JPH05234582A - ラミネート型電源と半導体装置との間のラミネート型相互接続媒体の適用 - Google Patents

ラミネート型電源と半導体装置との間のラミネート型相互接続媒体の適用

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JPH05234582A
JPH05234582A JP4287887A JP28788792A JPH05234582A JP H05234582 A JPH05234582 A JP H05234582A JP 4287887 A JP4287887 A JP 4287887A JP 28788792 A JP28788792 A JP 28788792A JP H05234582 A JPH05234582 A JP H05234582A
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cathode
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Joseph H Mccain
エイチ． マッケーン ジョセフ
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 ラミネート型電源の電極を平坦な基板上の正
及び負の電源入力端子と接続する平坦な相互接続媒体を
提供する。 【構成】 この相互接続媒体１０は、可撓性のラミネー
ト型ストリップの形状をしており、それは一対の絶縁層
１６，１８の間に挟み込んだ中央導電層１４を有してい
る。この可撓性のあるラミネート型相互接続媒体はプリ
ント回路基板の片側上に設けられた基板ランド乃至はメ
タリゼーション付着物と電気的接触すべく実質的に同一
面状の関係で正及び負のバッテリ端子を提供するために
ラミネート型電源のアノード及びカソードの周りに折曲
げられている。ラミネート型電池は、例えばスタチック
ランダムアクセスメモリなどの集積回路装置へバックア
ップ動作電力を供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大略、電子組立て技術
に関するものであって、更に詳細には、集積回路装置に
対してスタンバイパワー即ち待機電力を供給する二次電
池（二次セル）用の相互接続媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路（ＩＣ）チップ上で実現される
重要な集積回路製品としては、スタチックランダムアク
セスメモリ（ＳＲＡＭ）として知られる揮発性半導体メ
モリがある。ＳＲＡＭは、スタンバイパワー消費が低く
且つメモリセル集積度が高い特徴を有している。有効な
論理信号を発生し且つ揮発性メモリセルを有する集積メ
モリ回路内にデータを維持させることは、部分的に、特
定した限界内に電源電圧を維持することに依存してい
る。従来の集積回路メモリ装置においては、内部回路が
印加された外部電源電圧が信頼性のある動作のために十
分なものであるか否かを決定するために検知を行なう。
電圧条件が低いことに応答して、制御信号が発生され、
該制御信号は活性なチップを脱選択状態とさせ且つスタ
ンバイ条件に維持させる。このことは、通常、真及び補
元チップ選択信号、即ちＣＳ及びＣＳ_により実施さ
れ、該信号は、低電圧条件が補正されるまで読取り／書
込み動作を禁止する。
【０００３】メモリチップが非選択状態にある期間中、
格納したデータが維持されるように揮発性メモリセル内
の格納コンデンサの充電レベルを維持することが必要で
ある。そうでないと、プログラム及びデータを包含する
メモリセル内に格納される情報は、パワー即ち電力が除
去された場合に、喪失される。パワーの損失はメモリ回
路を損傷するものでないとしても、格納された情報が喪
失すると、再び処理を行なう前に、メモリを再度プログ
ラム及びデータでロードすることが必要である。
【０００４】バックアップバッテリを半導体チップパッ
ケージ内にカプセル化即ち封止することによりこのデー
タ喪失問題を解消することが提案されている。この様な
一つの構成においては、揮発性メモリセルを有するメモ
リチップをリードフレームのダイパドル上に積載させ且
つＩ／Ｏパッドとそれぞれの内部リードとの間をワイヤ
でボンディングする。リードフレーム及びＩＣチップは
一つのモールドされた半分のセクション内に樹脂により
カプセル化される。第二の半分のセクション内には小型
のバッテリ及び例えばクリスタルなどのその他の個別的
コンポーネントが装着される。この第二の半分のセクシ
ョンは、第一のモールドした半分のセクションのリード
フレームにおけるフィンガリードと係合すべく正確に位
置決めしたコネクタピンを包含している。この二重セク
ション構成は、非揮発性ＳＲＡＭを使用することを必要
とする多くの製品の適用例に対して役立つものであっ
た。しかしながら、第二の半分のセクションにより与え
られる付加的な高さが、スペースが重要であり且つ高集
積度の製品の適用例の場合に確立される最大高さ限界を
超えるパッケージとしていた。
【０００５】上述したデータ喪失問題は、スルーホール
