JPH05240730A - ガス漏洩検知方法 - Google Patents

ガス漏洩検知方法

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JPH05240730A
JPH05240730A JP4280892A JP4280892A JPH05240730A JP H05240730 A JPH05240730 A JP H05240730A JP 4280892 A JP4280892 A JP 4280892A JP 4280892 A JP4280892 A JP 4280892A JP H05240730 A JPH05240730 A JP H05240730A
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JP
Japan
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gas
pressure
sensors
sensor
value
Prior art date
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Pending
Application number
JP4280892A
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English (en)
Inventor
Susumu Tsujiku
進 都竹
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】爆発性、毒性ガスのガス漏洩を検知する方法を
提供し、LSI製造プロセスの安全化を図る。 【構成】処理装置の排気配管の希釈ガス流入口より下流
側とさらに下流側に圧力センサをそれぞれ設け、各圧力
センサの値あるいは両圧力センサ間の差圧によりガス漏
洩を判定し、ガス漏洩時には警報を発するとともにガス
の供給を遮断する。 【効果】ガスを用いた処理装置の配管系統及び処理装置
自体の大幅な改造なしに、低コストでガス漏洩の検知が
でき、装置の安全化、LSI製造コストの低減が図れ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の利用分野】本発明はLSI製造工程において爆
発性、毒性ガスの処理装置の排気配管のガス漏洩検知方
法に関わる。
【0002】
【従来の技術】LSIの製造工程では、SiH4やH2
の爆発性ガスAsH3やCl2等の有毒ガスが数多く用い
られ、その取り扱いに対しては、十分な注意が必要であ
る。「化学技術誌 MOL」昭和62年2月号21〜3
0頁に記載されているように、ガスの排気に対しては、
不活性ガスによる希釈やスクラバ等の除害装置による有
害部分の除去の処置が一般的に行なわれており、定常的
には安全な稼動が可能となっている。図2にSiH4
スの安全対策例を示す。ガスシリンダ1に貯蔵されたガ
スは自動バルブ2a、減圧弁3を通して処理室7に導入
される。処理後の廃ガスはポンプ8で吸引され、N2
より希釈された後、除害装置9を通過して、大気中に排
気される。
【0003】シリンダキャビネット1と処理室7は、そ
れぞれ4,6のカバーで覆われており、万一、これらの
部分でガスもれしてもダクト5により局所排気されるよ
うになっている。また、自動バルブ2aは、緊急遮断ス
イッチ2bにつながっており、要所に設置されたガス漏
洩センサ(図示していない)が、ガス漏れを検知した
時、自動的にガスの供給が停止するようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記したガスの配管の
システムにおいて、排気配管は除害装置のメンテ等の
際、取り外すことが多い。したがって、これらの非定常
作業において配管の継手部の締め不十分や締め忘れ等の
可能性があり、このようなケアレスミスがガス漏れにつ
ながり、事故が生じた例が多い。これを防ぐには(1)
排気部自体も排気ダクト内に入れる、あるいは(2)ガ
ス漏洩センサを数多く設置する、等が対策として考えら
れるが、(1)については、操作、メンテ上の支障とな
るため通常実施できない。また(2)は一部実施されて
いるが、コスト面で負担になるとともに、ガス漏洩セン
サの信頼性がまだ十分とは言えず、誤報や検知誤差の増
大が問題となっている。
【0005】本発明の目的は、上記に鑑み、信頼性が高
く、かつコスト的にも安価な排気配管の漏洩検知方法を
提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明では、ガス排気配
管の希釈ガス導入部よりも下流側に、検知し得る圧力差
の生ずる間隔をおいて2個の圧力センサを設置し、その
圧力センサの差圧および絶対圧力を検知することによ
り、ガス漏洩の有無を判定する。
【0007】
【作用】上記のように設置したガスセンサの上流側と下
流側の差圧とその間の配管のコンダクタンスからそこを
流れているガスの流量が求まる。その間でもしガス漏洩
があれば前記の流量値が減少するので、ガス漏洩検知が
可能となる。
【0008】また、下流側のガスセンサ位置よりさらに
下流側の配管でガス漏れが生じた時には、下流側のガス
センサの圧力値が低下することにより検知できる。
【0009】さらに、ガス漏れではないが、ガス漏れの
