JPH05232465A - Reflection type liquid crystal display device and its production - Google Patents
Reflection type liquid crystal display device and its productionInfo
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- JPH05232465A JPH05232465A JP4031127A JP3112792A JPH05232465A JP H05232465 A JPH05232465 A JP H05232465A JP 4031127 A JP4031127 A JP 4031127A JP 3112792 A JP3112792 A JP 3112792A JP H05232465 A JPH05232465 A JP H05232465A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、入射光を反射すること
により表示を行う反射型液晶表示装置とその製造方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device for displaying by reflecting incident light and a manufacturing method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に進展している。特に液晶表示装置の中でも外部
から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表示
装置は、バックライトが不要であるため消費電力が低
く、薄型であり軽量化が可能であるため注目されてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, the application of liquid crystal display devices to word processors, laptop personal computers, pocket televisions, etc. has been rapidly developing. Among the liquid crystal display devices, the reflection type liquid crystal display device that reflects light incident from the outside for display has low power consumption because it does not require a backlight, and is noted for its thinness and lightness. There is.
【0003】従来から、反射型液晶表示装置にはTN
(ツイステッドネマティック)方式、並びにSTN(ス
ーパーツイステッドネマティック)方式が用いられてい
るが、これらの方式では偏光板によって必然的に自然光
の光強度の1/2が表示に利用されないことになり、表
示が暗くなるという問題がある。Conventionally, a TN has been used for a reflective liquid crystal display device.
The (twisted nematic) method and the STN (super twisted nematic) method are used. However, in these methods, 1/2 of the light intensity of natural light is not necessarily used for display by the polarizing plate, and the display is There is a problem that it gets dark.
【0004】この問題に対して、偏光板を用いず自然光
を有効に利用しようとする表示モードが提案されてい
る。このようなモードの例として、相転移型ゲスト・ホ
スト方式が挙げられる。(D.L.White and
G.N.Taylor:J.Appl.Phys.4
5 4718 1974)。 このモードでは、電界に
よるコレステリック・ネマティック相転移現象が利用さ
れている。この方式に、さらにマイクロカラーフィルタ
を組み合わせた反射型マルチカラーディスプレイも提案
されている(Proceedings of the
SID Vol.29157 1988)。このような
偏光板を必要としないモードでさらに明るい表示を得る
ためには、広い角度からの入射光に対し、表示画面に垂
直な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。
そのためには最適な反射特性を有する反射板を作成する
ことが必要となる。上述の文献には、ガラスなどからな
る基板の表面を研磨剤で粗面化し、弗化水素酸でエッチ
ングする時間を変化させることによって表面の凹凸を制
御し、その凹凸上に銀の反射膜を形成した反射板につい
て記載されている。To solve this problem, a display mode has been proposed in which natural light is effectively used without using a polarizing plate. An example of such a mode is a phase transition type guest-host system. (DL White and and
G. N. Taylor: J. Appl. Phys. Four
5 4718 1974). In this mode, the cholesteric-nematic phase transition phenomenon by the electric field is utilized. A reflective multi-color display in which a micro color filter is further combined with this system has been proposed (Proceedings of the).
SID Vol. 29157 1988). In order to obtain a brighter display in a mode that does not require such a polarizing plate, it is necessary to increase the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from a wide angle.
For that purpose, it is necessary to create a reflector having optimum reflection characteristics. In the above-mentioned document, the surface of a substrate made of glass or the like is roughened with an abrasive, and the unevenness of the surface is controlled by changing the etching time with hydrofluoric acid, and a silver reflection film is formed on the unevenness. The formed reflector is described.
【0005】しかしながら、上記文献に記載されている
反射板には、ガラス基板を研磨材によって傷つけること
により凹凸部が形成されているので、均一な形状の凹凸
を形成することは不可能である。また、該凹凸部の形状
の再現性が悪いという問題点がある。そのため、均一な
形状を有し、良好な反射特性を有する反射板を備えた反
射型液晶表示装置を再現性良く得ることができない。However, since the concave and convex portions are formed on the reflecting plate described in the above-mentioned document by scratching the glass substrate with the abrasive, it is impossible to form the concave and convex portions having a uniform shape. Further, there is a problem that the reproducibility of the shape of the uneven portion is poor. Therefore, it is not possible to obtain a reflective liquid crystal display device having a uniform shape and a reflection plate having good reflection characteristics with good reproducibility.
