JPH06175126A - Reflection type liquid crystal display device and its production - Google Patents

Reflection type liquid crystal display device and its production

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Publication number
JPH06175126A
JPH06175126A JP4331810A JP33181092A JPH06175126A JP H06175126 A JPH06175126 A JP H06175126A JP 4331810 A JP4331810 A JP 4331810A JP 33181092 A JP33181092 A JP 33181092A JP H06175126 A JPH06175126 A JP H06175126A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
reflective
film
substrate
display device
Prior art date
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Pending
Application number
JP4331810A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisakazu Nakamura
久和 中村
Seiichi Mitsui
精一 三ツ井
Tadashi Kimura
直史 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP4331810A priority Critical patent/JPH06175126A/en
Publication of JPH06175126A publication Critical patent/JPH06175126A/en
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Abstract

PURPOSE:To make bright display by obtaining scattered light having directivity. CONSTITUTION:An org. insulating film 42 is formed to cover gate bus wirings, source bus wirings and TFTs 40 formed on one substrate 31 of the reflection type liquid crystal display device 30. Projecting parts 42a which are convergent and are formed to a spherical shape at the fronts are formed in the regions of this org. insulating film 42 where reflection electrodes 38 are formed. These projecting parts 42a are so patterned that the average angle; thetaAV of inclination is within a 4 to 15 deg. range. The scattered light having the directivity is obtd. by deciding the average angle thetaAV of inclination is within the 4 to 15 deg. range and, therefore, the extremely bright display is realized.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、入射光を反射すること
によって表示を行う反射型液晶表示装置およびその製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device for displaying by reflecting incident light and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
型パーソナルコンピュータ、ポケットテレビなどへの液
晶表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表
示装置のなかでも外部から入射した光を反射させて表示
を行う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要であ
るため消費電力が低く、薄型、軽量化が可能であるので
注目されている。
2. Description of the Related Art In recent years, application of liquid crystal display devices to word processors, laptop personal computers, pocket televisions, etc. has been rapidly progressing. Among the liquid crystal display devices, a reflective liquid crystal display device that reflects light incident from the outside to perform display is particularly noteworthy because it does not require a backlight and thus consumes less power and can be thin and lightweight. ing.

【0003】従来から、反射型液晶表示装置にはTN
(ツイステッドネマティック)方式ならびにSTN(ス
ーパーツイステッドネマティック)方式が用いられてい
るが、これらの方式では直線偏光子によって必然的に自
然光の光強度の1/2が表示に利用されないことにな
り、表示が暗くなるという問題がある。
Conventionally, a TN has been used for a reflective liquid crystal display device.
The (twisted nematic) method and the STN (super twisted nematic) method are used, but in these methods, 1/2 of the light intensity of natural light is not necessarily used for display due to the linear polarizer, and the display is There is a problem that it gets dark.

【0004】このような問題点に対して、偏光板を用い
ず自然光を有効に利用しようとする表示モードが提案さ
れている。このようなモードの例として、相転移型ゲス
ト・ホスト方式が挙げられる(D.L.White and G.N.Tayl
or:J.Appl.Phys.45 4718 1974)。この表示モードで
は、電界によるコレステリック・ネマティック相転移現
象が利用されている。この相転移型ゲスト・ホスト方式
に、さらにマイクロカラーフィルタを組合わせた反射型
マルチカラーディスプレイも提案されている(Tohru Ko
izumi and Tatsuo Uchida,Proceedins of the SID,Vol.
29,157,1988)。
To solve such a problem, a display mode has been proposed in which natural light is effectively used without using a polarizing plate. An example of such a mode is the phase transition type guest-host method (DLWhite and GNTayl
or: J.Appl.Phys.45 4718 1974). In this display mode, the cholesteric / nematic phase transition phenomenon due to the electric field is used. A reflective multicolor display in which a micro color filter is further combined with this phase transition type guest-host system has been proposed (Tohru Ko
izumi and Tatsuo Uchida, Proceedins of the SID, Vol.
29,157,1988).

【0005】このような偏光板を必要としない表示モー
ドでさらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度か
らの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光
の強度を増加させる必要がある。そのためには、反射板
の表面状態を制御して、最適な反射特性を有する反射板
を作製することが必要となる。上述の文献には、ガラス
などから成る基板の表面を研磨剤で粗面化し、フッ化水
素酸でエッチングする時間を変えることによって表面の
凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄膜を形成した反射板
について記載されている。また、反射機能を有する部分
に凹凸を設けて、良好な反射特性を得るための反射板が
特願昭3−230608号公報で提案されている。
In order to obtain a brighter display in a display mode that does not require such a polarizing plate, it is necessary to increase the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles. is there. For that purpose, it is necessary to control the surface state of the reflection plate to produce a reflection plate having optimum reflection characteristics. In the above-mentioned document, the surface of the substrate made of glass or the like is roughened with an abrasive, and the unevenness of the surface is controlled by changing the etching time with hydrofluoric acid, and a silver thin film is formed on the unevenness. A reflector is described. Further, Japanese Patent Application No. 3-230608 proposes a reflection plate for providing good reflection characteristics by providing irregularities on a portion having a reflection function.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】前述したような従来の
作製方法による凹凸の形状は、最適な凹凸形状とはいえ
ず、良好な反射特性を持つ反射板を得るに至らない。ま
た、前述の反射型マルチカラーディスプレイについての
文献(Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida,Proceedins
of the SID,Vol.29,157,1988)の凹凸形成方法では、凹
凸形状の再現性が悪く、研磨剤で粗面化したり、フッ化
水素酸でエッチングをするため、薄膜トランジスタ(以
下、「TFT」と略す)にダメージを与える危険性もあ
る。
The shape of the unevenness formed by the conventional manufacturing method as described above cannot be said to be the optimum uneven shape, and a reflector having good reflection characteristics cannot be obtained. In addition, literature on the above-mentioned reflective multi-color display (Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida, Proceedins
of the SID, Vol.29, 157, 1988), the reproducibility of the uneven shape is poor and the thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) is used because it is roughened with an abrasive or etched with hydrofluoric acid. There is also a risk of damaging (abbreviated).

【0007】本発明の目的は、上記問題点を解決し、よ
り良好な反射特性を有する反射板を備えた反射型液晶表
示装置およびその製造方法を提供することである。
An object of the present invention is to solve the above problems and provide a reflection type liquid crystal display device provided with a reflection plate having better reflection characteristics and a manufacturing method thereof.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在
して対向配置される一対の透光性基板のうち、一方基板
の液晶層側表面には、複数の絵素電極と、他方基板側か
らの入射光を反射する反射膜と、配向膜とが形成され、
他方基板の液晶層側表面には、ほぼ全面にわたって透光
性を有する共通電極と、配向膜とが形成される反射型液
晶表示装置において、前記反射膜の反射面は、滑らかな
凹凸面であり、かつ予め定める平均傾斜角度を満たすこ
とを特徴とする反射型液晶表示装置である。
According to the present invention, of a pair of translucent substrates which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, a plurality of picture element electrodes and another A reflective film that reflects incident light from the substrate side and an alignment film are formed,
On the other hand, in a reflective liquid crystal display device in which a transparent common electrode and an alignment film are formed on almost the entire surface of the substrate on the liquid crystal layer side, the reflective surface of the reflective film is a smooth uneven surface. In addition, the reflective liquid crystal display device is characterized by satisfying a predetermined average tilt angle.

