JPH05235258A - トランジスタモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電気的並列状態にある各内蔵チップに流れる
電流レベルを均等化し、信頼性の高いトランジスタモジ
ュールを実現すること。 【構成】 トランジスタモジュール１において、線対称
状に配置された一方側および他方側回路パターン領域
７，９からなる第１の回路パターン領域１１には、線対
称に分岐するコレクタ端子２０が対称位置で導電接続す
る一方、第２の回路パターン領域１３にはエミッタ端子
２１が導電接続している。ここで、シリコンチップ１
５，１６は一方側および他方側回路パターン領域７，９
の側に搭載されてコレクタ端子２０とエミッタ端子２１
との間で電気的に並列状態にある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子などを内蔵
するトランジスタモジュールに関し、特に、そのモジュ
ール内部の電流経路に対する電流バランス向上技術に関
する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器などの設計、製造にあたって
は、その電子回路をトランジスタなどの各電子部品から
構成するのに比較して、複数の電子部品が回路基板上に
搭載された状態で外装樹脂や金属ケースの内部でモジュ
ール化されたトランジスタモジュールを用いる方が、回
路構成部品点数を低減することができるというメリット
がある。このようなトランジスタモジュールにおいて
は、たとえば、図７に示すように、絶縁基板８１の表面
に所定の回路パターン領域が形成された銅回路板８２な
どが用いられており、この銅回路板８２には、シリコン
チップ８３ａ，８３ｂ（内蔵チップ）が接合される第１
の回路パターン領域８４と、この第１の回路パターン領
域８４上のシリコンチップ８３ａ，８３ｂから配線され
たアルミニウムワイヤー８５が導電接続する第２の回路
パターン領域８６とが形成されている。

【０００３】なお、銅回路板８２には、シリコンチップ
８３ａ，８３ｂと回路を構成すべきチップなども搭載さ
れている。そして、銅回路板８２に対して、その第１の
回路パターン領域８４上のコレクタ端子接続領域８４ａ
にコレクタ端子（外部引出し端子）が導電接続され、第
２の回路パターン領域８６上のエミッタ端子接続領域８
６ａにエミッタ端子（外部引出し端子）が導電接続され
た状態で、外装樹脂または金属ケースによる外装が施さ
れてトランジスタモジュールが構成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
トランジスタモジュールにおいて、コレクタ端子接続領
域８４ａおよびエミッタ端子接続領域８６ａにコレクタ
端子およびエミッタ端子を取り付けた状態における電流
経路は、図８に示すとおり、コレクタ端子接続領域８４
ａ（第１の回路パターン領域８４），シリコンチップ８
３ａおよびエミッタ接続領域８６ａ（第２の回路パター
ン領域８６）で構成される第１の電流経路９０と、コレ
クタ端子接続領域８４ａ，シリコンチップ８３ｂおよび
エミッタ接続領域８６ａから構成される第２の電流経路
９１とが存在し、これらの第１の電流経路９０の電気抵
抗と第２の電流経路９１の電気抵抗とが大きく異なるた
め、電流経路９０，９１の間での電流のバランスが損な
われて、特定のシリコンチップ８３ｂが過電流になって
損傷してしまうという問題点がある。

【０００５】また、図９に示すように、モジュール内の
銅ベース１００上に、上記の銅回路板８２に加えて、同
様な構造の他の銅回路板１０１（隣接回路パターン領
域）を設けたトランジスタモジュールにおいては、それ
ぞれの銅回路板８２、１０１の第１の回路パターン領域
８４，１０２および第２の回路パターン領域８６，１０
３には、それぞれコレクタ端子１０５およびエミッタ端
子１０６を導電接続してある。ここで、コレクタ端子１
０５は第１の回路パターン領域８４，１０２に接合する
接続端子部１０７ａ，１０７ｂおよび接続端子部１０７
ａ，１０７ｂに中間端子部１０８ａ，１０８ｂを介して
導電接続する外部端子部１０９を備える一方、エミッタ
端子１０６は第２の回路パターン領域８６，１０３に導
電接続する接続端子部１１０ａ，１１０ｂおよび接続端
子部１１０ａ，１１０ｂに中間端子部１１１ａを介して
導電接続する外部端子部１１２を備え、コレクタ端子１
０５およびエミッタ端子１０６は、銅回路板８２、１０
１のいずれの側にも導電接続可能になっている。しかし
ながら、このようなトランジスタモジュールにおいて
は、第１の回路パターン領域８４，１０２の領域内で、
電流のアンバランスが生じるのに加えて、コレクタ端子
１０５の中間端子部１０８ａと中間端子部１０８ｂとの
長さ寸法が異なるため、銅回路板８２と銅回路板１０１
との間でも電流のアンバランスが生じるという問題点も
ある。

