JPH05242522A - 光ディスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱加工安定性に優れたポリビニルシクロヘキ
サン系樹脂より構成された光ディスク基板を提供する。 【構成】 熱重量計で測定した５％重量減少温度が２９
５℃以上である、ヒンダードフェノール系熱安定剤及び
リン系熱安定剤と、長鎖飽和脂肪酸金属塩とを配合した
ポリビニルシクロヘキサン系樹脂からなる光ディスク基
板。 【効果】 成型時の樹脂の劣化は、ヒンダードフェノー
ル系熱安定剤とリン系熱安定剤との併用により効果的に
抑制される。表面付着物の原因となる劣化生成物の樹脂
本体からの分離、或いは器壁付近への付着は長鎖飽和脂
肪酸金属塩により抑制される。従って、耐熱性、透明性
等に優れ、低吸湿性、低複屈折性の高特性ポリビニルシ
クロヘキサン系樹脂から、樹脂の劣化や表面付着物等の
問題もなく、光ディスク基板を安定生産することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光ディスク基板に係り、
特に、特定の熱安定剤及び脂肪酸金属塩を含有してな
る、熱加工安定性に優れたポリビニルシクロヘキサン系
樹脂より構成された光ディスク基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザーを用いた光学記録は高密度の情
報記録、保存、及び再生が可能であるため、近年その開
発が積極的に行なわれている。この様な光学記録の一例
として光ディスクを挙げることが出来る。一般に光ディ
スクは、透明な基板とその上にコートされた種々の記録
媒体とから基本的に構成される。

【０００３】光ディスクの透明基板には無色透明な合成
樹脂が用いられるケースが多く、その代表的なものとし
てポリカーボネート（以下、「ＰＣ」と略称する。）又
はポリメチルメタクリレート（以下、「ＰＭＭＡ」と略
称する。）を挙げることができる。これらの樹脂は無色
透明性に秀いでる他、夫々に固有の優れた性質を有する
ものではあるが、光学材料、特に光ディスク基板として
の要件を全て備えている訳ではなく、解決すべき問題点
を有している。例えば、ＰＣにおいてはその芳香族環に
起因する複屈折性の問題があり、また、吸水性或いは透
水性においても問題がある。一方、ＰＭＭＡにおいて
は、耐熱性、吸水性、靭性の面における問題点がかねて
より指摘されている。

【０００４】このように、これらの樹脂は夫々固有の問
題点を内在させつつ使用に供されているのであるが、実
際には更に、これらの樹脂よりなる透明基板の上にコー
トされる記録媒体との関係において、後述のような新た
な問題が生じている。

【０００５】一方、記録媒体については、従来より光デ
ィスクの用途に応じて多岐にわたる開発が行なわれてい
る。例えば、ライト・ワンス型と呼ばれる記録−再生専
用のものでは穴あけタイプのものが、またイレーザブル
型と呼ばれる、記録−再生−消去−再記録用のもので
は、結晶転移現象を利用した相転移タイプのもの、光磁
気効果を利用した光磁気タイプのもの等が知られてい
る。これらの記録媒体用材料は、ライト・ワンス型では
テルル又はその酸化物、合金化合物等、イレーザブル型
では、ＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣ
ｏといった希土類−遷移金属のアモルファス合金化合物
等、無機系材料が主流とされており、一般に高真空下で
のスパッタリング等の乾式処法により、透明基板上に成
膜することにより形成されている。

【０００６】ところで、ＰＣ、ＰＭＭＡの吸湿性及び透
水性は、一方では基板自身の吸湿時の膨張によるソリの
問題を引き起こすものであるが、他方、基板を通しての
水分の透過により記録媒体の腐蝕を引き起こし、光ディ
スクの寿命を縮める原因となっている。

【０００７】また、基板用樹脂の耐熱性について更に言
及すれば、次のような問題がある。即ち、光ディスク、
特にライト・ワンス型、イレーザブル型等の光ディスク
においては、記録の書き込み、消去時の記録媒体の温度
は２００℃以上にもなる。このため、ディスク基板にこ
の熱が直接かかることは無いにしても、記録の書き込
み、消去時には基板が相当高温になることが予想され、
耐熱性の低い樹脂では、基板の変形或いはグルーブの変
形等の問題が起こり得る。