【0009】また本発明は、前記平均傾斜角度が、4°
〜15°に選ばれることを特徴とする。
According to the present invention, the average tilt angle is 4 °.
It is characterized in that it is selected to be -15 °.

【0010】また本発明は、前記反射膜が、絵素電極と
して機能することを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the reflection film functions as a pixel electrode.

【0011】また本発明は、一対の透光性基板のうち、
一方基板の表面に有機絶縁膜およびその上に積層される
ホトレジスト層を形成し、パターニングを施してホトレ
ジスト層を予め定める平均傾斜角度を有する滑らかな凹
凸面に形成し、エッチング処理を施して有機絶縁膜を前
記予め定める平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形
成し、該凹凸面上に反射膜を形成し、さらに反射膜の表
面に複数の絵素電極と配向膜とを形成し、前記一対の透
光性基板のうち、他方基板の表面にほぼ全面にわたって
透光性を有する共通電極と配向膜とを形成し、前記一対
の透光性基板を電極形成面が対向するように貼付け、透
光性基板間に液晶を注入することを特徴とする反射型液
晶表示装置の製造方法である。
The present invention also provides, among the pair of translucent substrates,
On the other hand, an organic insulating film and a photoresist layer to be laminated thereon are formed on the surface of the substrate, and patterned to form a photoresist layer on a smooth uneven surface having a predetermined average inclination angle, and then subjected to an etching treatment to form an organic insulating film. The film is formed on a smooth uneven surface having the predetermined average inclination angle, a reflective film is formed on the uneven surface, and a plurality of pixel electrodes and an alignment film are further formed on the surface of the reflective film. Among the translucent substrates, a common electrode having a translucency and an alignment film are formed on almost the entire surface of the other substrate, and the pair of translucent substrates are attached so that the electrode forming surfaces face each other, and A method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device, characterized in that liquid crystal is injected between the optical substrates.

【0012】また本発明は、一対の透光性基板のうち、
一方基板の表面に感光性樹脂を塗布し、パターニングを
施して予め定める平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面
に形成し、該凹凸面上に反射膜を形成し、さらに反射膜
の表面に複数の絵素電極と配向膜とを形成し、前記一対
の透光性基板のうち、他方基板の表面にほぼ全面にわた
って透光性を有する共通電極と配向膜とを形成し、前記
一対の透光性基板を電極形成面が対向するように貼付
け、透光性基板間に液晶を注入することを特徴とする反
射型液晶表示装置の製造方法である。
The present invention also provides, among the pair of translucent substrates,
On the other hand, the surface of the substrate is coated with a photosensitive resin and patterned to form a smooth uneven surface having a predetermined average inclination angle, a reflective film is formed on the uneven surface, and a plurality of reflective films are formed on the surface of the reflective film. A pixel electrode and an alignment film are formed, and a common electrode having a light-transmitting property and an alignment film are formed over the entire surface of the other substrate of the pair of light-transmitting substrates. A method for manufacturing a reflection type liquid crystal display device, characterized in that the substrates are attached so that the electrode formation surfaces face each other, and liquid crystal is injected between the translucent substrates.

【0013】また本発明は、前記平均傾斜角度は、4°
〜15°に選ばれることを特徴とする。
According to the present invention, the average tilt angle is 4 °.
It is characterized in that it is selected to be -15 °.

【0014】また本発明は、前記複数の絵素電極は、反
射膜としての機能を有し、凹凸面上に直接形成されるこ
とを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the plurality of picture element electrodes have a function as a reflection film and are directly formed on the uneven surface.

【0015】[0015]

【作用】本発明に従えば、反射型液晶表示装置は液晶層
を介在して対向配置される一対の透光性基板を有し、そ
の一対の透光性基板のうち、一方基板上の液晶層側表面
には、複数の絵素電極と他方基板側からの入射光を反射
する反射膜と配向膜とが形成され、前記反射膜の反射面
は、滑らかな凹凸面であって予め定める平均傾斜角度を
満たすように形成されている。また、他方基板の液晶層
側表面には、ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電
極と配向膜とが形成されている。前記反射膜の反射面
を、予め定める平均傾斜角度を満たす滑らかな凹凸面に
形成することによって、基板表面の法線方向への散乱光
強度を高めることができる。
According to the present invention, the reflective liquid crystal display device has a pair of translucent substrates which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and the liquid crystal on one of the pair of translucent substrates. On the layer side surface, a plurality of pixel electrodes and a reflection film and an alignment film for reflecting incident light from the other substrate side are formed, and the reflection surface of the reflection film is a smooth uneven surface and has a predetermined average. It is formed so as to satisfy the inclination angle. In addition, a light-transmitting common electrode and an alignment film are formed on almost the entire surface of the other substrate on the liquid crystal layer side. The intensity of scattered light in the normal direction of the substrate surface can be increased by forming the reflecting surface of the reflecting film into a smooth uneven surface that satisfies a predetermined average inclination angle.

【0016】また、前記反射膜の平均傾斜角度は好まし
くは4°〜15°であり、これによって散乱光の指向
性、すなわち基板表面の法線方向への散乱光強度を高め
ることが可能となる。
The average tilt angle of the reflecting film is preferably 4 ° to 15 °, which makes it possible to increase the directivity of scattered light, that is, the intensity of scattered light in the normal direction of the substrate surface. .

【0017】さらにまた、前記反射膜を絵素電極として
機能させることによって、視差に起因する表示のずれを
防止することができる。
Furthermore, by causing the reflective film to function as a pixel electrode, it is possible to prevent display shift due to parallax.

【0018】また本発明に従えば、一対の透光性基板の
うち一方基板の表面には有機絶縁膜とホトレジスト層と
が積層して形成され、前記ホトレジスト層を予め定める
平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成する。その
後、エッチング処理を施して有機絶縁膜を予め定める平
均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成する。当該凹
凸面上に反射膜を形成し、さらにその上に複数の絵素電
極と配向膜とを形成する。また、他方基板の表面にはほ
ぼ全面にわたって透光性を有する共通電極と配向膜とを
形成する。このような一対の透光性基板を電極形成面が
対向するように貼付け、透光性基板間に液晶を注入して
反射型液晶表示装置が製造される。
According to the invention, an organic insulating film and a photoresist layer are laminated on the surface of one of the pair of translucent substrates, and the photoresist layer is smooth with a predetermined average inclination angle. It is formed on a rough surface. Then, an etching process is performed to form an organic insulating film on a smooth uneven surface having a predetermined average inclination angle. A reflective film is formed on the uneven surface, and a plurality of picture element electrodes and an alignment film are further formed on the reflective film. On the other surface of the other substrate, a light-transmitting common electrode and an alignment film are formed over almost the entire surface. Such a pair of translucent substrates are attached so that their electrode formation surfaces face each other, and liquid crystal is injected between the translucent substrates to manufacture a reflective liquid crystal display device.