【０００６】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
モジュール内の複数の電流経路を電気的に等価にして、
電気的並列状態にある各内蔵チップに流れる電流レベル
を均等化し、信頼性の高いトランジスタモジュールを実
現することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明において講じた手段は、モジュール内の第１
および第２の回路パターン領域のうちの対応する回路パ
ターン領域に導電接続する接続端子部およびこの接続端
子部に中間端子部を介して導電接続する外部端子部を備
える第１および第２の外部引出し端子と、第１および第
２の回路パターン領域のうちの一方側に設けられて第１
および第２の外部引出し端子の間で電気的並列状態にあ
る複数の内蔵チップとを有するトランジスタモジュール
に対して、第１の回路パターン領域を、第２の回路パタ
ーン領域から等距離を隔てた位置に線対称状に配置され
た一方側回路パターン領域および他方側回路パターン領
域として形成し、この第１の回路パターン領域に対応す
る第１の外部引出し端子を、その中間端子部が接続端子
部まで略同寸法の一方側中間端子部および他方側中間端
子部に分岐して一方側および他方側回路パターン領域に
対してそれらの対称中心線を中心線とする対称位置に導
電接続する構造とすることである。本発明において、一
方側回路パターン領域と他方側回路パターン領域とは分
離独立して形成されている構造の他に、互いに電気的に
接続する状態にあるものを含む。

【０００８】ここで、第１の外部引出し端子の寄生イン
ダクタンスも均等化して、交流成分に対する電流レベル
をより均等化する目的に、第１の外部引出し端子の一方
側および他方側中間端子部をその分岐部を中心に線対称
状に形成することが好ましい。

【０００９】また、第１および第２の回路パターン領域
に加えて、これらの第１および第２の回路パターン領域
と略同構造の隣接回路パターン領域が設けれたトランジ
スタモジュールにおいては、双方の回路パターン領域
を、それらの境界領域を中心に線対称状に隣接する状態
に配置し、その境界領域側において、第１の外部引出し
端子を、隣接回路パターン領域の第１および第２の回路
パターン領域にも導電接続するようにすることが好まし
い。

【００１０】さらに、寄生インダクタンスの影響をさら
に低減する目的に、第１の外部引出し端子の一方側およ
び他方側中間端子部と、第２の外部引出し端子の中間端
子部とを互いに近接した状態で並列配置することが好ま
しい。

【００１１】

【作用】本発明に係るトランジスタモジュールにおいて
は、第１の回路パターン領域を構成する一方側および他
方側回路パターン領域のいずれの領域も、第２の回路パ
ターン領域に対して等距離を隔てて隣接しているため、
第１の回路パターン領域と一方側回路パターン領域と間
の電流経路側と、第１の回路パターン領域と他方側回路
パターン領域と間の電流経路側とで電気抵抗は同等とな
る。さらに、第１の回路パターン領域に対応する第１の
外部引出し端子は、その中間端子部が接続端子部まで略
同寸法の一方側中間端子部および他方側中間端子部に分
岐して一方側および他方側回路パターン領域に導電接続
しているため、いずれの側においても電気抵抗が同等で
ある。しかも、一方側回路パターン領域と他方側回路パ
ターン領域は線対称の関係にあると共に、それらに対す
る第１の外部引出し端子の接続位置も対称であるため、
一方側回路パターン領域側の電流経路と他方側回路パタ
ーン領域側の電流経路とに寄生するインダクタンスも同
等とすることができる。それ故、２つの電流経路の電気
抵抗および寄生インダクタンスが同等であるため、トラ
ンジスタモジュールを流れる電流は一方側回路パターン
領域側と他方側回路パターン領域側とで均等化される。