【0006】この問題を解決する方法として、膜を形成
し、これをエッチング法を用いて基板面に所定の形状の
多数の微細な凹凸を形成し、更にその上に銀等の反射膜
を形成して反射板とする方法が提案されている。図5及
び図6にこのような反射板の構造を備えたアクティブマ
トリクス方式の反射型液晶表示装置の構造を示す。As a method for solving this problem, a film is formed, a large number of fine irregularities having a predetermined shape are formed on the surface of the substrate by using an etching method, and a reflective film of silver or the like is further formed thereon. Then, the method of making it into a reflector is proposed. 5 and 6 show the structure of an active matrix type reflective liquid crystal display device having such a structure of the reflection plate.
【0007】図5はアクティブマトリクス側の基板1a
の平面図であり、図6は図5のY−Y’線断面図であ
る。ここではこの方式に用いられるスイッチング素子と
して、薄膜トランジスタ(以下、TFTと略す。)を用
いている。FIG. 5 shows a substrate 1a on the active matrix side.
6 is a plan view of FIG. 6, and FIG. 6 is a sectional view taken along line YY ′ of FIG. Here, a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) is used as a switching element used in this method.
【0008】ガラス等の基板1a上に、クロム、タンタ
ル等からなる複数のゲート配線6aが設けられ、ゲート
配線6aからはゲート電極6bが分岐して設けられてい
る。ゲート配線6aは走査線として機能している。ゲー
ト電極6bを覆って基板1a上の全面に窒化シリコン
(SiNx)、酸化シリコン(SiOx)等から成るゲ
ート絶縁膜7が形成されている。ゲート電極6bの上方
のゲート絶縁膜7上には、非晶質シリコン(以下、a−
Siと略す)多結晶シリコン(以下、p−Siと略
す)、CdSe等から成る半導体層8が形成されてい
る。半導体層8の一方の端部には、チタン、モリブデ
ン、アルミニウム等から成るソース電極10bが重畳形
成されている。図5に示すように、ソース電極10bは
ソース配線10aから分岐したものである。また、半導
体層8の他方の端部には、ソース電極10bと同様にチ
タン、モリブデン、アルミニウム等から成るドレイン電
極11が形成されている。ドレイン電極11上を除く部
分の上層には第1膜2が形成され、これをエッチング法
を用いて多数の微細な凹凸に加工されている。ドレイン
電極11の半導体層8と反対側の端部には、アルミニウ
ム、銀等の金属から成る反射膜5が重畳されている。こ
の反射膜5が画素電極となる。 ゲート電極6b、ゲー
ト絶縁膜7、半導体層8、ソース電極10bおよびドレ
イン電極11はTFTを構成し、該TFTは、スイッチ
ング素子の機能を有している。A plurality of gate wirings 6a made of chromium, tantalum, or the like are provided on a substrate 1a made of glass or the like, and a gate electrode 6b is branched from the gate wiring 6a. The gate wiring 6a functions as a scanning line. A gate insulating film 7 made of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or the like is formed on the entire surface of the substrate 1a so as to cover the gate electrode 6b. Amorphous silicon (hereinafter a-) is formed on the gate insulating film 7 above the gate electrode 6b.
A semiconductor layer 8 made of polycrystalline silicon (abbreviated as Si) (hereinafter abbreviated as p-Si), CdSe, or the like is formed. A source electrode 10b made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is superposed on one end of the semiconductor layer 8. As shown in FIG. 5, the source electrode 10b is branched from the source wiring 10a. A drain electrode 11 made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is formed on the other end of the semiconductor layer 8 similarly to the source electrode 10b. A first film 2 is formed on the upper layer of the portion other than the drain electrode 11 and is processed into a large number of fine irregularities by an etching method. A reflective film 5 made of a metal such as aluminum or silver is superposed on the end of the drain electrode 11 opposite to the semiconductor layer 8. This reflective film 5 becomes a pixel electrode. The gate electrode 6b, the gate insulating film 7, the semiconductor layer 8, the source electrode 10b, and the drain electrode 11 form a TFT, and the TFT has a function of a switching element.
【0009】このように作成したアクティブマトリクス
基板と透明電極を有する対向基板との間に液晶を封入し
て貼り合わせ、反射型液晶表示装置とする。A liquid crystal is sealed and bonded between the active matrix substrate thus prepared and the counter substrate having the transparent electrode to form a reflective liquid crystal display device.
【0010】この反射型液晶表示装置では、対向基板側
から入射した外部光をアクティブマトリクス基板の反射
膜5で反射し、液晶層を通過した反射光を対向基板側か
ら見ることになる。In this reflection type liquid crystal display device, the external light incident from the counter substrate side is reflected by the reflection film 5 of the active matrix substrate, and the reflected light passing through the liquid crystal layer is viewed from the counter substrate side.
