JPH05234138A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH05234138A JPH05234138A JP4073478A JP7347892A JPH05234138A JP H05234138 A JPH05234138 A JP H05234138A JP 4073478 A JP4073478 A JP 4073478A JP 7347892 A JP7347892 A JP 7347892A JP H05234138 A JPH05234138 A JP H05234138A
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- Japan
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- layer
- substrate
- recording medium
- refractive index
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板表面の帯電を防止するとともに保護効果
を得る。 【構成】 記録層２を設けた基板１の反対側にハードコ
ート層４を設ける。該ハードコート層４は高屈折率膜４
ａから成る第一層と、低屈折率膜４ｂから成る第二層に
より形成されている。第一層の屈折率は１.８〜２.４の
高屈折材料で、光学的厚さがレーザー波長をλ2として
λ0／４の０.１〜２倍であり、第二層の屈折率は、１.
３７〜１.８５の低屈折材料で、光学的厚さがλ0／４の
０.８〜１.４倍で形成される。
を得る。 【構成】 記録層２を設けた基板１の反対側にハードコ
ート層４を設ける。該ハードコート層４は高屈折率膜４
ａから成る第一層と、低屈折率膜４ｂから成る第二層に
より形成されている。第一層の屈折率は１.８〜２.４の
高屈折材料で、光学的厚さがレーザー波長をλ2として
λ0／４の０.１〜２倍であり、第二層の屈折率は、１.
３７〜１.８５の低屈折材料で、光学的厚さがλ0／４の
０.８〜１.４倍で形成される。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、光情報記録媒体に関し、より詳
細には、レーザー光を用いて記録の書き込み及び／又は
読み出しを行なう光情報記録媒体に関するものである。
細には、レーザー光を用いて記録の書き込み及び／又は
読み出しを行なう光情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来の光学的動画像用ディスク（ＬＤ）や
光学的オーディオディスク（ＣＤ）、あるいは書き込み
型ディスク等における光情報記録媒体は、ポリカーボネ
ート樹脂やアクリル樹脂等プラスチック基板上に金属、
あるいは色素等からなる記録層を設けたものが一般的で
ある。また、該記録層を汚れ、傷、ゴミなどの付着から
保護するため、記録層の上に保護層を設けたり、記録層
の表面を基板と記録層との間に空気を介して封じ込め
る、いわゆるエアーサンドイッチ構造とすることが知ら
れている。
光学的オーディオディスク（ＣＤ）、あるいは書き込み
型ディスク等における光情報記録媒体は、ポリカーボネ
ート樹脂やアクリル樹脂等プラスチック基板上に金属、
あるいは色素等からなる記録層を設けたものが一般的で
ある。また、該記録層を汚れ、傷、ゴミなどの付着から
保護するため、記録層の上に保護層を設けたり、記録層
の表面を基板と記録層との間に空気を介して封じ込め
る、いわゆるエアーサンドイッチ構造とすることが知ら
れている。
【０００３】しかし、この様な構成はあくまでも記録層
の保護のためになされたものであって、記録媒体の大気
に接する外表面自体から生じる障害、すなわち読み取り
レーザーの光散乱、およびゴミやほこり、傷等の原因に
よる読み取りエラーやトラッキングエラーの発生、ある
いはゴミやほこりの付着を誘発する基板の帯電による電
気回路の誤動作の発生、記録再生に用いる半導体レーザ
ーの破損という問題が往々にして生じる。
の保護のためになされたものであって、記録媒体の大気
に接する外表面自体から生じる障害、すなわち読み取り
レーザーの光散乱、およびゴミやほこり、傷等の原因に
よる読み取りエラーやトラッキングエラーの発生、ある
いはゴミやほこりの付着を誘発する基板の帯電による電
気回路の誤動作の発生、記録再生に用いる半導体レーザ
ーの破損という問題が往々にして生じる。
【０００４】図１９及び図２０は、従来の光情報記録媒
