JPH0524170A - 半導体レーザ製版装置 - Google Patents
半導体レーザ製版装置Info
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- JPH0524170A JPH0524170A JP17974791A JP17974791A JPH0524170A JP H0524170 A JPH0524170 A JP H0524170A JP 17974791 A JP17974791 A JP 17974791A JP 17974791 A JP17974791 A JP 17974791A JP H0524170 A JPH0524170 A JP H0524170A
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- laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザを用いてグラビア版を製版する
際に、画像データの濃淡に合せて版の深さ及び面積を変
えてより細かな多階調の表現が出来る版胴の製版装置を
得る。 【構成】 半導体レーザ１０で画像データ４１の濃淡に
合せて、版上に窪み１５を形成させる際に、濃淡に応じ
て半導体レーザ１０に流す電流値並に照射時間値を変え
ることでパワ出力を変化させ、深さと面積の変化した版
２を得る。
際に、画像データの濃淡に合せて版の深さ及び面積を変
えてより細かな多階調の表現が出来る版胴の製版装置を
得る。 【構成】 半導体レーザ１０で画像データ４１の濃淡に
合せて、版上に窪み１５を形成させる際に、濃淡に応じ
て半導体レーザ１０に流す電流値並に照射時間値を変え
ることでパワ出力を変化させ、深さと面積の変化した版
２を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザを用いて映
像データの濃淡に応じた窪みの版を形成する様にした半
導体レーザ製版装置に関する。
像データの濃淡に応じた窪みの版を形成する様にした半
導体レーザ製版装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】本出願人は先に特開平２−１３９２３８
号公報によって、レーザを用いて熱可塑製樹脂からなる
版にレーザビームを照射し、画像の濃淡に対応した凹部
を形成する様にした凹版の版胴を得る製版装置を提案し
た。
号公報によって、レーザを用いて熱可塑製樹脂からなる
版にレーザビームを照射し、画像の濃淡に対応した凹部
を形成する様にした凹版の版胴を得る製版装置を提案し
た。
【０００３】上記公報に開示した構成の大要を図５を用
いて説明する。図５は版胴１に巻回した版２のパターン
形成方法を示す光学系の概念図であり、版胴１は金属性
の円筒であり、この版胴１の外径に沿って合成樹脂の版
２を巻付けて、皿螺子等で版胴１に穿った母螺に固定す
る。この固定方法は適宜方法のものを選択することが出
来て、例えば版２の裏面に接着剤を塗布して版胴に固定
することも出来る。
いて説明する。図５は版胴１に巻回した版２のパターン
形成方法を示す光学系の概念図であり、版胴１は金属性
の円筒であり、この版胴１の外径に沿って合成樹脂の版
２を巻付けて、皿螺子等で版胴１に穿った母螺に固定す
る。この固定方法は適宜方法のものを選択することが出
来て、例えば版２の裏面に接着剤を塗布して版胴に固定
することも出来る。
【０００４】版２の材料としては比較的融点の分布範囲
が狭く、硬化時には硬さがあり、融解時には樹脂が低温
で飛散又は昇華する熱可塑性樹脂がよく、例えば、ポリ
エチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリプロピレン樹脂にカ
ーボンを２０％程度含有させたもの等を用いている。
又、版２の厚みは２００ミクロン程度のものが選択され
る。
が狭く、硬化時には硬さがあり、融解時には樹脂が低温
で飛散又は昇華する熱可塑性樹脂がよく、例えば、ポリ
エチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリプロピレン樹脂にカ
ーボンを２０％程度含有させたもの等を用いている。
又、版２の厚みは２００ミクロン程度のものが選択され
る。
【０００５】版胴１は後述する版胴回転モータに連結さ
れ、版胴１は矢印Ｂ方向に回転される。
れ、版胴１は矢印Ｂ方向に回転される。
【０００６】図５では１Ｗ程度の半導体レーザ１０を用
いて版２に窪み１５を形成するための概念図を示すもの
である。
いて版２に窪み１５を形成するための概念図を示すもの
である。
【０００７】イメージスキャナー等で取り込まれた映像
入力信号１６は半導体レーザ１０に供給され、駆動電流
をＰＣＭ化した映像入力信号１６でオン，オフして直接
変調する。このため半導体レーザ１０から放出されるレ
ーザビームは映像信号に同期して点滅する。半導体レー
ザ１０を出たレーザビームはコリメート光学系１２で平
行光に成され、焦点レンズ１３を介して版２の表面位置
に焦点を結ぶ様に照射される。
入力信号１６は半導体レーザ１０に供給され、駆動電流
をＰＣＭ化した映像入力信号１６でオン，オフして直接
変調する。このため半導体レーザ１０から放出されるレ
ーザビームは映像信号に同期して点滅する。半導体レー
ザ１０を出たレーザビームはコリメート光学系１２で平
行光に成され、焦点レンズ１３を介して版２の表面位置
に焦点を結ぶ様に照射される。
【０００８】半導体レーザ１０，コリメート光学系１
２，焦点レンズ１３を含むレーザブロック１４は始めは
版胴１の最左端側の所定位置に焦点が合せられている。
版胴１は矢印Ｂ方向に後述する版胴回転用モータで回転
される様になされているので、版胴１を１回転させると
円周に沿った１トラック分の窪み１５がレーザビームで
飛散して所定の１トラック分の窪み１５を作る。次にレ
ーザブロック１４を１画素分版胴１の軸方向に移動させ
て、合成樹脂材を飛散させて行くと２トラック分に所定
の窪み１５が形成される。この様な走査を順次版胴１の
全面に亘って行えば合成樹脂材は映像入力信号１６の濃
淡に対応した窪み１５を形成する。
２，焦点レンズ１３を含むレーザブロック１４は始めは
版胴１の最左端側の所定位置に焦点が合せられている。