【0019】したがって、前記反射膜の反射面が予め定
める平均傾斜角度を満たす滑らかな凹凸面に形成される
ので、基板表面の法線方向への散乱光強度を高めること
ができる。
Therefore, since the reflecting surface of the reflecting film is formed as a smooth uneven surface satisfying a predetermined average inclination angle, the intensity of scattered light in the normal direction of the substrate surface can be increased.

【0020】さらに本発明に従えば、一対の透光性基板
のうちの一方基板の表面に感光性樹脂を塗布し、パター
ニングを施して予め定める平均傾斜角度を有する滑らか
な凹凸面を形成する。当該凹凸面上に反射膜を形成し、
さらにその上に複数の絵素電極と配向膜とを形成する。
また、他方基板の表面にはほぼ全面にわたって透光性を
有する共通電極と配向膜とを形成する。このような一対
の透光性基板を電極形成面が対向するように貼付け、透
光性基板間に液晶を注入して反射型液晶表示装置が製造
される。
Further, according to the present invention, a photosensitive resin is applied to the surface of one of the pair of translucent substrates and patterned to form a smooth uneven surface having a predetermined average inclination angle. A reflective film is formed on the uneven surface,
Further, a plurality of picture element electrodes and an alignment film are formed thereon.
On the other surface of the other substrate, a light-transmitting common electrode and an alignment film are formed over almost the entire surface. Such a pair of translucent substrates are attached so that their electrode formation surfaces face each other, and liquid crystal is injected between the translucent substrates to manufacture a reflective liquid crystal display device.

【0021】したがって、前記反射膜の反射面が予め定
める平均傾斜角度を満たす滑らかな凹凸面に形成される
ので、基板表面の法線方向への散乱光強度を高めること
ができる。
Therefore, since the reflecting surface of the reflecting film is formed as a smooth uneven surface satisfying a predetermined average inclination angle, the intensity of scattered light in the normal direction of the substrate surface can be increased.

【0022】また、前記滑らかな凹凸面は、平均傾斜角
度が4°〜15°となるように形成する。これによっ
て、基板の法線方向への散乱光強度をより高めることが
できる。
The smooth uneven surface is formed so that the average inclination angle is 4 ° to 15 °. Thereby, the intensity of scattered light in the normal direction of the substrate can be further increased.

【0023】さらにまた、複数の絵素電極は反射膜とし
ての機能を有し、前記凹凸表面に直接形成される。した
がって、視差に起因する表示のずれを防止することがで
きる。
Furthermore, the plurality of picture element electrodes have a function as a reflection film and are directly formed on the uneven surface. Therefore, it is possible to prevent a display shift caused by parallax.

【0024】[0024]

【実施例】図1は本発明の一実施例である反射型液晶表
示装置30の断面図であり、図2は図1に示される基板
31の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の基板
31上には、クロム、タンタルなどから成る複数のゲー
トバス配線32が互いに平行に設けられ、走査線として
機能している前記ゲートバス配線32からはゲート電極
33が分岐している。
1 is a sectional view of a reflective liquid crystal display device 30 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a substrate 31 shown in FIG. A plurality of gate bus wirings 32 made of chromium, tantalum, or the like are provided in parallel with each other on an insulating substrate 31 made of glass or the like, and a gate electrode 33 is provided from the gate bus wirings 32 functioning as scanning lines. It is branched.

【0025】ゲートバス配線およびゲート電極33を覆
って基板31上の全面にわたって、窒化シリコン(Si
X)、酸化シリコン(SiOX)などから成るゲート絶
縁膜34が形成されている。ゲート電極33の図1紙面
上方のゲート絶縁膜34上には、非晶質シリコン(以
下、「a−Si」と記す)、多結晶シリコン、CdSe
などから成る半導体層35が形成されている。半導体層
35の図1紙面左右方向両端部には、a−Siなどから
成るコンタクト電極41が形成されている。両端部のう
ちの一方のコンタクト電極41a上にはチタン、モリブ
デン、アルミニウムなどから成るソース電極36が重畳
形成され、他方のコンタクト電極41b上には、ソース
電極36と同様にチタン、モリブデン、アルミニウムな
どから成るドレイン電極37が重畳形成されている。
Silicon nitride (Si) is formed on the entire surface of the substrate 31 so as to cover the gate bus wiring and the gate electrode 33.
A gate insulating film 34 made of N X ), silicon oxide (SiO X ) or the like is formed. Amorphous silicon (hereinafter referred to as “a-Si”), polycrystalline silicon, CdSe is formed on the gate insulating film 34 above the gate electrode 33 in FIG.
A semiconductor layer 35 made of, for example, is formed. Contact electrodes 41 made of a-Si or the like are formed on both ends of the semiconductor layer 35 in the left-right direction in the plane of FIG. A source electrode 36 made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is superposed on one of the contact electrodes 41a at both ends, and titanium, molybdenum, aluminum, or the like is formed on the other contact electrode 41b similarly to the source electrode 36. A drain electrode 37 composed of is formed so as to overlap.

【0026】図2に示すようにソース電極36には、ゲ
ートバス配線32に交差し、信号線として機能するソー
スバス配線39が接続されている。ソースバス配線39
も、ソース電極36と同様の金属で形成されている。ゲ
ート電極33、ゲート絶縁膜34、半導体層35、ソー
ス電極36およびドレイン電極37は、TFT40を構
成し、該TFT40は、スイッチング素子の機能を有す
る。
As shown in FIG. 2, the source electrode 36 is connected to the source bus line 39 which intersects the gate bus line 32 and functions as a signal line. Source bus wiring 39
Is also made of the same metal as the source electrode 36. The gate electrode 33, the gate insulating film 34, the semiconductor layer 35, the source electrode 36, and the drain electrode 37 form a TFT 40, and the TFT 40 has a function of a switching element.

【0027】ゲートバス配線32、ソースバス配線39
およびTFT40を覆って、基板31上全面にわたって
有機絶縁膜42が形成されている。有機絶縁膜42上で
あって反射電極38が形成される領域には、先細状で先
端部が球面状に形成された凸部42aが形成されてお
り、ドレイン電極37部分にはコンタクトホール43が
形成されている。有機絶縁膜42の凸部42a形成領域
上にアルミニウム、銀などから成る反射電極38が形成
され、反射電極38はコンタクトホール43においてド
レイン電極37と接続され、さらにその上には配向膜4
4が形成される。
Gate bus wiring 32, source bus wiring 39
An organic insulating film 42 is formed on the entire surface of the substrate 31 so as to cover the TFT 40. In the region on the organic insulating film 42 where the reflective electrode 38 is formed, a tapered convex portion 42a having a spherical tip is formed, and a contact hole 43 is formed in the drain electrode 37 portion. Has been formed. A reflective electrode 38 made of aluminum, silver, or the like is formed on a region where the convex portion 42a of the organic insulating film 42 is formed, the reflective electrode 38 is connected to the drain electrode 37 in the contact hole 43, and the alignment film 4 is formed thereon.
4 is formed.