（貫通孔）ＰＣ回路基板上に装着したソケット内に例え
ばニッケルカドミウム「ボタン」電池などの従来の二次
電池を据え付けることにより従来のスルーホールＰＣ回
路基板において解消されている。ある適用例において
は、バッテリ電極は半田タグが設けられており、且つ他
のものはプリント回路基板上の正及び負の電源端子へワ
イヤ導体により接続されている。この様なソケット及び
ワイヤ接続は高集積度のプリント回路基板を製造する場
合に使用される自動組立て技術に特に適したものという
わけではない。
【０００６】プリント回路基板技術及び表面装着技術
は、高集積度パッケージング仕様を充足すべく進化して
きている。メモリチップを包含する表面マウント（装
着）装置はフラットパック及びリードレスチップキャリ
アの状態にパッケージ化されており、それらはこの様な
適用例におけるデュアルインラインパッケージに取って
代わっている。表面マウントフラットパック及びリード
レスキャリアは低い形状を有しており、且つそれらはプ
リント回路基板の両側に取付けることが可能であり、そ
の際に従来のスルーホールＰＣ基板技術と比較して、組
立体当りの単位面積当りの回路密度を実質的に増加させ
ている。
【０００７】時折表面マウントコンポーネントと呼ばれ
るこの様な表面マウント装置は、基板の片側又は両側に
マウントされ且つラップ半田接続部により基板のランド
又はメタリゼーションへ相互接続されるリード付き又は
リードなしの任意の電気的コンポーネントとすることが
可能である。従って、表面マウント装置は、それがマウ
ントされる基板側においてのみ冶金的接触を構成する。
【０００８】従来の二次（即ち、再充電可能な）電池の
幾何学的形状は表面マウント型ＰＣ基板との接続に使用
するのに特に適したものではない。従来の二次電池は、
典型的に、長尺状の円筒状構成又は小型の「ボタン」構
成を有しており、その場合に、アノードとカソードとが
同一面上に存在するものではない。従来のニッケルカド
ミウム二次電池はソケットと結合して使用することが可
能であり、又はその電池の電極は半田タグが設けられて
いる場合がある。
【０００９】最近、ラミネート型即ち積層型のセル構成
体において導電性ポリマーを使用する改良型の再充電型
電池が提案されている。再充電可能な導電性ポリマーバ
ッテリ（電池）は、固体ポリマー電解コアを使用してお
り、該コアはポリマーフィルムカソード物質とポリマー
フィルムアノード物質とのそれぞれの層の間に挟まれて
いる。接触電極は導電性ホイル及び導電性フィルムラミ
ネートにより形成されている。
【００１０】この様な固体ポリマー電解二次電池の平坦
な幾何学的形状、パッケージ高さ及びアンペア時充電能
力は、表面マウントプリント回路基板適用例に対して適
したものである。しかしながら、それらの電極は同一面
状ではないので、この様な再充電可能な導電性ポリマー
バッテリを表面マウントプリント回路基板と結合して使
用する場合に適合させるために適応性の結合媒体が必要
とされる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的と
するところは、ラミネート型電源の電極を平坦な基板上
の正及び負の電源入力端子と電気的接触状態に接続する
平坦な幾何学的相互接続媒体を提供することである。本
発明の別の目的とするところは、プリント回路基板の片
側に配設した基板表面ランドへ表面マウント取付けのた
めにラミネート型の導電性ポリマーバッテリを適合させ
る相互接続媒体を提供することである。本発明の更に別
の目的とするところは、プリント回路基板の片側に設け
られた基板ランド又はメタリゼーション付着物と同一面
状に接触する正及び負のバッテリ端子を提供するために
ラミネート型電源のアノード及びカソードへ取付けるた
めの相互接続媒体を提供することである。本発明の更に
別の目的とするところは、ラミネート型電源のアノード
及びカソードをプリント回路基板上の電源入力端子へ接
続させるための可撓性相互接続媒体を提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、一対の
絶縁層の間に挟まれた中央の導電層を有する可撓性のラ
ミネート型ストリップの形態の電気的相互接続媒体が提
供される。この多層ラミネート型ストリップは可撓性が
あり、従って、それはプリント回路基板の片側上に設け
られた基板ランド又はメタリゼーション付着物と電気的
接触を行なうために実質的に同一面状の関係で正及び負
のバッテリ端子を提供するためにラミネート型電源のア
ノード及びカソードの周りに折曲げることが可能であ
る。
【００１３】好適実施例においては、絶縁層の一部を除
去し、且つバッテリのカソードをその露出した導電層の
上に積載させ且つそれと電気的に結合させる。可撓性相
互接続媒体の中間部分を積層型バッテリの端部の周りに
折曲げ、その導電層を内側の絶縁層によりバッテリのア
ノードから離隔させる。相互接続媒体の層はアパーチャ
により交差され、該アパーチャは下側に存在するバッテ
リアノードを露出させる。外側絶縁層もアパーチャによ
り交差され、その際に導電層を露出させ、該導電層はバ
