KR100206533B1 - 제로 전력 아이씨 모듈 - Google Patents

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KR100206533B1
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offset
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큐작 다니엘
킹스톤 로빈슨 리챠드
세리 후세 키미
Original Assignee
아치 케이. 말론
에스티 마이크로일렉트로닉스 인코포레이티드
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Abstract

본 발명의 직접 회로 패키지는 주 전력의 공급이 중단될 경우 데이터를 보전하기 위해 휘발성 메모리 칩과 백업 배터리를 캡슐화한다. 상기 패키지는 비-전도성 재료의 본체내에 캡슐화된 핑거 리이드 조립체를 포함하며, 중앙의 베이스지지 핑거 리이드는 상호 접속 영역내에 오프셋된다. 상기 배터리의 한 단자는 상기 오프셋 베이스 핑거 리이드에 용접되고, 집적회로 칩은 전도성 에폭시 층에 의해 다른 배터리 단자에 직접 접착된다. 상기 집적회로 칩, 배터리 및 오프셋 베이스 핑거 리이드의 스태크된 조립체는 상기 상호 접속영역 내에서 상하좌우로 중심이 맞춰져, 금 상호 접속 와이어를 포함한 상기 스태크된 조립체가 상기 패키지의 스탠드 오프 높이(standoff hight)를 높이지 않고도 패키지 성형체내에 완전히 캡슐화된다.

Description

제로 전력 IC 모듈
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따라 백업 배터리의 음극 단자상에 집적회로칩이 장착되어 있는 리이드 프레임 조립체의 평면도.
제2도는 단일 모울딩 패키지내의 반도체 집적회로와 리이드 프레임의 부분 파단 측면도.
제3도는 제2도의 집적회로, 백업 배터리 및 핑거 리이드 조립체의 부분 파단 평면도.
제4도는 백업 배터리의 양극 단자상에 집적회로 칩이 장착되어 있는 리이드 프레임 조립체의 평면도.
제5도는 단일 모울딩 패키지내에 캡슐화된 제4도의 리이드 프레임 조립체, 백업 배터리 및 집적회로 칩의 부분 파단 측면도.
제6도는 제5도의 집적회로 패키지의 부분 파단 평면도.
제7도는 본 발명의 다른 실시예에 따라 리이드 프레임 조립체상에 장착된 반도체 칩과 백업 배터리의 평면도.
제8도는 제7도의 핑거 리이드 조립체상에 장착되어 단일의 모울딩 패키지내에 캡슐화된 백업 배터리, 세라믹 기판 및 집적회로 칩을 갖는 집적회로 패키지의 부분 파단 측면도.
제9도는 제8도의 집적회로 칩, 세라믹 기판, 백업 배터리 및 변형된 핑거 리이드 조립체의 부분 파단 확대 평면도.
제10도는 제8도의 단일 모울딩 회로 패키지 일부분 확대 단면도.
제11도는 배터리와 집적회로가 직선형 리이드 프레임에 의해 지지되어 단일의 모울딩 패키지내에 캡슐화되어 있는 반도체 집적회로의 부분 파단 측면도.
제12도는 제11도의 집적회로, 백업 배터리 및 핑거 리이드 조립체의 부분 파단 평면도.
제13도는 배터리의 음극단자가 직선형 리이드 프레임상에 장착되고 집적회로칩이 배터리의 음극 단자상에 장착되어 있는, 제11도와 비슷한 반도체 직접회로의 부분 파단 측면도.
제14도는 제13도의 집적회로, 백업 배터리 및 핑거 리이드 조립체의 평면도.
제 15도는 J-리이드들이 접착 기판상에 납땜되어있는 표면 장착식 듀얼-인-라인(dual-in-line) 집적회로 칩의 측면도.
제16도는 제15도에 도시된 표면 장착식 듀얼-인-라인 칩 패키지의 정면도.
제17도는 제15도의 선 17-17을 따라 절단한 단면도.
제18도는 제15도의 선 18-18을 따라 절단한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 40, 60, 80 : 반도체 칩 패키지 12 : 집적회로 칩
14 : 입력/출력 노드 16 : 커넥터 핀
18 : 핑거 리이드 20 : 리이드 프레임 조립체
22 : 접속 영역 28 : 베이스 지지 핑거 리이드
30 : 비전도성 성형체 32 : 백업 배터리
34 : 와이어 52 : 세라믹 결합 기판
82 : J-리이드 90 : 열반사 금속층
본 발명은 일반적으로 반도체 소자들의 패키지에 관한 것으로, 특히 주 전원이 끊어졌을때 메모리 데이터를 보전하기 위한 백업 배터리와 메모리 칩같은 반도체 집적회로를 캡슐화하는 집적회로 패키지에 관한 것이다.