【0028】以上のような構成にすると、反射電極38
とゲートバス配線32およびソースバス配線39とを重
畳して形成することができるので、反射電極38とゲー
トバス配線32およびソースバス配線39との間の間隔
をなくして、反射電極38の面積を大きくすることがで
きる。反射電極38の面積が大きくなると、表示画面の
開口率が大きくなり、明るい表示が可能となる。このと
き、反射電極38とゲートバス配線32およびソースバ
ス配線39とが重畳する部分で絶縁不良が問題となる場
合には、重畳する部分には凸部42aを形成しないこと
によって問題は解消される。
With the above structure, the reflective electrode 38
Since the gate bus line 32 and the source bus line 39 can be overlapped with each other, the space between the reflective electrode 38 and the gate bus line 32 and the source bus line 39 can be eliminated to reduce the area of the reflective electrode 38. Can be large. When the area of the reflective electrode 38 is large, the aperture ratio of the display screen is large, and bright display is possible. At this time, if insulation failure becomes a problem in the portion where the reflective electrode 38 and the gate bus wiring 32 and the source bus wiring 39 overlap, the problem is solved by not forming the convex portion 42a in the overlapping portion. .

【0029】基板45上には、補色カラーフィルタ46
が形成される。カラーフィルタ46は、反射電極38に
対向する位置にマゼンタまたはグリーンのフィルタ46
aが形成され、反射電極38に対向しない位置にブラッ
クの遮光層46bが形成されて成る。カラーフィルタ4
6上の全面にはITO(インジウム錫酸化物)膜が10
00Åの厚さに成膜されて透明共通電極47が形成さ
れ、ポリイミドを塗布後、焼成することによって配向膜
48が形成される。
A complementary color filter 46 is provided on the substrate 45.
Is formed. The color filter 46 has a magenta or green filter 46 at a position facing the reflective electrode 38.
a is formed, and a black light shielding layer 46b is formed at a position not facing the reflective electrode 38. Color filter 4
An ITO (indium tin oxide) film is formed on the entire surface of 6
The transparent common electrode 47 is formed to a thickness of 00Å, and the alignment film 48 is formed by applying polyimide and then baking.

【0030】両基板31,45は、反射電極38とフィ
ルタ46aとが一致するように対向して貼合わされ、た
とえば7μmのスペーサを混入した図示しない接着剤シ
ール剤をスクリーン印刷することによって液晶注入空間
が形成され、真空脱気することによって液晶49が注入
されて反射型液晶表示装置30が完成する。なお、液晶
49には、黒色色素を混入したゲスト・ホスト液晶(メ
ルク社製、商品名ZL12327)に光学活性物質(メ
ルク社製、商品名S811)を4.5%混入したものを
用いた。
The substrates 31 and 45 are laminated so that the reflective electrode 38 and the filter 46a are opposed to each other, and a liquid crystal injection space is formed by screen-printing an adhesive sealant (not shown) containing a spacer of 7 μm. Are formed, and the liquid crystal 49 is injected by degassing in vacuum to complete the reflective liquid crystal display device 30. As the liquid crystal 49, a guest-host liquid crystal mixed with a black dye (Merck, trade name ZL12327) mixed with 4.5% of an optically active substance (Merck, trade name S811) was used.

【0031】図3は、反射板29を作製する一般的な作
製方法を説明する断面図である。図3(a)に示すガラ
スなどから成る厚さ1.1mmの絶縁性の基板25(コ
ーニング社、商品名7059)上に、図3(b)に示す
ように、アクリル系樹脂(日本合成ゴム、商品名JSS
−7215)を1200r.p.mで20秒間スピンコ
ートし、有機絶縁膜26を形成する。
FIG. 3 is a sectional view for explaining a general manufacturing method for manufacturing the reflection plate 29. As shown in FIG. 3B, an acrylic resin (Japan Synthetic Rubber) is provided on an insulating substrate 25 (Corning Co., Ltd., product name 7059) having a thickness of 1.1 mm and made of glass or the like shown in FIG. 3A. , Product name JSS
-7215) to 1200 r. p. The organic insulating film 26 is formed by spin coating at m for 20 seconds.

【0032】続いて、図3(c)に示すように、有機絶
縁膜26上にホトレジスト22を塗布し、図3(d)に
示すように、円形の透孔が規則的または不規則に配列し
たマスク23を用いて、光24を選択的に照射し、不要
なホトレジスト部分を除去し、図3(e)に示すように
円柱状の凸部22aを形成する。さらに、凸部22aの
先端部分の角を取るためにホットプレートやオーブンな
どで120℃〜250℃の範囲で熱処理を行い、図3
(f)に示すように、所望の平均傾斜角度(4°〜15
°)を有する滑らかな凹凸面に形成する。その後、図3
(g)に示すように、凸部22aを利用して有機絶縁膜
26をエッチングし、所望の平均傾斜角度(4°〜15
°)を有する凸部26aを形成する。また、凸部26a
形成後に凸部26aの平均傾斜角度を調節するために、
さらに有機絶縁膜26bを塗布してもよい。
Subsequently, as shown in FIG. 3C, a photoresist 22 is applied on the organic insulating film 26, and as shown in FIG. 3D, circular through holes are regularly or irregularly arranged. The mask 23 is used to selectively irradiate light 24 to remove unnecessary photoresist portions, thereby forming columnar convex portions 22a as shown in FIG. 3 (e). Further, heat treatment is performed in a range of 120 ° C. to 250 ° C. with a hot plate, an oven, or the like in order to remove the corner of the tip portion of the convex portion 22a, and
As shown in (f), the desired average tilt angle (4 ° -15
) Is formed on the smooth uneven surface. After that, FIG.
As shown in (g), the organic insulating film 26 is etched using the convex portions 22a, and a desired average inclination angle (4 ° to 15 °) is obtained.
To form a convex portion 26a having the angle .degree.). Also, the convex portion 26a
In order to adjust the average inclination angle of the protrusions 26a after formation,
Further, the organic insulating film 26b may be applied.