【０００８】一方、光ディスクの生産工程においては、
基板或いは記録媒体の経時変化防止等の目的で、熱処理
工程を取り入れることが多いが、生産性の向上のために
は、できるだけ高い処理温度で処理することにより処理
時間を短縮することが望まれる。この様な観点からも、
樹脂の耐熱性が低いと高い処理温度を採用することがで
きず、生産性を上げることができないという不具合があ
る。

【０００９】このようなことから、光ディスクの生産工
程或いは使用状況の高温度に耐えるには、耐熱性の低い
ＰＭＭＡでは全く不十分であり、従来においては専ら、
より耐熱性の高いＰＣが透明基板材料として検討されて
いる。

【００１０】ＰＣ、ＰＭＭＡ等の従来の樹脂の欠点を補
うものとして、特開昭６３−４３９１０等において、ポ
リビニルシクロヘキサン系樹脂を光ディスク基板として
用いる方法が提案されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリビ
ニルシクロヘキサン系樹脂を用いた場合においても、必
ずしも高特性光ディスク基板が得られるわけではなく、
いくつかの点で満足し得る結果が得られていないのが現
状である。

【００１２】本発明者等は、前記特許出願において提案
されているポリビニルシクロヘキサン系樹脂を用いた光
ディスク基板の成型性等について詳細に検討した結果、
次のような知見を得た。

【００１３】ポリビニルシクロヘキサン系樹脂は、通
常、ビニル芳香族系重合体の芳香環の水添により得ら
れ、一般にポリスチレン同様の脆性高分子として知られ
ている樹脂である。

【００１４】前述した様にライト・ワンス型、イレーザ
ブル型等の光ディスクにおいては、その使用状況、生産
工程において、相当の熱履歴を受けることから、樹脂基
板に対して高い耐熱性が要求される。また、ディスク基
板用樹脂材料としては、少なくとも射出成型の際の金型
離型時に破損しない程度の靭性も要求される。

【００１５】このような要求を満たすべく、耐熱性に秀
れ、ある程度の靭性を持つポリビニルシクロヘキサン系
重合体を得るためには、合成に際し、芳香環の水添率を
高くし、かつ一定以上の分子量を保持する必要がある。

【００１６】一方、光ディスク基板としては、ソリ、歪
が少くグルーブの転写性が良好である必要があり、この
ような観点からは、射出成型時の樹脂の流動性はできる
だけ良好であることが好ましい。また、シルバーストリ
ーク発生や着色の防止、更にはディスク基板表面の異物
の付着防止のためには、樹脂の吸湿量を下げると共に、
できる限り樹脂の劣化を防止する必要がある。

【００１７】ところで、ある程度の靭性が保持されるよ
うな分子量を持つポリビニルシクロヘキサン系樹脂に関
して、樹脂の劣化が防止できる低温での射出成型では、
流動性が不十分となるので、成型温度を高くする必要が
ある。このような成型温度としては２７０〜３３０℃、
更には２８０〜３２０℃の範囲が好ましい。

【００１８】しかしながら上記温度範囲においては、ポ
リビニルシクロヘキサン系樹脂の劣化が避けられず、熱
安定剤の使用により、できるだけその劣化の程度を抑え
ると共に、脂肪酸金属塩等の滑剤を併用することによ
り、異物の発生を抑えることが不可欠となる。

【００１９】本発明は、特定の熱安定剤及び脂肪酸金属
塩を併用することにより、耐熱性、靭性、流動性、吸湿
性、透明性等の特性を改善したポリビニルシクロヘキサ
ン系樹脂よりなる高特性光ディスク基板を提供すること
を目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】請求項１の光ディスク基
板は、熱重量計で測定した５％重量減少温度が２９５℃
以上である、ヒンダードフェノール系熱安定剤及びリン
系熱安定剤と、長鎖飽和脂肪酸金属塩とを配合したポリ
ビニルシクロヘキサン系樹脂からなることを特徴とす
る。