반도체 집적회로 칩들의 통상의 전자회로 패키지들은 칩 소자를 감싸 밀봉하기에 적합하면서도, 열을 소산시키고, 구조적으로 지지하며, 소자의 리이드를 외부 핀 커넥터들에 전기적으로 접촉시키고 또한 패키지내의 다른 소자들을 서로 전기적으로 접속시킨다. 이런 패키지들은 단층 또는 다층의 부전도체로 형성될 수 있는 바, 그중 한 층에 반도체 칩이 매립된다. 유연한 금속 리이드들이 칩을 둘러싸는 상호 접속 영역으로부터 가장자리의 접속핀들까지 뻗어서 상위 전자회로의 인쇄회로판 소켓에 소지의 입력/출력 단자들을 연결한다.
집적회로 패키지내에 캡슐화된 IC칩상에서 수행되는 중요한 집적회로 제품으로는 전력 소모가 적고 메모리의 셀 밀도가 높은 특정을 갖는 정적 등속도 호출 기억장치(SRAM)와 같은 휘발성 반도체 메모리가 있다. 휘발성 메모리 셀들을 갖는 이런 집적 메모리 회로들의 유효한 논리 신호들의 발생 및 데이터의 보지는 전원 전압을 일정한 범위내에 유지하는가에 일부 좌우된다. 일반적인 집적회로 메모리 소자들에서, 집적회로들은 인가되는 외부 전원의 전압을 감지하여 그 전압이 동작에 신뢰성을 줄만큼 충분한지를 결정한다. 만약 전압이 저전압이면, 이 저 전압 조건에 응답하여 동작 칩들이 비-선택되고 대기 조건에 유지되는 제어 신호를 발생시킨다. 이것은 상기 저 전압 조건이 수정될때까지 판독/기록 동작을 각각 억제하는 참 칩 선택 신호(CS)와 그 보상칩 선택 신호(CS)에 의해 일반적으로 행해진다.
메모리 칩이 선택하지 않은 상태에 있는 동안, 휘발성 메모리셀내의 축적 커패시터들의 전하 레벨들을 유지하여 기억된 데이터를 유지할 필요가 있다. 그렇게 하지 않으면, 프로그램과 데이터를 포함해 메모리 셀에 기억된 정보는 주전력을 제거했을 때 소실된다. 상기 전원의 손실이 메모리 회로에 손상을 가져오지 않는다 할지라도, 기억된 정보의 손실은 프로세싱(processing)이 재설정되기 전에 메모리를 프로그램과 데이터로 다시 로드할 것을 요한다.
메모리 반도체 회로상에 핀 단자를 추가하여 데이터 손실 문제를 해결하고자 하였는바, 그 추가 단자로 원격 전원으로부터 백업 전력이 공급되어 메모리 셀내에 데이터를 보전한다. 그러나 대부분의 집적회로 메모리들의 핀 패턴은 현재 표준화되어 있는 바; 그 결과, 원격 백업 전원 전용의 다른 핀을 추가하면 표준 핀 패턴과 어울리지 않게되어 기존의 회로들을 다시 설계해야 하는 문제가 발생한다.
따라서, 소켓 면적과 표준 핀 형태에 영향을 주지 않으며, 주 전원이 손실되어도 기억된 데이터가 보존되는, 메모리 칩과 백업 배터리를 캡슐화하는 반도체 메모리 패키지가 필요하게 되었다.
패키지된 칩의 원가와 크기의 상당 부분은 패키지 제작에 들어가고, 신뢰성 있는 전기적 접속을 제공하는 외에 2가지 중요한 설계 기준은 원가 효율과 공간 효율이다. 따라서, 집적회로 칩과 백업 배터리를 안전하게 지지하는 개량된 소자 패키지에 대한 필요성이 존재하는 바, 상기 패키지에는 표준 인쇄 회로판 소켓들과 적절하게 플러그 접속되도록 형성된 핀 커넥터들이 마련되어 있고, 백업 배터리를 지지하는데 필요한 패키지 공간은 최소화된다.
집적회로 메모리 소자용의 몇몇 패키지들은 2-부분의 패키지 구조중 반쪽구간내에 모울드된 배터리를 포함한다. 이런 구조에서, 리이드 프레임의 베이스판상에 칩을 장치하고 I/O 패드들과 각각의 내부 리이드들 사이에 와이어들을 접착한다. 모울드를 가열한 다음 가열된 모울드 공동안으로 모울딩 수지를 주입한다. 그 결과 한쪽의 모울드된 반쪽 구간안에 수지에 의해 리이드 프레임과 IC칩이 캡슐화된다. 제2의 반쪽구간안에는 소형 배터리와, 결정같은 별개의 성분들을 장착한다. 제2의 선택된 반쪽 구간에는 제1의 모울드된 반쪽 구간의 리이드 프레임의 핑거 리이드들과 접촉하도록 정밀하게 위치된 커넥터핀들이 있다.