版胴１は矢印Ｂ方向に後述する版胴回転用モータで回転
される様になされているので、版胴１を１回転させると
円周に沿った１トラック分の窪み１５がレーザビームで
飛散して所定の１トラック分の窪み１５を作る。次にレ
ーザブロック１４を１画素分版胴１の軸方向に移動させ
て、合成樹脂材を飛散させて行くと２トラック分に所定
の窪み１５が形成される。この様な走査を順次版胴１の
全面に亘って行えば合成樹脂材は映像入力信号１６の濃
淡に対応した窪み１５を形成する。
【０００９】即ち、版胴１にはレーザビームが焦点レン
ズ１３を介して照射され、合成樹脂の版２表面に焦点を
結び版面を融かして合成樹脂を飛散或は昇華させる。
ズ１３を介して照射され、合成樹脂の版２表面に焦点を
結び版面を融かして合成樹脂を飛散或は昇華させる。
【００１０】半導体レーザ１０から出射されるレーザビ
ーム１１は図６に示す様に微小な活性層領域１０ａから
放出され、発光点に近い位置での光束断面は略矩形で、
その大きさは幅２００μｍ×厚み１μｍ程度でありレー
ザブロック１４内のコリメート光学系１２及び焦点レン
ズ１３を介して版２上に投影されるレーザビームスポッ
ト１０ｂの断面は略矩形でその大きさは幅１２０μｍ×
厚さ１μｍ程度である。
ーム１１は図６に示す様に微小な活性層領域１０ａから
放出され、発光点に近い位置での光束断面は略矩形で、
その大きさは幅２００μｍ×厚み１μｍ程度でありレー
ザブロック１４内のコリメート光学系１２及び焦点レン
ズ１３を介して版２上に投影されるレーザビームスポッ
ト１０ｂの断面は略矩形でその大きさは幅１２０μｍ×
厚さ１μｍ程度である。
【００１１】この様な断面矩形状のレーザビームスポッ
ト１０ｂを厚さ方向に移動させて、版２上に所定の画像
データの濃淡に応じた窪み１５を形成する様になされて
いる。即ち、半導体レーザ１０には上記した様に、映像
入力信号１６で変調されたオン，オフ信号に基づいて図
７Ａの如き電流Ｉが流され、オン期間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ 3
のデュレーションによって、図７Ｂの平面図及び図７Ｃ
の一部断面図に示す様に版２上に画像データに対応した
窪み１５が所定の面積Ｓ及び所定の深さｄとなる様に形
成される。
ト１０ｂを厚さ方向に移動させて、版２上に所定の画像
データの濃淡に応じた窪み１５を形成する様になされて
いる。即ち、半導体レーザ１０には上記した様に、映像
入力信号１６で変調されたオン，オフ信号に基づいて図
７Ａの如き電流Ｉが流され、オン期間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ 3
のデュレーションによって、図７Ｂの平面図及び図７Ｃ
の一部断面図に示す様に版２上に画像データに対応した
窪み１５が所定の面積Ｓ及び所定の深さｄとなる様に形
成される。
【００１２】図７Ａ，Ｂ，Ｃから解る様に半導体レーザ
１０に流される電流は一定の電流値Ｉであって、オン，
オフ信号のオン時に版２に形成される窪み１５の深さｄ
は駆動電流Ｉに依存し一定であり、濃淡表現は主に窪み
１５の面積Ｓによって決定する様に成されている。
１０に流される電流は一定の電流値Ｉであって、オン，
オフ信号のオン時に版２に形成される窪み１５の深さｄ
は駆動電流Ｉに依存し一定であり、濃淡表現は主に窪み
１５の面積Ｓによって決定する様に成されている。
【００１３】更に、図８Ａに示す様に半導体レーザ１０
の照射時間ｔ1 ＝ｔ2 ＝ｔ3 （例えば１画素分の長さ）
を一定にし、これら各画素に対し半導体レーザ１０に流
す電流値Ｉ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 を変化させることでレーザパ
ワを変化させ、図８Ｂ（画素平面図）及び図８Ｃ（画素
の一部側断面図）の如き画像データの濃淡に応じて深さ
ｄ1 ，ｄ2 ，ｄ3 の異なる窪み１５を版２の表面に形成
することも、本出願人が提案している。
の照射時間ｔ1 ＝ｔ2 ＝ｔ3 （例えば１画素分の長さ）
を一定にし、これら各画素に対し半導体レーザ１０に流
す電流値Ｉ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 を変化させることでレーザパ
ワを変化させ、図８Ｂ（画素平面図）及び図８Ｃ（画素
の一部側断面図）の如き画像データの濃淡に応じて深さ
ｄ1 ，ｄ2 ，ｄ3 の異なる窪み１５を版２の表面に形成
することも、本出願人が提案している。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述の半導体レーザ１
０にオン時に流す駆動電流Ｉは寿命を考慮して半導体レ
ーザのフルパワの７〜９割程度が出力出来る適度の電流
を流し、オフ時には全く電流を流さないか、レーザ保護
のため少量の電流を流す程度であった。この様な図７
Ａ，Ｂ，Ｃに示すような駆動電流で画像データの濃淡に
応じてオン，オフ期間ｔ1 ｔ2 ，ｔ3 を変えると共に版
胴１を一定速度で回転させれば、画像データに対応した
面積Ｓの異なる窪みを形成して階調を表現することが出
来るが、版２に形成される窪み１５の深さｄは常に一定
であるために、深さ方向の変化が乏しく、グラビア印刷
の特徴であるインクの厚み方向による階調表現が出来な
い問題があった。
０にオン時に流す駆動電流Ｉは寿命を考慮して半導体レ
ーザのフルパワの７〜９割程度が出力出来る適度の電流
を流し、オフ時には全く電流を流さないか、レーザ保護
のため少量の電流を流す程度であった。この様な図７
Ａ，Ｂ，Ｃに示すような駆動電流で画像データの濃淡に
応じてオン，オフ期間ｔ1 ｔ2 ，ｔ3 を変えると共に版
胴１を一定速度で回転させれば、画像データに対応した
面積Ｓの異なる窪みを形成して階調を表現することが出
来るが、版２に形成される窪み１５の深さｄは常に一定
であるために、深さ方向の変化が乏しく、グラビア印刷
の特徴であるインクの厚み方向による階調表現が出来な
い問題があった。
【００１５】更に図８Ａ，Ｂ，Ｃに示す様に半導体レー
ザに流す電流値をＩ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 と変化させ、照射時
間即ち、オン時間ｔ1 ＝ｔ2 ＝ｔ3 を一定にした場合に
は深さｄ1 ，ｄ2 ，ｄ3 を変えられるが面積Ｓが一定で