【００２１】請求項２の光ディスク基板は、請求項１の
光ディスク基板において、ポリビニルシクロヘキサン系
樹脂が、ビニル芳香族炭化水素重合体を核水添して得ら
れるものであることを特徴とする。

【００２２】請求項３の光ディスク基板は、請求項１又
は２の光ディスク基板において、長鎖飽和脂肪酸金属塩
を構成する飽和脂肪酸の炭素数が１２〜３０、金属の原
子価が２価以上であることを特徴とする。

【００２３】即ち、本発明者等は、前述のポリビニルシ
クロヘキサン系樹脂の熱劣化を効果的に防止すると共
に、射出成型時にディスク基板表面に付着物が発生しな
い添加剤について鋭意検討した結果、熱安定剤として、
熱重量計で測定した５％重量減少温度が２９５℃以上で
あるヒンダードフェノール系熱安定剤及びリン系熱安定
剤を用いると共に、更に長鎖飽和脂肪酸金属塩を併せて
用いることにより、樹脂の劣化が効果的に防止され、シ
ルバーストリーク着色、及び表面付着物の問題が解消さ
れることを見出し、本発明に到達した。

【００２４】本発明において、ヒンダードフェノール系
熱安定剤としては、１分子中にヒンダードフェノール基
を３つ以上有するものが好ましい。

【００２５】リン系熱安定剤としては、テトラキス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフ
ェニレンホスフォナイト及び／又はビス（２，６−ジ−
ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトー
ル−ジ−ホスファイトが好ましい。

【００２６】また、長鎖飽和脂肪酸金属塩としては、炭
素数が１２〜３０の長鎖飽和脂肪酸と、原子価が２価以
上の金属との塩が好ましい。

【００２７】更に、ポリビニルシクロヘキサン系樹脂と
してはビニル芳香族炭化水素重合体を核水添して得られ
るものが好ましく、その数平均分子量は５万〜２５万で
あることが好ましい。

【００２８】以下に本発明を詳細に説明する。

【００２９】本発明において、ポリビニルシクロヘキサ
ン系樹脂とは、分子鎖中にビニルシクロヘキサン単位を
３０重量％以上含むもの、或いは、当該樹脂が組成物で
ある場合には、組成物全体中のビニルシクロヘキサン単
位の総含量が３０重量％以上のものを指す。

【００３０】このようなポリビニルシクロヘキサン系樹
脂は、好ましくはビニル芳香族炭化水素重合体の核水添
により得られる。以下、ビニル芳香族炭化水素重合体に
ついて説明する。

【００３１】本発明に係るビニル芳香族炭化水素重合体
とは、ビニル芳香族炭化水素重合体、ビニル芳香族炭化
水素−共役ジエンブロック共重合体、或いはこれらの配
合物である。

【００３２】このうちビニル芳香族炭化水素−共役ジエ
ンブロック共重合体を構成するビニル芳香族炭化水素重
合体セグメント中のビニル芳香族炭化水素モノマーとし
ては、スチレン、ｐ−メチルスチレン、α−メチルスチ
レン等を挙げることができ、特に代表的なものとしてス
チレンが挙げられる。

【００３３】ビニル芳香族炭化水素重合体セグメントと
しては、これらのビニル芳香族炭化水素モノマーの１種
よりなる単独重合体或いは２種以上の共重合体が挙げら
れる。また、上記ビニル芳香族炭化水素モノマーと共重
合可能な他のモノマーを、ビニル芳香族炭化水素重合体
セグメントの特性が失なわれない範囲で含有しても良
い。このようなモノマーとしては、アクリル酸、アクリ
ル酸エステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル、
マレイン酸、無水マレイン酸、アクロレイン、ビニルエ
ステル類、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、アクリ
ロニトリル等が挙げられる。

【００３４】一方、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン
ブロック共重合体を構成する共役ジエン重合体セグメン
ト中の共役ジエンとしては１，３−ブタジエン、イソプ
レン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３
−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン等が挙げられ、
特に、１，３−ブタジエン、イソプレンが一般的であ
る。