【００１２】ここで、第１の外部引出し端子の一方側お
よび他方側中間端子部もその分岐部を中心に略線対称状
に形成した場合には、第１の外部引出し端子の一方側お
よび他方側中間端子部に寄生するインダクタンスも均等
化でき、交流成分に対する電流レベルをより均等化する
ことができる。

【００１３】また、第１の引出し端子の一方側および他
方側中間端子部と、第２の引出し端子部の中間端子部と
を互いに近接した状態で並列配置した場合には、第１の
引出し端子の一方側および他方側中間端子部に流れる電
流方向と、第２の外部引出し端子部に流れる電流方向と
は逆方向の関係にあるため、各外部引出し端子周囲に発
生する磁力線方向は逆方向であり、磁界が互いに相互誘
導効果によって打ち消される結果、外部引出し端子に寄
生するインダクダンスを実質的に低減することができ
る。

【００１４】

【実施例】つぎに、添付図面に基づいて、本発明の実施
例について説明する。

【００１５】〔実施例１〕図１は本発明の実施例１に係
るトランジスタモジュールの内部を示す概略斜視図、図
２はその回路パターン領域の配置を示す平面図、図３は
本例のトランジスタモジュールに用いたコレクタ端子お
よびエミッタ端子の構造を示す概略斜視図である。

【００１６】これらの図において、本例のトランジスタ
モジュール１は、その銅ベース２の表面側に、第１の銅
回路板３と第２の銅回路板４（隣接回路パターン領域）
とが配置されており、これらの第１および第２の銅回路
板３，４は、いずれも絶縁基板５，６の表面側に、一方
側回路パターン領域７，８および他方側回路パターン領
域９，１０からなる第１の回路パターン領域１１，１２
と、一方側回路パターン領域７，８と他方側回路パター
ン領域９，１０との間に位置する第２の回路パターン領
域１３，１４とを有し、そのうち、一方側回路パターン
領域７，８と他方側回路パターン領域９，１０とは第２
の回路パターン領域１３，１４を中心に線対称配置の関
係にある。さらに、第１および第２の銅回路板３，４
は、第１の回路パターン領域１１，１２同士および第２
の回路パターン領域１３，１４同士が隣接する状態で配
置され、それらの境界領域３０を中心に、第１および第
２の銅回路板３，４も線対称に配置された状態にある。
ここで、第１の回路パターン領域１１，１２の上には、
シリコンチップ１５，１６，１７，１８が搭載されてお
り、各シリコンチップ１５，１６，１７，１８（内蔵チ
ップ）の各バンプ電極と、第２の回路パターン領域１
３，１４との間には、アルミニウムワイヤー１９がワイ
ヤーボンディングされている。このため、各シリコンチ
ップ１５，１６，１７，１８は、第１の回路パターン領
域１１，１２と第２の回路パターン領域１３，１４との
間に電気的に並列接続された状態にある。なお、第１お
よび第２の銅回路板３，４のいずれの回路板の上にも、
他の回路パターン領域や内蔵チップも設けられている。

【００１７】このような第１および第２の銅回路板３，
４を外装樹脂や金属ケースなどによって封止して、トラ
ンジタモジュール１はモジュール化されたものである
が、モジュール化された状態で外部に端子を引き出すた
めに、本例においては、第１の回路パターン領域１１，
１２に対してコレクタ端子２０（第１の外部引出し端
子）が設けられている一方、第２の回路パターン領域１
３，１４に対して、エミッタ端子２１（第２の外部引出
し端子）が設けられている。