【0011】以上のようにTFTを形成した基板1a上
に第1膜2を形成すれば、エッチング法を用いて第1膜
2で多数の微細な凹凸を容易に形成することができ、こ
の凹凸を有する基板1a上に金属等で反射膜5を形成す
ることによって、容易に反射板として機能する凹凸を有
する画素電極を得ることができる。When the first film 2 is formed on the substrate 1a on which the TFT is formed as described above, a large number of fine irregularities can be easily formed on the first film 2 by using an etching method. By forming the reflective film 5 of a metal or the like on the substrate 1a having a groove, it is possible to easily obtain a pixel electrode having unevenness that functions as a reflector.
【0012】上記のような反射板として機能する凹凸を
有する画素電極を形成するプロセスをより詳しく説明す
る。図7は図6のA部分のプロセスを説明するための図
である。まず、基板1a上のゲート絶縁膜7の上に第1
膜2を形成する(図7(a))。次にその上にフォトレ
ジスト3を塗布し、所定の形状にパターニングし(図7
(b))、第1膜2をエッチングすることによって多数
の微細な凹凸を作成する(図7(c))。そしてフォト
レジスト3を剥離し、凹凸を有する基板1aに画素電極
となる反射膜5を形成する(図7(d))ことにより完
了する。The process of forming the pixel electrode having the unevenness functioning as the reflection plate as described above will be described in more detail. FIG. 7 is a diagram for explaining the process of part A in FIG. First, a first film is formed on the gate insulating film 7 on the substrate 1a.
The film 2 is formed (FIG. 7A). Next, a photoresist 3 is applied thereon and patterned into a predetermined shape (see FIG. 7).
(B)) A large number of fine irregularities are formed by etching the first film 2 (FIG. 7C). Then, the photoresist 3 is peeled off, and the reflection film 5 to be the pixel electrode is formed on the substrate 1a having the unevenness (FIG. 7D), and the process is completed.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな方法で反射膜5を形成すると図7(d)に示すよう
に図7(c)の時点でフォトレジストの残っていた凸部
5a及び絶縁膜2aが取り除かれた凹部5bは、平面的
でありその反射光は正反射成分を多く含むことになり、
鏡面状態に近い。However, when the reflection film 5 is formed by the above method, as shown in FIG. 7 (d), the protrusions 5a and the insulation remaining on the photoresist at the time of FIG. 7 (c) are removed. The recess 5b from which the film 2a has been removed is planar, and the reflected light thereof contains a large amount of specular reflection components.
It is close to a mirror surface.
【0014】エッチングを工夫することにより斜面の部
分を増減することは可能であるが、平面部分は残る。
又、第1膜のエッチングを途中で止めて下地のゲート絶
縁膜7を表さないようにすることもできるが、エッチン
グの基板内面分布によりエッチング形状が異なり、面内
で反射特性が異なる等の問題が発生する。It is possible to increase or decrease the slope portion by devising the etching, but the flat portion remains.
It is also possible to stop the etching of the first film halfway so that the underlying gate insulating film 7 is not exposed. However, the etching shape differs depending on the distribution of the inner surface of the substrate during etching, and the reflection characteristics may vary within the surface. The problem occurs.
【0015】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、均一
で光散乱性のよい反射特性を有する反射板を備えた、コ
ントラストの高い反射型液晶表示装置及びその製造方法
を提供することにある。In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a reflection type liquid crystal display device having a high contrast and a reflection plate having a reflection characteristic that is uniform and has a good light scattering property, and a manufacturing method thereof. ..
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、凹凸を有する第1膜と該第1膜に液体を塗布、
硬化することによって形成された第2膜よりなる曲面部
を含む多数の微細な凹凸を有する基板上に反射膜からな
る電極を形成した反射板と、該絶縁性基板と該反射板と
の間に封入された液晶層と、を備えてなることを特徴と
するものである。A reflection type liquid crystal display device of the present invention comprises a first film having irregularities and a liquid applied to the first film.
Between the insulating plate and the reflective plate, the reflective plate having the electrode formed of the reflective film on the substrate having a large number of fine irregularities including the curved surface part formed of the second film formed by curing. And a liquid crystal layer encapsulated therein.