【0033】さらに、図3(h)に示すように、有機絶
縁膜26bを形成した後、図3(i)に示すように、ア
ルミニウムを真空蒸着して0.01〜1.0μmの厚さ
の金属薄膜を形成して反射膜27を形成する。反射膜2
7は、アルミニウムの他に、ニッケル、クロム、銀など
を用いてもよい。以上の工程によって、反射板29が形
成される。反射膜27の反射面28は、前記平均傾斜角
度を有する凹凸面に形成される。
Further, as shown in FIG. 3 (h), after forming the organic insulating film 26b, aluminum is vacuum-deposited to a thickness of 0.01 to 1.0 μm as shown in FIG. 3 (i). The metal thin film is formed to form the reflection film 27. Reflective film 2
In addition to aluminum, nickel, chromium, silver or the like may be used for 7. The reflector 29 is formed by the above steps. The reflecting surface 28 of the reflecting film 27 is formed on the uneven surface having the average inclination angle.

【0034】図4は、図1および図2に示される基板3
1の作製方法を説明する工程図であり、図5はその工程
を示す断面図である。工程s1では、ガラスなどから成
る絶縁性の基板31上にスパッタリング法によって30
00Åの厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層を
ホトリソグラフィ法およびエッチングによってパターニ
ングを行い、ゲートバス配線32およびゲート電極33
を形成する。工程s2では、プラズマCVD法によって
4000Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜
34を形成する。
FIG. 4 shows the substrate 3 shown in FIGS. 1 and 2.
FIG. 5 is a process diagram for explaining the manufacturing method of No. 1, and FIG. 5 is a sectional view showing the process. In step s1, 30 is formed on the insulating substrate 31 made of glass or the like by the sputtering method.
A tantalum metal layer having a thickness of 00 Å is formed, and the metal layer is patterned by photolithography and etching to form a gate bus wiring 32 and a gate electrode 33.
To form. In step s2, the gate insulating film 34 made of silicon nitride having a thickness of 4000 Å is formed by the plasma CVD method.

【0035】工程s3では、半導体層35となる厚さ1
000Åのa−Si層と、コンタクト層41となる厚さ
400Åのn+ 型a−Si層とをこの順で連続的に形成
する。形成されたn+ 型a−Si層およびa−Si層の
パターニングを行い、半導体35およびコンタクト層4
1を形成する。工程s4では、基板31の全面に厚さ2
000Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成
し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソ
ース電極36、ドレイン電極37およびソースバス配線
39を形成し、TFT40が完成する。図4(a)は、
工程s4までの工程終了後のTFT40が形成された基
板31の断面図である。以下、前述の図3に関連した反
射板の製造方法に従って、反射電極を形成する。
In step s3, the thickness of the semiconductor layer 35 is 1
A 000 Å a-Si layer and a 400 Å thick n + -type a-Si layer to be the contact layer 41 are continuously formed in this order. The formed n + -type a-Si layer and a-Si layer are patterned to form the semiconductor 35 and the contact layer 4.
1 is formed. In step s4, a thickness of 2 is formed on the entire surface of the substrate 31.
000 Å molybdenum metal is formed by the sputtering method, and the molybdenum metal layer is patterned to form the source electrode 36, the drain electrode 37 and the source bus wiring 39, and the TFT 40 is completed. Figure 4 (a)
It is sectional drawing of the board | substrate 31 in which TFT40 was formed after the process to process s4 is complete | finished. Hereinafter, the reflective electrode is formed according to the method for manufacturing the reflective plate described above with reference to FIG.

【0036】工程s5では、TFT40を形成した基板
31上全面にポリイミド樹脂を2μmの厚さに形成し、
有機絶縁膜42を形成する。工程s6では、ホトリソグ
ラフィ法およびドライエッチング法を用いて有機絶縁膜
42にコンタクトホール43を形成する。工程s7で
は、有機絶縁膜42上にホトレジスト50を塗布し、マ
スクを用いて反射電極38形成領域に凸部50aをパタ
ーニングする。さらに凸部50aの角を取るために12
0℃〜250℃の範囲で熱処理を行い、所望の平均傾斜
角度(4゜〜15゜)の滑らかな凹凸面を形成する。本
実施例では、200℃、30分の熱処理を行った。図4
(b)に、工程s7までの工程終了後の基板31の断面
図を示す。
In step s5, a polyimide resin having a thickness of 2 μm is formed on the entire surface of the substrate 31 on which the TFT 40 is formed.
The organic insulating film 42 is formed. In step s6, the contact hole 43 is formed in the organic insulating film 42 by using the photolithography method and the dry etching method. In step s7, a photoresist 50 is applied on the organic insulating film 42, and a convex portion 50a is patterned in the reflection electrode 38 formation region using a mask. Furthermore, in order to remove the corner of the convex portion 50a, 12
Heat treatment is performed in the range of 0 ° C to 250 ° C to form a smooth uneven surface having a desired average inclination angle (4 ° to 15 °). In this example, heat treatment was performed at 200 ° C. for 30 minutes. Figure 4
A sectional view of the substrate 31 after the steps up to step s7 is shown in (b).

【0037】工程s8では図4(c)に示されるよう
に、ホトレジスト50に応じて有機絶縁膜42をエッチ
ングして所望の平均傾斜角度(4°〜15°)を有する
凸部42aを形成する。このとき、熱処理を行い凸部5
0aの角を取って、予め定める平均傾斜角度に形成して
あるため、凸部42aもまた角が取れ、かつ前記予め定
める平均傾斜角度に形成される。また、コンタクトホー
ル43およびTFT40上の有機絶縁膜42は、ホトレ
ジスト50によって保護されており、エッチングは行わ
れない。
In step s8, as shown in FIG. 4C, the organic insulating film 42 is etched in accordance with the photoresist 50 to form a convex portion 42a having a desired average inclination angle (4 ° to 15 °). . At this time, heat treatment is applied to the convex portion 5
Since the corner of 0a is formed and formed at a predetermined average inclination angle, the convex portion 42a also has an angle and is formed at the predetermined average inclination angle. Further, the contact hole 43 and the organic insulating film 42 on the TFT 40 are protected by the photoresist 50 and are not etched.

【0038】工程s9では、有機絶縁膜42上全面にア
ルミニウム層を形成した後にパターニングを施して、図
4(d)に示されるように凸部42a上に反射電極38
を形成する。反射電極38は、有機絶縁膜42に形成さ
れたコンタクトホール43を介してTFT40のドレイ
ン電極37と接続されている。
In step s9, an aluminum layer is formed on the entire surface of the organic insulating film 42 and then patterned to form a reflection electrode 38 on the convex portion 42a as shown in FIG. 4D.
To form. The reflective electrode 38 is connected to the drain electrode 37 of the TFT 40 via a contact hole 43 formed in the organic insulating film 42.

【0039】有機絶縁膜42上の凸部42aの形状は、
マスクの形状、ホトレジスト50の厚さ、ドライエッチ
ングの時間によって制御することができることが確認さ
れている。また上述の製造工程において、有機絶縁膜4
2のドライエッチング時間を長くして、凸部42aの平
均傾斜角度を4°〜15°とした基板31を得ることが
できる。
The shape of the convex portion 42a on the organic insulating film 42 is
It has been confirmed that it can be controlled by the shape of the mask, the thickness of the photoresist 50, and the dry etching time. In the above manufacturing process, the organic insulating film 4
The substrate 31 in which the average inclination angle of the convex portions 42a is 4 ° to 15 ° can be obtained by lengthening the dry etching time of 2 in FIG.