【００１８】これらの端子のうち、コレクタ端子２０
は、図３に示すように、対応する回路パターン領域には
んだ接合されて導電接続する４つの接続端子部２０１，
２０２，２０３，２０４と、これらの接続端子部２０
１，２０２，２０３，２０４に対して、一方側中間端子
部２０５または他方側中間端子部２０６を介して導電接
続する外部端子部２０７とを有し、一方側中間端子部２
０５および他方側中間端子部２０６は、その分岐部２０
８から線対称形状に分岐した状態にある。ここで、コレ
クタ端子２０は、分岐部２０８と一方側および他方側中
間端子部２０５，２０６との間で略直角に屈曲し、さら
に、一方側中間端子部２０５および他方側中間端子部２
０６の途中位置でも屈曲しており、そこから先端側が接
続端子部２０１，２０２，２０３，２０４になってい
る。また、一方側中間端子部２０５および他方側中間端
子部２０６とは、その分岐部２０８を中心に線対称にな
っているため、分岐部２０８からいずれの接続端子部２
０１，２０２，２０３，２０４までの距離も同寸法、か
つ、対称形状、すなわち、分岐部２０８からいずれの接
続端子部２０１，２０２，２０３，２０４までの電気抵
抗および寄生インダクタンスも同等になっている。そし
て、コレクタ端子２０は、図１および図２に示すよう
に、第１の銅回路板３の一方側回路パターン領域７およ
び他方側回路パターン領域９に対して、それらの対称中
心線を中心線とする対称位置で、その接続端子部２０
１，２０２が導電接続している。同様に、コレクタ端子
２０は、図１に示すように、第２の銅回路板４の一方側
回路パターン領域８および他方側回路パターン領域１０
に対して、それらの対称中心線を中心線とする対称位置
で、その接続端子部２０３，２０４が導電接続してい
る。一方、エミッタ端子２１は、対応する回路パターン
領域にはんだ接合されて導電接続する２つの接続端子部
２１１，２１２と、これらの接続端子部２１１，２１２
に中間端子部２１５，２１６を介して導電接続する外部
端子部２１７とを有し、中間端子部２１５，２１６は、
その分岐部２１８から分岐した状態で形成されている。
ここで、エミッタ端子２１は、その分岐部２１８で略直
角に屈曲し、さらに中間端子部２１５，２１６の先端側
においても屈曲しており、そこから先端側が接続端子部
２１１，２１２になっている。また、中間端子部２１
５，２１６は、分岐部２１８から接続端子部２１１まで
の寸法が分岐部２１８から接続端子部２１２までの寸法
に比してやや長く形成されているが、その形状は分岐部
２１８を中心に略線対称になっているため、分岐部２１
８からいずれの接続端子部２１１，２１２までの電気抵
抗および寄生インダクタンスも略同等になっている。

【００１９】このような構成のコレクタ端子２０は、第
１および第２の銅回路板３，４の境界領域３０の側にお
いて、その接続端子部２０１，２０２，２０３，２０４
を介して第１および第２の銅回路板３，４の第１の回路
パターン領域１１，１２に、すなわち、一方側回路パタ
ーン領域７，８および他方側回路パターン領域９，１０
にはんだ接合された状態にある。一方、エミッタ端子２
１も、第１および第２の銅回路板３，４の境界領域３０
の側において、その接続端子部２１１，２１２を介して
第１および第２の銅回路板３，４の第２の回路パターン
領域１３，１４にはんだ接合された状態にある。このた
め、本例のトラジスタモジュール１において、第１およ
び第２の銅回路板３，４に対するコレクタ端子２０の接
続位置は、第１および第２の銅回路板３，４の境界領域
３０を中心に線対称の関係にある。さらに、コレクタ端
子２０とエミッタ端子２１との位置関係において、コレ
クタ端子２０の一方側中間端子部２０５は、エミッタ端
子２１の中間端子部２１５に近接した状態で並列配置さ
れた状態にある一方、コレクタ端子２０の他方側中間端
子部２０６も、エミッタ端子２１の中間端子部２１６に
近接した状態で並列配置された状態にある。さらに、コ
レクタ端子２０の分岐部２０８から立ち上がる外部端子
部２０７の側も、エミッタ端子２１の分岐部２１８から
立ち上がる外部端子部２１７の側に近接した状態で並列
配置された状態にある。