【0017】また、本発明の反射型液晶表示装置は、透
明電極が形成された絶縁性基板と、凹凸を有する第1膜
と該第1膜に液体を塗布、硬化することによって形成さ
れた第2膜よりなる曲面部を含む多数の微細な凹凸を有
する基板上に、反射膜からなる画素電極を形成したアク
ティブマトリクス基板と、該絶縁性基板と該アクティブ
マトリクス基板との間に封入された液晶層と、を備えて
なることを特徴とするものである。Further, the reflective liquid crystal display device of the present invention comprises an insulating substrate having a transparent electrode formed thereon, a first film having irregularities, and a first film formed by applying and curing a liquid on the first film. An active matrix substrate in which a pixel electrode made of a reflective film is formed on a substrate having a large number of minute irregularities including a curved surface portion made of two films, and a liquid crystal sealed between the insulating substrate and the active matrix substrate. And a layer.
【0018】ここで前記第1膜または、前記第2膜はア
クティブマトリクス基板上のスイッチング素子の保護膜
とすることもできる。Here, the first film or the second film may be a protective film for the switching element on the active matrix substrate.
【0019】また、前記第1膜を感光性樹脂で構成する
こともできる。The first film may be made of a photosensitive resin.
【0020】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、多数の微細な凹凸が形成された基板上に反射膜から
なる電極を形成した反射板を有する反射型液晶表示装置
の製造方法であって、該反射板を構成する基板の一方面
に第1膜を形成し、所定の形状に加工して多数の微細な
凹凸を形成する工程と、該凹凸が形成された基板上に液
体を塗布し、硬化させることによって第2膜を形成する
工程と、該第2膜上に反射膜からなる電極を形成する工
程とを包含するものである。 また、本発明の反射型液
晶表示装置の製造方法は、多数の微細な凹凸を有する基
板上に反射膜からなる画素電極を形成したアクティブマ
トリクス基板を有する反射板反射型液晶表示装置の製造
方法であって、該アクティブマトリクス基板を構成する
基板の一方面に第1膜を形成し、所定の形状に加工して
多数の微細な凹凸を形成する工程と、該凹凸が形成され
たアクティブマトリクス基板上に液体を塗布し、硬化さ
せることによって第2膜を形成する工程と、該第2膜上
に反射膜からなる画素電極を形成する工程とを包含する
ものである。Further, the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is a method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device having a reflector having electrodes made of a reflective film formed on a substrate on which a large number of fine irregularities are formed. Then, a step of forming a first film on one surface of the substrate that constitutes the reflection plate and processing it into a predetermined shape to form a large number of fine irregularities, and applying a liquid on the substrate on which the irregularities are formed. Then, the step of forming a second film by curing and the step of forming an electrode made of a reflective film on the second film are included. Further, the method for manufacturing a reflective liquid crystal display device of the present invention is a method for manufacturing a reflective plate liquid crystal display device having an active matrix substrate in which pixel electrodes made of a reflective film are formed on a substrate having a large number of fine irregularities. There is a step of forming a first film on one surface of a substrate forming the active matrix substrate and processing it into a predetermined shape to form a number of fine irregularities, and an active matrix substrate on which the irregularities are formed. It includes a step of forming a second film by applying a liquid to and hardening the liquid, and a step of forming a pixel electrode made of a reflective film on the second film.
【0021】[0021]
【作用】第1膜を用いて形成した凹凸上に液体を塗布す
ることで、液体の表面張力により基板表面は、凸部には
上に凸の円弧状に、凹部には下に凸の円弧状に形成さ
れ、前記液体の硬化後には平面部分の少ない曲面部を含
む凹凸が得られる。この曲面部を含む凹凸上に反射膜を
形成すると、正反射成分の少なくなり、鏡面状態より散
乱状態に近い特性を有する反射板が得られる。By applying the liquid on the unevenness formed by using the first film, the surface tension of the liquid causes the surface of the substrate to have an upwardly convex arc shape for the convex portion and a downwardly convex circle for the concave portion. After the liquid is hardened, it is formed into an arc shape, and thus unevenness including a curved surface portion having a small number of flat portions is obtained. When a reflection film is formed on the unevenness including the curved surface portion, the specular reflection component is reduced, and a reflection plate having a characteristic closer to a scattering state than a specular state can be obtained.
【0022】また、前記反射膜は、アクティブマトリク
ス基板上の画素電極とすることができる。この場合、第
1膜または、第2膜はアクティブマトリクス基板上のス
イッチング素子の保護膜とすることもでき、保護膜形成
プロセスを省略することができる。The reflective film may be a pixel electrode on the active matrix substrate. In this case, the first film or the second film can be a protective film for the switching element on the active matrix substrate, and the protective film forming process can be omitted.
【0023】ここで第1膜に感光性樹脂を用いれば、凹
凸形成のプロセスを簡略化することができる。If a photosensitive resin is used for the first film, the process of forming the concavities and convexities can be simplified.