ッテリカソードと電気的に接触している。この構成によ
れば、露出されたバッテリのアノードと露出された導電
層とが実質的に同一面状の関係で正及び負のバッテリ端
子を提供し、プリント回路基板の片側上に設けられた基
板ランド又はメタリゼーション付着物と電気的に接触す
ることが可能である。従って、この可撓性相互接続媒体
は、バッテリのカソードをアノードに関して絶縁すると
共に、表面マウント適用例において実質的に同一面状の
関係で電気的接触表面を与える電気的ラップ（外被体）
を構成している。
【００１４】
【実施例】以下の説明においては、明細書及び図面の全
体に亘り、同一の構成要素には同一の参照番号を付して
ある。一例として、本発明を一対の表面装着可能なＰＬ
ＣＣスタチックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）装
置へバックアップパワーを供給するためのラミネート型
再充電可能な導電性ポリマーバッテリに関して説明す
る。しかしながら、理解される如く、本発明の相互接続
媒体は、複数個の入力／出力ノードを有するその他の揮
発性メモリ集積回路装置用のバックアップバッテリパワ
ーを供給するために使用することも可能である。従っ
て、理解すべきことであるが、本発明及びその最も広義
の側面は、一般的に、ラミネート型電源、及び、例え
ば、ディスクリート、マイクロディスクリート及び集積
回路コンポーネント及びこの様なディスクリート及び集
積化した装置のハイブリッド結合などのバックアップパ
ワーを必要とするその他の回路装置と結合して使用する
ことが可能である。
【００１５】図１乃至図４を参照すると、ラミネート型
相互接続媒体１０がラミネート型電源１２の周りに折曲
げた状態で係合すべく適合されている。相互接続媒体１
０は可撓性のあるラミネート型ストリップの形態をして
おり、それは一対の絶縁層１６，１８の間に中央の導電
層１４が挟持されている。好適実施例においては、導電
層１４は、例えば、銅、銀又はアルミニウムなどの導電
性金属のホイル又はフィルム（膜）である。各絶縁層
は、好適には、紙又は例えばデュポン・デ・ネムール、
Ｅ．Ｉ．＆カンパニーにより製造されているマイラ（Ｍ
ｙｌａｒ）（商標名）などの非導電性ポリエステルフィ
ルムである。絶縁層１６，１８は熱シール用接着剤によ
り導電性１４へ接着されている。多層ラミネート型スト
リップ１０は可撓性を有しており、従って、それはラミ
ネート型バッテリ１２のアノード２０及びカソード２２
の周りに折曲げることが可能である。
【００１６】図１に示したラミネート型電源１２は導電
性ポリマーの再充電可能な二次電池である。固体電解体
として、ポリビニリデン（ＬｉＣｌＯ4 −ＰＶＤＦ）を
混合したリチウムパーチロレート（ＬｉＣｌＯ4 ）のフ
ィルム調製物２４を使用する。固体電解体２４はカソー
ド及びアノード電解層２６，２８を画定する二つのポリ
アセチレン（ＣＨ）ｘフィルム２６，２８の間にサンド
イッチ即ち挟み込まれている。カソード電解層２６は導
電性を与えるためにＮ型不純物が含湿されている。カソ
ードフィルム層は負の端子を構成するアルミニウムフィ
ルム層２６へ接着されている。アノード層２８は導電性
を与えるためにＰ型不純物で含湿されており、且つ正の
端子２０を構成する２０００Åの厚さを有する蒸着した
金フィルムへ接着されている。
【００１７】ラミネート型再充電可能即ち二次的な電池
であって０．３００インチ幅で０．３００インチの長さ
で０．０５３インチの高さを有するリチウムパーチロレ
ート電解体を有する電池は、２ｍＡｈｒｓと４ｍＡｈｒ
ｓとの間のエネルギ容量を有している。セル容量は、セ
ルのシールした端部の厚さのみならず電解体層の厚さに
直接的に比例する。
【００１８】アノード端子２０とカソード端子２２は同
一面状ではなく、従って、相互接続媒体１０はプリント
回路基板の片側上に設けられた基板ランド乃至はメタリ
ゼーション付着物と同一面状の接触を行なうために正及
び負の電池端子を提供するためにアノード及びカソード
上に折曲げられている。
【００１９】図４を参照すると、絶縁層の一部が絶縁層
１６から除去されており、その際に導電層１４の表面を
露出させている。電池１２のカソード２２は露出された
導電層１４上に積載され且つそれに接着されている。可
撓性の相互接続媒体１０が積層型バッテリの端部の周り
に折曲げられており、導電層１４は絶縁層１６により電
池アノード２０から分離されている。
【００２０】相互接続媒体１０のそれぞれの層はアパー
チャ（開口部）３０により交差されており、従って下側
に存在するバッテリアノード２０を露出させている。外
側絶縁層１８もアパーチャ３２により交差されており、
その際に導電層１４を露出させている。
【００２１】図５、図６及び図７を参照すると、アパー
チャ３０により露出されたバッテリアノード表面２０及
びアパーチャ３２により露出された導電層１４は、同一
面状の基板ランド乃至はメタリゼーション付着物と接触
すべく実質的に同一面状の関係で正及び負のバッテリ端
子を提供している。可撓性相互接続媒体１０は、アノー
ド２０に関して、バッテリカソード２２を絶縁すると共