体の構成図で、図中、１１は基板、１２は記録層、１３
は保護層、１４はハードコート層、１５は接着層であ
る。図１９は、保護層付構造を示す図で、記録媒体の片
側のみに記録層を有している。すなわち、基板１１に記
録層１２を設け、該記録層１２上にさらに保護層１３を
設けている。前記基板の反対側にはハードコート層１４
が設けられている。図２０は、密着サンドイッチ構造を
示す図で、記録媒体の両面に記録層を有している。すな
わち、上基板と下基板に設けられた記録層１２が接着層
１５を介して対応するように設けられている。前記基板
１１の外表面の両側にハードコート層１４を形成してい
る。
体の構成図で、図中、１１は基板、１２は記録層、１３
は保護層、１４はハードコート層、１５は接着層であ
る。図１９は、保護層付構造を示す図で、記録媒体の片
側のみに記録層を有している。すなわち、基板１１に記
録層１２を設け、該記録層１２上にさらに保護層１３を
設けている。前記基板の反対側にはハードコート層１４
が設けられている。図２０は、密着サンドイッチ構造を
示す図で、記録媒体の両面に記録層を有している。すな
わち、上基板と下基板に設けられた記録層１２が接着層
１５を介して対応するように設けられている。前記基板
１１の外表面の両側にハードコート層１４を形成してい
る。
【０００５】
【目的】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされた
もので、光情報記録媒体のレーザー光の照射側外表面の
表面保護及び基板の帯電防止、さらには基板表面での光
反射防止を同時に実現することによって、読み取りレー
ザーの光散乱による読み取りエラー及びゴミやほこりの
付着による読み取りエラーやトラッキングエラーを防止
し、同時に表面保護効果をもった光情報記録媒体を提供
すること、また、静電気による半導体レーザーの破損や
回路の誤動作を防止し、メモリシステムの信頼性を向上
させることができる光情報記録媒体を提供することを目
的としてなされたものである。
もので、光情報記録媒体のレーザー光の照射側外表面の
表面保護及び基板の帯電防止、さらには基板表面での光
反射防止を同時に実現することによって、読み取りレー
ザーの光散乱による読み取りエラー及びゴミやほこりの
付着による読み取りエラーやトラッキングエラーを防止
し、同時に表面保護効果をもった光情報記録媒体を提供
すること、また、静電気による半導体レーザーの破損や
回路の誤動作を防止し、メモリシステムの信頼性を向上
させることができる光情報記録媒体を提供することを目
的としてなされたものである。
【０００６】
【構成】本発明は、上記目的を達成するために、（１）
少なくとも、基板上に記録層を有し、レーザー光によっ
て情報の書き込み及び／又は読み出しを行なうための光
情報記録媒体において、前記記録層に集光されるべきレ
ーザー光が照射される外表面部分に、基板側から大気層
側に向って、屈折率の違う二種類の材料からなる層を積
層してなり、第一層は、屈折率が1.8〜2.4の高屈折材料
で、光学的厚さがレーザー波長をλ0としてλ0／４の0.
1〜２倍であるように形成され、第二層は、屈折率が1.3
7〜1.85の低屈折材料で、光学的厚さがλ0／４の0.8〜
1.4倍であるように形成してなること、更には、（２）
前記高屈折材料が１０10Ω／□以下の表面抵抗を持つ透
明導電膜であること、更には、（３）前記（２）におい
て、前記透明導電膜が、酸化インジウム、酸化錫、酸化
亜鉛の少なくとも一種類を構成材料としていること、更
には、（４）前記（２）又は（３）において、前記基板
の内周において、前記第一層目の透明導電膜が露出し、
記録再生時に媒体支持金属部分に接触するようになって
いること、更には、（５）前記（１）〜（４）のいずれ
かにおいて、前記低屈折材料が酸化珪素からなること、
更には、（６）前記（１）〜（４）のいずれかにおい
て、前記低屈折材料が弗化マグネシウムからなること、
更には、（７）前記（１）〜（４）のいずれかにおい
て、前記低屈折材料が酸化アルミニウムからなることを
特徴としたものである。以下、本発明の実施例に基づい
て説明する。
少なくとも、基板上に記録層を有し、レーザー光によっ
て情報の書き込み及び／又は読み出しを行なうための光
情報記録媒体において、前記記録層に集光されるべきレ
ーザー光が照射される外表面部分に、基板側から大気層
側に向って、屈折率の違う二種類の材料からなる層を積
層してなり、第一層は、屈折率が1.8〜2.4の高屈折材料
で、光学的厚さがレーザー波長をλ0としてλ0／４の0.