【００３５】これら２種以上のセグメントからなるビニ
ル芳香族炭化水素−共役ジエンブロック共重合体は、い
わゆるリビングアニオン重合と称せられる公知の方法、
例えば有機リチウム化合物を開始剤とし、ヘキサン、ヘ
プタンの様な炭化水素溶媒中で重合する方法等により容
易に得ることができる。

【００３６】このようなビニル芳香族炭化水素−共役ジ
エンブロック共重合体中のビニル芳香族炭化水素重合体
セグメントの含有量は５０〜９９重量％、特に７０〜９
５重量％とするのが好ましい。なお、ビニル芳香族炭化
水素重合体として、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン
ブロック共重合体を単独で用いる場合は、そのビニル芳
香族炭化水素重合体セグメントの含有量は８０〜９９重
量％、特に９０〜９７重量％とするのが好ましい。ビニ
ル芳香族炭化水素−共役ジエンブロック共重合体中の共
役ジエン重合体セグメントの含有量が多過ぎる場合は得
られるポリビニルシクロヘキサン系樹脂の耐熱性、剛性
が低下し、光ディスク基板として不適当なものとなり、
少な過ぎる場合は流動性、靭性が低下する。

【００３７】このような原料ビニル芳香族炭化水素−共
役ジエンブロック共重合体の分子量は数平均分子量で３
万〜４０万、好ましくは５万〜４０万である。

【００３８】このようなビニル芳香族炭化水素−共役ジ
エンブロック共重合体を核水添して本発明に係るポリビ
ニルシクロヘキサン系樹脂を製造するには、該ビニル芳
香族炭化水素−共役ジエンブロック共重合体を芳香核水
素化能を有する水素化触媒の存在下で核水添する。

【００３９】ここで使用される水素化触媒としては、例
えばニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、白
金、パラジウム等の金属又はその酸化物、塩、錯体及び
これらを活性炭、ケイソウ土、アルミナ、シリカ等の担
体に担持したもの等が挙げられる。これらの中でも特に
パラジウムのシリカ担持触媒が、反応性や水素化後の重
合体の透明性向上の面から好ましい。

【００４０】上記核水添反応は、５０〜２５０ｋｇ／ｃ
ｍ² の圧力、１００〜２００℃の温度下にて、溶媒とし
てシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−オクタ
ン、デカリン、テトラリン、ナフサ等の飽和炭化水素系
溶媒、或いは、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）等のエー
テル系溶媒を用いて行なうのが好ましい。

【００４１】このような水添反応による水添率に関し
て、共役ジエン重合体セグメントに由来する二重結合の
水添率は実質的に１００％である。一方、芳香核の水添
率に関しては、好ましくは６０ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ
％未満、より好ましくは６５〜７５ｍｏｌ％である。核
水添率が上記値より高い場合は記録膜との密着性が不十
分であり、光ディスク基板として特に長期の耐久性に問
題が生じる。逆に、低い場合は、耐熱性の低下、複屈折
率の増大等の問題がある。

【００４２】本発明において、このようにビニル芳香族
炭化水素−共役ジエンブロック共重合体の核水添により
得られる水素化ビニル芳香族炭化水素−共役ジエンブロ
ック共重合体の分子量は、数平均分子量で２万〜３０
万、好ましくは５万〜２０万、更に好ましくは８万〜１
５万である。分子量が低過ぎると得られるポリビニルシ
クロヘキサン系樹脂の強度が不足し、高過ぎると成型
性、光学的均一性が低下する。

【００４３】本発明に係るポリビニルシクロヘキサン系
樹脂の他の核水添原料であるビニル芳香族炭化水素重合
体としては、上述のビニル芳香族炭化水素−共役ジエン
ブロック共重合体中のビニル芳香族炭化水素重合体セグ
メントと同様な重合体が挙げられる。また、その重合法
としては非晶質重合体が得られるものであれば特に制限
はないが、通常はラジカル重合、アニオン重合等が用い
られる。

