JPH05234867A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH05234867A
JPH05234867A JP7317292A JP7317292A JPH05234867A JP H05234867 A JPH05234867 A JP H05234867A JP 7317292 A JP7317292 A JP 7317292A JP 7317292 A JP7317292 A JP 7317292A JP H05234867 A JPH05234867 A JP H05234867A
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Akihiro Fujimoto
昭浩 藤本
Yasuhiro Sakamoto
泰大 坂本
Takashi Takekuma
貴志 竹熊
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理体周辺部分の雰囲気温度を制御して、
被処理体への処理液の均一供給を図る。 【構成】 被処理体Wの表面に処理液を供給し処理する
処理装置17を、被処理体Wの周辺部に恒温流体を循環
させる恒温流体循環流路32と、この流路32内の恒温
流体と被処理体周辺部へ流れる雰囲気Aとを熱交換させ
る熱交換手段35とを具備して構成する。これにより、
被処理体周辺部へ流れる雰囲気Aを熱交換手段35を介
して恒温流体と良好に熱交換して温度調節することがで
き、この温度調節された雰囲気Aによって被処理体周辺
部を温度調節することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体の表面にレジスト液等の処理液を供給して
処理する処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来この種の処理装置として、半導体ウ
エハ等の被処理体をスピンチャック上に保持し、処理液
を被処理体の中央部に滴下した後、スピンチャックを高
速回転させ、その遠心力で被処理体の周辺部まで処理液
を均一に塗布する装置が知られている。
【0003】このように構成される処理装置を用いて被
処理体表面に均一な所望の膜厚の塗布膜を形成するため
には、被処理体の温度が適正な温度に制御されている必
要がある。そこで、従来この種の処理装置においては、
被処理体と直接接触するスピンチャックに温度調節機能
を持たせたり、被処理体を予め所定の温度に設定した
後、スピンチャックへ搬送するなどの対策を講じて上述
の塗布処理を行っていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の処理装置では、例えば、回転塗布時に装置内の排気が
行われることにより、スピンチャック駆動用モ−タなど
の熱で昇温された雰囲気(エア−)が被処理体に当たる
と、その影響で被処理体の温度が上昇することになる。
このような場合、スピンチャックと接触している被処理
体中心部分はスピンチャックによって温度調節すること
ができるが、被処理体周辺部分は温度調節されにくいた
め、膜厚が厚く形成され易く塗布膜厚の面内均一性が低
下するという問題がある。
【0005】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体周辺部分の雰囲気温度を制御して、被処理
体に処理液を供給し均一性良く処理できる処理装置を提
供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体の表面に処理液を
供給する処理装置を前提とし、上記被処理体の周辺部に
温調用流体を循環させる温調用流体循環流路と、この流
路内の温調用流体と被処理体周辺部へ流れる雰囲気とを
熱交換させる熱交換手段とを具備してなるものである。
【0007】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、被処理体周辺部へ流れる雰囲気は、熱交換手段
を通過する際、温調用流体循環流路内の温調用流体との
熱交換によって温度調節されることになる。この温度調
節された雰囲気によって被処理体周辺部の温度を好適に
調節することにより、被処理体表面に対する処理液の塗
布処理を均一性良く行うことができる。
【0008】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。この実施例はレジスト塗布現像装置に
適用したものである。
【0009】図1に示すように、このレジスト塗布現像
装置は、被処理体例えば半導体ウエハ(以下、単にウエ