あるためより細かい階調表現が出来ない問題があった。
ザに流す電流値をＩ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 と変化させ、照射時
間即ち、オン時間ｔ1 ＝ｔ2 ＝ｔ3 を一定にした場合に
は深さｄ1 ，ｄ2 ，ｄ3 を変えられるが面積Ｓが一定で
あるためより細かい階調表現が出来ない問題があった。
【００１６】本発明は叙上の如き問題点を解決するため
になされたもので、その目的とするところはグラビアの
版の窪みの深さ方向及び照射時間に変化を持たせ、印刷
時にインクの厚み方向と画素面積に変化を持たせて階調
表現出来る半導体レーザ製版装置を提供するにある。
になされたもので、その目的とするところはグラビアの
版の窪みの深さ方向及び照射時間に変化を持たせ、印刷
時にインクの厚み方向と画素面積に変化を持たせて階調
表現出来る半導体レーザ製版装置を提供するにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の製版装置はその
例が図１に示されている様に半導体レーザを用いて画像
データの濃淡に応じて版に窪みを形成する様にした半導
体レーザ製版装置に於いて、半導体レーザ１０で版２の
窪み１５を形成しているオン期間の電流値を画像データ
４１の濃淡に応じて変換させた電流値を記憶する第１の
記憶手段４４と半導体レーザ１０で版２の窪み１５を形
成しているオン期間の時間を画像データの濃淡に応じて
変換させた照射時間値を記憶する第２の記憶手段４６
と、第１及び第２の記憶手段４４及び４６の電流値並に
照射時間値に基づき半導体レーザ１０に流す電流値並に
照射時間値を設定する電流値及び照射時間設定手段４５
及び４２とを具備し電流値並に照射時間値設定手段４５
及び４２の出力により半導体レーザ１０のオンされてい
る画素分の区間毎に電流値並に照射時間を変化させて画
素データに応じた深さ及び画素面積の異なる窪みを形成
してなるものである。
例が図１に示されている様に半導体レーザを用いて画像
データの濃淡に応じて版に窪みを形成する様にした半導
体レーザ製版装置に於いて、半導体レーザ１０で版２の
窪み１５を形成しているオン期間の電流値を画像データ
４１の濃淡に応じて変換させた電流値を記憶する第１の
記憶手段４４と半導体レーザ１０で版２の窪み１５を形
成しているオン期間の時間を画像データの濃淡に応じて
変換させた照射時間値を記憶する第２の記憶手段４６
と、第１及び第２の記憶手段４４及び４６の電流値並に
照射時間値に基づき半導体レーザ１０に流す電流値並に
照射時間値を設定する電流値及び照射時間設定手段４５
及び４２とを具備し電流値並に照射時間値設定手段４５
及び４２の出力により半導体レーザ１０のオンされてい
る画素分の区間毎に電流値並に照射時間を変化させて画
素データに応じた深さ及び画素面積の異なる窪みを形成
してなるものである。
【００１８】
【作用】本発明の半導体レーザ製版装置では版胴に巻回
した版に半導体レーザからレーザビームを照射して、版
面上にグラビア版の窪みを形成する際に、半導体レーザ
に流す駆動電流並に照射時間を画像データの濃淡に応じ
て変化させて、半導体レーザパワ出力を変化させたので
濃淡に応じて深さの異なる窪みが形成出来ると共に面積
も照射時間が変わって変化するので、印刷物を得る時に
インクの厚み方向並に面積に変化を持たせた階調を表現
することが出来るものが得られる。
した版に半導体レーザからレーザビームを照射して、版
面上にグラビア版の窪みを形成する際に、半導体レーザ
に流す駆動電流並に照射時間を画像データの濃淡に応じ
て変化させて、半導体レーザパワ出力を変化させたので
濃淡に応じて深さの異なる窪みが形成出来ると共に面積
も照射時間が変わって変化するので、印刷物を得る時に
インクの厚み方向並に面積に変化を持たせた階調を表現
することが出来るものが得られる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の半導体レーザ製版装置を図１
乃至図４について説明する。図１で本発明を説明するに
先だち図２によって本例のレーザ製版装置の全体的な構
成を説明する。
乃至図４について説明する。図１で本発明を説明するに
先だち図２によって本例のレーザ製版装置の全体的な構
成を説明する。
【００２０】図２は本例に用いる半導体レーザ製版装置
の斜視図を示すもので、１１は半導体レーザ製版装置の
ベースで略長方形状の鋼板上に版胴回転部６２及びレー
ザブロック移動部６３が設けられる。版胴回転部６２は
略くの字状に形成した左右側壁６４Ｌ，６４Ｒ間に略円
筒状の版胴１を回転自在に枢着し、ベース１１上に配設
した版胴回転モータ７によって、駆動される様になさ
れ、レーザブロック１４内には半導体レーザ１０を含
み、版胴１の軸方向に沿って配設した案内部２２に沿っ
て移動する様になされている。
の斜視図を示すもので、１１は半導体レーザ製版装置の
ベースで略長方形状の鋼板上に版胴回転部６２及びレー
ザブロック移動部６３が設けられる。版胴回転部６２は
略くの字状に形成した左右側壁６４Ｌ，６４Ｒ間に略円
筒状の版胴１を回転自在に枢着し、ベース１１上に配設
した版胴回転モータ７によって、駆動される様になさ
れ、レーザブロック１４内には半導体レーザ１０を含
み、版胴１の軸方向に沿って配設した案内部２２に沿っ
て移動する様になされている。
【００２１】版胴１の円筒部の外周に沿って合成樹脂の
版２を巻付けて固定する。版胴１の左右には金属製のキ
ャップ３Ｌ，３Ｒが嵌着され、左右キャップ３Ｌ，３Ｒ
に一体に形成した軸４Ｌ，４Ｒが左右側壁６４Ｌ，６４
Ｒに回動自在に枢着されている。軸４Ｒは複数のプーリ
６‥‥とベルト５‥‥を介してベース１１上に固定され
た版胴回転モータ７に連結されて、これらプーリ６及び
ベルト５を介して版胴１に巻回した版２は矢印Ａ或はＢ
方向に回転する。
版２を巻付けて固定する。版胴１の左右には金属製のキ
ャップ３Ｌ，３Ｒが嵌着され、左右キャップ３Ｌ，３Ｒ
に一体に形成した軸４Ｌ，４Ｒが左右側壁６４Ｌ，６４
Ｒに回動自在に枢着されている。軸４Ｒは複数のプーリ
６‥‥とベルト５‥‥を介してベース１１上に固定され
た版胴回転モータ７に連結されて、これらプーリ６及び
ベルト５を介して版胴１に巻回した版２は矢印Ａ或はＢ
