JPH05232487A - 強誘電性液晶素子の製造方法 - Google Patents
強誘電性液晶素子の製造方法Info
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- JPH05232487A JPH05232487A JP7008192A JP7008192A JPH05232487A JP H05232487 A JPH05232487 A JP H05232487A JP 7008192 A JP7008192 A JP 7008192A JP 7008192 A JP7008192 A JP 7008192A JP H05232487 A JPH05232487 A JP H05232487A
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- phase transition
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Abstract
(57)【要約】
【目的】液晶素子の均一配向性を向上させ、実用化可能
な大型強誘電性液晶素子の製造方法を提供すること。 【構成】液晶注入前のセルと注入される液晶物質を共に
コレステリック−スメクチックＡ相転移温度近傍に加温
して液晶を注入する。 【効果】液晶配列方向と配向膜の表面パタ−ンが一致し
ている状態で液晶が注入されるため、広い領域にわたっ
て欠陥のない均一配向が可能となり、実用化可能な大型
強誘電性液晶素子を得ることができる。
な大型強誘電性液晶素子の製造方法を提供すること。 【構成】液晶注入前のセルと注入される液晶物質を共に
コレステリック−スメクチックＡ相転移温度近傍に加温
して液晶を注入する。 【効果】液晶配列方向と配向膜の表面パタ−ンが一致し
ている状態で液晶が注入されるため、広い領域にわたっ
て欠陥のない均一配向が可能となり、実用化可能な大型
強誘電性液晶素子を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶素子の製造方法に関
し、更に詳しくは、強誘電性液晶素子の液晶注入方法に
係わるものである。
し、更に詳しくは、強誘電性液晶素子の液晶注入方法に
係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶素子はメモリ−性やマイク
ロ秒単位の高速応答性を有することから大容量デイ スプ
レイやプリンタ−用の高速光シャッタ−ヘッドなどに実
用化が期待されている。ところで、強誘電性液晶素子を
実用化する場合、液晶の配向性に技術的問題点がある。
ロ秒単位の高速応答性を有することから大容量デイ スプ
レイやプリンタ−用の高速光シャッタ−ヘッドなどに実
用化が期待されている。ところで、強誘電性液晶素子を
実用化する場合、液晶の配向性に技術的問題点がある。
【０００３】現在試みられている強誘電性液晶の配向方
法は、有機薄膜をラビング処理する方法と、酸化金属な
どの無機絶縁物斜方蒸着する方法とに大きく分けられ
る。一般にラビング処理による配向方法では層構造のく
い違いよる線状配向欠陥がラビング方向とその軸方向に
対してほぼ垂直な方向に無数に現れるため、黒レベルと
白レベルのコントラスト比が著しく低下する上、強誘電
性液晶の大きな特徴であるメモリ−性も有しにくい。
法は、有機薄膜をラビング処理する方法と、酸化金属な
どの無機絶縁物斜方蒸着する方法とに大きく分けられ
る。一般にラビング処理による配向方法では層構造のく
い違いよる線状配向欠陥がラビング方向とその軸方向に
対してほぼ垂直な方向に無数に現れるため、黒レベルと
白レベルのコントラスト比が著しく低下する上、強誘電
性液晶の大きな特徴であるメモリ−性も有しにくい。
【０００４】これに対し、斜方蒸着による方法は前述の
ような配向欠陥の少ない配向状態が得られ、特に特開昭
６２−１９２７２４号公報に示されている方法のように
一対の基板の対向面に互いに逆の傾斜のＳｉＯ斜方蒸着
膜を形成する逆傾斜配向の構成にすると、メモリ−性を
有しコントラスト比も高い液晶素子を得ることができ
る。
ような配向欠陥の少ない配向状態が得られ、特に特開昭
６２−１９２７２４号公報に示されている方法のように
一対の基板の対向面に互いに逆の傾斜のＳｉＯ斜方蒸着
膜を形成する逆傾斜配向の構成にすると、メモリ−性を
有しコントラスト比も高い液晶素子を得ることができ
る。
【０００５】しかしながらＳｉＯ斜方蒸着配向膜を用い
た逆傾斜配向による強誘電性液晶素子も液晶素子が大型
化すると、均一配向が全面にわたって得られにくいこと
が判明した。例えば、表示面積が１０センチ平方程度の
液晶表示素子や、長さ２５センチで幅１センチの短冊状
液晶シャッタ−素子を、特開昭６１−１３２９２６号公
報に記載されている、液晶素子と液晶だめを単純に加熱