【００２０】このような構成のトランジスタモジュール
１において、コレクタ端子２０からエミッタ端子２１の
電流経路は、図３および図４に示すように、２つの電流
経路が存在する。ここで、第１の銅回路板３と第２の銅
回路板４とは、それらの境界領域３０を中心とする線対
称に構造になっているため、そのうち、第１の銅回路板
３の側についてのみ、図４を参照して説明し、第２の回
路板４の側についての電流経路の説明は省略する。この
図において、電流経路３１，３２のうち、電流経路３１
は、コレクタ端子２０の外部端子部２０７，一方側中間
端子部２０５および接続端子部２０１を介して、第１の
回路パターン領域１１の一方側回路パターン領域７から
シリコンチップ１５を電流が流れ、第２の回路パターン
領域１３からエミッタ端子２１の中間端子部２１５およ
び外部端子部２１７に至る電流経路であり、電流経路３
２は、コレクタ端子２０の外部端子部２０７，他方側中
間端子部２０６および接続端子部２０２を介して、第１
の回路パターン領域１１の他方側回路パターン領域９か
らシリコンチップ１６を電流が流れ、第２の回路パター
ン領域１３からエミッタ端子２１の中間端子部２１６お
よび外部端子部２１７に至る電流経路である。このよう
な２つの電流経路３１，３２において、コレクタ端子３
の一方側中間端子部２０５と他方側中間端子部２０６と
は、その分岐部２０８を中心に線対称になっているた
め、分岐部２０８から接続端子部２０１，２０２，２０
３，２０４までの電気抵抗および寄生インダクタンスが
同等であると共に、一方側回路パターン領域７と他方側
回路パターン領域９とは、第２の回路パターン領域１３
の両側に線対称に形成されている。しかも、コレクタ端
子３の一方側および他方側回路パターン領域７，９に対
する接続位置も対称である。従って、電流経路３１，３
２との間で、その電気抵抗および寄生インダクタンスが
同等になっているため、シリコンリップ１５，１６に流
れる電流は均等化される。

【００２１】また、本例のトランジスタモジュール１に
おいては、２つの第１および第２の銅回路板３，４が内
蔵されているため、それぞれの第１および第２の回路パ
ターン領域１１，１２，１３，１４に対してコレクタ端
子２０またはエミッタ端子２１を導電接続する必要があ
るが、いずれの端子も、銅回路板３，４の境界領域３０
の側に配置されているため、コレクタ端子２０およびエ
ミッタ端子２１の一方側および他方側中間端子部２０
５，２０６および中間端子部２１５，２１６の長さを最
短寸法とした構造で導電接続することができる。従っ
て、一方側回路パターン領域７，８と他方側回路パター
ン領域９，１０との電流バランスに配慮しながら、銅回
路板３と銅回路板４との間の電流バランスも配慮でき
る。

【００２２】さらに、コレクタ端子２０とエミッタ端子
２１との関係については、図３に基づいて説明したとお
り、コレクタ端子２０の一方側および他方側中間端子部
２０５，２０６は、いずれもエミッタ端子２１の中間端
子部２１５，２１６に近接した状態で並列配置された状
態にあると共に、コレクタ端子２０の外部端子部２０７
の側も、エミッタ端子２１の外部端子部２１７の側に近
接した状態で並列配置された状態にある。しかも、図３
に矢印で示すとおり、コレクタ端子２０を流れる電流方
向４１，４２，４３は、エミッタ端子２１を流れる電流
方向４４，４５，４６と逆方向の関係にある。このた
め、コレクタ端子２０の側に誘起される磁力線の方向
と、エミッタ端子２１の側に誘起される磁力線の方向と
は逆方向となって、相互誘導効果によって打ち消しあう
結果、コレクタ端子２０およびエミッタ端子２１の寄生
インダクタンスの影響を、実質的に従来比で約５０％低
減することができる。しかも、コレクタ端子２０および
エミッタ端子２１は、それらの分岐部２０８，２１８を
中心に線対称の関係にあるため、寄生インダクタンスの
低減度合いも同等である。従って、トランジスタモジュ
ール１のいずれの電流経路３１，３２に対しても、電流
バランスを向上することができるので、特定のシリコン
チップが過電流状態になることがなく、トランジスタモ
ジュール１の信頼性が向上する。

【００２３】〔実施例２〕図５は本発明の実施例２に係
るトランジスタモジュールに用いた銅回路板の平面図で
ある。図５に示すとおり、本例のトランジスタモジュー
ルの銅回路板６１においても、第１の回路パターン領域
６２は、第２の回路パターン領域６５の両側に一方側回
路パターン領域６３および他方側回路パターン領域６４
として形成され、一方側回路パターン領域６３と他方側
回路パターン領域６４とは第２の回路パターン領域６５
を中心に線対称に形成されている。なお、本例において
は、実施例１のトランジスタモジュールと異なり、第２
の回路パターン領域６５の上にシリコンチップ６６，６
７が搭載されている。これらのシリコンチップ６６，６
７のバンプ電極からアルミニウムワイヤー６８がボンデ
ィング接続されて、シリコンチップ６６，６７は、第１
の回路パターン領域６２の一方側および他方側回路パタ
ーン領域６３，６４と第２の回路パターン領域６５との
間に電気的に並列配置された状態にある。

【００２４】このような銅回路板６１も、たとえば実施
例１のトランジスタモジュールと同様に２枚が内蔵され
る場合には、エミッタ端子およびコレクタ端子として、
図３に示す構造のエミッタ端子およびコレクタ端子を用
いる。但し、本例のトランジスタモジュールにおいて
は、一方側回路パターン領域６３および他方側回路パタ
ーン領域６４として形成されている第１の回路パターン
領域６２は、エミッタ端子が導電接続すべき側の回路パ
ターン領域であるため、図３に２０で示す第１の外部引
出し端子をエミッタ端子として用い、２１で示す第２の
外部引出し端子をコレクタ端子として用いる。ここで、
接続端子部２０１が接合される位置は一方側回路パター
ン領域６３の端部にあるエミッタ端子接続領域６３ａで
あり、接続端子部２０２が接合されるべき位置は、他方
側回路パターン領域６４の端部にあるエミッタ端子接続
領域６４ａである。また、接続端子部２１１が接合され
る位置は、第２の回路パターン領域６５の端部にあるコ
レクタ端子接続領域６５ａである。ここで、エミッタ端
子接続領域６３ａ，６４ａは、コレクタ端子接続領域６
５ａを中心に対称の位置にあり、この位置は一方側回路
パターン領域６３および他方側回路パターン領域６４の
対称中心線を中心線とする対称位置である。

【００２５】このような構成の銅回路板６１を用いたト
ランジスタモジュール１においても、コレクタ端子から
第２の回路パターン領域６５，シリコンチップ６６およ
び一方側回路パターン領域６３を介してエミッタ端子に
至る電流経路と、コレクタ端子から第２の回路パターン
領域６５，シリコンチップ６７および他方側回路パター
ン領域６４を介してエミッタ端子に至る電流経路とが存
在するが、いずれの電流経路における電気抵抗および寄
生インダクタンスが同等であるため、実施例１と同様
に、シリコンチップ６６，６７のいずれの側に流れる電
流も均等化される。しかも、コレクタ端子およびエミッ
タ端子が互いに近接して並列配置された状態にあるた
め、相互誘導作用によって、実質的に寄生インダクタン
スの影響が小さいので、急激な電流変化が生じても、飛
躍電圧が小さいと共に、寄生インダクタンスによる電流
のアンバランスも発生しにくい。

【００２６】〔実施例３〕図６は本発明の実施例３に係
るトランジスタモジュールに用いた銅回路板の平面図で
ある。図６に示すとおり、本例のトランジスタモジュー
ルの銅回路板７１において、第１の回路パターン領域７
２は、第２の回路パターン領域７５の一方側に一方側回
路パターン領域７３および他方側回路パターン領域７４
が隣接する状態で形成されており、一方側および他方側
回路パターン領域７３，７４のいずれもが、第２の回路
パターン領域７５から等距離を隔てた状態にある。ま
た、これらの一方側および他方側回路パターン領域７
３，７４は、線対称状になっている。本例のトランジス
タモジュールにおいても、実施例１のトランジスタモジ
ュールと同様に、第１の回路パターン領域７２たる一方
側回路パターン領域７３および他方側回路パターン領域
７４にシリコンチップ７６，７７がそれぞれ搭載されて
おり、これらのシリコンチップ７６，７７のバンプ電極
からアルミニウムワイヤー７８がボンディング接続され
て、シリコンチップ７６，７７は、第１の回路パターン
領域７２の一方側および他方側回路パターン領域７３，
７４と、第２の回路パターン領域７５との間に同等の電
気抵抗をもつ状態で並列配置されている。

【００２７】この銅回路板７１も、たとえば実施例１の
トランジスタモジュールと同様に２枚が内蔵される場合
には、そのエミッタ端子およびコレクタ端子として、図
３に示す構造のエミッタ端子およびコレクタ端子を用い
る。この場合には、接続端子部２０１が接合される位置
は、一方側回路パターン領域７３の端部にあるコレクタ
端子接続領域７３ａであり、接続端子部２０２が接合さ
れるべき位置は、他方側回路パターン領域７４の端部に
あるコレクタ端子接続領域７４ａである。また、接続端
子部２１１が接合される位置は、第２の回路パターン領
域７５の端部にあるエミッタ端子接続領域７５ａであ
る。ここで、コレクタ端子接続領域７３ａ，７４ａは、
エミッタ端子接続領域７５ａを中心に対称の位置にあ
り、この位置は一方側回路パターン領域７３および他方
側回路パターン領域７４の対称中心線を中心線とする対
称位置である。なお、この銅回路板７１に対しては、第
２の回路パターン領域７５におけるエミッタ端子接続領
域７５ａの反対側の端部もエミッタ端子接続領域７５ｂ
としてもよい。この場合には、図３に示すエミッタ端子
２１に対して、エミッタ端子接続領域７５ｂに対応する
中間端子部および接続端子部を追加する。

【００２８】このような構成の銅回路板７１を用いたト
ランジスタモジュールにおいても、コレクタ端子から第
１の回路パターン領域７２の一方側回路パターン領域７
６，シリコンチップ７６および第２の回路パターン領域
７５を介してエミッタ端子に至る電流経路と、コレクタ
端子から第１の回路パターン領域７２の他方側回路パタ
ーン領域７７，シリコンチップ６７および第２の回路パ
ターン領域７５を介してエミッタ端子に至る電流経路と
が存在するが、いずれの電流経路における電気抵抗およ
び寄生インダクタンスは同等であるため、実施例１と同
様に、シリコンチップ７６，７７のいずれの側に流れる
電流も均等化される。しかも、コレクタ端子およびエミ
ッタ端子が互いに近接して並列配置された状態にあるた
め、相互誘導効果によって、実質的に寄生インダクタン
スの影響が小さいので、急激な電流変化が生じても、飛
躍電圧が小さいと共に、寄生インダクタンスによる電流
のアンバランスも発生しにくい。

【００２９】なお、本例においては、トランジスタモジ
ュールの内蔵チップのうち、第１または第２の回路パタ
ーン領域に搭載された１対のシリコンチップに対する電
流経路について述べたが、これに限らず、複数のシリコ
ンチップを搭載した状態においても同様な構成で配置で
き、搭載すべき内蔵チップの数や種類などについては、
製造すべきトランジスタモジュールの用途などに応じ
て、最適な条件に設定されるべき性質のものである。

【００３０】

【発明の効果】以上のとおり、本発明に係るトランジス
タモジュールにおいては、第１および第２の外部引出し
端子の間で電気的並列状態にある複数の内蔵チップを有
し、第２の回路パターン領域に対して等距離を隔てて隣
接する線対称状の第１の回路パターン領域の一方側およ
び他方側回路パターン領域に対して、第１の外部引出し
端子は、その中間端子部が接続端子部まで略同寸法の一
方側中間端子部および他方側中間端子部に分岐して対称
に導電接続することに特徴を有する。従って、本発明に
よれば、第１の外部引出し端子から一方側回路パターン
領域を経て第２の回路パターン領域に至る電流経路と、
第１の外部引出し端子から他方側回路パターン領域を経
て第２の回路パターン領域に至る電流経路とは、その電
気抵抗および寄生インダクタンスが同等であるため、各
内蔵チップに流れる電流を均等化でき、特定の内蔵チッ
プが過電流状態になることがないので、トランジスタモ
ジュールの信頼性が向上するという効果を奏する。

【００３１】また、第１の外部引出し端子の一方側およ
び他方側中間端子部が、その分岐部を中心に線対称形状
に形成されている場合には、この外部引出し端子部の寄
生インダクタンスが及ぼす電流バランスへの影響も低減
できる。