이중 구간 배열은 대량 생산에 적용하기에 적합하였다. 그러나, 제2의 반쪽 구간에 의해 높이가 더 높아지기 때문에 임계 공간 생산품에 적용하도록 설정된 최대 높이 한계를 초과하는 패키지가 생산된다.
따라서, 반도체 회로소자, 리이드 프레임 조립체 및 백업 배터리가 비전도성 재료의 단일 성형체안에 캡슐화되는 개량된 소자 패키지에 대한 필요성이 존재하는 바, 그 패키지의 높이는 백업 배터리가 들어있지 않은 통상의 소자 패키지의 높이보다 크지 않다.
본 발명은 백업 배터리를 포함해 집적회로 소자를 캡슐화하는 개량된 패키지를 제공하고, 백업 배터리의 단자들 중 하나에 집적회로 소자를 장착함으로써 그리고 리이드 프레임 조립체의 베이스판 핑거 리이드에 나머지 배터리 단자를 장착함으로써 상기 백업 배터리의 제한 요소들을 극복한다. 바람직한 실시예에서, 베이스판 핑거 리이드는 리이드 프레임 조립체 평면에 대해 어긋나게 수직으로 오프셋되고, 배터리 단자들중 하나를 그 오프셋 부분에 전기가 통하게 접착한다. 칩기판은 전도성 접착제 층을 통해 나머지 배터리 단자에 접착한다. 이와 같은 오프셋 배열에 따라, 백업 배터리와 IC칩은 패키지의 높이를 더 크게하지 않고 소켓 면적이나 핀 모양을 변화시키지 않으면서도 패키지의 성형체내에서 리이드 프레임에 대해 상하좌우로 중심이 맞쳐진다.
다른 실시예에서, 백업 배터리의 한 단자를 베이스판 핑거 리이드 상에 장착하고 나머지 배터리 단자에 세라믹 기판을 장착한다. 비전도성 에폭시 층으로 세라믹 기판 위에 집적회로 기판을 접착하고, 연결 도체에 의해 하부의 백업 배터리 단자에 전기적 접촉이 이루어진다. 세라믹 기판의 표면을 고도로 연마해 매끄럽게 다듬질하여, 거칠고 불규칙한 단자면을 가질 수도 있는 백업 배터리의 양극 또는 음극 단자에 전기적인 접촉을 하기 위해 크기가 다른 집적회로 칩들을 지지한다.
이하 첨부 도면들을 참조하여 본 발명을 자세히 설명하면 다음과 같다.
이하 동일한 부분들은 명세서와 도면 전반을 통하여 제각기 동일한 참고번호로 표시하였다. 본 발명은 N형 실리콘 반도체 칩에 모노리틱 CMOS/LSI 기술로 장착되는 정적 등속도 호출 기억장치와 함께 설명된다. 그러나, 본 발명의 패키지 조립체는 별개의 소지뿐 아니라 집적 소자용 교환 가능한 백업 배터리 백업 배터리 전원을 캡슐화하고 제공하는 데 이용될 수도 있지만, 입력/출력 노드가 여러개인 휘발성 메모리 집적회로에 특별히 사용될 수도 있음은 물론이다. 따라서, 최광의로 보아 본 발명은 별개의 회로요소, 세분된 회로요소 및 집적 회로요소를 포함해(이들에 한정되지 않음) 백업 배터리를 필요로 하는 1개 이상의 회로소자들과, 별개의 소지와 집적 소자의 하이브리드 집합체들을 수용하는 모울딩 가능한 어떤 패키지에도 합체될 수 있다.
제1,2도에는 본 발명을 구현하는 반도체 칩 패키지(10)의 일례가 도시되어 있다. 패키지(10)는 입력/출력 노드들(14)을 갖는 집적회로 칩(12)을 지지하고 캡슐화한다. IC 칩(12)은 예컨대 낮은 전력 소모와 높은 메모리 셀 밀도를 특징으로 하면서 상보형 금속 산화 반도체 기술에 의해 구현되는 2K×8 정적 등속도 호출 기억장치이다.
예로든 패키지(10)는 그 종연부를 따라 24개의 외부 커넥터핀들이 600mil의 간격으로 평행 2열로 배치되어있는 듀얼-인-라인 형태로 되어있다. 집적회로칩(12)의 입력/출력 노드들(14)은 제1도에 도시된 것 처럼 리이드 프레임 조립체(20)의 전도성 핑거 리이드(18)에 의해 소정의 커넥핀들(16)에 전기적으로 접속된다.
제1,2도를 참조하면, 내부 리이드들(18)은 중앙 상호 접속 영역(22)에 대해 방사상으로 이격되어 있고 커넥터핀들(16)과 일체이다. 리이드 프레임 조립체(20)의 연결 부분(20L)은 제조중에 궁극적으로 잘려나가, 내부 리이드들(18) 각각이 각각의 커넥터핀(16)에 전기적으로 접속된다. 모울딩을 한 뒤, 리이드 프레임 조립체(20)의 외주변에서 이송 시이드 레일 스트립들(24, 26) 역시 최종 제조 단계의 절단 및 성형 작업중에 잘려나간다.