【００４４】この原料ビニル芳香族炭化水素重合体の分
子量は数平均分子量で５万以上であることが好ましい。
分子量が低過ぎると、核水添後得られるポリビニルシク
ロヘキサン系樹脂の耐熱性、靭性が低下する。一方、分
子量の上限については、好ましくは４０万以下、より好
ましくは２０万以下である。

【００４５】このようなビニル芳香族炭化水素重合体は
上述のビニル芳香族炭化水素−共役ジエンブロック共重
合体の核水添と同様な方法で核水添することができる。
核水添反応による芳香核の水添率は、好ましくは６０ｍ
ｏｌ％以上８０ｍｏｌ％未満、より好ましくは６５〜７
５ｍｏｌ％である。水添率が低いと得られるポリビニル
シクロヘキサン系樹脂の耐熱性が低下し、また光学材料
としての複屈折率が高くなり好ましくない。水添率が高
いと記録膜との接着性が不十分である。

【００４６】以上のようにしてビニル芳香族炭化水素重
合体の核水添により得られる水素化ビニル芳香族炭化水
素重合体の分子量は、数平均分子量で５万〜３０万、好
ましくは６万〜１５万である。数平均分子量が５万未満
であると得られるポリビニルシクロヘキサン系樹脂の強
度が不足するので好ましくなく、３０万を超えると成型
性、光学的均一性が損なわれるので好ましくない。

【００４７】本発明において採用されるポリビニルシク
ロヘキサン系樹脂としては、水素化ビニル芳香族炭化水
素重合体単独であっても良いが、好ましくは、水素化ビ
ニル芳香族炭化水素−共役ジエンブロック共重合体、或
いは、該ブロック共重合体に水素化ビニル芳香族炭化水
素重合体を配合した重合体組成物が用いられ、全重合体
（組成物）中のビニル芳香族炭化水素由来セグメントの
含有量が８０〜９９重量％、特に９０〜９７重量％であ
り、全体の芳香核の核水添率が６０ｍｏｌ％以上８０ｍ
ｏｌ％未満、特に６５〜７５ｍｏｌ％であり、数平均分
子量が５万〜２５万であることが好ましい。

【００４８】なお、ポリビニルシクロヘキサン系樹脂の
調製にあたり、上述の成分の混合方法に関しては特に制
限されるものではないが、通常は上述の成分を溶媒に溶
解した後、貧溶媒に投入する、或いは溶媒を留去する等
によって共析出させる方法、押出機、ブラベンダープラ
ストグラフ、バンバリーミキサー等の混練機により溶融
混合する方法等を用いることができる。また、溶液混合
の後、溶融混練する方法も好ましい。

【００４９】本発明においては、このようなポリビニル
シクロヘキサン系樹脂に、熱安定剤として、熱重量計に
おいて空気気流下で測定されるところの５％重量減少温
度が２９５℃以上であるヒンダードフェノール系熱安定
剤の少なくとも一種と、同じく５％重量減少温度が２９
５℃以上であるリン系熱安定剤の少なくとも一種とを組
み合わせて配合し、更に長鎖飽和脂肪酸金属塩を併用す
る。

【００５０】なお、本発明で言う、ヒンダードフェノー
ル系熱安定剤とは、分子中に少なくとも一つのヒンダー
ドフェノール基（水酸基の両側に、互いに同一又は異な
る、炭素数１〜４のアルキル置換基を持つフェノール
基）を有する熱安定剤であり、熱重量計において空気気
流下で測定されるところの５％重量減少温度とは、空気
流量１００ｍｌ／分の流通下、２０℃／分の昇温速度で
加熱した時の重量減を測定し、重量減が５．０重量％と
なった時の温度である。