して低粘度の液晶状態で注入する従来の方法では、液晶
素子の外周部や配向膜面のキズ、段差部分などに配向不
良などが起こり易く、強誘電性液晶素子の製造歩どまり
を著しく低下させる。
た逆傾斜配向による強誘電性液晶素子も液晶素子が大型
化すると、均一配向が全面にわたって得られにくいこと
が判明した。例えば、表示面積が１０センチ平方程度の
液晶表示素子や、長さ２５センチで幅１センチの短冊状
液晶シャッタ−素子を、特開昭６１−１３２９２６号公
報に記載されている、液晶素子と液晶だめを単純に加熱
して低粘度の液晶状態で注入する従来の方法では、液晶
素子の外周部や配向膜面のキズ、段差部分などに配向不
良などが起こり易く、強誘電性液晶素子の製造歩どまり
を著しく低下させる。
【０００６】したがって本発明は液晶素子の均一配向性
を向上させ、実用化可能な大型強誘電性液晶素子の製造
方法を提供することを目的とする。
を向上させ、実用化可能な大型強誘電性液晶素子の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】 本発明は、透明電極を
有する一対の基板の相対向する面に、それぞれ斜方蒸着
により形成された基板面対し傾斜し、かつ互いに傾斜方
向が逆である無機絶縁物の配向層を有するセルに、液晶
相転移系列がアイソトロピック−コレステリック−スメ
クチックＡ−カイラルスメクチックＣ相である液晶を注
入する強誘電性液晶素子の製造方法において、液晶注入
前の前期セルと注入される液晶物質を共にコレステリッ
ク−スメクチックＡ相転移温度近傍に加温して液晶を注
入することを特徴としている。
有する一対の基板の相対向する面に、それぞれ斜方蒸着
により形成された基板面対し傾斜し、かつ互いに傾斜方
向が逆である無機絶縁物の配向層を有するセルに、液晶
相転移系列がアイソトロピック−コレステリック−スメ
クチックＡ−カイラルスメクチックＣ相である液晶を注
入する強誘電性液晶素子の製造方法において、液晶注入
前の前期セルと注入される液晶物質を共にコレステリッ
ク−スメクチックＡ相転移温度近傍に加温して液晶を注
入することを特徴としている。
【０００８】
【作用】 以下本発明の作用を図面にもとずいて説明す
る。図４には温度によって変化する液晶の相転移系列が
アイソトロピック−コレステリック−スメクチックＡ−
カイラルスメクチックＣ相である液晶の各相状態が示さ
れており、斜方蒸着配向膜４２が付着したガラス基板４
１に挟まれた液晶分子４３は、アイソトロピック相状態
（ａ）ではランダム状態を示し、コレステリック相状態
（ｂ）では上下ガラス基板間でねじれた配列を示し、温
度増加と共にねじれのピッチは減少する。また、スメク
チックＡ相状態（ｃ）およびカイラルスメクチックＣ相
状態（ｄ）では、斜方蒸着配向膜により形成された表面
パタ−ンに沿ってほぼ一様に配列している。
る。図４には温度によって変化する液晶の相転移系列が
アイソトロピック−コレステリック−スメクチックＡ−
カイラルスメクチックＣ相である液晶の各相状態が示さ
れており、斜方蒸着配向膜４２が付着したガラス基板４
１に挟まれた液晶分子４３は、アイソトロピック相状態
（ａ）ではランダム状態を示し、コレステリック相状態
（ｂ）では上下ガラス基板間でねじれた配列を示し、温
度増加と共にねじれのピッチは減少する。また、スメク
チックＡ相状態（ｃ）およびカイラルスメクチックＣ相
状態（ｄ）では、斜方蒸着配向膜により形成された表面
パタ−ンに沿ってほぼ一様に配列している。
【０００９】したがって、液晶分子が配向膜と初めて接
し吸着される液晶注入時に、配向膜の表面パタ−ンに沿
った方向と液晶分子の配列方向とがほぼ一致するスメク
チックＡ相やカイラルスメクチックＣ相状態の温度に液
晶が加温されているのが理想的であり、液晶配列状態の
欠陥率を最小にすることが可能である。
し吸着される液晶注入時に、配向膜の表面パタ−ンに沿
った方向と液晶分子の配列方向とがほぼ一致するスメク
チックＡ相やカイラルスメクチックＣ相状態の温度に液
晶が加温されているのが理想的であり、液晶配列状態の
欠陥率を最小にすることが可能である。
【００１０】一方、大型液晶素子を素子全体に短時間で
注入するためには、液晶の粘性は低いほうが望ましい
が、スメクチックＡ相やカイラルスメクチックＣ相状態
は液晶分子が層状態を形成して配列するため、粘性が千
センチポイズ以上と高く注入不良を起こし易い。ところ
で、液晶の粘性は温度の上昇と共に減少するが、コレス
テリック−スメクチックＡ相転移温度近傍では数十セン
チポイズへと急激な変化を伴って低下する上、コレステ
リックピッチが無限大となるため液晶の配列は斜方蒸着
配向膜の表面パタ−ンとほぼ一致する一方向に揃い、液
晶相転移系列がアイソトロピック−コレステリック−ス
メクチックＡ−カイラルスメクチックＣ相である強誘電
性液晶の注入温度としては最適といえる。