전도성 핑거 리이드(18)의 내단부들은 상호 접속 영역(22)둘레에 대칭으로 이격되어 있다. 전도성 핑거 리이드(18)의 내단부들은 비교적 폭이 좁고, 상호 접속 영역(22)으로부터 방사상으로 뻗어나가면서 점점 폭이 넓어진다. 리이드 프레임 조립체(20)의 중앙 베이스지지 핑거 리이드(28)는 집적회로 패키지(10)의 종축선(Z)과 일치되게 뻗는다. 바람직한 실시예의 한 특징에 따르면, 베이스지지 리이드(28)는 중앙에서 절단된 뒤, 제2도에 도시된 것처럼 리이드 프레임 조립체(20) 평면에 대해 오프셋되게 성형되어, 분리된 핑거 리이드 연결 바아 부분들(28A, 28B)을 만든다. 분리된 연결 바아 부분들(28A, 28B)은 핑거들(18)에 대해 수직 간격(A)만큼 오프셋된다.
외부 커넥터핀들(16)과 내부 리이드들(18)은 모울딩 중에 처음에는 동일 평면상에 있다. 모울딩이 끝난 후, 절단 및 성형 작업중에 커넥터핀(16)을 패키지의 종측면을 따라 90°구부린다.
반도체 칩 패키지(10)는 상위 전자 정치의 인쇄 회로판 또는 다른 몇몇 반도체 패키지에 반도체 칩(12)의 입력/출력 노드들을 전기적으로 접속하는 표준 외부 핀 패턴을 제공한다. 칩 패키지(10)에는 폴리에테르이미드나 에폭시 수지같은 중합체등의 비전도성 재료의 성형체(30)가 있다. 본 배열에서, 리이드 프레임 조립체(20), 반도체 칩(12) 및 백업 배터리(32)는 성형체(30)내에 매립되어 캡슐화 된다.
백업 배터리(32)는 기밀 봉지되어, 이송 모울딩 공정의 높은 온도 조건에 노출되었을 때 전해질이 증발되지 않게 하는 것이 바람직하다. 그외에, 배터리(32)는 단락 회로의 전류 흐름에 응답하여 고 저항값까지 상승하는 비-선형 내부 임피던스를 갖는 것이 바람직하다. 이것은 리이드 프레임이 절단될 때까지 백업 배터리(32)가 조립 및 이송 모울딩 중에 프레임에 의해 단락 되기 때문에 필요하다.
몇몇 경우에는, 백업 배터리(32)가 기밀 봉지되고 단락 보호부를 갖는 외에, 조립 및 절단이 완료된 후 배터리의 충전 준위가 정격 전압까지 복귀되도록 재충전 가능한 것이 바람직하다.
일 실시예에서, 배터리(32)는 직경이 12.5mm이며 3.2[V]의 직류 셀이다. 배터리(32)는 와이어 접착 및 이송 모울딩 중에 고온에 노출되기 때문에 필히 고온용이어야 한다. 그렇지 않으면 배터리내의 전해질이 증발되어 배터리 전하가 손실될 것이다. 적당한 배터리(32)로는 Rayovac Corporation에서 Part No. BR 1225 UHT로 시판중인 리튬-카본 모노플로라이드 셀이 있다. 이런 Rayovac 셀은 DC 3.2 V 및 35mAh로 정격되어 있고 저장 수명은 70℃에서 10년이며 3-5분 동안 225℃의 고온상태에서 고장 없이 견딜 수 있기 때문에 본 이송 모울딩 공정에 특히 적당하다. 배터리(32)의 양극 단자(32P)와 음극 단자(32N)은 환형의 유전체 절연층(32Q)에 의해 서로에 대해 절연된다.
반도체 칩(12)은 Amicon CT-5047-2 같이 은이 충전된 에폭시 접착제의 전도성 침착에 의해 배터리의 음극 단자(32N)에 접착되어 전기적으로 접속된다. 입력/출력 노드들(14)은 직경이 1.3mil인 미세한 금와이어(34)에 의해 전도성 핑거 리이드들(18)중 소정의 것에 전기적으로 접속된다. 전도성 핑거 리이드들(18)과 I/O노드들(14)에 금와이어(34)를 접착하는 것은 통상의 열음파 보올 접착 기술로 하는 것이 바람직하다.