に、同時的に、図８に示した如く、プリント回路基板３
８の片側上に設けられているメタリゼーション付着物３
４，３６と接触するために実質的に同一面状の関係で電
気的コンタクト表面１４，２０を提供している。
【００２２】次に、図８、図９及び図１０を参照する
と、ラミネート型電源１２は、プリント回路基板３８の
片側に接着されている正及び負の電源入力端子３４，３
６へ表面マウント取付けのために適合されている。プリ
ント回路基板３８の同一の側には、本実施例においては
スタチックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）である
２８ピンの表面マウント可能ＰＬＣＣメモリ装置４４，
４６の外部Ｊリードと係合すべくパターンに配列された
二つのグループ４０，４２の導電性ランドＬが形成され
ている。ＰＣボード３８は、更に、導電性トレース４
８，５０を有しており、それらのトレースは、スタンバ
イ動作電流をＳＲＡＭメモリ装置４４，４６へ導通させ
る。プリント回路基板３８は、更に、ＳＲＡＭ装置と端
部相互接続体との間にその他の導電性信号トレース及び
相互接続トレースを有している。
【００２３】露出したカソード及びアノードコンタクト
表面１４，２０と正及び負の電源入力端子３４，３６と
の間の電気的コンタクト即ち接触は導電性エポキシ接着
剤の付着物により与えられている。導電性接着剤は、好
適には、例えばＡｍｉｃｏｎＣＴ−５０４７−２などの
銀を充填したエポキシ接着剤である。グループ４０，４
２における導電性ランド及び導電性トレースは絶縁性基
板３８の表面に接着されている。基板３８は、好適に
は、例えばＧ−３０ポリイミドなどの高いガラス遷移温
度（Ｔg ）を有しており且つ例えばＫｅｖｌａｒ（商標
名）エポキシ又はＫｅｖｌａｒ（商標名）ポリイミドフ
ァイバにより与えられるような良好なラミネート柔順性
を有する物質から構成されている。
【００２４】再度図１０を参照すると、相互接続媒体１
０の平坦な幾何学的形状が表面マウント型プリント回路
基板と結合して使用するのに良好に適合されていること
を理解することが可能である。更に、固体ポリマー電解
二次電池と相互接続媒体との組合わせは、形状が低く且
つプリント回路基板の片側のみにおいて比較的小さな面
積を占有するに過ぎない。半田タグ及び外部配線リード
は必要とされない。そのパッケージングの高さは表面マ
ウント型ＰＬＣＣメモリ装置のパッケージング高さより
も低い。
【００２５】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 固体ポリマー電解二次電池を示した概略斜視
図。
【図２】 ラミネート型電源へ折曲げて取付ける準備に
おいて部分的に折曲げた状態で示したラミネート型相互
接続媒体の概略斜視図。
【図３】 ラミネート型電源の簡単化した概略斜視図。
【図４】 図２に示した相互接続媒体の露出した導電層
上にラミネート型電源のカソードを積載した状態を示し
た概略断面図。
【図５】 図２のラミネート型相互接続媒体の折曲げた
部分の間に積載したラミネート型電源を示した概略斜視
図。
【図６】 ６−６線に沿ってとった図５に示したラミネ
ート型電源及び相互接続媒体を示した概略断面図。
【図７】 相互接続媒体のアノード層と導電層の同一面
状の露出状態を示した拡大概略断面図。
【図８】 表面マウント型プラスチックリードレスチッ
プキャリア（ＰＬＣＣ）メモリ装置と係合すべく配列し
た表面マウントランドを有しており且つ正及び負の電源
入力端子を画定するメタリゼーション付着物を有するプ
リント回路基板を示した概略斜視図。
【図９】 図８と同様なものであって図５のラミネート
型二次電池が正及び負の電源入力端子と電気的に接触し
た状態で表面装着されている状態を示した概略斜視図。
【図１０】 図８のプリント回路基板上に２個の表面マ
ウント可能ＰＬＣＣメモリ装置とラミネート型二次電池
とを取付けた状態を示す概略側面図。
【符号の説明】
１０ ラミネート型相互接続媒体 １２ ラミネート型電源 １４ 中央導電層 １６，１８ 絶縁層 ２０ アノード ２２ カソード ２６ カソード電解体層 ２８ アノード層 ３０ アパーチャ ３４，３６ 正及び負の電源入力端子 ３８ プリント回路基板 ４４，４６ ＳＲＡＭメモリ装置 ４８，５０ 導電性トレース

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平坦な基板上の正及び負の電力入力端子
    と電気的に接触する電源の電極を接続する相互接続媒体
    において、第一及び第二絶縁層の間に挟まれた中央の導
    電層を有する可撓性のラミネート型ストリップが設けら
    れており、前記第一絶縁層の一部が除去されておりその
    際に前記電源電極の一つと係合するために前記導電層の
    表面を露出させており、且つ前記ラミネート型ストリッ
    プは他方の電源電極を露出させるために第一アパーチャ
    により交差されており、且つ前記第二絶縁層は第二アパ
    ーチャにより交差されておりその際に前記導電層を露出
    させていることを特徴とする相互接続媒体。
  2. 【請求項２】 請求項１において、前記中央導電層は、
    銅、銀及びアルミニウムからなるグループから選択され
    た導電性金属のホイルを有していることを特徴とする相
    互接続媒体。
  3. 【請求項３】 請求項１において、前記中央導電層は、
    銅、銀及びアルミニウムからなるグループから選択され
    た導電性金属のメタライズフィルムを有することを特徴
    とする相互接続媒体。
  4. 【請求項４】 請求項１において、前記第一及び第二絶
    縁層が紙を有することを特徴とする相互接続媒体。
  5. 【請求項５】 請求項１において、前記第一及び第二絶
    縁層がポリエステルフィルムを有することを特徴とする
    相互接続媒体。
  6. 【請求項６】 請求項１において、前記絶縁層が熱シー
    ル用接着剤により前記導電層へ接着されていることを特
    徴とする相互接続媒体。
  7. 【請求項７】 バッテリパッケージにおいて、カソード
    層とアノード層との間に挟まれた電解物体が設けられて
    おり、第一及び第二絶縁層の間に挟まれた中央の導電層
    を有するラミネート型相互接続媒体が設けられており、
    前記第一絶縁層の一部は除去されておりその際に前記導
    電層の表面を露出させており、前記ラミネート型相互接
    続媒体は前記カソード層及びアノード層の周りに折曲げ
    られており、前記アノード層及びカソード層の選択した
    一方は前記導電層の露出した表面と電気的に接触して配
    設されており、且つ他方の絶縁層は前記アノード層及び
    カソード層の他方のものを被覆していることを特徴とす
    るバッテリパッケージ。
  8. 【請求項８】 請求項７において、前記相互接続媒体は
    第一アパーチャにより交差されており、その際に前記ア
    ノード層及びカソード層の他方のものの表面を露出して
    おり、且つ前記第二絶縁層は第二アパーチャにより交差
    されておりその際に前記中央の導電層を露出させている
    ことを特徴とするバッテリパッケージ。
  9. 【請求項９】 請求項７において、前記中央の導電層が
    銅、銀及びアルミニウムからなるグループから選択した
    導電性金属のホイルを有することを特徴とするバッテリ
    パッケージ。
  10. 【請求項１０】 請求項７において、前記中央導電層が
    導電性金属フィルムを有することを特徴とするバッテリ
    パッケージ。
  11. 【請求項１１】 請求項７において、前記絶縁層が紙を
    有することを特徴とするバッテリパッケージ。
  12. 【請求項１２】 請求項７において、前記絶縁層がポリ
    エステルフィルムを有することを特徴とするバッテリパ
    ッケージ。
  13. 【請求項１３】 請求項７において、前記絶縁層が熱シ
    ール用接着剤により前記中央導電層へ接着されているこ
    とを特徴とするバッテリパッケージ。
  14. 【請求項１４】 半導体装置の入力／出力端子へ信号及
    びスタンバイ動作用パワーを導通させるために基板上に
    形成した導電性のトレースからなるアレイを有すると共
    に前記基板上に配設された同一面状のＤＣパワー入力端
    子を有するタイプの電子回路において、前記基板上にラ
    ミネート型二次電池が装着されており、前記ラミネート
    型二次電池はカソード層と、アノード層と、前記アノー
    ド層及びカソード層をそれぞれ正及び負のパワー入力端
    子と電気的接触状態に接続させる相互接続媒体とを有す
    ることを特徴とする電子回路。
  15. 【請求項１５】 請求項１４において、前記相互接続媒
    体が第一及び第二絶縁層間に挟まれた中央の導電層を有
    しており、前記第一絶縁層の一部は除去されており、前
    記ラミネート型相互接続媒体は前記カソード層及びアノ
    ード層の周りに折曲げられており、前記カソード層及び
    アノード層のうちの選択した一方は前記導電性相互接続
    層の露出した表面に対して電気的に接触した係合状態で
    装着されており、且つ前記アノード層及びカソード層の
    他方は前記相互接続媒体の絶縁層により被覆されている
    ことを特徴とする電子回路。
  16. 【請求項１６】 請求項１４において、前記相互接続媒
    体は前記アノード層及びカソード層の選択した一方の表
    面を露出させるために第一アパーチャにより交差されて
    おり、且つ前記第二絶縁層は第二アパーチャにより交差
    されておりその際に前記中央の導電層の表面を露出させ
    ていることを特徴とする電子回路。
JP4287887A 1991-10-25 1992-10-26 ラミネート型電源と半導体装置との間のラミネート型相互接続媒体の適用 Pending JPH05234582A (ja)

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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3120494B2 (ja) * 1991-10-23 2000-12-25 株式会社村田製作所 薄型電源装置
JPH0644769A (ja) * 1992-05-26 1994-02-18 Konica Corp 不揮発メモリ基板
US5451715A (en) * 1993-08-11 1995-09-19 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Molded package integrated circuit with electrochemical cell
JP3998732B2 (ja) * 1994-08-31 2007-10-31 エスティーマイクロエレクトロニクス，インコーポレイテッド 回路部品パッケージ及びその製造方法
US5637418A (en) * 1996-02-08 1997-06-10 Motorola, Inc. Package for a flat electrochemical device
US6197450B1 (en) * 1998-10-22 2001-03-06 Ramot University Authority For Applied Research & Industrial Development Ltd. Micro electrochemical energy storage cells
GB9900396D0 (en) * 1999-01-08 1999-02-24 Danionics As Arrangements of electrochemical cells
US8404376B2 (en) 2002-08-09 2013-03-26 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8431264B2 (en) * 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8394522B2 (en) * 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US20070264564A1 (en) 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8021778B2 (en) * 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US7993773B2 (en) 2002-08-09 2011-08-09 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8236443B2 (en) * 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8445130B2 (en) * 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
WO2004036668A2 (en) * 2002-10-17 2004-04-29 Tel-Aviv University Future Technology Development L.P. Thin-film cathode for 3-dimensional microbattery and method for preparing such cathode
US7179562B2 (en) * 2003-02-14 2007-02-20 Quallion Llc Battery electrode assembly and fabrication method therefor
US8728285B2 (en) * 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US7557433B2 (en) * 2004-10-25 2009-07-07 Mccain Joseph H Microelectronic device with integrated energy source
US7959769B2 (en) * 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
CN101931097B (zh) 2004-12-08 2012-11-21 希莫菲克斯公司 LiCoO2的沉积
JPWO2008004289A1 (ja) * 2006-07-05 2009-12-03 富士通株式会社 プリント基板およびプリント基板ユニット並びに電子機器
US8062708B2 (en) * 2006-09-29 2011-11-22 Infinite Power Solutions, Inc. Masking of and material constraint for depositing battery layers on flexible substrates
US8197781B2 (en) * 2006-11-07 2012-06-12 Infinite Power Solutions, Inc. Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same
KR20100102180A (ko) * 2007-12-21 2010-09-20 인피니트 파워 솔루션스, 인크. 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법
US8268488B2 (en) 2007-12-21 2012-09-18 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film electrolyte for thin film batteries
JP5705549B2 (ja) 2008-01-11 2015-04-22 インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド 薄膜電池および他のデバイスのための薄膜カプセル化
US8350519B2 (en) * 2008-04-02 2013-01-08 Infinite Power Solutions, Inc Passive over/under voltage control and protection for energy storage devices associated with energy harvesting
US8906523B2 (en) * 2008-08-11 2014-12-09 Infinite Power Solutions, Inc. Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof
EP2332127A4 (en) * 2008-09-12 2011-11-09 Infinite Power Solutions Inc ENERGY DEVICE HAVING AN INTEGRATED CONDUCTIVE SURFACE FOR DATA COMMUNICATION VIA ELECTROMAGNETIC ENERGY AND ASSOCIATED METHOD
WO2010042594A1 (en) * 2008-10-08 2010-04-15 Infinite Power Solutions, Inc. Environmentally-powered wireless sensor module
EP2433330A4 (en) * 2009-05-20 2016-12-07 Sapurast Res Llc METHOD FOR INTEGRATION OF ELECTROCHEMICAL DEVICES IN AND ON ACCESSORIES
US20110045351A1 (en) * 2009-08-23 2011-02-24 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. High-Power Nanoscale Cathodes for Thin-Film Microbatteries
EP2474056B1 (en) 2009-09-01 2016-05-04 Sapurast Research LLC Printed circuit board with integrated thin film battery
KR101137363B1 (ko) * 2009-11-16 2012-04-23 에스비리모티브 주식회사 이차전지
US9123954B2 (en) 2010-06-06 2015-09-01 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. Three-dimensional microbattery having a porous silicon anode
JP2013528912A (ja) 2010-06-07 2013-07-11 インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド 再充電可能高密度電気化学素子
WO2017055984A1 (en) 2015-09-30 2017-04-06 Ramot At Tel Aviv University Ltd. 3d micro-battery on 3d-printed substrate

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57109183A (en) * 1980-12-26 1982-07-07 Hitachi Ltd Non-volatile memory

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Publication number Publication date
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US5187564A (en) 1993-02-16

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