1〜２倍であるように形成され、第二層は、屈折率が1.3
7〜1.85の低屈折材料で、光学的厚さがλ0／４の0.8〜
1.4倍であるように形成してなること、更には、（２）
前記高屈折材料が１０10Ω／□以下の表面抵抗を持つ透
明導電膜であること、更には、（３）前記（２）におい
て、前記透明導電膜が、酸化インジウム、酸化錫、酸化
亜鉛の少なくとも一種類を構成材料としていること、更
には、（４）前記（２）又は（３）において、前記基板
の内周において、前記第一層目の透明導電膜が露出し、
記録再生時に媒体支持金属部分に接触するようになって
いること、更には、（５）前記（１）〜（４）のいずれ
かにおいて、前記低屈折材料が酸化珪素からなること、
更には、（６）前記（１）〜（４）のいずれかにおい
て、前記低屈折材料が弗化マグネシウムからなること、
更には、（７）前記（１）〜（４）のいずれかにおい
て、前記低屈折材料が酸化アルミニウムからなることを
特徴としたものである。以下、本発明の実施例に基づい
て説明する。
【０００７】図１は、本発明による光情報記録媒体の一
実施例を説明するための構成図で、図中、１は基板、２
は記録層、３は保護層、４はハードコート層、４ａは高
屈折率膜、４ｂは低屈折率膜である。基板１には記録層
２が設けられ、該記録層２上に保護層３が形成されてい
る。前記基板１の反対側にはハードコート層４が形成さ
れている。該ハードコート層４は、高屈折率膜４ａから
成る第一層と、低屈折率膜４ｂとから成る第二層とで形
成されている。
実施例を説明するための構成図で、図中、１は基板、２
は記録層、３は保護層、４はハードコート層、４ａは高
屈折率膜、４ｂは低屈折率膜である。基板１には記録層
２が設けられ、該記録層２上に保護層３が形成されてい
る。前記基板１の反対側にはハードコート層４が形成さ
れている。該ハードコート層４は、高屈折率膜４ａから
成る第一層と、低屈折率膜４ｂとから成る第二層とで形
成されている。
【０００８】前記二層構成の第一層としてＩＴＯ，Ｉｎ
2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，ＺｎＳ，ＺｒＯ2，ＣｅＯ2，
Ｃｅ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＯ，ＨｆＯ2，Ｙ2
Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4，Ｔａ2Ｏ5等を単一あるいは混合膜にし
て用い、二層目にはＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＭｇＦ2，Ａｌ2
Ｏ3，ＭｇＯ，ＣｅＦ3等を単一あるいは混合膜にして形
成している。このとき、ＩＴＯ等抵抗材料を用いた場合
には、薄くても十分基板の帯電防止効果を得ることがで
きる。
2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，ＺｎＳ，ＺｒＯ2，ＣｅＯ2，
Ｃｅ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＴｉＯ，ＨｆＯ2，Ｙ2
Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4，Ｔａ2Ｏ5等を単一あるいは混合膜にし
て用い、二層目にはＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＭｇＦ2，Ａｌ2
Ｏ3，ＭｇＯ，ＣｅＦ3等を単一あるいは混合膜にして形
成している。このとき、ＩＴＯ等抵抗材料を用いた場合
には、薄くても十分基板の帯電防止効果を得ることがで
きる。
【０００９】基板は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ
オレフィン（ＡＰＯ，ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート
（ＰＣ）等のプラスチック樹脂などからなり、記録層
は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ等の金属や、色素、光
磁気記録層、相変化記録層等からなり、従来の光情報記
録媒体と基本的に同じ構造をなしている。第一層は上記
基材と記録層からなる光情報記録媒体のレーザ光照射側