백업 배터리(32)의 양극 단자(32P)는 캡슐화되기 전에 저항 용접이나 납땜에 의해 연결 바아 부분들(28A, 28B)에 전기적으로 접속된다. 제2도에서 보다시피, 연결 바아 부분들(28A, 28B)은 양쪽 다 양극 단자(32P)에 접촉된 채 커다란 간격을 중심으로 분리되어 있다. 연결 바아 부분들(28A, 28B) 사이의 기다란 간격은 필수적인 것이 아니고 베이스지지 핑거 리이드(28)를 절단한 뒤 그 바아 부분들(28A, 28B)을 성형한 부수적인 결과이다.
연결 바아 부분들(28A, 28B)의 수직 오프셋(A) 때문에 백업 배터리(32)와 집적회로 칩(12)을 접속 영역(22)의 상하좌우 중심에 위치시킬 수 있다. 더욱이, 이런 배열이기 때문에, 핑거 리이드 조립체, 백업 배터리, 칩 및 금와이어(34)를 성형제(30)안에 완전히 캡슐화 할 수 있다. 그러나, 리이드 프레임 조립체(20)를 충분한 연성을 갖도록 선택할 수 있어서 연결 바아 부분들(28A, 28B)을 리이드(18)와 베이스지지 핑거 리이드(28)에 대해 수직으로 오프셋되는 연속 핑거 리이드 스트립으로 일체로 성형할 수 있음을 알아야 한다.
배터리(32)를 연결 바아 부분들(28A ,28B)에 전기적으로 부착한 뒤에, 직접회로칩(12)을 배터리의 음극 단자(32N)에 접착한다. 이어서 미세한 금와이어들(34)의 양단을 I/O 노드들(14)과 각각의 리이드들(18)에 연결한다. 양극 베이스판 핑거 리이드(28)와 칩(12)의 양극 백업 전압 노드(14P) 사이에 금와이어(34P)를 접착한다. 음극 백업 전압 노드(14N)는 금와이어(34N)를 통해 배터리의 음극단자(32N)에 전기적으로 접속한다.
그 뒤 리이드 프레임 조립체(20)를 다공동 분할 모울드 내에 위치시킨다. 모울드 공동을 이송 모울딩 기계내에서 밀폐하고, 폴리페놀렌 술파이드 같은 비전도성 캡슐화 재료를 미세한 탄환 모양으로 노즐을 통해 주입한다. 이런 주입이 일어나는 압력을 정밀 조정하여 금와이어 접착을 훼손하지 않게 한다. 적당한 압력과 온도에서, 탄환들을 녹인 다음 모울드내의 채널안으로 흘려서 리이드 프레임 조립체(20)의 주변 공동들을 채워, 리이드 프레임 조립체(20), 백업 배터리(32), IC 칩(12) 및 금와이어(34)를 완전히 캡슐화한다. 이어서 열과 압력을 가하여 수지를 모울드내에서 경화한 다음 오븐에서 더 경화한다.
이상의 이송 모울드 공정의 결과로서, 비전도성 재료로 된 기다란 장방형의 성형체(30)의 형태로 패키지(10)가 생산된다. 모둘드에서 제거한뒤, 리이드 프레임 조립체(20)의 인접 핀들(16) 사이의 연결 부분(20L)을 잘라내어 그 핀들과 전도성 핑거 리이드들을 서로 절연시킨다. 그 외에, 이송 사이드 레일들(24, 26)도 모울드 조립체에서 잘라 분리한다.
리이드 프레임 조립체(20)의 재료는 주석-도금 니켈이나 철 합금같은 통상의 금속 합금 또는 CDA 194와 같은 주석-도금 구리 합금으로 하는 것이 바람직하다.
주지하는 바와 같이, 조립중에, 커넥터 핀들과 내부 전도성 리이드들은 바람직하게 연속 금속 스트립으로부터 찍어낸 연결 부분들(20L)과 사이드 이송 레일들(24, 26)에 의해 구조적으로 서로 연결된다. 이런 연결 부분들은 조작용으로 커넥터 핀들에 붙어있을 뿐이고 최종 사용 전에 절단된다.
외부 핀들(16)중 소정의 것은 통상 직류 +5.0V 인 전압 Vcc를 공급하는 주 전원 노드에 연결되기에 적합하고, 마찬가지로 다른 외부 커넥터 핀은 호스트 전자 장치의 접지노드에 연결되어 접지-기준 GND를 제공하기에 적합함을 알 수 있다. 나머지 핀들은 참 칩 선택 신호(CS), 보상 칩 선택 신호(CS), 집적회로를 출입하는 데이터를 동시에 계수하는 신호(CLK) 및 상기 호스트 전자회로에 의해 생기는 각종의 다른 I/O신호들용으로 사용된다. 비교기와 스위칭 회로(도시 안됨)는 상위 전자회로의 주 전원으로부터의 전압(Vcc)와 백업 배터리(32)의 전압을 비교한 다음 가장 높게 검출된 전압을 집적회로 칩(12)에 자동적으로 공급된다.
제4,5,6도를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 반도체 칩 패키지(40)는 집적회로 칩(12)과 백업 배터리(32)를 지지하여 캡슐화하고, 집적회로칩(12)은 백업 배터리(32)의 양극 단자면(32P)에 장착된다. 제6도에서 보다시피, 베이스지지 핑거 리이드(28)와 배터리의 음극 전압 노드(14N) 사이에 금와이어(34N)를 전기적으로 접속하고 칩(12)의 양극 백업 전압 노드(14P)와 배터리의 양극 단자면(32P) 사이에 금와이어(34P)를 접착한다. 백업 배터리의 음극 단자(32N)를 저항 용접으로 오프셋 연결 바아 부분들(28A, 28B)에 전기적으로 연결한다. 배터리(32)를 반대로 하는 이외에, 칩 패키지(40)는 근본적으로 제 1-3도에 도시된 패키지(10)와 동일하다.
집적회로(12)는 Amicon CT-5047-2같이 은이 충전된 에폭시 접착제의 침착처럼 전도성 접착제에 의해 배터리 양극 단자(32P)에 전기적으로 접착된다. 수직 오프셋(A) 때문에, 백업 배터리(32)와 집적회로 칩(12)의 스태크된 조합체가 접속 영역(22)내에서 상하좌우로 중심이 맞쳐진다. 이런 배열에 따르면, 핑거 리이드 조립체, 백업 배터리, 칩 및 금와이어들이 성형체(30)내에 완전히 갭슐화 된다. 따라서, 배터리(32)가 제2도의 배터리 방향과 반대인 점에서만 칩 패키지(40)가 칩 패키지(10)와 다르고 패키지의 기본 높이는 동일함을 알 수 있다.
제7-10도에 의한 본 발명의 또다른 실시예에 따르면 백업 배터리(32)가 저항 용접에 의해 연결 바아 부분들(28A, 28B)에 전기적으로 접착되고 집적회로 칩(12)이 세라믹 결합 기판(52)에 의해 배터리 음극 단자(32N)에 기계적으로 장착된 반도체 칩 패키지(50)가 제공된다. 이런 배열에서, 집적회로 칩(12)은 전도성 에폭시 접착제의 침착에 의해 세라믹 결합 기판(52)에 부착된다. 세라믹 결합 기판(52)은 비전도성 에폭시 접착제 층에 의해 배터리 음극 단지(32N)에 접착된다. 제10도에 도시된 것 처럼, 칩(12)상의 음극 전력 노드(14N)는 연결 도체(34V)를 거쳐 배터리 음극 단자(32N)에 전기적으로 연결된다. 연결 도체(34V)는 결합 기판(52)을 관통하는 구멍(52A)을 통해 뻗는다.
세라믹 결합 기판(52)의 목적은 집적회로 칩(12)에 안정되고 균일한 지지면을 제공하는데 있다. 통상, 배터리의 단자면들(32P, 32N)은 거칠고 불균일 하며, 그 결과 배터리 표면에 일정하게 접촉하기가 어렵다. 집적회로 칩과 지지면 사이의 접촉을 원활하고 크게 하는 것은 반도체 칩에 생기는 기계적 응력의 영향을 피하는데 필요한 바, 이런 응력은 LSI 회로망을 손상시킬 수도 있다. 그 외에, 세라믹 기판(52)의 접착 면적은 크기가 다른 IC 칩들을 기계적으로 결합하기에 충분히 커야 한다. 예컨대, 결합면적이 배터리 음극 단자(32N)의 표면적보다 큰 집적회로칩을 결합하는 것이 바람직할 수 있다. 따라서, 집적회로 칩(12)과 배터리 음극단자(32) 사이에 세라믹 기판(52)을 끼우는 점에서 칩 패키지(50)가 칩 패키지(10)와 다름을 알 수 있다. 배터리, 세라믹 기판 및 칩(12)의 총 스태크된 높이는 성형체(30)내에 완전히 캡슐화될 만큼 충분히 작다.
제 11, 12도에 따르면, 반도체 칩 패키지(60)는 백업 배터리(32)의 양극단자(32P)를 베이스판 핑거 리이드(62)의 베이스판 지지부(62A)상에 장착한 채 집적회로 칩(32)을 지지하고 캡슐화 한다. 베이스판 핑거 리이드(62)와 지지부(62A)는 핑거 리이드(18)와 동일 평면상에 있고 접속 영역(22)을 가로지른다. 이들을 이렇게 동일 평면 형태로 하는 잇점은 제2,5도에 도시된 오프셋 리이드 프레임 조립체와 비교하여 열음파 와이어 접착을 비교적 쉽게 할 수 있는데 있다.
직선의 동일평면형 베이스판 핑거 리이드(62)의 사용상의 제한은 약간 더 두툼하게 캡슐화된 패키지(30)를 생산한다는데 있다. 그 외에는 반도체 칩 패키지(60)를 제2도에 도시된 칩 패키지와 동일하게 구성한다.
제13, 14도에 도시된 것은 또 다른 장착 배열인 바, 배터리(32)의 음극 단자(32N)를 직선의 동일평면형 베이스판 핑거 리이드(62)의 베이스판 지지부(62A)상에 장착한다. 칩 패키지(70)의 구조는 제11도에 도시된 칩 패키지(60)의 구조와 동일하지만, 제13도의 배터리(32)는 제 11도의 배터리(32)에 비해 반대로 되어있다.
제 15-18도에는 또 다른 실시예로서 표면 장착식 듀얼-인-라인 모울드 패키지(80)가 도시되어 있다. 이 배열에서, 배터리(32)는 오프셋 베이스판 핑거 리이드 부분들(28A, 28B)위에 장착된다. 제18도의 단면도에는 핑거 리이드 부분(28B)만이 도시되어 있지만, 배터리(32)는 제2도에 도시된 것과 같은 방식으로 핑거 리이드 부분들 둘 다에 장착됨은 물론이다. 금와이어들(34)은 제3도에 도시된 것과 같은 식으로 해당 핑거 리이드(18)에 열음파 접착된다. 표면 장착 패키지(80)에서, 바람직하게 자립 자재형이어서 일단(82A)이 성형체(30) 밑으로 휘어져 포켓(84)안으로 들어가는 외부 J-리이드들(82)과 일체로 전도성 핑거 리이드들(18)을 성형한다. J-리이드(82)에는 또한 땜납 부분(86)과 접촉하는 둥근 부분(82B)이 있다.
땜납 부분(86)은 절연 기판(88)의 표면에 접착된다. 기판(88)은 G-30폴리아미드처럼 유리 천이온도(TG)가 높고 KevlarR에폭시 또는 KevalrR폴리아미드 섬유처럼 층상 유연성이 양호한 것이 바람직하다.
땜납 부분들(86)은 J-리이드들(82)의 굴곡 부분에 의해 면 접촉하도록 평행하고 이격된 패턴으로 신중히 정열된다. J-리이드들(82) 각각은 땜납으로 미리 도금된다. 그 뒤 이중파 재유동 납땜 기술같은 배치(batch) 납땜 공정을 이용해 각각의 J-리이드/땜납 부분에 땜납 이음부를 형성한다. 재유동 납땜 공정중에, 표면 장착 패키지(80)를 땜납욕으로부터의 복사열에 노출시키는 바, 이런 땜납욕은 SN63-Pb36 땜납의 공융점인 183.9℃(363℉) 근처에 있을 수 있다. J-리이드와 핑거 리이드를 통한 열전도에 의해 또 납땜욕으로부터의 열복사에 의해 중합체 패키지 성형체(30)로 열이 전달된다. 그 결과, 배터리(32)는 재유동 공정중에 고온으로 되기 쉽다.
표면 장착식의 중요한 특징에 따르면, 납땜욕으로부터의 복사열은 알루미늄, 구리 또는 니켈같은 열반사 금속층(90)에 의해 성형체(30)로부터 반사된다. 금속층(90)은 패키지 성형체(30)의 밑면(30A)에 접착제로 접착되는 연마된 알루미늄 박판이나 호일이 바람직하다. 그렇지 않으면, 금속층(90)은 Bausch ＆ Lomb Incorporated에 의해 생산되는 90-8TM반사재같이 유기 접착 재료와 반사금속 입자들을 혼합한 것을 얇게 코팅한 것이다.