【0040】図6は、平均傾斜角度を説明するための図
である。凸部42aの傾斜角度θAVは、凸部42aに関
して、頂点Aと頂点Aに最も近い傾斜のない点Bとを結
んだ直線Cと、他の複数の凸部における点Bを含んだ平
面Dとによって成る角度である。本実施例では、この傾
斜角度θAVを予め定める範囲の値にして指向性を有する
散乱光を得ようとするものである。
FIG. 6 is a diagram for explaining the average tilt angle. The inclination angle θ AV of the convex portion 42a is a plane D including the straight line C connecting the vertex A and the point B having no inclination closest to the vertex A with respect to the convex portion 42a and the plane D including the points B in the other plural convex portions. It is the angle formed by and. In this embodiment, the inclination angle θ AV is set to a value within a predetermined range to obtain scattered light having directivity.

【0041】図7は、反射膜13を有する基板19,2
0,21の反射特性の測定法を示す断面図である。有機
絶縁膜12上に形成された反射膜13を有する基板1
9,20,21上に紫外線硬化接着樹脂14を介してガ
ラス基板15を密着し、測定用装置10を形成する。前
述の反射型液晶表示装置30において、基板45と液晶
49との屈折率のいずれも約1.5であるので、紫外線
硬化接着樹脂14および基板15の屈折率は約1.5の
ものを用いている。基板15の上方に、光の強度を測定
するフォトマルチメータ18が配置されている。フォト
マルチメータ18は、基板15表面に対して入射角θで
入射する入射光16のうち、反射膜13によって基板1
5の法線方向に反射する散乱光17を検出するように、
基板15の法線方向に固定されている。
FIG. 7 shows substrates 19 and 2 having a reflective film 13.
It is sectional drawing which shows the measuring method of the reflection characteristic of 0,21. Substrate 1 having reflective film 13 formed on organic insulating film 12
The glass substrate 15 is adhered onto 9, 20, 21 via the ultraviolet curable adhesive resin 14 to form the measuring device 10. In the reflection type liquid crystal display device 30 described above, since the refractive indexes of the substrate 45 and the liquid crystal 49 are both about 1.5, the refractive indexes of the ultraviolet curing adhesive resin 14 and the substrate 15 are about 1.5. ing. A photomultimeter 18 for measuring the intensity of light is arranged above the substrate 15. The photomultimeter 18 uses the reflection film 13 to reflect the incident light 16 incident on the surface of the substrate 15 at the incident angle θ.
In order to detect the scattered light 17 reflected in the normal direction of 5,
It is fixed in the direction normal to the substrate 15.

【0042】測定用装置10に入射される入射光16の
入射角θを変化させて反射膜13による散乱光17を測
定することによって、反射膜13の反射特性が得られ
る。この測定結果は、反射型液晶表示装置30内の反射
電極38と液晶49層などとの境界における反射特性と
同様の結果が得られることが確認されている。
The reflection characteristic of the reflective film 13 is obtained by changing the incident angle θ of the incident light 16 incident on the measuring device 10 and measuring the scattered light 17 by the reflective film 13. It has been confirmed that this measurement result is similar to the reflection characteristic at the boundary between the reflective electrode 38 and the liquid crystal 49 layer in the reflective liquid crystal display device 30.

【0043】図8、図9および図10は、前述の反射膜
13を有する基板19,20,21の反射特性をそれぞ
れ示すグラフであり、凹凸面の平均傾斜角度θAVをそれ
ぞれ8°,3°,18°とした測定結果である。基板1
9の反射特性は図8の曲線1で示され、基板20の反射
特性は図9の曲線2で示され、基板21の反射特性は図
10の曲線3で示される。
FIGS. 8, 9 and 10 are graphs showing the reflection characteristics of the substrates 19, 20, and 21 having the above-mentioned reflection film 13, respectively, and the average inclination angle θ AV of the uneven surface is 8 ° and 3 respectively. The results are measured at 18 °. Board 1
The reflection characteristic of 9 is shown by curve 1 in FIG. 8, the reflection characteristic of the substrate 20 is shown by curve 2 in FIG. 9, and the reflection characteristic of the substrate 21 is shown by curve 3 in FIG.

【0044】図8〜図10において、入射角θにて入射
する光の反射強度は、θ=0°の直線に対する角度θの
方向に原点0からの距離として表されている。また、図
8〜図10において、破線で示す曲線4は標準白色板
(酸化マグネシウム)について測定した反射特性を示し
たものである。
In FIGS. 8 to 10, the reflection intensity of the light incident at the incident angle θ is represented as the distance from the origin 0 in the direction of the angle θ with respect to the straight line of θ = 0 °. Further, in FIGS. 8 to 10, a curved line 4 indicated by a broken line shows the reflection characteristic measured on the standard white plate (magnesium oxide).

【0045】図8の曲線1によると、視野角として評価
している±30°での反射率は、標準白色板の反射率の
120%が得られた。また、±40°以上での反射率は
数%〜数十%に抑えられ、指向性をもった良好な反射特
性となっている。
According to the curve 1 in FIG. 8, the reflectance at ± 30 ° evaluated as the viewing angle was 120% of the reflectance of the standard white plate. Further, the reflectance at ± 40 ° or more is suppressed to several percent to several tens of percent, which is a good reflection characteristic with directivity.

【0046】次に図9の曲線2では、指向性が強すぎて
鏡面反射のようになっている。このような凹凸形状であ
ると、散乱による白色光が得られず、本実施例で用いた
反射膜13のアルミニウムの金属色が出てしまい、明る
く鮮明な白色表示が実現できない。さらに図10の曲線
3では、散乱の度合が大きすぎて反射膜13で大きく散
乱された反射光は、液晶層およびガラス基板を通過して
視野角以外の方向に多くの光が出射し、視野角内に反射
光が集まらない状態となる。このため、明るい表示が行
えず、鮮明な白表示も行えない。
Next, in the curve 2 in FIG. 9, the directivity is too strong, and the surface becomes a specular reflection. With such a concavo-convex shape, white light due to scattering cannot be obtained, and the metallic color of aluminum of the reflection film 13 used in this example appears, so that bright and clear white display cannot be realized. Further, in the curve 3 in FIG. 10, the reflected light, which is scattered by the reflection film 13 because the degree of scattering is too large, passes through the liquid crystal layer and the glass substrate, and a large amount of light is emitted in a direction other than the viewing angle. The reflected light does not collect in the corner. Therefore, bright display cannot be performed and clear white display cannot be performed.