原因になり得る排気配管の詰まりが生じた場合には、各
圧力センサ値が増加することでその異常を検知できる。
【0010】上記したガス漏れや異常が生じた時には直
ちに警報を発するとともに、ガス供給の弁を遮断する。
これにより避難処置を促すとともに、より以上のガス漏
れの発生を防止できる。
【0011】
【実施例】次に本発明の実施例を図1により説明する。
図1で図2と符号の同じものは同一物である。本実施例
では圧力センサA(10)を、排気ポンプの下流側でN
2の希釈ガスの合流した直後に設置し、圧力センサB
(11)は、除害装置のさらに下流側に設置した。この
2つの圧力センサの信号値は、警報・制御器12に送ら
れる。警報・制御器12では2つの圧力値を後述するよ
うに処理し、ガス漏れと判定した時にはアラームを発す
るとともに自動弁2aを緊急遮断し、ガス供給を停止す
る。
【0012】本実施例では、ガスシリンダ1に入ってい
るSiH4ガスを100sccmの流量で処理室7に流
し、処理室でpoly−Si膜を成膜するプロセスを行
なった。N2ガスは20l/minの流量で希釈した。
なお、排気配管は内径40mmのものを用い、ガスセン
サA(10)とガスセンサB(11)の配管長は約5
m、ガスセンサB(11)から大気放出までの配管長は
約20mである。このプロセスでは、ガス漏れのない場
合は、ガスセンサA(10)の検知する圧力値Paおよ
びガスセンサB(11)が検知する圧力値Pbはゲージ
圧でそれぞれ60Torr,32Torrであった。種
々のガス漏れのケースを調べたが、その例としてガスセ
ンサB(11)の直後でガス漏れが生じた場合、Pbは
2Torrに低下し、また、除害装置9の上流側の継手
でガス漏れが生じた時、Paは55Torr,Pbは3
0Torrとなった。これらのデータをもとに、それぞ
れの圧力センサの検出値および両圧力の差(差圧)の上
限および下限を決め、その範囲からはずれた場合には、
警報・制御器12が働くようにしてある。
【0013】本実施例では、それぞれの圧力センサの検
出値あるいは差圧の標準値±10%を上限および下限と
した。その場合、ガス漏れ量の検出限界は約0.3To
rr・l/secであり、実用上、十分な検出能力があ
ることがわかった。上記したように本発明によれば、ガ
スの漏洩検知を特殊な装置なしにかつ処理装置の大幅な
改造なしに感度良く実施できることがわかった。また、
本実施例は、SiH4ガスを用いたpoly−Si成膜
について適用したが、他の爆発性、可燃性、毒性ガス、
例えば、Si26,PH3,B26,Cl2,BCl3
AsH3等を用いたCVDやエッチング、イオン打ち込
みなど、LSI製造工程に用いられるガスおよびプロセ
ス全般に適用できることはもちろんである。
【0014】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、誤報
等のない正確なガス漏洩検知が安価に実現できるため、
LSIの製造工程におけるガス漏洩対策の万全化が図
れ、ガス漏洩に起因する爆発、火災事故、中毒事故を未
然に防ぐことができる。このことは最終的にLSI製品
の開発コスト、製品コストの低減につながり、この分野
の産業発展に寄与する所大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例を示すガス漏洩検知システム
図である。
【図2】従来のガス配管システムの例を示す図である。
【符号の説明】
1…ガスシリンダ、2a…自動弁、2b…緊急遮断弁、
3…圧力調整器、4,6…カバー、5…排気ダクト、7
…処理室、8…真空ポンプ、9…除害装置、10…圧力
センサA、11…圧力センサB、12…警報・制御器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】爆発性、可燃性、もしくは毒性のガスを用
    いた処理装置のガス排気配管のガス漏洩検知方法におい
    て、第1の圧力センサと第2の圧力センサを、所定の希
    釈ガス流量において前記両圧力センサが検知する圧力の
    差が検知限界値以上になるような間隔で、希釈ガス導入
    部よりも下流側に設置し、第1および第2の圧力センサ
    の圧力値によりガス漏洩を判定することを特徴とするガ
    ス漏洩検知方法。
JP4280892A 1992-02-28 1992-02-28 ガス漏洩検知方法 Pending JPH05240730A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111868896A (zh) * 2018-03-22 2020-10-30 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111868896A (zh) * 2018-03-22 2020-10-30 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序
CN111868896B (zh) * 2018-03-22 2023-10-24 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质

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