JPH05237688A - はんだ付け用フラックス組成物 - Google Patents
はんだ付け用フラックス組成物Info
- Publication number
- JPH05237688A JPH05237688A JP7905792A JP7905792A JPH05237688A JP H05237688 A JPH05237688 A JP H05237688A JP 7905792 A JP7905792 A JP 7905792A JP 7905792 A JP7905792 A JP 7905792A JP H05237688 A JPH05237688 A JP H05237688A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flux
- activator
- soldering
- compd
- alkyl group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、良好なはんだ付け性と高い信頼性
を合わせもつ、低残渣、無洗浄のはんだ付け用フラック
スを提供する。 【構成】 活性剤として２−アルキルベンズイミダゾー
ル化合物を含有するはんだ付け用フラックス。
を合わせもつ、低残渣、無洗浄のはんだ付け用フラック
スを提供する。 【構成】 活性剤として２−アルキルベンズイミダゾー
ル化合物を含有するはんだ付け用フラックス。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板のはん
だ付け用フラックス組成物に関し、プリント配線板、各
種電子部品のはんだコートに有用である。
だ付け用フラックス組成物に関し、プリント配線板、各
種電子部品のはんだコートに有用である。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板のはんだ付けに使用され
るフラックスは、ロジン系樹脂を有機溶媒に溶解したも
のに、活性剤としてアミンハロゲン化水素酸塩、有機
酸、アミノ酸あるいはアミン等を添加したものが一般的
である。
るフラックスは、ロジン系樹脂を有機溶媒に溶解したも
のに、活性剤としてアミンハロゲン化水素酸塩、有機
酸、アミノ酸あるいはアミン等を添加したものが一般的
である。
【０００３】活性剤としてアミンハロゲン化水素酸塩を
用いたフラックスは、高いはんだ付け性を有するもの
の、イオン性ハロゲンに起因する金属腐食性が大きい。
有機酸を用いたフラックスは、比較的腐食性が低いもの
のはんだ付け活性も低いため、実用的には添加量を多く
する必要があり、フラックスとしての腐食性を低くする
ことが困難であった。また、アミノ酸及びアミン類を用
いたフラックスは、低活性であるため、実用的には単独
の使用に適さないものであった。
用いたフラックスは、高いはんだ付け性を有するもの
の、イオン性ハロゲンに起因する金属腐食性が大きい。
有機酸を用いたフラックスは、比較的腐食性が低いもの
のはんだ付け活性も低いため、実用的には添加量を多く
する必要があり、フラックスとしての腐食性を低くする
ことが困難であった。また、アミノ酸及びアミン類を用
いたフラックスは、低活性であるため、実用的には単独
の使用に適さないものであった。
【０００４】また、活性剤を含むフラックスを用いては
んだ付けを行った場合は、フラックスがはんだ付け後も
プリント配線板上に残存し、高温高湿下において腐食に
よる基板性能の低下や故障の発生の原因となる難点があ
った。そこで、はんだ付け後の基板の電気的信頼性を確
保するために、フロン系溶剤により洗浄を行い、フラッ
クス残渣の除去が行われている。
んだ付けを行った場合は、フラックスがはんだ付け後も
プリント配線板上に残存し、高温高湿下において腐食に
よる基板性能の低下や故障の発生の原因となる難点があ
った。そこで、はんだ付け後の基板の電気的信頼性を確
保するために、フロン系溶剤により洗浄を行い、フラッ
クス残渣の除去が行われている。
【０００５】ところが、フロンによるオゾン層の破壊
が、近年世界的な環境問題として取り上げられており、
その使用が規制され始めた。このことに対応してプリン
ト配線板を洗浄する際にもフロンを使用しない種々の方
法が提案されている。例えばば、フロンに替わる新しい
溶剤を使用する方法、水洗浄を行う方法、洗浄を行わな
い方法などである。
が、近年世界的な環境問題として取り上げられており、
その使用が規制され始めた。このことに対応してプリン
ト配線板を洗浄する際にもフロンを使用しない種々の方
法が提案されている。例えばば、フロンに替わる新しい
溶剤を使用する方法、水洗浄を行う方法、洗浄を行わな
い方法などである。
【０００６】代替溶剤を使用する方法は、新規の設備を
必要とすることや溶剤コストが高くつくことなどから、
あまり普及していないが、洗浄工程を省略する方法は、
コスト面からも有利であり、これに対応した多くの無洗
浄型フラックスが提案されている。（特開平３−１０６
５９４号公報参照）
必要とすることや溶剤コストが高くつくことなどから、
あまり普及していないが、洗浄工程を省略する方法は、
コスト面からも有利であり、これに対応した多くの無洗