【００５１】また、本発明で言うところのリン系熱安定
剤とは、分子中に少なくとも一つのホスファイト又はホ
スフォナイト構造を持つものである。

【００５２】本発明で採用されるヒンダードフェノール
系熱安定剤の例としては、テトラキス［メチレン−３−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネートメタン、３，９−ビス［１，１−ジメチ
ル−２−｛β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５
−メチルフェニル）プロピオニルオキシ｝エチル］−
２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウン
デカン、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシベンジル−ｓ−トリアジン−２，４，
６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン、１，３，５−トリ
メチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン等が挙げられる。
ヒンダードフェノール系熱安定剤としては、１分子中に
ヒンダードフェノール基を３つ以上持つものを用いた時
に最も優れた効果が得られる。

【００５３】また、リン系熱安定剤の例としては、テト
ラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’
−ビフェニレンホスフォナイト、ビス（２，６−ジ−ｔ
−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトール
−ジ−ホスファイト等が挙げられる。

【００５４】更に、上記熱安定剤と併用する長鎖飽和脂
肪酸金属塩としては、一般式、 （Ｒ−ＣＯ−Ｏ）_n Ｍ （式中、Ｒは炭素数１２〜３０のアルキル基であり、Ｍ
は２価又は３価の金属イオン、ｎは１〜３の整数で金属
の価数に一致する数）で表わされる、長鎖飽和脂肪酸の
金属塩が挙げられる。

【００５５】この長鎖飽和脂肪酸金属塩を構成する長鎖
飽和脂肪酸としては、例えばラウリン酸、ミリスチン
酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸等が挙げら
れ、このうち、ステアリン酸が好ましい。

【００５６】一方、金属塩の金属イオンとしては２価以
上の金属イオンが好ましく、例えばＭｇ，Ｃａ，Ｚｎ，
Ｐｄ，Ｓｒ，Ａｌ等が挙げられ、このうち、Ｚｎ，Ｃａ
が好ましく、特にＺｎが好ましい。

【００５７】これら熱安定剤や長鎖飽和脂肪酸金属塩の
好適な添加量は、ポリビニルシクロヘキサン系樹脂１０
０重量部に対して、ヒンダードフェノール系熱安定剤、
リン系安定剤及び長鎖飽和脂肪酸金属塩を各々０．０１
〜３重量部、好ましくは０．０５〜１重量部である。熱
安定剤や長鎖飽和脂肪酸金属塩の添加量がこの範囲未満
では、劣化防止効果及びディスク基板表面の付着物の防
止効果が不十分であり、この範囲を超える添加量ではブ
リードが生じたり、光ディスク基板として必要な透明性
が低下する等の問題を生じる場合がある。

【００５８】これらの熱安定剤及び長鎖飽和脂肪酸金属
塩とポリビニルシクロヘキサン系樹脂との混合方法につ
いては特に制限はないが、通常は樹脂と熱安定剤及び長
鎖飽和脂肪酸金属塩とをリボンブレンダー、タンブラー
ブレンダー、ヘンシェルミキサー等で混合し、その後、
バンバリーミキサー、一軸押出機、二軸押出機等で溶融
混練し、ペレット形状とすることにより混合する。

【００５９】しかして、このようにして得られたペレッ
トを用い、成型温度２７０〜３３０℃、特に２８０〜３
２０℃で射出成型することにより、透明性、耐熱性等に
優れ、着色、表面付着物等もなく光学歪の著しく小さい
光ディスク基板を得ることができる。

【００６０】本発明の光ディスク基板を用いて光ディス
クを製造する際には、該基板表面に金属蒸着等により前
述の記録媒体の皮膜を形成するか、或いは塗布等の方法
で有機色素系材料の皮膜を設け、これらを更に保護膜で
覆う等の方法を採用することができる。

【００６１】

【作用】本発明において、特定の熱安定剤及び長鎖飽和
脂肪酸金属塩を併用することによる作用機構の詳細は明
らかではないが、以下のように推定される。即ち、成型
時の樹脂の劣化については、本発明に係るヒンダードフ
ェノール系熱安定剤とリン系熱安定剤との併用により、
効果的に抑制されるが、なお、若干の劣化による、酸化
された低分子量物の生成は避け難い。このものが、成型
時に樹脂本体からはじき出され、成型機の器壁或いはノ
ズル付近に次第に蓄積し、ある程度の量以上になった時
に、器壁からはがれ、射出成型される樹脂と共に金型内
に入り、表面付着物となるものと思われる。本発明にお
ける長鎖飽和脂肪酸金属塩の効果は、このような劣化生
成物の樹脂本体からの分離、或いは器壁付近への付着を
抑制することにあり、これにより、射出成型されたディ
スク基板表面への異物の付着が防止される。