方向に回転する。
【００２２】レーザブロック移動部６３はベース１１の
左右側壁６４Ｌ，６４Ｒ上に形成したく字状の段部に略
矩形状のサブベース６５が載置され、このサブベース６
５上に案内部２２が形成されている。
左右側壁６４Ｌ，６４Ｒ上に形成したく字状の段部に略
矩形状のサブベース６５が載置され、このサブベース６
５上に案内部２２が形成されている。
【００２３】更にサブベース６５上には軸受部２３Ｌ，
２３Ｒが植立され、これら軸受部２３Ｌ，２３Ｒ間にレ
ーザブロック移動部６３のボールねじ２６が橋絡され、
レーザブロック移動用モータ２４でボールねじ２６は回
転駆動される。即ち、ボールねじ２６はレーザブロック
移動用モータ２４の軸とカップリング用の軸継ぎ手２５
で係合され、ボールねじ２６を駆動する。
２３Ｒが植立され、これら軸受部２３Ｌ，２３Ｒ間にレ
ーザブロック移動部６３のボールねじ２６が橋絡され、
レーザブロック移動用モータ２４でボールねじ２６は回
転駆動される。即ち、ボールねじ２６はレーザブロック
移動用モータ２４の軸とカップリング用の軸継ぎ手２５
で係合され、ボールねじ２６を駆動する。
【００２４】ボールねじ２６には移動子２７が螺合さ
れ、この移動子２７とレーザブロック取付台２８がアー
ム２９で固定され、レーザブロック取付台２８上にはレ
ーザブロック１４が載置され、このレーザブロック１４
が案内部２２に沿って版胴１の軸方向に移動すること
で、レーザブロック１４内の半導体レーザ１０から照射
されたレーザビーム１１は版胴１に巻回した版２のＸ及
びＹ軸の全方向に対向して窪み１５を形成することが出
来る。
れ、この移動子２７とレーザブロック取付台２８がアー
ム２９で固定され、レーザブロック取付台２８上にはレ
ーザブロック１４が載置され、このレーザブロック１４
が案内部２２に沿って版胴１の軸方向に移動すること
で、レーザブロック１４内の半導体レーザ１０から照射
されたレーザビーム１１は版胴１に巻回した版２のＸ及
びＹ軸の全方向に対向して窪み１５を形成することが出
来る。
【００２５】この様な半導体レーザ製版装置を用いて、
グラビアの版２を形成する形成方法を図１の系統図を用
いて説明する。
グラビアの版２を形成する形成方法を図１の系統図を用
いて説明する。
【００２６】図１で入力操作部３０は停止、リセット等
のステータス信号３１をマイクロコンピュータ（以下Ｃ
ＰＵと記す）３２に供給する。ＣＰＵ３２は正転又は逆
転パルスをレーザブロック移動用モータドライバ３３と
版胴回転用モータドライバ３５とに供給し、レーザブロ
ック移動用モータ２４と版胴回転用モータ７とを回転駆
動させる。版胴駆動用モータ７で版胴１を回転させ、半
導体レーザ１０で映像入力信号１６のデータに対応した
窪み１５を版面上に形成し、版胴１が回転したらレーザ
ブロック移動用モータ２４を１画素データ分移動させ
て、版胴１の円周に沿って画面の濃淡に応じた窪み１５
を作って行く様にＣＰＵ３２がコントロールしている。
のステータス信号３１をマイクロコンピュータ（以下Ｃ
ＰＵと記す）３２に供給する。ＣＰＵ３２は正転又は逆
転パルスをレーザブロック移動用モータドライバ３３と
版胴回転用モータドライバ３５とに供給し、レーザブロ
ック移動用モータ２４と版胴回転用モータ７とを回転駆
動させる。版胴駆動用モータ７で版胴１を回転させ、半
導体レーザ１０で映像入力信号１６のデータに対応した
窪み１５を版面上に形成し、版胴１が回転したらレーザ
ブロック移動用モータ２４を１画素データ分移動させ
て、版胴１の円周に沿って画面の濃淡に応じた窪み１５
を作って行く様にＣＰＵ３２がコントロールしている。
【００２７】データＲＡＭ３８にはイメージスキャナ等
で取り込んだデジタル画像データ４１が格納されてい
る。ＣＰＵ３２は製版すべき画素の画像データ４１をデ
ータＲＡＭ３８より読みだし、これをグレースケール変
換回路４２に送る。グレースケール変換回路４２は画像
の濃淡をレーザ照射時間の長短に変換する役割を持つ。
このグレースケール変換回路４２の出力によりレーザド
ライバ４３を介して半導体レーザ１０を駆動する。
で取り込んだデジタル画像データ４１が格納されてい
る。ＣＰＵ３２は製版すべき画素の画像データ４１をデ
ータＲＡＭ３８より読みだし、これをグレースケール変
換回路４２に送る。グレースケール変換回路４２は画像
の濃淡をレーザ照射時間の長短に変換する役割を持つ。
このグレースケール変換回路４２の出力によりレーザド
ライバ４３を介して半導体レーザ１０を駆動する。
【００２８】グレースケール変換回路４２には予め用意
された半導体レーザ１０のオン時に流す電流値テーブル
を有する。この電流値テーブルは例えば画像データ４１
の値が階調で２５５で表される時は１．５Ａ、同様に１
２８で表せる時には１．０Ａ等と画像データの値に応じ
た定められた電流値がＲＯＭ或はＲＡＭ等の記憶手段４
４に格納されている。
された半導体レーザ１０のオン時に流す電流値テーブル
を有する。この電流値テーブルは例えば画像データ４１
の値が階調で２５５で表される時は１．５Ａ、同様に１
２８で表せる時には１．０Ａ等と画像データの値に応じ
た定められた電流値がＲＯＭ或はＲＡＭ等の記憶手段４
４に格納されている。
【００２９】同様にグレースケール変換回路４２は半導
体レーザ１０の照射時間の長短に変換する照射時間テー
ブルを有するこの照射時間テーブルは例えば画像データ
４１の値が階調で２５５で表されるときは２００パル
ス、同様に１２８で表されるときには１５０パルス等と
画像データ４１の値に応じて照射時間値（パルス数＝パ
ルス幅）がＲＯＭ或はＲＡＭ等の記憶手段４６に格納さ
れている。
体レーザ１０の照射時間の長短に変換する照射時間テー
ブルを有するこの照射時間テーブルは例えば画像データ
４１の値が階調で２５５で表されるときは２００パル
ス、同様に１２８で表されるときには１５０パルス等と
画像データ４１の値に応じて照射時間値（パルス数＝パ
ルス幅）がＲＯＭ或はＲＡＭ等の記憶手段４６に格納さ
れている。
【００３０】グレースケール変換回路４２の出力は上述
の記憶手段４４からの電流値を読み出し、この電流値を
レーザドライバ４３を介して半導体レーザ１０に流す様
な電流値設定回路４５に供給される。即ち、電流値設定
回路４５では電流値テーブルの値の半導体レーザ駆動電
流を作り出す様になされる。