注入するためには、液晶の粘性は低いほうが望ましい
が、スメクチックＡ相やカイラルスメクチックＣ相状態
は液晶分子が層状態を形成して配列するため、粘性が千
センチポイズ以上と高く注入不良を起こし易い。ところ
で、液晶の粘性は温度の上昇と共に減少するが、コレス
テリック−スメクチックＡ相転移温度近傍では数十セン
チポイズへと急激な変化を伴って低下する上、コレステ
リックピッチが無限大となるため液晶の配列は斜方蒸着
配向膜の表面パタ−ンとほぼ一致する一方向に揃い、液
晶相転移系列がアイソトロピック−コレステリック−ス
メクチックＡ−カイラルスメクチックＣ相である強誘電
性液晶の注入温度としては最適といえる。
【００１１】
【実施例】 以下本発明の実施例を図面にもとずいて説
明する。図１は本発明の実施例を表す強誘電性液晶素子
の注入方法を表す模式図であり、液晶注入前のセル１１
はヒ−タ−板１３とアルミ製の熱伝導板１２に挟まれて
コレステリック−スメクチックＡ相転移温度に加温され
ており、また、液晶だめ１５中の液晶材料１４もヒ−タ
−板１６によりコレステリック−スメクチックＡ相転移
温度に一定に加温されており、排気口１７を真空ポンプ
に接続しベルジャ−内を減圧していく。
明する。図１は本発明の実施例を表す強誘電性液晶素子
の注入方法を表す模式図であり、液晶注入前のセル１１
はヒ−タ−板１３とアルミ製の熱伝導板１２に挟まれて
コレステリック−スメクチックＡ相転移温度に加温され
ており、また、液晶だめ１５中の液晶材料１４もヒ−タ
−板１６によりコレステリック−スメクチックＡ相転移
温度に一定に加温されており、排気口１７を真空ポンプ
に接続しベルジャ−内を減圧していく。
【００１２】ベルジャ−１８内が十分に減圧してほぼ真
空状態になったところで、ヒ−タ−板１６の位置を上昇
させセル１１の液晶注入口を液晶に浸し、その後ベルジ
ャ−内を常圧に戻し三時間程度かけて液晶材料１５を素
子内に注入する。その間、セル１１と液晶材料１５はコ
レステリック−スメクチックＡ相転移温度の近傍に一定
に保たれている。
空状態になったところで、ヒ−タ−板１６の位置を上昇
させセル１１の液晶注入口を液晶に浸し、その後ベルジ
ャ−内を常圧に戻し三時間程度かけて液晶材料１５を素
子内に注入する。その間、セル１１と液晶材料１５はコ
レステリック−スメクチックＡ相転移温度の近傍に一定
に保たれている。
【００１３】図２は実施例に用いたセルの模式断面図で
あり、１０００オングストローム厚の酸化インジウム透
明電極２３と８００オングストローム厚のＳｉＯ斜方蒸
着膜２４が付着した２枚の上下ガラス基板２１、２２が
２．５μの間隙を保って、エポキシ樹脂シ−ル２５によ
って固着されており、２６の方向から液晶材料を注入し
て強誘電性液晶素子を作製する。
あり、１０００オングストローム厚の酸化インジウム透
明電極２３と８００オングストローム厚のＳｉＯ斜方蒸
着膜２４が付着した２枚の上下ガラス基板２１、２２が
２．５μの間隙を保って、エポキシ樹脂シ−ル２５によ
って固着されており、２６の方向から液晶材料を注入し
て強誘電性液晶素子を作製する。
【００１４】図３は前述のセルの模式平面図であり、プ
リンタ−用高速シャッタ−ヘッド形状にあわせてエポキ
シ樹脂シ−ル３５は幅１センチ、長さ２５センチの短冊
形状となっている。
リンタ−用高速シャッタ−ヘッド形状にあわせてエポキ
シ樹脂シ−ル３５は幅１センチ、長さ２５センチの短冊
形状となっている。
【００１５】以上述べてきたセルを多数個作製し、液晶
相転移系列がアイソトロピック−コレステリック−スメ
クチックＡ−カイラルスメクチックＣ相であるチッソ製
強誘電性液晶ＣＳ−１０１４、ＣＺ−Ｃ１００、ＣＺ−
Ｃ１０１、ヘキスト製液晶ＣＨＣ−００５、ＣＨＣ−０
０６、ＣＨＣ−００７の各液晶材料を本発明のコレステ
リック−スメクチックＡ相転移温度近傍でセルに注入し
強誘電性液晶素子を作製し、良品注入配向歩留まりを検
査したところ上述のすべての材料で９０％以上の高い良
品率が得られた。なお、比較のために本発明以外の注入
温度で作製した強誘電性液晶素子の良品率も合わせて表
１に示す。表１から本発明の注入温度以外では６０％〜
８０％程度の良品率に留まってしまい、本発明の方法が
極めて優れていることが判る。
相転移系列がアイソトロピック−コレステリック−スメ
クチックＡ−カイラルスメクチックＣ相であるチッソ製
強誘電性液晶ＣＳ−１０１４、ＣＺ−Ｃ１００、ＣＺ−
Ｃ１０１、ヘキスト製液晶ＣＨＣ−００５、ＣＨＣ−０
０６、ＣＨＣ−００７の各液晶材料を本発明のコレステ
リック−スメクチックＡ相転移温度近傍でセルに注入し
強誘電性液晶素子を作製し、良品注入配向歩留まりを検
査したところ上述のすべての材料で９０％以上の高い良
品率が得られた。なお、比較のために本発明以外の注入
温度で作製した強誘電性液晶素子の良品率も合わせて表