【００６２】

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、以
下の実施例及び比較例における各種物性は、次の方法に
よって測定したものである。

【００６３】 数平均分子量：ゲル・パーミエーショ
ン・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、ＴＨＦを溶
媒としてポリスチレンと同様に測定し、ポリスチレン換
算の数平均分子量を求めた。

【００６４】 核水添率（％）：ポリビニルシクロヘ
キサン系樹脂をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解
し、ＵＶ吸収により測定した。

【００６５】 光ディスク基板の光線透過率（％）：
ＪＩＳ Ｋ ６７１４に準拠して測定した。

【００６６】 光ディスク基板の複屈折（ｎｍ）：成
型した厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのディスクの中
央から５．５ｃｍ位置での複屈折（以下「Δｎ_5.5 」と
略記する。）で評価した。複屈折は日本光学社製の偏光
顕微鏡により測定した。

【００６７】 光ディスク基板の反り量（ｍｍ）：Ｎ
ｉＤＥＫ社フラットテスターＦＴ−７を用いて測定し
た。

【００６８】 光ディスク基板の外観：後述する方法
で成型した光ディスク基板に関して、着色、表面付着
物、シルバーストリークの発生等を目視により調べた。

【００６９】実施例１ スチレン単独重合体の水添により得られた、数平均分子
量６．８万、核水添率７６％の水素化ポリスチレン３．
１ｋｇと、アニオン重合法により得られた、数平均分子
量７．９万、ブタジエン含有量１５重量％のスチレン−
ブタジエンブロック共重合体の水素化物（数平均分子量
７．５万，水添率６９％）２．０ｋｇとをＴＨＦに溶解
し、次いでメタノール中に共析出させた。

【００７０】得られたウェットパウダーに添加剤とし
て、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス−
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）
ベンゼン（日本チバガイギー社製「Ｉｒｇａｎｏｘ１３
３０」）と、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチ
ルフェニル）ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト
（アデカアーガス社製「ＭＡＲＫＰＥＰ−３６」）と、
ステアリン酸亜鉛とを各０．１重量部添加した後乾燥し
た。次いで、押出機を用いて２６０℃で溶融混練を行な
いペレット化した。

【００７１】このペレットを射出成型機（名機社製「Ｍ
１４０Ａ」）を用いて、可動金型側にグルーブ付スタン
パーを取り付け、樹脂温度３００℃で厚さ１．２ｍｍ、
直径１３０ｍｍの円盤状光ディスク基板を成型した。得
られた光ディスク基板の物性を表１に示す。

【００７２】実施例２ スチレン単独重合体の水添により得られた数平均分子量
５．７万、核水添率７９％のポリビニルシクロヘキサン
１２．０ｋｇと、アニオン重合法により得られた、数平
均分子量９．６万、ブタジエン含有量２０重量％のスチ
レン−ブタジエンブロック共重合体の水素化物（数平均
分子量８．２万，水添率７２．０％）４．０ｋｇとを実
施例１と同様にパウダー化した。

【００７３】得られたウェットパウダーに添加剤とし
て、テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートメタン
（日本チバガイギー社製「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」）
０．２重量部と、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル
フェニル）−４，４’−ビフェニレンホスフォナイト
（同「Ｉｒｇａｐｈｏｓ Ｐ−ＥＰＱ」）０．２重量部
と、ステアリン酸亜鉛０．１重量部とを添加し、実施例
１と同様にしてペレット化及び射出成型を行なった。得
られた光ディスク基板の物性を表１に示す。

【００７４】比較例１ 実施例１においてステアリン酸亜鉛を用いなかったこと
以外は同様にしてペレット化及び射出成型を行なった。
得られた光ディスク基板の物性を表１に示す。