表面に、屈折率が１.８〜２.４の高屈折材料で、光学的
厚さがレーザー波長をλ0としてλ0／４の０.１〜２倍
であるように形成される。第二層は上記第一層の基板に
対し反対側に、屈折率が１.３７〜１.８５の低屈折材料
で、光学的厚さがレーザー波長をλ0としてλ0／４の
０.８〜１.４倍であるように形成される。
オレフィン（ＡＰＯ，ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート
（ＰＣ）等のプラスチック樹脂などからなり、記録層
は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ等の金属や、色素、光
磁気記録層、相変化記録層等からなり、従来の光情報記
録媒体と基本的に同じ構造をなしている。第一層は上記
基材と記録層からなる光情報記録媒体のレーザ光照射側
表面に、屈折率が１.８〜２.４の高屈折材料で、光学的
厚さがレーザー波長をλ0としてλ0／４の０.１〜２倍
であるように形成される。第二層は上記第一層の基板に
対し反対側に、屈折率が１.３７〜１.８５の低屈折材料
で、光学的厚さがレーザー波長をλ0としてλ0／４の
０.８〜１.４倍であるように形成される。
【００１０】さらに、第一層目として、透明導電膜を用
いることもあり、その場合には透明導電膜を基板表面上
に露出させ、基板保持用のスピンドル等に接するような
構成とすることによって、効果的に表面帯電の防止や除
電効果を持たせることも可能となる。透明導電膜等で形
成される第一層目は、従来から良く知られている酸化イ
ンジウム系、酸化スズ系、酸化亜鉛系等の高透過率かつ
比較的低抵抗な無機の透明導電性薄膜を用いるのが好ま
しく、その成膜は、通常はスパッタ法や蒸着法等の真空
成膜プロセスにより行なわれる。この透明導電性薄膜に
より、基板成形時等に基板上に発生する帯電の除電、あ
るいは取扱中に生じる基板の帯電を防止することが可能
となる。
いることもあり、その場合には透明導電膜を基板表面上
に露出させ、基板保持用のスピンドル等に接するような
構成とすることによって、効果的に表面帯電の防止や除
電効果を持たせることも可能となる。透明導電膜等で形
成される第一層目は、従来から良く知られている酸化イ
ンジウム系、酸化スズ系、酸化亜鉛系等の高透過率かつ
比較的低抵抗な無機の透明導電性薄膜を用いるのが好ま
しく、その成膜は、通常はスパッタ法や蒸着法等の真空
成膜プロセスにより行なわれる。この透明導電性薄膜に
より、基板成形時等に基板上に発生する帯電の除電、あ
るいは取扱中に生じる基板の帯電を防止することが可能
となる。
【００１１】また、第二層目も透明導電膜と同様にスパ
ッタ法や蒸着法等の真空成膜プロセスにより行なわれ
る。この第二層目により、表面の硬化がなされ、屈折率
や膜厚の調整によって反射防止効果も得られる。これら
前記二層構成のハードコート層により、基板表面の反射
防止や帯電の防止および基板表面の保護が同時に達成さ
れる。また、これらの成膜は、どちらも真空プロセスに
よって行われるが、真空中にて連続的に行うことによっ
て、密着性および信頼性が向上する。
ッタ法や蒸着法等の真空成膜プロセスにより行なわれ
る。この第二層目により、表面の硬化がなされ、屈折率
や膜厚の調整によって反射防止効果も得られる。これら
前記二層構成のハードコート層により、基板表面の反射
防止や帯電の防止および基板表面の保護が同時に達成さ
れる。また、これらの成膜は、どちらも真空プロセスに
よって行われるが、真空中にて連続的に行うことによっ
て、密着性および信頼性が向上する。
【００１２】図２は、本発明による光情報記録媒体をド
ライブにセットした状態を示す図で、図中、５はハブ
径、６は穴、７ａは第１層の切り込み部、７ｂは第１層
の露出用穴、７ｃは第１層の内周露出部である。ドライ
ブの金属チャッキング部分に透明導電膜（第１層）４ａ
の一部が接触するような構造とすることによって接地効
果が得られ、記録媒体の回転時の空気との摩擦による帯
電をより効果的に防止することが出来る。
ライブにセットした状態を示す図で、図中、５はハブ
径、６は穴、７ａは第１層の切り込み部、７ｂは第１層
の露出用穴、７ｃは第１層の内周露出部である。ドライ
ブの金属チャッキング部分に透明導電膜（第１層）４ａ
の一部が接触するような構造とすることによって接地効