１に示す。表１から本発明の注入温度以外では６０％〜
８０％程度の良品率に留まってしまい、本発明の方法が
極めて優れていることが判る。
【００１６】
【００１７】
【発明の効果】以上の実施例で述べたように、本発明に
よれば液晶分子が配向膜と初めて接し吸着される液晶注
入時に、配向膜の表面パタ−ンに沿った方向と液晶分子
の配列方向とがほぼ一致し、かつ、十分な低粘度の液晶
相状態であるため、広い領域にわたって欠陥のない均一
配向が可能となり、多量の強誘電性液晶素子を高い製造
歩どまりで得ることが可能で、実用化可能な大型強誘電
性液晶素子を提供することができる。
よれば液晶分子が配向膜と初めて接し吸着される液晶注
入時に、配向膜の表面パタ−ンに沿った方向と液晶分子
の配列方向とがほぼ一致し、かつ、十分な低粘度の液晶
相状態であるため、広い領域にわたって欠陥のない均一
配向が可能となり、多量の強誘電性液晶素子を高い製造
歩どまりで得ることが可能で、実用化可能な大型強誘電
性液晶素子を提供することができる。
【図１】本発明の液晶の注入方法の様子示す模式図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例に用いたセルの模式断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例に用いたセルの模式平面図であ
る。
る。
【図４】液晶相の状態を示す模式図である。
１１ セル １２ 熱伝導板 １３ ヒ−タ−板 １４ 液晶材料 １５ 液晶だめ １６ ヒ−タ−板 １７ 排気口 １８ ベルジャ− ２１ 下ガラス基板 ２２ 上ガラス基板 ２３ 透明電極 ２４ 斜方蒸着配向膜 ２５ エポキシ樹脂シ−ル ２６ 注入方向 ３１ 下ガラス基板 ３２ 上ガラス基板 ３５ エポキシ樹脂シ−ル ３６ 注入方向 ４１ ガラス基板 ４２ 斜方蒸着配向膜 ４３ 液晶分子
Claims (1)
- 【請求項１】 透明電極を有する一対の基板の相対向す
る面に、それぞれ斜方蒸着により形成され、基板面に対
し傾斜し、かつ互いに傾斜方向が逆である無機絶縁物の
配向層を有するセルに、液晶相転移系列がアイソトロピ
ック−コレステリック−スメクチックＡ−カイラルスメ
クチックＣ相である液晶を注入する強誘電性液晶素子の
製造方法において、前期セルと注入される液晶物質を共
にコレステリック−スメクチックＡ相転移温度近傍に加
温して液晶を注入することを特徴とする強誘電性液晶素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008192A JP3258068B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008192A JP3258068B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232487A true JPH05232487A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3258068B2 JP3258068B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=13421239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7008192A Expired - Fee Related JP3258068B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3258068B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100642489B1 (ko) * | 2000-07-06 | 2006-11-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 주입장치와 액정 주입방법 |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP7008192A patent/JP3258068B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100642489B1 (ko) * | 2000-07-06 | 2006-11-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 주입장치와 액정 주입방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3258068B2 (ja) | 2002-02-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |