
一定となるように射出速度切替位置が設定されているの
で、各射出段毎に設定されたスクリュー移動速度に従っ
て射出工程を制御することにより、基準波形を制御装置
１００に設定して圧力フィードバック制御モードで射出
工程を制御した場合と同等の速度・圧力特性を再現する
ことができる。また、圧力フィードバック制御を行った
時のトルク指令値の実測値に基いて射出各段毎に射出用
サーボモータＭ１のトルクリミットを設定して速度制御
を行うようにしているので、ゲートの詰まり等によって
スクリュー移動が疎外されて位置偏差が増大した場合で
も不用意に射出用サーボモータＭ１の駆動トルクが増大
することはなく、金型の破損や許容できないバリの発生
等を未然に防止することができる。

【００４８】以上、一実施例として、スクリュー移動速
度変化量の絶対値、即ち、スクリュー移動速度の変化率
の大きな順に所定数のスクリュー位置を抽出し、該スク
リュー位置を射出速度切替位置として射出開始位置から
保圧完了位置までの区間を複数に分割すると共に、分割
された各射出段毎の平均的なスクリュー移動速度を求め
て射出条件を設定するようにした例について説明した
が、射出速度切替位置の個数を予め規制する代わりに、
スクリュー移動速度が大きく変化するスクリュー位置の
個数に応じて射出速度切替位置の個数を決めるようにし
ても良い。例えば、スクリュー移動速度変化量の絶対値
Δｘに対する比較値として変化量許容値εを任意に設定
できるようにし、図１０〜図１３に示されるような処理
において、ステップＳ７およびステップＳ１４〜ステッ
プＳ２１の処理に代え、スクリュー移動速度変化量の絶
対値Δｘと変化量許容値εとの大小関係を比較して変化
量許容値εを越えるスクリュー移動速度変化量の絶対値
Δｘを有する全てのサンプリングアドレスｉを変化率記
憶ファイルＦｘ（アドレス無制限）に記憶するように
し、以下、変化率記憶ファイルＦｘに記憶された全ての
サンプリングアドレスに対して前述の実施例と同様にし
てステップＳ２７〜ステップＳ３０の処理を実施するよ
うにする。

【００４９】この場合、変化量許容値εの大きさに応じ
て変化率記憶ファイルＦｘに記憶されるサンプリングア
ドレスの数が変化するが、記憶されるサンプリングアド
レスの数、即ち、射出速度切替位置の個数が多過ぎると
射出条件を記憶するメモリ容量が増大し、また、射出速
度優先制御の時の射出速度の設定に支障を来たす場合も
ある（通常、設定可能な射出段数は１０段前後であ
る）。そこで、このような場合には、変化量許容値εの
値を小さな値に再設定して再びステップＳ３以降の処理
を繰り返し実行させ、ステップＳ３０の処理で最終的に
表示されるｊの値が射出成形機に設定可能な射出段数の
範囲に収まるようにする。

【００５０】

【発明の効果】本発明による電動式射出成形機の射出制
御方式は、射出圧力が基準波形と一致するようにスクリ
ュー移動をフィードバック制御した時に略一定のスクリ
ュー移動速度が持続するスクリュー移動区間によって射
出開始位置から保圧完了位置までの区間を複数に分割す
ると共に、分割された各移動区間毎に平均的なスクリュ
ー移動速度を求め、各スクリュー移動区間の開始位置お
よび各開始位置毎のスクリュー移動速度を射出条件とし
て制御装置に記憶した後、この射出条件に基いて以降の
射出成形作業を行わせるようにしたので、常に基準波形
を用いて射出工程を制御する従来の電動式射出成形機の
ように基準波形を構成する時間−圧力や位置−圧力等の
点要素の全てを制御装置に恒常的に記憶させる必要がな
く、射出条件の記憶に必要とされるメモリ容量が大幅に
節約される。しかも、略一定のスクリュー移動速度が持
続するスクリュー移動区間によって射出開始から保圧完
了位置までの区間を分割し、各区間毎のスクリュー移動
速度を求めて射出条件として記憶するようにしているの
で、各移動区間毎の速度制御を行うだけで、基準波形を
用いて射出工程を制御した場合と同等な射出特性を再現
することができる。