の記憶手段４４からの電流値を読み出し、この電流値を
レーザドライバ４３を介して半導体レーザ１０に流す様
な電流値設定回路４５に供給される。即ち、電流値設定
回路４５では電流値テーブルの値の半導体レーザ駆動電
流を作り出す様になされる。
【００３１】又、グレースケール変換回路４２からのオ
ンオフ信号は照射時間テーブル４６から、例えば画像デ
ータの値が階調で２５５の時の１．５Ａの電流値でパル
ス数が２００となり、階調が１２８の時、１．０Ａでパ
ルス数が１５０となる様にオン時間のパルス数が変えら
れて、レーザドライバ４３に供給される。
ンオフ信号は照射時間テーブル４６から、例えば画像デ
ータの値が階調で２５５の時の１．５Ａの電流値でパル
ス数が２００となり、階調が１２８の時、１．０Ａでパ
ルス数が１５０となる様にオン時間のパルス数が変えら
れて、レーザドライバ４３に供給される。
【００３２】上述の構成の系統図での本例の動作を図３
及び図４を用いて説明する。上述の１Ｗ程度のレーザパ
ワを出力するための例えば、ＳＬＤ−３０４（ソニー製
半導体レーザ）の駆動電流（ｍＡ）とレーザバワ出力
（ｍＷ）との特性曲線図は図４に示す如き特性を示して
いる。即ち駆動電流が２００ｍＡ程度或はレーザパワ出
力は零であり、駆動電流２５０ｍＡ程度から徐々に出力
が立ち上る特性を示している。この半導体レーザの特性
曲線４６から解る様に駆動電流を２５０ｍＡ乃至２００
０ｍＡ範囲まで変化させれば、パワ出力は０乃至１００
０ｍＡ程度まで変化出来る。
及び図４を用いて説明する。上述の１Ｗ程度のレーザパ
ワを出力するための例えば、ＳＬＤ−３０４（ソニー製
半導体レーザ）の駆動電流（ｍＡ）とレーザバワ出力
（ｍＷ）との特性曲線図は図４に示す如き特性を示して
いる。即ち駆動電流が２００ｍＡ程度或はレーザパワ出
力は零であり、駆動電流２５０ｍＡ程度から徐々に出力
が立ち上る特性を示している。この半導体レーザの特性
曲線４６から解る様に駆動電流を２５０ｍＡ乃至２００
０ｍＡ範囲まで変化させれば、パワ出力は０乃至１００
０ｍＡ程度まで変化出来る。
【００３３】そこで、本例ではグレースケール変換回路
４２にＣＰＵ３２から供給された画像データ４１の濃淡
に応じて記憶手段４４の電流値テーブルから、その濃淡
に対応した電流値を読み出して、電流値設定回路４５に
供給する。電流値設定回路４５では図３Ａに示す様に、
半導体レーザ１０に流す電流をＩ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 ‥‥の
様に作り出して、レーザドライバ４３を介して、オン期
間の一画素分の時間ｔ 3 ，ｔ1 ，ｔ2 だけ半導体レーザ
１０に供給して、電流Ｉ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 を流すこの
Ｉ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 の電流値に対すにオン期間のｔ3 ，ｔ
1 ，ｔ2 のデュレーションは照射時間テーブル４６から
グレースケール変換回路４２が読み出してレーザドライ
バ４３にオン信号として供給するので、このパルス数と
この電流値に対応したパワ出力のレーザビーム１１が版
胴１に巻回した版２の表面に照射されて、窪み１５が図
３Ｂ及び図３Ｃに示す様に形成される。即ち、電流値Ｉ
3 の様に電流が大きく照射時間ｔ2 の様に長い所では版
２に形成される窪み１５の深さｄ2 は深く面積Ｓも大き
くなり、濃度の濃い階調を表現することが出来る。又、
濃度の淡い所では電流値Ｉ1 の様に電流が小さい小パワ
であるため窪み１５の深さｄ3 も浅く且つ照射時間も短
く面積Ｓが小さくなる様になされるので淡い階調表現と
なる。
４２にＣＰＵ３２から供給された画像データ４１の濃淡
に応じて記憶手段４４の電流値テーブルから、その濃淡
に対応した電流値を読み出して、電流値設定回路４５に
供給する。電流値設定回路４５では図３Ａに示す様に、
半導体レーザ１０に流す電流をＩ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 ‥‥の
様に作り出して、レーザドライバ４３を介して、オン期
間の一画素分の時間ｔ 3 ，ｔ1 ，ｔ2 だけ半導体レーザ
１０に供給して、電流Ｉ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 を流すこの
Ｉ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 の電流値に対すにオン期間のｔ3 ，ｔ
1 ，ｔ2 のデュレーションは照射時間テーブル４６から
グレースケール変換回路４２が読み出してレーザドライ
バ４３にオン信号として供給するので、このパルス数と
この電流値に対応したパワ出力のレーザビーム１１が版
胴１に巻回した版２の表面に照射されて、窪み１５が図
３Ｂ及び図３Ｃに示す様に形成される。即ち、電流値Ｉ
3 の様に電流が大きく照射時間ｔ2 の様に長い所では版
２に形成される窪み１５の深さｄ2 は深く面積Ｓも大き
くなり、濃度の濃い階調を表現することが出来る。又、
濃度の淡い所では電流値Ｉ1 の様に電流が小さい小パワ
であるため窪み１５の深さｄ3 も浅く且つ照射時間も短
く面積Ｓが小さくなる様になされるので淡い階調表現と
なる。
【００３４】上述では画素毎に半導体レーザに流す電流
を変えたが１つの画素内では電流値を一定にした例を説
明したが、図３Ｄ，Ｅ，Ｆに示す様に１つの画素内で電
流値を変化させる様にしてもよい。例えば１５Ａで示す
窪み１５（図３Ｅの平面図及び図３Ｆの側断面図参照）
では、図３Ｄに示す様に１画素内で電流Ｉ3 とＩ5 の様
に電流値を変化させたので、一画素分の窪み１５の深さ
はｄ1 及びｄ2 と変化出来、より細かな階調表現が可能
となる。
を変えたが１つの画素内では電流値を一定にした例を説
明したが、図３Ｄ，Ｅ，Ｆに示す様に１つの画素内で電
流値を変化させる様にしてもよい。例えば１５Ａで示す
窪み１５（図３Ｅの平面図及び図３Ｆの側断面図参照）
では、図３Ｄに示す様に１画素内で電流Ｉ3 とＩ5 の様
に電流値を変化させたので、一画素分の窪み１５の深さ
はｄ1 及びｄ2 と変化出来、より細かな階調表現が可能
となる。
【００３５】本例の半導体レーザ製版装置によれば版２