ハという)Wに種々の処理を施す処理機構が配置された
処理機構ユニット10と、処理機構ユニット10にウエ
ハWを自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機構1とで主
要部が構成されている。
【0010】搬入・搬出機構1は、処理前のウエハWを
収納するウエハキャリア2と、処理後のウエハWを収納
するウエハキャリア3と、ウエハWを吸着保持するア−
ム4と、このア−ム4をX,Y(水平),Z(垂直)及
びθ(回転)方向に移動させる移動機構5と、ウエハW
がアライメントされかつ処理機構ユニット10との間で
ウエハWの受け渡しがなされるアライメントステージ6
とを備えている。
【0011】処理機構ユニット10には、アライメント
ステージ6よりX方向に形成された搬送路11に沿って
移動自在に搬送機構12が設けられている。搬送機構1
2にはY,Z及びθ方向に移動自在にメインア−ム13
が設けられている。搬送路11の一方の側には、ウエハ
Wとレジスト液膜との密着性を向上させるためのアドヒ
ージョン処理を行うアドヒージョン処理機構14と、ウ
エハWに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸
発させるためのプリベーク機構15と、加熱処理された
ウエハWを冷却する冷却機構16とが配置されている。
搬送路11の他方の側にはウエハWの表面にレジストを
塗布する処理液塗布機構17(この発明の処理装置)
と、露光工程時に光乱反射を防止するために、ウエハW
のレジスト上にCEL膜などを塗布形成する表面被覆層
塗布機構18とが配置されている。
【0012】以上のように構成されるレジスト塗布現像
装置において、まず、処理前のウエハWは、搬入・搬出
機構1のア−ム4によってウエハキャリア2から搬出さ
れてアライメントステージ6上に載置される。次いで、
アライメントステージ6上のウエハWは、搬送機構12
のメインア−ム13に保持されて、各処理機構14〜1
8へと搬送され所定のプロセスに応じて処理される。そ
して、処理後のウエハWはメインア−ム13によってア
ライメントステージ6に戻され、更にア−ム4により搬
送されてウエハキャリア3に収納されることになる。
【0013】次に、この発明の処理装置17について、
図2ないし図5を参照して説明する。
【0014】図2に示すように、この発明の処理装置1
7は、ウエハWを吸着保持しこれを水平回転させるスピ
ンチャック19と、このスピンチャック19を囲うよう
に同心状に配置され、後述するようにウエハWの周辺部
の温度制御ができるように構成された環状の内カップ2
0と、これらスピンチャック19及び内カップ20を収
容して処理空間を形成する外カップ21と、スピンチャ
ック19上に移動されてウエハWの表面に処理液である
レジスト液を供給する処理液供給ノズル22とで主要部
が構成されている。
【0015】スピンチャック19の下端部は、スピンチ
ャック19及びウエハWを所定の回転数で回転させるた
めのモ−タ23の回転軸36に固定されている。このモ
−タ23には回転軸36の回転位置等を正確に検出する
ことができるエンコ−ダ27が設けられている。モ−タ
23の取り付けフランジ23aには、モ−タ23の駆動
によって発生する熱が回転軸36を介してスピンチャッ
ク19に伝達され、ひいてはスピンチャック19に吸着
保持されたウエハWに伝達されるのを防止するため、チ
ャック温度調節手段24が設けられている。このチャッ
ク温度調節手段24は、フランジ23aの内部に形成さ
れた温調用の恒温水循環流路25と、この流路25に配
管30を介して接続された恒温水槽26とからなる。恒
温水槽26には、槽内の恒温水を恒温水循環流路25へ
循環させる図示しない循環装置と、恒温水の温度を所定
の温度に制御する図示しない温度調節器とが設けられて
いる。このチャック温度調節手段24によれば、恒温水
の温度を適宜調節することにより、回転軸36を介して
スピンチャック19の温度を調節し、スピンチャック1
9と直接接触するウエハ中心部の温度を調節することが
できる。スピンチャック19の温度は例えば室温である
23℃に制御される。
【0016】処理液供給ノズル22は、配管28を介し
て図示しないレジスト液収容容器に接続されている。配
管28には、恒温水を循環させる機構などから構成さ
れ、管壁を介してレジスト液の温度を調節するレジスト
温度調節装置29が設けられている。このレジスト温度
調節装置29により、レジスト液の温度は、例えば23
〜24.5℃に調節される。
【0017】内カップ20は、アルミニウム等の熱伝導
性の良い材料で形成された環状の部材で構成され、上側
部材20uと下側部材20dとからなる。上側部材20
uと下側部材20dの内径は相等しく、かつウエハWの
直径よりも小さく設定されている。上側部材20uの外
周面はコーン状に形成され、その上部端面20aはスピ
ンチャック19に吸着保持されたウエハWの裏面より若
干離間されて配置されている。この内カップ20には、
内カップ温度調節手段31と、熱交換手段35とが設け
られている。
【0018】内カップ温度調節手段31は、内カップ2
0の内部に温調用の流体例えば恒温水を循環させるため
の温調用流体循環流路すなわち恒温流体循環流路32
と、この恒温流体循環流路32に配管33を介して接続
された恒温水槽34とからなる。恒温流体循環流路32
は、下側部材20dの上面に全周に亘って設けられた溝
の上部を上側部材20uで閉塞することによって形成さ
れたものであり、配管33は、この恒温流体循環流路3
2の起点部並びに終点部に接続されている。恒温水槽3
4には、槽内の恒温水を恒温流体循環流路32へ循環さ
せるポンプ等によって構成された図示しない恒温水循環
装置と、恒温水の温度を所定の温度に制御する図示しな
い温度調節器とが設けられている。このように構成され
た内カップ温度調節手段31は、内カップ20の温度を
検出するための温度センサ等を備えて構成された内カッ
プ温度制御装置37によって制御される。内カップ温度
制御装置37は、内カップ20の温度を監視しつつ、恒
温水槽34に設けられた恒温水循環装置及び温度調節器
を駆動制御し、恒温水を所定の流量・温度で恒温流体循
環流路32へ循環させることにより、内カップ20の温
度を所定の温度に制御する。内カップ20の温度は例え
ば室温(23℃)±2℃に制御される。
【0019】熱交換手段35は、上述のように温度調節
された内カップ20と、後述するように内カップ20の
内側を通ってウエハWの周辺部へ流れるエアーAとの間
で良好な熱交換を行わせるために内カップ20の内周に
設けられたものである。この熱交換手段35は、内カッ
プ20と同様アルミニウム等の熱伝導性の良い材料から
なる環状の部材で構成され、その内周には、図2及び図
3に示すように周方向に沿った環状のフィン35aが内
カップ20の高さ方向に多段に形成されている。
【0020】外カップ21の底部には排気口38が設け
られている。排気口38は図示しない排気装置に接続さ
れており、ウエハWに回転塗布処理を施す際に飛散する
レジスト液やパーティクルを、処理装置17内雰囲気と
共にこの排気口38より排出することができるようにな
っている。
【0021】上記のように構成されるこの発明の処理装
置17において、ウエハWの表面にレジスト液を塗布す
るに際し、予めチャック温度調節手段24及び内カップ
温度調節手段31により、スピンチャック19及び内カ
ップ20の温度を例えば23℃に調節しておく。そし
て、メインア−ム13によってスピンチャック19上に
ウエハWを載置する。このときウエハWは、そのオリエ
ンテ−ション・フラット(通称、オリフラ)の方向が所
定の方向になるよう位置決めされてスピンチャック19
上に載置される。
【0022】そして、スピンチャック19でウエハWを
吸着保持した後、排気口38より装置内の排気を開始す
る。この排気の際、外カップ21の上部開口部より導入
されたエアー(処理機構ユニット10内のダウンフロ
ー)は、内カップ20の外周部を通って下側に回り込
み、排気口38より排出される。内カップ20の上部端
面20aとウエハWの裏面との間を流れるエア−Aは、
内カップ20の内周に設けられた熱交換手段35の多数
のフィン35aとの良好な熱交換によって23℃に温度
調節されている。このフィン35aを設けたため、内カ
ップ温度調節手段31の効果を非常に大きくすることか
できる。したがって、ウエハWの中心部はスピンチャッ
ク19との熱交換によって、ウエハWの周辺部はエア−
Aとの熱交換によって等しく23℃に温度調節されるこ
とになり、ウエハW全面に亘り温度調節される。
【0023】次に、処理液供給ノズル22をウエハWの
中央位置まで移動させ、レジスト液をウエハW上に滴下
すると共に、スピンチャック19の駆動によりウエハW
を高速で回転させて、遠心力によりウエハWの表面に均
一にレジスト液を塗布する。ウエハW全体が好適な温度
に調節されているので、ウエハWの周辺部分の膜厚が厚
くなりすぎるのを防止可能となり、ウエハWの表面全体
に極めて均一にレジスト液を塗布することができる。こ
こで、滴下するレジスト液の温度もウエハWの温度であ
る23度に調節しておけば、さらに面内均一性の良い塗
布膜を得ることができる。また、スピンチャック19を
停止させる際、エンコ−ダ27によってモ−タ回転軸3
6の回転位置を検出し、ウエハWのオリフラの方向が回
転開始当初の方向になるよう正確に位置決めされるよう
にすれば、ウエハWをオリフラ方向を一定にした状態で
次工程へ搬送することができるので、処理の再現性、解
析が容易となる。
【0024】上記実施例で説明した熱交換手段35は、
環状のフィン35aが多段に形成された構造になってい
るが、これは流れに対して直交させて配置された環状の
フィン35aでエア−Aの流れを乱すことにより熱交換
効率を高めることを意図したものであり、熱交換手段3
5の構造としては種々のものが適用可能である。エア−
Aの整流作用を考慮すれば、図4に示すように熱交換手
段35の内周に軸方向(内カップ20の高さ方向)に沿
ったフィン35bが周方向に多数配列されている構造
や、図5に示すように螺旋状のフィン35cを有した構
造も好ましいといえる。図4,図5に示される構造によ
れば、エア−Aの流速をさほど低下させることなくウエ
ハWの裏面と内カップ20の上部端面20aとの間に導
入することができるので、レジスト液のウエハW裏面へ
の回り込みや内カップ20の上部端面20aに対するパ
−ティクルの付着を防止することもできる。
【0025】上記実施例では被処理体が半導体ウエハの
場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体ウ
エハに限られるものではなく、例えばLCD基板あるい
はプリント基板について同様に処理液を被覆するものに
ついても適用できるものである。LCD基板に対して処
理を行う場合には基板の方向決めが必要になるので、上
述したエンコ−ダ27によるモ−タ回転軸36の回転位
置検出機能が特に有効である。また、上記実施例では処
理装置をレジスト塗布現像装置に適用した場合について
説明したが、これ以外にも、例えばエッチング液塗布処
理や磁性液塗布処理を行う装置にも適用できることは勿
論である。また、上記実施例では被処理体の周辺部の温
度上昇を防止する場合について説明したが、この発明は
必ずしも温度上昇を防止する場合にのみ適用するもので
はなく、逆に温度低下を防止するような温度制御にも適
用できることは言うまでもない。
【0026】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、被処理体の周辺部に温調用流体を循環さ
せる温調用流体循環流路と、この流路内の温調用流体と
被処理体周辺部へ流れる雰囲気とを熱交換させる熱交換
手段とを具備して構成されるので、被処理体周辺部へ流
れる雰囲気と温調用流体循環流路内の温調用流体とを熱
交換手段を介して良好に熱交換させ、この熱交換によっ
て温度調節された雰囲気で被処理体周辺部の温度を好適
に調節することができ、被処理体表面に対する処理を均
一性良く行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の処理装置をレジスト液塗布現像装置
に適用した一実施例を示す概略平面図である。
【図2】この発明の処理装置の概略構成図である。
【図3】この発明における熱交換手段を示す断面斜視図
である。
【図4】この発明における熱交換手段の別の実施例を示
す断面斜視図である。
【図5】この発明における熱交換手段の更に別の実施例
を示す断面斜視図である。
【符号の説明】
17 処理装置 32 恒温流体循環流路 35 熱交換手段 A エア−(雰囲気) W 半導体ウエハ(被処理体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹熊 貴志 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体の表面に処理液を供給して処理
    する処理装置において、 上記被処理体の周辺部に温調用流体を循環させる温調用
    流体循環流路と、この流路内の温調用流体と被処理体周
    辺部へ流れる雰囲気とを熱交換させる熱交換手段とを具
    備してなることを特徴とする処理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011035186A (ja) * 2009-08-03 2011-02-17 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011035186A (ja) * 2009-08-03 2011-02-17 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

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