果が得られ、記録媒体の回転時の空気との摩擦による帯
電をより効果的に防止することが出来る。
【００１３】図３〜図１８は、ポリカーボネート（屈折
率１.５８）上に二層からなるハードコート層を形成し
た場合の基板表面での反射率の例を示す図である。この
場合のレーザー波長は８３０ｎｍとした。半導体レーザ
ーの温度による波長変動は、読み取り又は書き込みドラ
イブの使用環境温度の許容範囲では±１０ｎｍ程度であ
り、ハードコート層の光学特性は、８２０〜８４０ｎｍ
の範囲で大きな変動がなければ問題はない。ちなみに、
ハードコートのなされていないポリカーボネート（屈折
率１.５８）表面での反射率（一般に行われている有機
ハードコート層を施した場合にも、基板と有機ハードコ
ート層の屈折率差がほとんどないために同等）は、約５
％であり、本発明のハードコートにより基板表面の反射
が減少していることが判る。このように表面反射による
レーザー光の損失を押さえることによって、エネルギー
損失を防止し、より低電力のレーザーを用いることが可
能となる。以下、具体例を表１に示す。
率１.５８）上に二層からなるハードコート層を形成し
た場合の基板表面での反射率の例を示す図である。この
場合のレーザー波長は８３０ｎｍとした。半導体レーザ
ーの温度による波長変動は、読み取り又は書き込みドラ
イブの使用環境温度の許容範囲では±１０ｎｍ程度であ
り、ハードコート層の光学特性は、８２０〜８４０ｎｍ
の範囲で大きな変動がなければ問題はない。ちなみに、
ハードコートのなされていないポリカーボネート（屈折
率１.５８）表面での反射率（一般に行われている有機
ハードコート層を施した場合にも、基板と有機ハードコ
ート層の屈折率差がほとんどないために同等）は、約５
％であり、本発明のハードコートにより基板表面の反射
が減少していることが判る。このように表面反射による
レーザー光の損失を押さえることによって、エネルギー
損失を防止し、より低電力のレーザーを用いることが可
能となる。以下、具体例を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】図３〜図１８において、屈折率２.０の材
料としては、ＩＴＯ，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｒＯ2を用
い、屈折率２.２の材料としては、ＣｅＯ2，ＺｎＳを用
い、屈折率１.８，１.７，1.６の材料としては、Ｓｉ，
Ａｌを用い、それぞれの酸化物の酸化状態を変えて成膜
し、屈折率１.５の材料としては、ＳｉＯ2を酸素欠乏状
態で作製し、屈折率１.４６の材料としてはＳｉＯ2を、
屈折率１.３８の材料としてはＭｇＦ2を用いたが、材料
の組合せを変えても屈折率が同じであれば、レーザー波
長領域での吸収がどの材料もほとんどないため、同等な
結果が得られた。とくに、ＰＣ（ポリカーボネート）／
ＩＴＯまたはＩｎ2Ｏ3（第１層）／ＳｉＯ2またはＡｌ2
Ｏ3あるいはＭｇＦ2（第２層）の組合せ、ＰＣ／ＺｒＯ
2またはＣｅＯ2／ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3あるいはＭｇ
Ｆ2の組合せ、ＰＣ／ＳｉＯ／ＳｉＯ2等の組合せは、密
着性や耐久性共に優れており、ＩＴＯまたはＩｎ2Ｏ3を
用いた構成では、媒体の帯電を完全に押さえることが出
来た。
料としては、ＩＴＯ，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｒＯ2を用
い、屈折率２.２の材料としては、ＣｅＯ2，ＺｎＳを用
い、屈折率１.８，１.７，1.６の材料としては、Ｓｉ，
Ａｌを用い、それぞれの酸化物の酸化状態を変えて成膜
し、屈折率１.５の材料としては、ＳｉＯ2を酸素欠乏状
態で作製し、屈折率１.４６の材料としてはＳｉＯ2を、
屈折率１.３８の材料としてはＭｇＦ2を用いたが、材料
の組合せを変えても屈折率が同じであれば、レーザー波
長領域での吸収がどの材料もほとんどないため、同等な
結果が得られた。とくに、ＰＣ（ポリカーボネート）／
ＩＴＯまたはＩｎ2Ｏ3（第１層）／ＳｉＯ2またはＡｌ2
Ｏ3あるいはＭｇＦ2（第２層）の組合せ、ＰＣ／ＺｒＯ
2またはＣｅＯ2／ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3あるいはＭｇ
Ｆ2の組合せ、ＰＣ／ＳｉＯ／ＳｉＯ2等の組合せは、密
着性や耐久性共に優れており、ＩＴＯまたはＩｎ2Ｏ3を
用いた構成では、媒体の帯電を完全に押さえることが出
来た。
【００１６】表２には、本発明の光情報記録媒体に用い
たハードコート材料と、比較例との基板表面の表面硬度
を比較した結果を示す。この試験は、錘をのせたスチー
ルウールで基板表面を２０往復擦り、表面にキズが付い
たときの重さで比較した。このように本発明では、最表
面層にＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3等の硬度の高い物質を用い
て、かつその膜厚も１０００Å以上であるために、その
表面硬度も格段に向上した（基板はＰＣ）。
たハードコート材料と、比較例との基板表面の表面硬度
を比較した結果を示す。この試験は、錘をのせたスチー
ルウールで基板表面を２０往復擦り、表面にキズが付い
たときの重さで比較した。このように本発明では、最表
面層にＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3等の硬度の高い物質を用い
て、かつその膜厚も１０００Å以上であるために、その
表面硬度も格段に向上した（基板はＰＣ）。
【００１７】
【表２】
【００１８】表２からわかるように、第一層にＩＴＯ、
第二層にＳｉＯ2を用いたものは、５００g以上で表面に
キズが付いた。また、第一層にＩＴＯ、第二層にＡｌ2
Ｏ3を用いたものも同様に５００g以上で表面にキズが付
いた。更に、第一層にＩＴＯ、第二層にＭｇＦ2を用い
たものは４００gで表面にキズが付いた。このように、
比較例の単層のものと比較すると、表面硬度の改善が図
られていることがわかる。
第二層にＳｉＯ2を用いたものは、５００g以上で表面に
キズが付いた。また、第一層にＩＴＯ、第二層にＡｌ2
Ｏ3を用いたものも同様に５００g以上で表面にキズが付
いた。更に、第一層にＩＴＯ、第二層にＭｇＦ2を用い
たものは４００gで表面にキズが付いた。このように、
比較例の単層のものと比較すると、表面硬度の改善が図
られていることがわかる。
【００１９】
【効果】以上の説明から明らかなように、本発明による
と、基板表面の反射や帯電を防止することが可能とな
り、更に表面の保護効果が得られることによって、光情
報記録媒体の信頼性が向上するとともに、より低電力で
読み取りあるいは書き込みが可能となる。
と、基板表面の反射や帯電を防止することが可能とな
り、更に表面の保護効果が得られることによって、光情
報記録媒体の信頼性が向上するとともに、より低電力で
読み取りあるいは書き込みが可能となる。
【図１】 本発明による光情報記録媒体の一実施例を説
明するための構成図である。
明するための構成図である。
【図２】 光情報記録媒体をドライブにセットした状態
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 ハードコート層を形成した場合の基板表面で
の反射率を示す図である。
の反射率を示す図である。
【図４】 他のハードコート層を形成した場合の基板表
面での反射率を示す図である。
面での反射率を示す図である。
【図５】 他のハードコート層を形成した場合の基板表
面での反射率を示す図である。
面での反射率を示す図である。
【図６】 他のハードコート層を形成した場合の基板表
面での反射率を示す図である。
面での反射率を示す図である。
【図７】 他のハードコート層を形成した場合の基板表
面での反射率を示す図である。
面での反射率を示す図である。
【図８】 他のハードコート層を形成した場合の基板表
面での反射率を示す図である。
面での反射率を示す図である。
【図９】 他のハードコート層を形成した場合の基板表
面での反射率を示す図である。
面での反射率を示す図である。
【図１０】 他のハードコート層を形成した場合の基板
表面での反射率を示す図である。
表面での反射率を示す図である。
【図１１】 他のハードコート層を形成した場合の基板
表面での反射率を示す図である。
表面での反射率を示す図である。
【図１２】 他のハードコート層を形成した場合の基板
表面での反射率を示す図である。
表面での反射率を示す図である。
【図１３】 他のハードコート層を形成した場合の基板
表面での反射率を示す図である。
表面での反射率を示す図である。
【図１４】 他のハードコート層を形成した場合の基板
表面での反射率を示す図である。
表面での反射率を示す図である。
【図１５】 他のハードコート層を形成した場合の基板
表面での反射率を示す図である。
表面での反射率を示す図である。
【図１６】 他のハードコート層を形成した場合の基板
表面での反射率を示す図である。
表面での反射率を示す図である。
【図１７】 他のハードコート層を形成した場合の基板
表面での反射率を示す図である。
表面での反射率を示す図である。
【図１８】 他のハードコート層を形成した場合の基板
表面での反射率を示す図である。
表面での反射率を示す図である。
【図１９】 従来の光情報記録媒体の構成図である。
【図２０】 従来の光情報記録媒体の他の構成図であ
る。
る。
１…基板、２…記録層、３…保護層、４…ハードコート
層、４ａ…高屈折率膜、４ｂ…低屈折率膜。
層、４ａ…高屈折率膜、４ｂ…低屈折率膜。
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも、基板上に記録層を有し、レ
ーザー光によって情報の書き込み及び／又は読み出しを
行なうための光情報記録媒体において、前記記録層に集
光されるべきレーザー光が照射される外表面部分に、基
板側から大気層側に向って、屈折率の違う二種類の材料
からなる層を積層してなり、第一層は、屈折率が1.8〜
2.4の高屈折材料で、光学的厚さがレーザー波長をλ0と
してλ0／４の0.1〜２倍であるように形成され、第二層
は、屈折率が1.37〜1.85の低屈折材料で、光学的厚さが
λ0／４の0.8〜1.4倍であるように形成してなることを
特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記高屈折材料が１０10Ω／□以下の表
面抵抗を持つ透明導電膜であることを特徴とする請求項
１記載の光情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記基板の内周において、前記第一層目
の透明導電膜が露出し、記録再生時に媒体支持金属部分
に接触するようになっていることを特徴とする請求項２
記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4073478A JPH05234138A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4073478A JPH05234138A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234138A true JPH05234138A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=13519431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4073478A Pending JPH05234138A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234138A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013507274A (ja) * | 2009-10-16 | 2013-03-04 | バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト | 単一および複層における高反射率、耐引っ掻き性ＴｉＯ２被膜 |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP4073478A patent/JPH05234138A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013507274A (ja) * | 2009-10-16 | 2013-03-04 | バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト | 単一および複層における高反射率、耐引っ掻き性ＴｉＯ２被膜 |
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