に窪み１５の深さ方向並に面積Ｓに変化を持たせること
が出来るため、本例で製作した版を用いてグラビア印刷
を行なった印刷物はグラビア印刷本来のインキの厚みに
変化を持たせた階調表現と面積階調表現の両方に変化を
持たせることが可能となり、より細かな多階調の印刷を
行うことが出来る。
に窪み１５の深さ方向並に面積Ｓに変化を持たせること
が出来るため、本例で製作した版を用いてグラビア印刷
を行なった印刷物はグラビア印刷本来のインキの厚みに
変化を持たせた階調表現と面積階調表現の両方に変化を
持たせることが可能となり、より細かな多階調の印刷を
行うことが出来る。
【００３６】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ製版装置によれば
製版された版の窪みの深さ及び面積の両方向に変化を持
たせることが出来るので印刷物の厚み方向と面積にに変
化を持たせて、より細かな階調を表現することの出来る
ものが得られる。
製版された版の窪みの深さ及び面積の両方向に変化を持
たせることが出来るので印刷物の厚み方向と面積にに変
化を持たせて、より細かな階調を表現することの出来る
ものが得られる。
【図１】本発明の半導体レーザ製版装置の系統図であ
る。
る。
【図２】本発明の半導体レーザ製版装置の斜視図であ
る。
る。
【図３】本発明の半導体レーザ製版装置の波形及び窪み
説明図である。
説明図である。
【図４】本発明の半導体レーザ製版装置に用いる半導体
レーザのパワ出力対電流特性図である。
レーザのパワ出力対電流特性図である。
【図５】従来のレーザ走査系を示す光学系の概念図であ
る。
る。
【図６】従来の半導体レーザ製版装置に用いる半導体レ
ーザのパターン説明図である。
ーザのパターン説明図である。
【図７】従来の半導体レーザ製版装置に用いる半導体レ
ーザの波形及び窪み説明図である。
ーザの波形及び窪み説明図である。
【図８】従来の半導体レーザ製版装置に用いる半導体レ
ーザの波形及び窪みの他の説明図である。
ーザの波形及び窪みの他の説明図である。
１ 版胴 ２ 版 １０ 半導体レーザ ４３ レーザドライバ ４４ 電流値テーブル記憶手段 ４５ 照射時間テーブル記憶手段 ４６ 電流値設定回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年３月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザを用いて画
像データの濃淡に応じた窪みの版を形成する様にした半
導体レーザ製版装置に関する。
像データの濃淡に応じた窪みの版を形成する様にした半
導体レーザ製版装置に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】本出願人は先に特開平２−１３９２３８
号公報によって、レーザを用いて熱可塑性樹脂からなる
版にレーザビームを照射し、画像の濃淡に対応した凹部
を形成する様にした凹版の版胴を得る製版装置を提案し
た。
号公報によって、レーザを用いて熱可塑性樹脂からなる
版にレーザビームを照射し、画像の濃淡に対応した凹部
を形成する様にした凹版の版胴を得る製版装置を提案し
た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】イメージスキャナー等で取り込まれた画像
入力信号１６は半導体レーザ１０に供給され、駆動電流
をＰＣＭ化した画像入力信号１６でオン，オフして直接
変調する。このため半導体レーザ１０から放出されるレ
ーザビームは画像信号に同期して点滅する。半導体レー
ザ１０を出たレーザビームはコリメート光学系１２で平
行光に成され、焦点レンズ１３を介して版２の表面位置
に焦点を結ぶ様に照射される。
入力信号１６は半導体レーザ１０に供給され、駆動電流
をＰＣＭ化した画像入力信号１６でオン，オフして直接
変調する。このため半導体レーザ１０から放出されるレ
ーザビームは画像信号に同期して点滅する。半導体レー
ザ１０を出たレーザビームはコリメート光学系１２で平
行光に成され、焦点レンズ１３を介して版２の表面位置
に焦点を結ぶ様に照射される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】半導体レーザ１０、コリメート光学系１
２、焦点レンズ１３を含むレーザブロック１４は始めは
版胴１の最左端側の所定位置に焦点が合せられている。
版胴１は矢印Ｂ方向に後述する版胴回転用モータで回転
される様になされているので、版胴１を１回転させると
円周に沿った１トラック分の窪み１５がレーザビームで
飛散して所定の１トラック分の窪み１５を作る。次にレ
ーザブロック１４を１画素分版胴１の軸方向に移動させ
て、合成樹脂材を飛散させて行くと２トラック分に所定
の窪み１５が形成される。この様な走査を順次版胴１の
全面に亘って行えば合成樹脂材は画像入力信号１６の濃
淡に対応した窪み１５を形成する。
２、焦点レンズ１３を含むレーザブロック１４は始めは
版胴１の最左端側の所定位置に焦点が合せられている。
版胴１は矢印Ｂ方向に後述する版胴回転用モータで回転
される様になされているので、版胴１を１回転させると
円周に沿った１トラック分の窪み１５がレーザビームで
飛散して所定の１トラック分の窪み１５を作る。次にレ
ーザブロック１４を１画素分版胴１の軸方向に移動させ
て、合成樹脂材を飛散させて行くと２トラック分に所定
の窪み１５が形成される。この様な走査を順次版胴１の
全面に亘って行えば合成樹脂材は画像入力信号１６の濃
淡に対応した窪み１５を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】半導体レーザ１０から出射されるレーザビ
ーム１１は図６に示す様に微小な活性層領域１０ａから
放出され、発振領域は略矩形で、その大きさは例えば幅
２００μｍ掛ける厚み１μｍ程度でありレーザブロック
１４内のコリメート光学系１２及び焦点レンズ１３を介
して版２上に投影されるレーザビームスポット１０ｂの
断面は略矩形でその大きさは光学系によって変わるが例
えば、幅１２０μｍ×厚さ１μｍ程度である。
ーム１１は図６に示す様に微小な活性層領域１０ａから
放出され、発振領域は略矩形で、その大きさは例えば幅
２００μｍ掛ける厚み１μｍ程度でありレーザブロック