【００３２】さらに、第１および第２の回路パターン領
域に対する隣接回路パターン領域に、第１の外部引出し
端子を隣接回路パターン領域との境界領域側で導電接続
させた場合には、いずれの側にも、最短寸法の第１の外
部引出し端子で導電接続できるので、電気抵抗および寄
生インダクタンスを低減できる。

【００３３】また、第１の引出し端子の一方側および他
方側中間端子部と、第２の引出し端子部の中間端子部と
を互いに近接した状態で並列配置した場合には、中間端
子部間の相互誘導効果によって寄生インダクタンスを実
質的に低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係るトランジスタモジュー
ル内部の構成を示す概略斜視図である。

【図２】図１に示すトランジスタモジュールに用いた銅
回路板の構成を示す平面図である。

【図３】図１に示すトランジスタモジュールに用いたコ
レクタ端子およびエミッタ端子の形状を示す斜視図であ
る。

【図４】図２に示す銅回路板の電流経路を示す説明図で
ある。

【図５】本発明の実施例２に係るトランジスタモジュー
ルに用いた銅回路板の構成を示す平面図である。

【図６】本発明の実施例３に係るトランジスタモジュー
ルに用いた銅回路板の構成を示す平面図である。

【図７】従来のトランジスタモジュールに用いた銅回路
板の平面図である。

【図８】図７に示す銅回路板の電流経路を示す説明図で
ある。

【図９】図７に示す銅回路板を用いた従来のトランジス
タモジュール内部の構成を示す概略斜視図である。

【符号の説明】

１・・・トランジスタモジュール ３，４，６１，７１・・・銅回路板（回路パターン領
域） ７，８，６３，７３・・・一方側回路パターン領域 ９，１０，６４，７４・・・他方側回路パターン領域 １１，１２，６２，７２・・・第１の回路パターン領域 １３，１４，６５，７５・・・第２の回路パターン領域 １５，１６，１７，１８，６６，６７，７６，７７・・
・シリコンチップ ２０・・・コレクタ端子（第１の外部引出し端子〕 ２１・・・エミッタ端子（第２の外部引出し端子〕 ２０１，２０２，２０３，２０４・・・接続端子部 ２０５・・・一方側中間端子部 ２０６・・・他方側中間端子部 ２０７，２１７・・・外部端子部 ２０８，２１８・・・分岐部 ２１５，２１６・・・中間端子部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 モジュール内の第１および第２の回路パ
   ターン領域のうちの対応する回路パターン領域に導電接
   続する接続端子部およびこの接続端子部に中間端子部を
   介して導電接続する外部端子部を備える第１および第２
   の外部引出し端子と、前記第１および第２の回路パター
   ン領域のうちの一方側に設けられて前記第１および第２
   の外部引出し端子の間で電気的並列状態にある複数の内
   蔵チップと、を有し、前記第１の回路パターン領域は、
   前記第２の回路パターン領域から等距離を隔てた位置に
   線対称状に配置された一方側回路パターン領域および他
   方側回路パターン領域として形成され、この第１の回路
   パターン領域に対応する前記第１の外部引出し端子は、
   その中間端子部が接続端子部まで略同寸法の一方側中間
   端子部および他方側中間端子部に分岐して前記一方側お
   よび他方側回路パターン領域に対してそれらの対称中心
   線を中心線とする対称位置に導電接続していることを特
   徴とするトランジスタモジュール。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記第１の外部引出
   し端子の一方側および他方側中間端子部は、その分岐部
   を中心に線対称形状に形成されていることを特徴とする
   トランジスタモジュール。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に規定するトラ
   ンジスタモジュールには、前記第１および第２の回路パ
   ターン領域に加えて、これらの第１および第２の回路パ
   ターン領域と略同構造の隣接回路パターン領域が、それ
   らの境界領域を中心に線対称状に隣接しており、その境
   界領域側において、前記第１の外部引出し端子は、前記
   隣接回路パターン領域の第１および第２の回路パターン
   領域にも導電接続していることを特徴とするトランジス
   タモジュール。
4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかの項
   において、前記第１の外部引出し端子の一方側および他
   方側中間端子部と、前記第２の外部引出し端子の中間端
   子部とは、互いに近接した状態で並列配置されているこ
   とを特徴とするトランジスタモジュール。