【0024】[0024]
【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
【0025】図1はこの反射型液晶表示装置に用いられ
る反射板の製造プロセスを説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a manufacturing process of a reflector used in this reflection type liquid crystal display device.
【0026】基板1上に第1膜2を形成する(図1
(a))。次にフォトレジスト3を塗布し、所定の形状
にパターニングし(図1(b))、第1膜2をエッチン
グすることによって多数の微細な凹凸を作成する(図1
(c))。フォトレジスト3を剥離後、凹凸が形成され
た基板1の上層にアクリル系樹脂等の液状材料を塗布し
その後硬化させて第2膜4を形成する(図1(d))。
更に反射膜5からなる電極を第2膜4の上層に形成して
反射板とする(図1(e))。The first film 2 is formed on the substrate 1 (see FIG. 1).
(A)). Next, a photoresist 3 is applied, patterned into a predetermined shape (FIG. 1B), and the first film 2 is etched to form a large number of fine irregularities (FIG. 1).
(C)). After the photoresist 3 is peeled off, a liquid material such as an acrylic resin is applied to the upper layer of the substrate 1 on which the unevenness is formed and then cured to form the second film 4 (FIG. 1D).
Further, an electrode composed of the reflection film 5 is formed on the upper layer of the second film 4 to form a reflection plate (FIG. 1 (e)).
【0027】アクリル系樹脂を塗布する際に、基板1が
現れないほどの厚みをもって塗布すると、第1膜2の凹
凸の平坦部が無くなり、より正反射の少ない反射板が得
られる。又、基板1あるいは第1膜2の凹凸に発生する
表面粗れやエッチング残渣による反射むらを無くすこと
ができる。 第2膜4の材料は、前記アクリル系樹脂の
他にエポキシ系樹脂等の液状にすることで塗布が可能で
あり、塗布後に硬化可能な材料であるならば良い。反射
膜5は、反射効率の高いアルミニウム、銀、ニッケル、
クロム等を用いる。When the acrylic resin is applied with a thickness such that the substrate 1 does not appear, the flat portion of the unevenness of the first film 2 is eliminated, and a reflection plate with less specular reflection can be obtained. Further, it is possible to eliminate the surface roughness generated on the unevenness of the substrate 1 or the first film 2 and the uneven reflection caused by the etching residue. The material of the second film 4 can be applied by making it liquid such as epoxy resin in addition to the acrylic resin, and any material that can be cured after application may be used. The reflection film 5 is made of aluminum, silver, nickel, which has high reflection efficiency.
Use chrome, etc.
【0028】このようにして作成した反射板は均一で光
散乱性のよい反射特性を有している。The reflector thus prepared has uniform and good light-scattering reflection characteristics.
【0029】図2は他の反射板の製造プロセスを説明す
るための図である。まず、基板1上に第1膜2として感
光性の樹脂膜を形成する(図2(a))。次に第1膜2
を露光し、所定の形状にパターニングすることによっ
て、多数の微細な凹凸を形成する(図2(b))。更に
凹凸を有する基板1の上層にアクリル系樹脂等の液状材
料を塗布し、その後硬化させて第2膜4を形成する。そ
して反射膜5からなる電極を第2膜4上層に形成して反
射板とする(図2(c))。FIG. 2 is a view for explaining another manufacturing process of the reflector. First, a photosensitive resin film is formed as the first film 2 on the substrate 1 (FIG. 2A). Next, the first film 2
Is exposed and patterned into a predetermined shape to form a large number of fine irregularities (FIG. 2B). Further, a liquid material such as an acrylic resin is applied to the upper layer of the substrate 1 having irregularities and then cured to form the second film 4. Then, an electrode made of the reflection film 5 is formed on the upper layer of the second film 4 to form a reflection plate (FIG. 2C).
【0030】この反射板では第1膜2に感光性の樹脂を
用いることで、プロセスの省略ができ、低コスト化を図
ることができる。By using a photosensitive resin for the first film 2 in this reflector, the process can be omitted and the cost can be reduced.