浄型フラックスが提案されている。（特開平３−１０６
５９４号公報参照）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年の高密度実装法の
進展と共に、はんだ付け後のプリント基板の性能検査を
行うため自動検査機が多く用いられるようになってい
る。この機械はプローブと呼ばれる接触針を基板に接触
させることにより検査が行われ、無洗浄フラックスを使
用した場合には、残存するフラックス残渣がプローブへ
付着し、接触不良が発生して検査不能となることがあっ
た。
進展と共に、はんだ付け後のプリント基板の性能検査を
行うため自動検査機が多く用いられるようになってい
る。この機械はプローブと呼ばれる接触針を基板に接触
させることにより検査が行われ、無洗浄フラックスを使
用した場合には、残存するフラックス残渣がプローブへ
付着し、接触不良が発生して検査不能となることがあっ
た。
【０００８】従って、無洗浄フラックスは可能な限り残
渣の量を低減する必要があり、今まではロジンなどの樹
脂分を減少させることにより低残渣化が試みられてきた
が、残渣中の活性剤濃度が相対的に増加するため、従来
のアミンハロゲン化水素酸塩などのイオン性ハロゲンを
活性剤として含むフラックスを用いた場合は、フラック
ス残渣が吸湿して腐食を起こし、プリント配線板の性能
が低下するなどの問題があった。
渣の量を低減する必要があり、今まではロジンなどの樹
脂分を減少させることにより低残渣化が試みられてきた
が、残渣中の活性剤濃度が相対的に増加するため、従来
のアミンハロゲン化水素酸塩などのイオン性ハロゲンを
活性剤として含むフラックスを用いた場合は、フラック
ス残渣が吸湿して腐食を起こし、プリント配線板の性能
が低下するなどの問題があった。
【０００９】このようなことから、フラックスに含まれ
る活性剤が長期間にわたって安定であり、従来のフラッ
クス同様の優れたはんだ付け性が得られ、且つはんだ付
け後のプリント配線板の電気的特性も低下させない無洗
浄型はんだ付け用フラックス組成物の提供が望まれてい
た。
る活性剤が長期間にわたって安定であり、従来のフラッ
クス同様の優れたはんだ付け性が得られ、且つはんだ付
け後のプリント配線板の電気的特性も低下させない無洗
浄型はんだ付け用フラックス組成物の提供が望まれてい
た。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、このよう
な事情に鑑み多くの試験研究を重ねた結果、２位にアル
キル基を有するベンズイミダゾール化合物を活性剤とし
て用いた場合に、優れたはんだ付け性を有し、残渣の腐
食性も低く、無洗浄の場合にも低残渣である高い信頼性
を兼ね備えたはんだ付け用フラックスが得られることを
見い出し、本発明を完遂した。
な事情に鑑み多くの試験研究を重ねた結果、２位にアル
キル基を有するベンズイミダゾール化合物を活性剤とし
て用いた場合に、優れたはんだ付け性を有し、残渣の腐
食性も低く、無洗浄の場合にも低残渣である高い信頼性
を兼ね備えたはんだ付け用フラックスが得られることを
見い出し、本発明を完遂した。
【００１１】本発明の実施において用いられる２位にア
ルキル基を有するベンズイミダゾール化合物は化２で表
されるものであり、その代表的なものとしては、２−メ
チルベンズイミダゾール、２−エチルベンズイミダゾー
ル、２−プロピルベンズイミダゾール、２−ブチルベン
ズイミダゾール、２−ペンチルベンズイミダゾール、２
−ヘキシルベンズイミダゾール、２−ヘプチルベンズイ
ミダゾール、２−オクチルベンズイミダゾール、２−ノ
ニルベンズイミダゾール、２−ウンデシルベンズイミダ
ゾール、２−ヘプタデシルベンズイミダゾール、２−プ
ロピル−５−メチルベンズイミダゾール、２−プロピル
−４，５−ジメチルベンズイミダゾール、２−ペンチル
−４−メチルベンズイミダゾール、２−ペンチル−５−
メチルベンズイミダゾール、２−ヘキシル−５，６−ジ
メチルベンズイミダゾール、２−ヘプチル−４−メチル
ベンズイミダゾール、２−ヘプチル−５−メチルベンズ
イミダゾール、２−ノニル−４−メチルベンズイミダゾ
ール、２−ノニル−５−メチルベンズイミダゾール、２
−ノニル−４，５−ジメチルベンズイミダゾール、２−
ウンデシル−４−メチルベンズイミダゾール、２−ヘプ
タデシル−５−メチルベンズイミダゾール等が挙げられ
る。
ルキル基を有するベンズイミダゾール化合物は化２で表
されるものであり、その代表的なものとしては、２−メ
チルベンズイミダゾール、２−エチルベンズイミダゾー
ル、２−プロピルベンズイミダゾール、２−ブチルベン
ズイミダゾール、２−ペンチルベンズイミダゾール、２
−ヘキシルベンズイミダゾール、２−ヘプチルベンズイ
ミダゾール、２−オクチルベンズイミダゾール、２−ノ
ニルベンズイミダゾール、２−ウンデシルベンズイミダ
ゾール、２−ヘプタデシルベンズイミダゾール、２−プ
ロピル−５−メチルベンズイミダゾール、２−プロピル
−４，５−ジメチルベンズイミダゾール、２−ペンチル
−４−メチルベンズイミダゾール、２−ペンチル−５−
メチルベンズイミダゾール、２−ヘキシル−５，６−ジ