Claims (11)

  1. 전자회로 소자에 전력을 공급하는 소자 패키지에 있어서: 비-전도성 재료의 본체와; 상기 비-전도성 재료의 본체내에 캡슐화되고, 핑거 리이드들중 하나는 전력 리이드를 형성하는 다수의 전도성 핑거 리이드들을 포함하는 핑거 리이드 조립체와; 양극 전력 단자와 음극 전력 단자를 가지며, 상기 단자들 중의 하나는 상기 전력 리이드상에 설치되는 배터리와; 상기 비-전도성 재료의 본체내에 캡슐화되고 상기 다른 배터리 전력 단자상에 장착되는 전자회로 소자들로 구성되며; 상기 전력 리이드는 상기 핑거 리이드 조립체에 대하여 어긋난 관계로 오프셋되어 있으며, 상기 배터리는 상기 오프셋 전력 리이드상에 장착됨을 특징으로 하는 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전력 리이드는 기다란 간격으로 분리되는 제1, 제2 연결 바아 부분들로 구성되고 상기 배터리는 상기 연결 바아 부분들 중 적어도 하나에 장착됨을 특징으로 하는 소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전도성 핑거 리이드들은 상호 접속 영역 주변에 이격되어 있고, 상기 전력 리이드는 상기 상호 접속 영역을 가로지르는 오프셋 배이스판 지지부를 포함하며, 상기 배터리 단자들 중의 하나는 상기 베이스판 지지부상에 설치되어 전기적으로 연결됨을 특징으로 하는 소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전자회로 소자는 반도체 칩상에서 수행되는 집적회로이고 상기 칩은 상기 다른 배터리 단자에 스태크된 관계로 기계적으로 장착되어 전기적으로 연결되며; 상기 집적회로는 다수의 입력/출력 노드들과 상기 입력/출력 노드들을 상기 전도성 핑거 리이드들에 연결하는 다수의 와이어 도체들과, 상기 칩이 장착된 배터리 단자와 상기 오프셋 베이스 지지부 각각에 상기 와이어 도체들에 의해 전기적으로 연결되는 양극 및 음극 전력 노드들을 갖는 것을 특징으로 하는 소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 배터리에는 양극 및 음극 접촉 단자들이 있고, 상기 음극 접촉 단자는 상기 오프셋 전력 리이드에 장착되어 전기적으로 연결됨을 특징으로 하는 소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서, 상기 배터리에는 양극 및 음극 접촉 단자들이 있고, 상기 양극 접촉 단자는 상기 오프셋 전력 리이드에 장착되어 전기적으로 연결됨을 특징으로 하는 소자 패키지.
  7. 제1항에 있어서, 상기 소자 패키지는 상기 칩과 상기 다른 배터리 전력단자 사이에 삽입된 비-전도성 결합 기판을 포함함을 특징으로 하는 소자 패키지.
  8. 제7항에 있어서, 상기 결합 기판에는 연결 구멍이 뚫려 있고; 상기 전자회로 소자는 반도체 칩상에서 수행되는 집적회로이며; 상기 칩은 스태크된 관계로 상기 결합 기판상에 장착되고; 상기 집적회로 소자는 다수의 입력/출력 노드들과 상기 입력/출력 노드들을 상기 전도성 핑거 리이드들에 연결하는 다수의 와이어 도체들과, 상기 결합 기판이 장착되는 배터리 단자와 상기 오프셋 전력 리이드에 각각 상기 와이어 도체들에 의해 전기적으로 연결되는 양극 및 음극 전력 노드들을 갖으며 상기 와이어 도체들 중 하나는 상기 집적회로 소자로부터 상기 연결 구멍을 통해 상기 결합 기판이 장착된 배터리 단자까지 연장됨을 특징으로 하는 소자 패키지.
  9. 제1항에 있어서, 상기 배터리는 기밀 봉지됨을 특징으로 하는 소자 패키지.
  10. 비-전도성 재료의 본체 내에 캡슐화된 다수의 입력/출력 노드들과, 상기 비-전도성 재료의 본체 위에 장착되어 본체 외부로 돌출하는 다수의 커넥터 리이드들과, 상기 비-전도성 재료의 본체 내에 캡슐화되어 상기 입력/출력 노드들을 상기 커넥터 리이드들에 전기적으로 연결하는 다수의 전도성 핑거 리이드로 이루어지는 핑거 리이드 조립체를 포함하는 회로 소자를 갖는 형태의 전자회로 패키지에 있어서; 다수의 상기 전도성 핑거 리이드들에는 상기 상호 접속 영역에 대하여 이격되어 있는 내단부들이 있고; 상기 전도성 핑거 리이드들중의 하나는 전력 리이드를 이루고 상기 상호 접속 영역을 가로지르는 베이스 지지부를 가지며, 상기 베이스 지지부는 상기 핑거 리이드 조립체 평면에 어긋난 관계로 오프셋되어 있고; 배터리에는 양극 및 음극 단자들이 있으며, 상기 전력 단자들중의 하나는 상기 전력 리이드의 베이스 지지부에 장착되어 전기적으로 연결되며, 상기 회로 소자는 다른 배터리 전력 단자에 장착됨을 특징으로 하는 전자회로 패키지.
  11. 전자회로 소지에 전력을 공급하는 배터리와 전자회로 소지를 패키지 하는 방법에 있어서; 동일 평면상의 핑거 리이드 조립체의 핑거 리이드들을 상호 접속 영역에 대하여 이격되게 배열하는 단계와; 상기 핑거 리이드 조립체 평면에 어긋난 오프셋된 관계로 상기 상호 접속 영역내에 전력 핑거 리이드를 지지하는 단계와; 상기 오프셋 전력 핑거 리이드에 배터리의 전력 단자를 장착하는 단계와; 상기 배터리의 다른 전력 단자에 상기 전자회로를 설치하는 단계와; 상기 전자회로 소자, 배터리, 전력 리이드 및 핑거 리이드 조립체의 상기 스태크된 조립체를 비-전도성 재료의 본체내에 캡슐화하는 단계들로 구성됨을 특징으로 하는 패키지 방법.
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