【００５１】更に、圧力フィードバック制御を行った時
の実測値に基いて各スクリュー移動区間毎に射出用サー
ボモータのトルクリミットを設定して速度制御を行うよ
うにしているので、ゲートの詰まり等によってスクリュ
ー移動が疎外されて位置偏差が増大した場合でも不用意
に射出用サーボモータの駆動トルクが増大することはな
く、金型の破損や許容できないバリの発生等を未然に防
止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方式を適用した一実施例の電動式射出
成形機の要部を示すブロック図である。

【図２】同実施例における射出制御方式の作用原理を示
す概念図である。

【図３】同実施例の電動式射出成形機のモニタ画面を例
示する図である。

【図４】射出条件検出設定処理が完了した段階でのモニ
タ画面を例示する図である。

【図５】サンプリングデータを記憶するファイル手段を
示す概念図である。

【図６】ファイル手段に対するサンプリングデータの書
き込み周期を示す図である。

【図７】同実施例における変化率記憶ファイルを示す概
念図である。

【図８】ソーティング前の変化率記憶ファイルを示す概
念図である。

【図９】ソーティング後の変化率記憶ファイルを示す概
念図である。

【図１０】同実施例の射出条件検出設定処理の概略を示
すフローチャートである。

【図１１】射出条件検出設定処理の概略を示すフローチ
ャートの続きである。

【図１２】射出条件検出設定処理の概略を示すフローチ
ャートの続きである。

【図１３】射出条件検出設定処理の概略を示すフローチ
ャートの続きである。

【符号の説明】

２ スクリュー ３ 圧力検出器 １００ 制御装置 １０２ Ａ／Ｄ変換器 １０３ サーボアンプ １０４ シーケンス制御部 １０５ 計測用制御部（ＭＰＵ） １０６ ＲＯＭ １０７ 主制御およびサーボ制御部 １０９ ＲＡＭ １１１ バス １１４ 表示制御部 １１７ ＣＲＴ／ＭＤＩインターフェイス １１８ ＣＲＴ表示装置付手動データ入力装置付（ＣＲ
Ｔ／ＭＤＩ） Ｍ１ 射出用サーボモータ Ｐ１ パルスコーダ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 射出開始後の経過時間と射出圧力、また
   は、射出開始後のスクリュー位置と射出圧力の基準波形
   を制御装置に設定し、射出工程での射出圧力が前記基準
   波形と一致するようにスクリュー移動をフィードバック
   制御できるようにした電動式射出成形機において、前記
   基準波形を制御装置に設定して射出工程での射出圧力が
   基準波形と一致するようにスクリュー移動を制御した時
   のスクリュー移動速度の変化を検出し、略一定のスクリ
   ュー移動速度が持続するスクリュー移動区間によって射
   出開始位置から保圧完了位置までの区間を複数に分割す
   ると共に、分割された各移動区間毎にスクリュー移動速
   度を求め、各スクリュー移動区間の開始位置および各開
   始位置毎のスクリュー移動速度を射出条件として制御装
   置に記憶した後、該射出条件に基いて以降の射出成形作
   業を行わせるようにしたことを特徴とする電動式射出成
   形機の射出制御方式。
2. 【請求項２】 前記基準波形を制御装置に設定して射出
   工程での射出圧力が基準波形と一致するようにスクリュ
   ー移動を制御した時のスクリュー位置を所定周期毎にサ
   ンプリングして制御装置に記憶した後、該制御装置に記
   憶されたスクリュー位置をサンプリングの順に従って逐
   次読み出してスクリュー移動速度の変化率を求め、変化
   率の大きな順に所定数のスクリュー位置を抽出し、所定
   数のスクリュー位置によって射出開始位置から保圧完了
   位置までの区間を複数に分割すると共に、分割された各
   移動区間のスクリュー位置とサンプリング周期数とに基
   いて各移動区間毎に平均的なスクリュー移動速度を求
   め、各スクリュー移動区間の開始位置および各開始位置
   毎のスクリュー移動速度を射出条件として制御装置に記
   憶するようにした請求項１記載の電動式射出成形機の射
   出制御方式。
3. 【請求項３】 前記基準波形を制御装置に設定して射出
   工程での射出圧力が基準波形と一致するようにスクリュ
   ー移動を制御した時のスクリュー位置を所定周期毎にサ
   ンプリングして制御装置に記憶した後、該制御装置に記