【0047】図11は、凹凸面の平均傾斜角度θAVと±
30°での反射板の反射光強度との関係を示すグラフで
ある。斜線を付した範囲の平均傾斜角度θAV(=4°〜
15°)である場合の反射率は、標準白色板に対して8
0%以上となり、非常に明るいことが確認された。感光
性樹脂の種類や膜厚および熱処理温度を適当に選択する
ことによって、凹凸面の平均傾斜角度θAVを4°〜15
°の最適な角度にすることが可能である。
FIG. 11 shows the average inclination angle θ AV of the uneven surface and ±
It is a graph which shows the relationship with the reflected light intensity of a reflecting plate in 30 degrees. Average tilt angle θ AV (= 4 ° ~
15 °) has a reflectance of 8 with respect to a standard white plate.
It was 0% or more, and it was confirmed that it was extremely bright. By appropriately selecting the type and film thickness of the photosensitive resin and the heat treatment temperature, the average inclination angle θ AV of the uneven surface is 4 ° to 15 °.
It is possible to have an optimal angle of °.

【0048】本実施例の反射型液晶表示装置では、反射
型アクティブマトリクス基板31の反射電極38を形成
した面が、液晶層側に配設されているので視差がなくな
り、良好な表示画面が得られる。また、本実施例では反
射型アクティブマトリクス基板31の反射電極38が液
晶層側、すなわち液晶層にほぼ隣接する位置に配設され
ている構成となるので、凸部42aの高さは液晶層厚よ
りも小さく選ばれ、本発明で示した4°〜15°の平均
傾斜角度は液晶分子の配向を乱さない程度に緩やかな角
度である。
In the reflective liquid crystal display device of this embodiment, since the surface of the reflective active matrix substrate 31 on which the reflective electrodes 38 are formed is disposed on the liquid crystal layer side, parallax is eliminated and a good display screen is obtained. To be Further, in this embodiment, since the reflective electrode 38 of the reflective active matrix substrate 31 is arranged on the liquid crystal layer side, that is, at a position substantially adjacent to the liquid crystal layer, the height of the convex portion 42a is the liquid crystal layer thickness. The average tilt angle of 4 ° to 15 °, which is selected smaller than the above, is a moderate angle that does not disturb the alignment of the liquid crystal molecules.

【0049】さらに、本実施例では有機絶縁膜42のパ
ターニングをドライエッチング法によって行ったが、有
機絶縁膜42がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶液
によるウエットエッチング法によって行ってもよい。ま
た、有機絶縁膜42としてポリイミド樹脂を用いたが、
アクリル樹脂などの他の有機材料を用いることもでき
る。さらに基板31としては、本実施例ではガラス基板
を用いたがシリコン基板のような不透明基板でも同様な
効果が発揮され、この場合には回路を基板上に集積でき
るメリットがある。
Further, although the patterning of the organic insulating film 42 is performed by the dry etching method in this embodiment, when the organic insulating film 42 is a polyimide resin, it may be patterned by the wet etching method using an alkaline solution. Further, the polyimide resin is used as the organic insulating film 42,
Other organic materials such as acrylic resin can also be used. Further, although the glass substrate is used as the substrate 31 in the present embodiment, an opaque substrate such as a silicon substrate exhibits the same effect, and in this case, there is an advantage that the circuit can be integrated on the substrate.

【0050】なお、前記実施例では表示モードとして相
転移型ゲスト・ホストモードを取り上げたが、これに限
定することなくたとえば、2層式ゲスト・ホストのよう
な他の光吸収モード、高分子分散型LCDのような光散
乱型表示モード、強誘電性LCDで使用される複屈折表
示モードなど、本発明にかかわる反射型アクティブマト
リクス基板およびそのパネル構成への適用が可能であ
る。スイッチング素子としてTFTを用いた場合につい
て説明したが、たとえば、MIM(Metal−Insulator−
Metal)素子、ダイオード、バリスタなどを用いたアク
ティブマトリクス基板にも適用することができる。
Although the phase transition type guest-host mode is taken as the display mode in the above-mentioned embodiments, the present invention is not limited to this, and other light absorption modes such as a two-layer guest-host mode and polymer dispersion may be used. The present invention can be applied to a reflective active matrix substrate according to the present invention and a panel structure thereof, such as a light-scattering display mode such as a type LCD and a birefringence display mode used in a ferroelectric LCD. Although the case where the TFT is used as the switching element has been described, for example, MIM (Metal-Insulator-
It can also be applied to an active matrix substrate using a metal) element, a diode, a varistor, or the like.

【0051】図12は、本発明の他の実施例を説明する
工程図である。図12(a)に示すガラスなどから成る
厚さ1.1mmの基板71(コーニング社、商品名70
59)表面に、図12(b)に示すように感光性樹脂
(東京応化、商品名OFPR−800)を1500r.
p.mで20秒間スピンコートし、1.7μmの膜72
を形成する。図12(c)に示すように円形の透孔が規
則的または不規則に配列したマスク73を用いて光74
を選択的に照射し、不要部分を除去して図12(d)に
示すように凸部72aを形成する。
FIG. 12 is a process chart for explaining another embodiment of the present invention. A substrate 71 made of glass or the like and having a thickness of 1.1 mm shown in FIG.
59) On the surface, as shown in FIG. 12B, a photosensitive resin (Tokyo Ohka, trade name OFPR-800) was applied for 1500 r.p.
p. of 20 μm for 20 seconds and 1.7 μm film 72
To form. As shown in FIG. 12C, light 74 is emitted by using a mask 73 in which circular through holes are regularly or irregularly arranged.
Are selectively irradiated to remove unnecessary portions to form convex portions 72a as shown in FIG.

【0052】さらに凸部72aの角を取るために凸部7
2aをホットプレートやオーブンなどで120℃〜25
0℃の範囲で熱処理を行い、図12(e)に示すよう
に、所望の角度(4°〜15°)を有する滑らかな凸部
72aを形成する。さらに図12(f)に示すように、
有機絶縁膜75を形成した後、図12(g)に示すよう
にアルミニウムを真空蒸着して0.01〜1.0μmの
厚さの金属薄膜76を形成する。金属薄膜76は第1の
実施例と同様に、ニッケル、クロム、銀などを用いても
よい。以上の工程によって、反射板が形成される。この
反射板も凸部72aの平均傾斜角度θAVを4°〜15°
に調整することによって第1の実施例と同様の効果を得
ることができる。
Further, in order to remove the corners of the convex portion 72a, the convex portion 7
2a on a hot plate or oven at 120 ° C-25
Heat treatment is performed in the range of 0 ° C. to form a smooth convex portion 72a having a desired angle (4 ° to 15 °) as shown in FIG. Further, as shown in FIG.
After forming the organic insulating film 75, aluminum is vacuum-deposited to form a metal thin film 76 having a thickness of 0.01 to 1.0 μm as shown in FIG. As the metal thin film 76, nickel, chromium, silver, or the like may be used as in the first embodiment. The reflector is formed by the above steps. This reflector also has an average inclination angle θ AV of the convex portion 72a of 4 ° to 15 °.
The effect similar to that of the first embodiment can be obtained by adjusting to.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、反射型液
晶表示装置を構成する一対の透光性基板の一方基板の液
晶層側表面には凹凸面を有する反射膜がその平均傾斜角
度が4°〜15°に選ばれるように形成される。したが
って、表示面の法線方向への指向性をもった散乱光が得
られ、非常に明るい白表示が可能となり、また、カラー
フィルタを配置することによって鮮明なカラー表示も可
能となる。
As described above, according to the present invention, a reflective film having a concave-convex surface is formed on the liquid crystal layer side surface of one of a pair of translucent substrates constituting a reflective liquid crystal display device, and the average inclination angle thereof is formed. Are formed to be selected from 4 ° to 15 °. Therefore, scattered light having directivity in the direction normal to the display surface can be obtained, and extremely bright white display can be performed, and clear color display can be performed by disposing the color filter.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の反射型液晶表示装置30の
断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a reflective liquid crystal display device 30 according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示される基板31の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a substrate 31 shown in FIG.