１４内のコリメート光学系１２及び焦点レンズ１３を介
して版２上に投影されるレーザビームスポット１０ｂの
断面は略矩形でその大きさは光学系によって変わるが例
えば、幅１２０μｍ×厚さ１μｍ程度である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】この様な断面矩形状のレーザビームスポッ
ト１０ｂを厚さ方向に移動させて、版２上に所定の画像
データの濃淡に応じた窪み１５を形成する様になされて
いる。即ち、半導体レーザ１０には上記した様に、画像
入力信号１６で変調されたオン，オフ信号に基づいて図
７Ａの如き電流Ｉが流され、オン期間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ 3
のデュレーションによって、図７Ｂの平面図及び図７Ｃ
の一部断面図に示す様に版２上に画像データに対応した
窪み１５が所定の面積Ｓ及び所定の深さｄとなる様に形
成される。
ト１０ｂを厚さ方向に移動させて、版２上に所定の画像
データの濃淡に応じた窪み１５を形成する様になされて
いる。即ち、半導体レーザ１０には上記した様に、画像
入力信号１６で変調されたオン，オフ信号に基づいて図
７Ａの如き電流Ｉが流され、オン期間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ 3
のデュレーションによって、図７Ｂの平面図及び図７Ｃ
の一部断面図に示す様に版２上に画像データに対応した
窪み１５が所定の面積Ｓ及び所定の深さｄとなる様に形
成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】図２は本例に用いる半導体レーザ製版装置
の斜視図を示すもので、１１は半導体レーザ製版装置の
ベースで略長方形状の鋼板上に版胴回転部６２及びレー
ザブロック移動部６３が設けられる。版胴回転部６２は
略くの字状に形成した左右側壁６４Ｌ，６４Ｒ間に略円
筒状の版胴１を回転自在に枢着し、右側壁６４Ｒ上に配
設した版胴回転モータ７によって、駆動される様になさ
れ、レーザブロック１４内には半導体レーザ１０を含
み、版胴１の軸方向に沿って配設した案内部２２に沿っ
て移動する様になされている。
の斜視図を示すもので、１１は半導体レーザ製版装置の
ベースで略長方形状の鋼板上に版胴回転部６２及びレー
ザブロック移動部６３が設けられる。版胴回転部６２は
略くの字状に形成した左右側壁６４Ｌ，６４Ｒ間に略円
筒状の版胴１を回転自在に枢着し、右側壁６４Ｒ上に配
設した版胴回転モータ７によって、駆動される様になさ
れ、レーザブロック１４内には半導体レーザ１０を含
み、版胴１の軸方向に沿って配設した案内部２２に沿っ
て移動する様になされている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】版胴１の円筒部の外周に沿って合成樹脂の
版２を巻付けて固定する。版胴１の左右には金属製のキ
ャップ３Ｌ，３Ｒが嵌着され、左右キャップ３Ｌ，３Ｒ
に一体に形成した軸４Ｌ，４Ｒが左右側壁６４Ｌ，６４
Ｒに回動自在に枢着されている。軸４Ｒは複数のプーリ
６‥‥とベルト５‥‥を介して右側壁６４Ｒ上に固定さ
れた版胴回転モータ７に連結されて、これらプーリ６及
びベルト５を介して版胴１に巻回した版２は矢印Ａ或は
Ｂ方向に回転する。
版２を巻付けて固定する。版胴１の左右には金属製のキ
ャップ３Ｌ，３Ｒが嵌着され、左右キャップ３Ｌ，３Ｒ
に一体に形成した軸４Ｌ，４Ｒが左右側壁６４Ｌ，６４
Ｒに回動自在に枢着されている。軸４Ｒは複数のプーリ
６‥‥とベルト５‥‥を介して右側壁６４Ｒ上に固定さ
れた版胴回転モータ７に連結されて、これらプーリ６及
びベルト５を介して版胴１に巻回した版２は矢印Ａ或は
Ｂ方向に回転する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】図１で入力操作部３０は停止、リセット等
のステータス信号３１をマイクロコンピュータ（以下Ｃ
ＰＵと記す）３２に供給する。ＣＰＵ３２は正転又は逆
転パルスをレーザブロック移動用モータドライバ３３と
版胴回転用モータドライバ３５とに供給し、レーザブロ
ック移動用モータ２４と版胴回転用モータ７とを回転駆
動させる。版胴回転用モータ７で版胴１を回転させ、半
導体レーザ１０で画像入力信号１６のデータに対応した
窪み１５を版面上に形成し、版胴１が回転したらレーザ
ブロック移動用モータ２４を１画素データ分移動させ
て、版胴１の円周に沿って画素の濃淡に応じた窪み１５
を作って行く様にＣＰＵ３２がコントロールしている。
のステータス信号３１をマイクロコンピュータ（以下Ｃ
ＰＵと記す）３２に供給する。ＣＰＵ３２は正転又は逆
転パルスをレーザブロック移動用モータドライバ３３と
版胴回転用モータドライバ３５とに供給し、レーザブロ
ック移動用モータ２４と版胴回転用モータ７とを回転駆
動させる。版胴回転用モータ７で版胴１を回転させ、半
導体レーザ１０で画像入力信号１６のデータに対応した
窪み１５を版面上に形成し、版胴１が回転したらレーザ
ブロック移動用モータ２４を１画素データ分移動させ
て、版胴１の円周に沿って画素の濃淡に応じた窪み１５
を作って行く様にＣＰＵ３２がコントロールしている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】データＲＡＭ３８にはイメージスキャナ等
で取り込んだデジタル画像データ４１が格納されてい
る。ＣＰＵ３２は製版すべき画素の画像データ４１をデ
ータＲＡＭ３８より読みだし、これをグレースケール変
換回路４２に送る。グレースケール変換回路４２は画像
の濃淡をレーザ照射時間の長短及び半導体レーザに流す
電流の大小に変換する役割を持つ。このグレースケール
変換回路４２の出力によりレーザドライバ４３を介して
半導体レーザ１０を駆動する。
で取り込んだデジタル画像データ４１が格納されてい
る。ＣＰＵ３２は製版すべき画素の画像データ４１をデ
ータＲＡＭ３８より読みだし、これをグレースケール変
換回路４２に送る。グレースケール変換回路４２は画像
の濃淡をレーザ照射時間の長短及び半導体レーザに流す
電流の大小に変換する役割を持つ。このグレースケール
変換回路４２の出力によりレーザドライバ４３を介して
半導体レーザ１０を駆動する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】同様にグレースケール変換回路４２は半導
体レーザ１０の照射時間の長短に変換する照射時間テー
ブルを有する。この照射時間テーブルは例えば画像デー
タ４１の値が階調で２５５で表されるときは２００パル
ス、同様に１２８で表されるときには１５０パルス等と
画像データ４１の値に応じて照射時間値（パルス数＝パ
ルス幅）がＲＯＭ或はＲＡＭ等の記憶手段４６に格納さ
れている。
体レーザ１０の照射時間の長短に変換する照射時間テー
ブルを有する。この照射時間テーブルは例えば画像デー
タ４１の値が階調で２５５で表されるときは２００パル
ス、同様に１２８で表されるときには１５０パルス等と
画像データ４１の値に応じて照射時間値（パルス数＝パ
ルス幅）がＲＯＭ或はＲＡＭ等の記憶手段４６に格納さ
れている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】上述の構成の系統図での本例の動作を図３
及び図４を用いて説明する。上述の１Ｗ程度のレーザパ
ワを出力するための例えば、ＳＬＤ−３０４（ソニー製
半導体レーザ）の駆動電流（ｍＡ）とレーザパワ出力
（ｍＷ）との特性曲線図は図４に示す如き特性を示して
いる。即ち駆動電流が２００ｍＡ程度まではレーザパワ
出力は零であり、駆動電流２５０ｍＡ程度から徐々に出
力が立ち上る特性を示している。この半導体レーザの特
性曲線４６から解る様に駆動電流を２５０ｍＡ乃至１５
００〜１６００ｍＡ範囲まで変化させれば、パワ出力は
０乃至１０００ｍＷ程度まで変化出来る。 ─────────────────────────────────────────────────────
及び図４を用いて説明する。上述の１Ｗ程度のレーザパ
ワを出力するための例えば、ＳＬＤ−３０４（ソニー製
半導体レーザ）の駆動電流（ｍＡ）とレーザパワ出力
（ｍＷ）との特性曲線図は図４に示す如き特性を示して
いる。即ち駆動電流が２００ｍＡ程度まではレーザパワ
出力は零であり、駆動電流２５０ｍＡ程度から徐々に出
力が立ち上る特性を示している。この半導体レーザの特
性曲線４６から解る様に駆動電流を２５０ｍＡ乃至１５
００〜１６００ｍＡ範囲まで変化させれば、パワ出力は
０乃至１０００ｍＷ程度まで変化出来る。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年３月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体レーザを用いて画像データの濃淡
に応じて版に窪みを形成する様にした半導体レーザ製版
装置に於いて、 上記半導体レーザで上記版の窪みを形成しているオン期
間の電流値を画像データの濃淡に応じて変換させた電流
値を記憶する第１の記憶手段と、 上記半導体レーザで上記版の窪みを形成しているオン期
間の時間を画像データの濃淡に応じて変換させた照射時
間値を記憶する第２の記憶手段と、 上記第１及び第２の記憶手段の電流値並に照射時間値に
基づき上記半導体レーザに流す電流値並に照射時間値を
設定する電流値及び照射時間設定手段とを具備し、 上記電流値並に照射時間値設定手段の出力により上記半
導体レーザのオンされている画素分の区間毎に電流値並
に照射時間を変化させて画像データに応じた深さ及び画
素面積の異なる窪みを形成してなることを特徴とする半
導体レーザ製版装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17974791A JP3198540B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 半導体レーザ製版装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17974791A JP3198540B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 半導体レーザ製版装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0524170A true JPH0524170A (ja) | 1993-02-02 |
| JP3198540B2 JP3198540B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=16071166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17974791A Expired - Fee Related JP3198540B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 半導体レーザ製版装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3198540B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009514696A (ja) * | 2005-11-02 | 2009-04-09 | マンローラント・アーゲー | 消去可能で再利用可能な凹版刷版の画像彫込みのための方法および装置 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP17974791A patent/JP3198540B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
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| JP2009514696A (ja) * | 2005-11-02 | 2009-04-09 | マンローラント・アーゲー | 消去可能で再利用可能な凹版刷版の画像彫込みのための方法および装置 |
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| JP3198540B2 (ja) | 2001-08-13 |
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