【0031】次にこれらの反射板構造を備えたアクティ
ブマトリクス方式の反射型液晶表示装置について、図3
及び図4に基づいて説明する。図3はスイッチング素子
として TFTを有するこの反射型液晶表示装置の断面
図であり、図4は図3に示される基板1aの平面図であ
る。 ガラスなどからなる基板1a上に、クロム、タン
タル等からなる複数のゲート配線6aが設けられ、ゲー
ト配線6aからはゲート電極6bが分岐して設けられて
いる。ゲート配線6aは走査線として機能している。
ゲート電極6bを覆って基板1a上の全面に窒化シリコ
ン(SiNx)、酸化シリコン(SiOx)等から成る
ゲート絶縁膜7が形成されている。ゲート電極6bの上
方のゲート絶縁膜7上には、a−Si、p−Si等から
成る半導体層8が形成されている。半導体層の両端部に
はa−Si(n+)、p−Si(n+)などからなるコ
ンタクト層9が形成されている。 コンタクト層9の一
方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウム等か
ら成るソース電極10bが重畳形成されている。図4に
示すように、ソース電極10bはソース配線10aから
分岐したものである。ソース配線10aは信号線として
機能している。また、コンタクト層9の他方の端部に
は、ソース電極10bと同様にチタン、モリブデン、ア
ルミ等から成るドレイン電極11が形成されている。
ゲート電極6b、ゲート絶縁膜7、半導体層8、ソース
電極10bおよびドレイン電極11はTFTを構成し、
スイッチング素子の機能を有する。Next, an active-matrix reflective liquid crystal display device having these reflector structures will be described with reference to FIG.
And FIG. 4 will be described. FIG. 3 is a sectional view of this reflective liquid crystal display device having a TFT as a switching element, and FIG. 4 is a plan view of the substrate 1a shown in FIG. A plurality of gate wirings 6a made of chromium, tantalum, or the like are provided on a substrate 1a made of glass or the like, and a gate electrode 6b is branched from the gate wiring 6a. The gate wiring 6a functions as a scanning line.
A gate insulating film 7 made of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or the like is formed on the entire surface of the substrate 1a so as to cover the gate electrode 6b. A semiconductor layer 8 made of a-Si, p-Si, or the like is formed on the gate insulating film 7 above the gate electrode 6b. Contact layers 9 made of a-Si (n +), p-Si (n +), etc. are formed on both ends of the semiconductor layer. A source electrode 10b made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is superposed on one end of the contact layer 9. As shown in FIG. 4, the source electrode 10b is branched from the source wiring 10a. The source wiring 10a functions as a signal line. A drain electrode 11 made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is formed on the other end of the contact layer 9 similarly to the source electrode 10b.
The gate electrode 6b, the gate insulating film 7, the semiconductor layer 8, the source electrode 10b and the drain electrode 11 form a TFT,
It has the function of a switching element.
【0032】以上のようにTFTを形成した基板1a上
に前述した反射板の製造プロセスと同様にして凹凸を有
する第1膜2、第2膜4及び、反射膜5を形成する。こ
の反射膜5は画素電極となる。ここで第1膜又は、第2
膜4を絶縁性にすれば、図4に示すようにこれらの膜を
TFT部分を覆うように形成することによって、TFT
の保護膜とすることができ、プロセスの簡略化が図れ
る。但しこの場合には、第2膜4を形成した後に、第2
膜4上に形成する反射膜5とTFTのドレイン電極11
とを電気的に接続するためのコンタクトホール12を形
成しなければならない。As described above, the first film 2, the second film 4, and the reflective film 5 having the unevenness are formed on the substrate 1a on which the TFT is formed in the same manner as in the manufacturing process of the reflective plate described above. This reflective film 5 becomes a pixel electrode. Here, the first film or the second film
If the film 4 is made insulative, by forming these films so as to cover the TFT portion as shown in FIG.
Can be used as a protective film, and the process can be simplified. However, in this case, after forming the second film 4, the second film 4 is formed.
The reflective film 5 formed on the film 4 and the drain electrode 11 of the TFT
A contact hole 12 for electrically connecting with must be formed.
【0033】基板1aと対向する絶縁性基板1bにはカ
ラーフィルター13が形成される。カラーフィルター1
3上の全面にはITOなどからなる透明電極14が形成
される。両基板は、さらに配向膜15が形成され、対向
して貼り合わせられ、間に液晶層として黒色色素を混入
した相転移型ゲスト・ホスト方式用の液晶を封入して偏
光板を必要としない反射型液晶表示装置が完成する。A color filter 13 is formed on the insulating substrate 1b facing the substrate 1a. Color filter 1
A transparent electrode 14 made of ITO or the like is formed on the entire surface of 3. An alignment film 15 is further formed on both the substrates, and the substrates are laminated so as to face each other. Type liquid crystal display device is completed.
【0034】この反射型液晶表示装置では、対向する絶
縁性基板1b側から入射した外部光を基板1a上の反射
膜5で反射し、液晶16を通過した反射光を絶縁性基板
1b側から見ることになる。In this reflective liquid crystal display device, external light incident from the opposing insulating substrate 1b side is reflected by the reflective film 5 on the substrate 1a, and reflected light passing through the liquid crystal 16 is viewed from the insulating substrate 1b side. It will be.
【0035】この反射型液晶表示装置の画素電極は均一
で光散乱性のよい反射特性を有しており、これによって
良好なコントラストを実現することができる。The pixel electrode of this reflection type liquid crystal display device has a uniform reflection characteristic with a good light scattering property, whereby a good contrast can be realized.
【0036】本実施例では、スイッチング素子としてT
FTを用いた場合について説明したが、ダイオード、バ
リスタ、MIM素子等がスイッチング素子であってもか
まわない。また、スイッチング素子を用いない単純マト
リクス方式であっても良い。In this embodiment, T is used as a switching element.
Although the case where the FT is used has been described, the diode, the varistor, the MIM element and the like may be switching elements. Alternatively, a simple matrix method that does not use a switching element may be used.
【0037】また、本実施例では基板1a側に画素電極
として、反射板構造を設けたが、画素電極を透明電極と
し、対向する絶縁性基板1b側の電極をに反射板構造と
してもよい。ただし、カラーフィルター13は基板1a
側に設ける。Further, in this embodiment, the reflector structure is provided as the pixel electrode on the substrate 1a side, but the pixel electrode may be a transparent electrode and the opposing electrode on the insulating substrate 1b side may be the reflector structure. However, the color filter 13 is the substrate 1a
Provide on the side.
【0038】この場合には、基板1a側から入射した外
部光を対向する絶縁性基板1b上の反射膜で反射し、液
晶層16を通過した反射光を基板1a側から見ることに
なる。In this case, the external light incident from the substrate 1a side is reflected by the reflecting film on the opposing insulating substrate 1b, and the reflected light passing through the liquid crystal layer 16 is viewed from the substrate 1a side.
【0039】尚、表示モードとしては、本実施例で用い
た相転移型ゲスト.ホストモードの他に、2層式ゲス
ト.ホストモードのような光吸収モード、高分子分散型
LCDのような光散乱型表示モード等の表示モードを採
用することもできる。The display mode is the phase transition type guest used in this embodiment. In addition to host mode, two-tier guest. A display mode such as a light absorption mode such as a host mode and a light scattering display mode such as a polymer dispersed LCD can also be adopted.
【0040】[0040]
【発明の効果】本発明によれば、均一で光散乱性のよい
反射特性を有する反射板が得られるので、液晶表示装置
のコントラストを向上させることができる。According to the present invention, since a reflector having uniform and good light-scattering reflection characteristics can be obtained, the contrast of a liquid crystal display device can be improved.
【0041】又、第1膜に感光性樹脂を用いたり、ま
た、アクティブマトリクス方式の反射型液晶表示装置の
場合、第1膜または、第2膜を保護膜とすることで、プ
ロセスが簡略化し、コストの低減や歩留まりの向上を図
ることができる。Further, a photosensitive resin is used for the first film, and in the case of an active matrix type reflection type liquid crystal display device, the process is simplified by using the first film or the second film as a protective film. Therefore, it is possible to reduce the cost and improve the yield.
【図1】本発明の一実施例の反射型液晶表示装置におけ
る反射板の製造プロセスを説明するための図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a manufacturing process of a reflector in a reflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図2】他の反射板の製造プロセスを説明するための図
である。FIG. 2 is a diagram for explaining a manufacturing process of another reflection plate.
【図3】本発明の一実施例を示すアクティブマトリクス
方式の反射型液晶表示装置の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of an active matrix reflective liquid crystal display device showing an embodiment of the present invention.
【図4】図3に示されるアクティブマトリクス基板の平
面図である。FIG. 4 is a plan view of the active matrix substrate shown in FIG.
【図5】従来の反射型液晶表示装置に用いられるアクテ
ィブマトリクス基板の平面図である。FIG. 5 is a plan view of an active matrix substrate used in a conventional reflective liquid crystal display device.
【図6】同図のY−Y’線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along the line Y-Y ′ of FIG.
【図7】従来の反射板の製造プロセスを説明するための
図である。FIG. 7 is a diagram for explaining a conventional manufacturing process of a reflector.
1,1a 基板 1b 絶縁性基板 2 第1膜 4 第2膜 5 反射膜 14 透明電極 16 液晶層 1, 1a Substrate 1b Insulating substrate 2 First film 4 Second film 5 Reflective film 14 Transparent electrode 16 Liquid crystal layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 久和 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 三ッ井 精一 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 木村 直史 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Hisawa Nakamura 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Within Sharp Co., Ltd. (72) Seiichi Mitsui 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka No. 22 Inside Sharp Corporation (72) Inventor Naofumi Kimura 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Prefecture Inside Sharp Corporation
Claims (7)
反射型液晶表示装置において、 透明電極が形成された絶縁性基板と、 凹凸を有する第1膜と該第1膜に液体を塗布、硬化する
ことによって形成された第2膜よりなる曲面部を含む多
数の微細な凹凸を有する基板上に反射膜からなる電極を
形成した反射板と、 該絶縁性基板と該反射板との間に封入された液晶層と、 を備えてなることを特徴とする反射型液晶表示装置。1. A reflective liquid crystal display device for displaying by reflecting incident light, an insulating substrate on which a transparent electrode is formed, a first film having irregularities, and a liquid applied and cured on the first film. A reflective plate in which electrodes made of a reflective film are formed on a substrate having a large number of fine irregularities including a curved surface portion made of a second film, and enclosed between the insulating substrate and the reflective plate. A reflective liquid crystal display device, comprising:
反射型液晶表示装置において、 透明電極が形成された絶縁性基板と、 凹凸を有する第1膜と該第1膜に液体を塗布、硬化する
ことによって形成された第2膜よりなる曲面部を含む多
数の微細な凹凸を有する基板上に、反射膜からなる画素
電極を形成したアクティブマトリクス基板と、 該絶縁性基板と該アクティブマトリクス基板との間に封
入された液晶層と、を備えてなることを特徴とする反射
型液晶表示装置。2. A reflective liquid crystal display device for displaying by reflecting incident light, an insulating substrate on which a transparent electrode is formed, a first film having irregularities, and a liquid applied and cured on the first film. An active matrix substrate in which a pixel electrode made of a reflective film is formed on a substrate having a large number of fine irregularities including a curved surface portion made of the second film, and the insulating substrate and the active matrix substrate. And a liquid crystal layer enclosed between the reflective liquid crystal display device and the liquid crystal layer.
特徴とする請求項1または請求項2記載の反射型液晶表
示装置。3. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first film is made of a photosensitive resin.
上のスイッチング素子の保護膜であることを特徴とする
請求項2記載の反射型液晶表示装置。4. The reflective liquid crystal display device according to claim 2, wherein the first film is a protective film for a switching element on an active matrix substrate.
上のスイッチング素子の保護膜であることを特徴とする
請求項2記載の反射型液晶表示装置。5. The reflective liquid crystal display device according to claim 2, wherein the second film is a protective film for a switching element on an active matrix substrate.
反射膜からなる電極を形成した反射板を有する反射型液
晶表示装置の製造方法であって、 該反射板を構成する基板の一方面に第1膜を形成し、所
定の形状に加工して多数の微細な凹凸を形成する工程
と、 該凹凸が形成された基板上に液体を塗布し、硬化させる
ことによって第2膜を形成する工程と、 該第2膜上に反射膜からなる電極を形成する工程と、 を包含する反射型液晶表示装置の製造方法。6. A method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device, comprising: a reflective plate having an electrode made of a reflective film formed on a substrate having a large number of fine irregularities formed thereon; A step of forming a first film on one side and processing it into a predetermined shape to form a large number of fine irregularities; and forming a second film by applying a liquid on the substrate on which the irregularities are formed and curing it. And a step of forming an electrode made of a reflective film on the second film, the manufacturing method of the reflective liquid crystal display device.
反射膜からなる画素電極を形成したアクティブマトリク
ス基板を有する反射型液晶表示装置の製造方法であっ
て、 該アクティブマトリクス基板を構成する基板の一方面に
第1膜を形成し、所定の形状に加工して多数の微細な凹
凸を形成する工程と、 該凹凸が形成されたアクティブマトリクス基板上に液体
を塗布し、硬化させることによって第2膜を形成する工
程と、 該第2膜上に反射膜からなる画素電極を形成する工程
と、 を包含する反射型液晶表示装置の製造方法。7. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device, comprising: an active matrix substrate in which pixel electrodes made of a reflective film are formed on a substrate on which a large number of fine irregularities are formed; A step of forming a first film on one surface of the substrate and processing it into a predetermined shape to form a large number of fine irregularities; and applying and curing a liquid on the active matrix substrate on which the irregularities are formed. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device, comprising: a step of forming a second film; and a step of forming a pixel electrode made of a reflective film on the second film.
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