   憶されたスクリュー位置をサンプリングの順に従って逐
   次読み出してスクリュー移動速度の変化率を求め、変化
   率が設定値を越える全てのスクリュー位置を抽出し、該
   抽出されたスクリュー位置によって射出開始位置から保
   圧完了位置までの区間を複数に分割すると共に、分割さ
   れた各移動区間のスクリュー位置とサンプリング周期数
   とに基いて各移動区間毎に平均的なスクリュー移動速度
   を求め、各スクリュー移動区間の開始位置および各開始
   位置毎のスクリュー移動速度を射出条件として制御装置
   に記憶するようにした請求項１記載の電動式射出成形機
   の射出制御方式。
4. 【請求項４】 射出開始後の経過時間と射出圧力、また
   は、射出開始後のスクリュー位置と射出圧力の基準波形
   を制御装置に設定し、射出工程での射出圧力が前記基準
   波形と一致するようにスクリュー移動をフィードバック
   制御できるようにした電動式射出成形機において、前記
   基準波形を制御装置に設定して射出工程での射出圧力が
   基準波形と一致するようにスクリュー移動を制御した時
   のスクリュー移動速度の変化と射出圧力の変化を検出
   し、略一定のスクリュー移動速度が持続するスクリュー
   移動区間によって射出開始位置から保圧完了位置までの
   区間を複数に分割すると共に、分割された各移動区間毎
   にスクリュー移動速度と最大射出圧力を求め、各スクリ
   ュー移動区間の開始位置および各開始位置毎のスクリュ
   ー移動速度と各スクリュー移動区間毎の最大射出圧力を
   射出条件として制御装置に記憶した後、該射出条件に基
   いて以降の射出成形作業を行わせるようにしたことを特
   徴とする電動式射出成形機の射出制御方式。
5. 【請求項５】 前記基準波形を制御装置に設定して射出
   工程での射出圧力が基準波形と一致するようにスクリュ
   ー移動を制御した時のスクリュー位置と射出圧力を所定
   周期毎にサンプリングして制御装置に記憶した後、該制
   御装置に記憶されたスクリュー位置をサンプリングの順
   に従って逐次読み出してスクリュー移動速度の変化率を
   求め、変化率の大きな順に所定数のスクリュー位置を抽
   出し、所定数のスクリュー位置によって射出開始位置か
   ら保圧完了位置までの区間を複数に分割すると共に、分
   割された各移動区間のスクリュー位置とサンプリング周
   期数とに基いて各移動区間毎に平均的なスクリュー移動
   速度を求め、各スクリュー移動区間の開始位置および各
   開始位置毎のスクリュー移動速度と各スクリュー移動区
   間毎の最大射出圧力を射出条件として制御装置に記憶す
   るようにした請求項４記載の電動式射出成形機の射出制
   御方式。
6. 【請求項６】 前記基準波形を制御装置に設定して射出
   工程での射出圧力が基準波形と一致するようにスクリュ
   ー移動を制御した時のスクリュー位置と射出圧力を所定
   周期毎にサンプリングして制御装置に記憶した後、該制
   御装置に記憶されたスクリュー位置をサンプリングの順
   に従って逐次読み出してスクリュー移動速度の変化率を
   求め、変化率が設定値を越える全てのスクリュー位置を
   抽出し、該抽出されたスクリュー位置によって射出開始
   位置から保圧完了位置までの区間を複数に分割すると共
   に、分割された各移動区間のスクリュー位置とサンプリ
   ング周期数とに基いて各移動区間毎に平均的なスクリュ
   ー移動速度を求め、各スクリュー移動区間の開始位置お
   よび各開始位置毎のスクリュー移動速度と各スクリュー
   移動区間毎の最大射出圧力を射出条件として制御装置に
   記憶するようにした請求項４記載の電動式射出成形機の
   射出制御方式。
7. 【請求項７】 制御装置に記憶されたスクリュー位置を
   サンプリングの順に従って逐次３組ずつ読み出し、読み
   出された第１のサンプリング位置から第２のサンプリン
   グ位置に至るスクリュー移動距離と読み出された第２の
   サンプリング位置から第３のサンプリング位置に至るス
   クリュー距離との差を第２のサンプリング位置における
   スクリュー移動速度の変化率として求めるようにした請
   求項２，請求項３，請求項５または請求項６記載の電動
   式射出成形機の射出制御方式。