メチルベンズイミダゾール、２−ヘプチル−４−メチル
ベンズイミダゾール、２−ヘプチル−５−メチルベンズ
イミダゾール、２−ノニル−４−メチルベンズイミダゾ
ール、２−ノニル−５−メチルベンズイミダゾール、２
−ノニル−４，５−ジメチルベンズイミダゾール、２−
ウンデシル−４−メチルベンズイミダゾール、２−ヘプ
タデシル−５−メチルベンズイミダゾール等が挙げられ
る。
【００１２】
【化２】
【００１３】本発明のフラックス組成物は、ロジン等を
イソプロピルアルコール等の一般的な溶媒に溶解し、こ
れに活性剤として前記の２位にアルキル基を有するベン
ズイミダゾール化合物を添加することにより得られ、そ
の際にロジン及び活性剤等の固形分の配合量は１０％以
下にすべきであり、固形分が多くなると自動検査機によ
る性能検査が阻害される惧れがある。
イソプロピルアルコール等の一般的な溶媒に溶解し、こ
れに活性剤として前記の２位にアルキル基を有するベン
ズイミダゾール化合物を添加することにより得られ、そ
の際にロジン及び活性剤等の固形分の配合量は１０％以
下にすべきであり、固形分が多くなると自動検査機によ
る性能検査が阻害される惧れがある。
【００１４】また本発明の実施に当たって、ロジンに活
性剤を配合する割合は１：１〜１０：１の範囲にするこ
とが望ましく、ロジン成分が活性剤成分より少ない場合
においては、はんだ付け性が低下する傾向がある。
性剤を配合する割合は１：１〜１０：１の範囲にするこ
とが望ましく、ロジン成分が活性剤成分より少ない場合
においては、はんだ付け性が低下する傾向がある。
【００１５】本発明の実施において、２位にアルキル基
を有するベンズイミダゾール化合物に有機酸類を併用し
たものを活性剤として使用して用いても、信頼性を低下
させることなくはんだ付け性を向上することができる。
を有するベンズイミダゾール化合物に有機酸類を併用し
たものを活性剤として使用して用いても、信頼性を低下
させることなくはんだ付け性を向上することができる。
【００１６】
【作用】２位にアルキル基を有するベンズイミダゾール
化合物は塩基性であり、１位のプロトンが解離しにくい
ため、水分存在下のイオン性物質量は、アミンハロゲン
化水素酸塩類や有機酸類等の他の活性剤と比較して少な
い。その上に吸湿性も少ないために、高温高湿下におい
て放置した場合、基板回路、電子部品の腐食による信頼
性に対する悪影響が非常に少なくなるものと思われる。
以下、実施例及び比較例により具体的に本発明を説明す
る。
化合物は塩基性であり、１位のプロトンが解離しにくい
ため、水分存在下のイオン性物質量は、アミンハロゲン
化水素酸塩類や有機酸類等の他の活性剤と比較して少な
い。その上に吸湿性も少ないために、高温高湿下におい
て放置した場合、基板回路、電子部品の腐食による信頼
性に対する悪影響が非常に少なくなるものと思われる。
以下、実施例及び比較例により具体的に本発明を説明す
る。
【００１７】
（実施例１〜６及び比較例１〜４）イソプロピルアルコ
ール、ロジン〔中国ロジン、荒川化学工業（株）製〕及
び活性剤をそれぞれ表１に示す所定の割合で均一に攪拌
混合して、はんだ付け用フラックス組成物を調製した。
ール、ロジン〔中国ロジン、荒川化学工業（株）製〕及
び活性剤をそれぞれ表１に示す所定の割合で均一に攪拌
混合して、はんだ付け用フラックス組成物を調製した。
【００１８】
【表１】
【００１９】前記のはんだ付け用フラックス組成物を用
いて、はんだ広がり率試験、抽出水抵抗値の測定及び銅
鏡を用いた腐食試験をＪＩＳ Ｚ−３１９７に準拠して
行い、艶消し性については、はんだ広がり率試験に用い
た試験片を目視により評価したところ、その結果は表２
に示すとおりであった。なお、はんだ広がり試験は、約
２５０℃の温度に保ったはんだ浴に試験片を置いて加熱
し、広がり率を３回測定したのちの平均値を測定値とし
た。また、腐食試験は銅鏡を用いた試験片により行い、
目視によって腐食の度合いを評価した。
いて、はんだ広がり率試験、抽出水抵抗値の測定及び銅
鏡を用いた腐食試験をＪＩＳ Ｚ−３１９７に準拠して
行い、艶消し性については、はんだ広がり率試験に用い
た試験片を目視により評価したところ、その結果は表２
に示すとおりであった。なお、はんだ広がり試験は、約
２５０℃の温度に保ったはんだ浴に試験片を置いて加熱
し、広がり率を３回測定したのちの平均値を測定値とし
た。また、腐食試験は銅鏡を用いた試験片により行い、
目視によって腐食の度合いを評価した。
【００２０】
【表２】
【００２１】本発明のはんだ付け用フラックスは、有機
酸を活性剤とするはんだ付け用フラックスよりも腐食性
が小さく、高い信頼性を有し、また同等の信頼性を有す
る一般的なアミン類を活性剤とするはんだ付け用フラッ
クスよりもはんだ広がり率が大きく、優れたはんだ付け
性を有していることが明らかである。
酸を活性剤とするはんだ付け用フラックスよりも腐食性
が小さく、高い信頼性を有し、また同等の信頼性を有す
る一般的なアミン類を活性剤とするはんだ付け用フラッ
クスよりもはんだ広がり率が大きく、優れたはんだ付け
性を有していることが明らかである。
【００２２】
【発明の効果】本発明のはんだ付け用フラックスは、従
来のものと比べても良好なはんだ付け性と信頼性を併せ
持ち、高密度実装に充分に対応できる低残渣、無洗浄型
フラックスとして有用なものである。
来のものと比べても良好なはんだ付け性と信頼性を併せ
持ち、高密度実装に充分に対応できる低残渣、無洗浄型
フラックスとして有用なものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 ２位にアルキル基を有するベンズイミダ
ゾール化合物を活性剤として含有することを特徴とする
はんだ付け用フラックス組成物。 - 【請求項２】 化１で表されるベンズイミダゾール化合
物を活性剤として含有することを特徴とするはんだ付け
用フラックス組成物。 【化１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7905792A JPH05237688A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | はんだ付け用フラックス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7905792A JPH05237688A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | はんだ付け用フラックス組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05237688A true JPH05237688A (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=13679272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7905792A Pending JPH05237688A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | はんだ付け用フラックス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05237688A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008152900A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Mec Company Ltd. | 銅表面処理剤及び表面処理方法 |
| DE102008033348A1 (de) | 2007-07-20 | 2009-01-22 | MEC COMPANY LTD., Amagasaki | Oberflächenbehandlungsmittel |
| WO2017122341A1 (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 千住金属工業株式会社 | フラックス |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP7905792A patent/JPH05237688A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008152900A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Mec Company Ltd. | 銅表面処理剤及び表面処理方法 |
| DE102008033348A1 (de) | 2007-07-20 | 2009-01-22 | MEC COMPANY LTD., Amagasaki | Oberflächenbehandlungsmittel |
| WO2017122341A1 (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 千住金属工業株式会社 | フラックス |
| WO2017122750A1 (ja) | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 千住金属工業株式会社 | フラックス |
| JP6222412B1 (ja) * | 2016-01-15 | 2017-11-01 | 千住金属工業株式会社 | フラックス |
| KR20180096798A (ko) | 2016-01-15 | 2018-08-29 | 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 | 플럭스 |
| EP3409412A4 (en) * | 2016-01-15 | 2019-06-19 | Senju Metal Industry Co., Ltd | FLUX |
| US11571772B2 (en) | 2016-01-15 | 2023-02-07 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Flux |
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