【００７５】比較例２ 添加剤としてブチルヒドロキシトルエン０．２重量部の
みを用いたこと以外は実施例１と同様にしてペレット化
及び射出成型を行なった。得られた光ディスク基板は熱
劣化による分子量低下が起こり、割れが生じ、また表面
付着物が発生した。このものの物性を表１に示す。

【００７６】比較例３ 実施例２において「Ｉｒｇａｐｈｏｓ Ｐ−ＥＰＱ」を
用いなかったこと以外は同様にして光ディスク基板を得
た。得られた光ディスク基板は熱劣化による分子量低下
が起こり、強度が若干不足し、クラックが発生した。こ
のものの物性を表１に示す。

【００７７】実施例３ アニオン重合によるスチレン−ブタジエン−スチレンブ
ロック共重合体（ブタジエン含有量５重量％）の水添に
より得られた数平均分子量７万、核水添率６６％のポリ
ビニルシクロヘキサン系樹脂１００重量部に実施例１で
用いた「Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０」及び「ＭＡＲＫＰＥ
Ｐ−３６」を各々０．２重量部、更にステアリン酸亜鉛
を０．１重量部添加し、実施例１と同様にしてペレット
化及び射出成型を行なった。得られた光ディスク基板の
物性を表１に示す。

【００７８】実施例４ 実施例１において、長鎖飽和脂肪酸金属塩としてステア
リン酸亜鉛の代わりにステアリン酸カルシウムを用いた
こと以外は同様にしてペレット化及び射出成型を行なっ
た。得られた光ディスク基板の物性を表１に示す。

【００７９】

【表１】

【００８０】表１より明らかなように、特定のヒンダー
ドフェノール系熱安定剤、リン系熱安定剤及び長鎖飽和
脂肪酸金属塩を配合したポリビニルシクロヘキサン系樹
脂を用いることにより、耐熱性、透明性、光特性、形状
安定性に優れ、シルバーストリークや着色、表面付着物
等のない高特性光ディスク基板が得られる。

【００８１】これに対し、長鎖飽和脂肪酸金属塩を用い
ない比較例１のものでは、ディスクの軟化温度、透明性
等には変化はなかったが、表面付着物の発生があった。
リン系熱安定剤及び長鎖飽和脂肪酸金属塩を用いておら
ず、１分子中にヒンダードフェノール基を１個のみ有す
るヒンダードフェノール系熱安定剤のみを用いた比較例
２のものでは、熱劣化による若干の着色と、分子量低下
にともなう強度不足によるディスクの割れが起こり、ま
た、表面付着物、シルバーストリーク等が発生した。ま
た、リン系熱安定剤を用いない比較例３のものでは、着
色（黄色）が認められ、強度も若干不足し、クラックが
発生した。

【００８２】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、耐
熱性、透明性等に優れ、低吸湿性、低複屈折性の高特性
ポリビニルシクロヘキサン樹脂から、樹脂の劣化や表面
付着物等の問題もなく安定生産することが可能な光ディ
スク基板が提供される。

【００８３】請求項２，３によれば、より一層高特性の
光ディスク基板が提供される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｋ 5/5357 ＫＦＮ 7167−4Ｊ Ｃ０８Ｌ 23/20 ＬＣＨ 7107−4Ｊ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱重量計で測定した５％重量減少温度が
   ２９５℃以上である、ヒンダードフェノール系熱安定剤
   及びリン系熱安定剤と、長鎖飽和脂肪酸金属塩とを配合
   したポリビニルシクロヘキサン系樹脂からなることを特
   徴とする光ディスク基板。
2. 【請求項２】 ポリビニルシクロヘキサン系樹脂が、ビ
   ニル芳香族炭化水素重合体を核水添して得られるもので
   あることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク基
   板。
3. 【請求項３】 長鎖飽和脂肪酸金属塩を構成する飽和脂
   肪酸の炭素数が１２〜３０、金属の原子価が２価以上で
   あることを特徴とする請求項１又は２に記載の光ディス
   ク基板。