【図3】反射板29を形成する一般的な工程を示す断面
図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a general process for forming a reflection plate 29.

【図4】図1および図2に示される基板31の作製方法
を説明する工程図である。
4A to 4C are process diagrams illustrating a method of manufacturing the substrate 31 shown in FIGS.

【図5】図1および図2に示される基板31の作製方法
を示す工程の断面図である。
5A to 5D are cross-sectional views of steps showing a method for manufacturing the substrate 31 shown in FIGS.

【図6】平均傾斜角度を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an average tilt angle.

【図7】反射板の反射特性の測定法を示す断面図であ
る。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a method for measuring the reflection characteristic of a reflection plate.

【図8】平均傾斜角度θAV=8゜の反射膜13を有する
基板19の反射特性を示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing reflection characteristics of a substrate 19 having a reflection film 13 with an average inclination angle θ AV = 8 °.

【図9】平均傾斜角度θAV=3゜の反射膜13を有する
基板20の反射特性を示すグラフである。
FIG. 9 is a graph showing the reflection characteristics of the substrate 20 having the reflection film 13 with the average inclination angle θ AV = 3 °.

【図10】平均傾斜角度θAV=18゜の反射膜13を有
する基板21の反射特性を示すグラフである。
FIG. 10 is a graph showing the reflection characteristics of the substrate 21 having the reflection film 13 having an average inclination angle θ AV = 18 °.

【図11】平均傾斜角度θAVと±30°での反射光強度
との関係を示したグラフである。
FIG. 11 is a graph showing the relationship between the average tilt angle θ AV and the reflected light intensity at ± 30 °.

【図12】本発明の他の実施例を説明する断面図であ
る。
FIG. 12 is a sectional view illustrating another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,15,19,20,21,31,45,52,7
1 基板 12,26,26a,42,42a,72,72a 有
機絶縁膜 13,38,78 反射電極 27,76 金属薄膜 29 反射板 30 反射型液晶表示装置 49 液晶層 θAV 平均傾斜角度 θ 法線方向に対する角度
11, 15, 19, 20, 21, 31, 45, 52, 7
1 Substrate 12, 26, 26a, 42, 42a, 72, 72a Organic Insulating Film 13, 38, 78 Reflective Electrode 27, 76 Metal Thin Film 29 Reflector 30 Reflective Liquid Crystal Display Device 49 Liquid Crystal Layer θ AV Average Inclination Angle θ Normal Angle to direction

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶層を介在して対向配置される一対の
透光性基板のうち、一方基板の液晶層側表面には、複数
の絵素電極と、他方基板側からの入射光を反射する反射
膜と、配向膜とが形成され、他方基板の液晶層側表面に
は、ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電極と、配
向膜とが形成される反射型液晶表示装置において、 前記反射膜の反射面は、滑らかな凹凸面であり、かつ予
め定める平均傾斜角度を満たすことを特徴とする反射型
液晶表示装置。
1. A pair of translucent substrates which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, wherein a liquid crystal layer side surface of one substrate reflects a plurality of pixel electrodes and incident light from the other substrate side. A reflective liquid crystal display device in which a reflective film and an alignment film are formed, and a common electrode having a light-transmitting property and an alignment film are formed on almost the entire surface of the other substrate on the liquid crystal layer side. The reflective liquid crystal display device, wherein the reflective surface of the film is a smooth uneven surface and satisfies a predetermined average tilt angle.
【請求項2】 前記平均傾斜角度が、4°〜15°に選
ばれることを特徴とする請求項1記載の反射型液晶表示
装置。
2. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the average tilt angle is selected from 4 ° to 15 °.
【請求項3】 前記反射膜が、絵素電極として機能する
ことを特徴とする請求項1記載の反射型液晶表示装置。
3. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reflective film functions as a pixel electrode.
【請求項4】 一対の透光性基板のうち、一方基板の表
面に有機絶縁膜およびその上に積層されるホトレジスト
層を形成し、パターニングを施してホトレジスト層を予
め定める平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成
し、エッチング処理を施して有機絶縁膜を前記予め定め
る平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成し、該凹
凸面上に反射膜を形成し、さらに反射膜の表面に複数の
絵素電極と配向膜とを形成し、 前記一対の透光性基板のうち、他方基板の表面にほぼ全
面にわたって透光性を有する共通電極と配向膜とを形成
し、 前記一対の透光性基板を電極形成面が対向するように貼
付け、 透光性基板間に液晶を注入することを特徴とする反射型
液晶表示装置の製造方法。
4. An organic insulating film and a photoresist layer to be laminated thereon are formed on the surface of one of the pair of translucent substrates, and patterned to form a smooth photoresist layer having a predetermined average inclination angle. Formed on a rough surface and subjected to etching to form an organic insulating film on the smooth uneven surface having the predetermined average inclination angle, a reflective film is formed on the uneven surface, and a plurality of films are formed on the surface of the reflective film. Forming a pixel electrode and an alignment film, and forming a transparent common electrode and an alignment film over substantially the entire surface of the other substrate of the pair of light-transmitting substrates. A method for manufacturing a reflection type liquid crystal display device, which comprises sticking a transparent substrate so that electrode forming surfaces face each other, and injecting liquid crystal between the translucent substrates.
【請求項5】 一対の透光性基板のうち、一方基板の表
面に感光性樹脂を塗布し、パターニングを施して予め定
める平均傾斜角度を有する滑らかな凹凸面に形成し、該
凹凸面上に反射膜を形成し、さらに反射膜の表面に複数
の絵素電極と配向膜とを形成し、 前記一対の透光性基板のうち、他方基板の表面にほぼ全
面にわたって透光性を有する共通電極と配向膜とを形成
し、 前記一対の透光性基板を電極形成面が対向するように貼
付け、 透光性基板間に液晶を注入することを特徴とする反射型
液晶表示装置の製造方法。
5. A photosensitive resin is applied to the surface of one of the pair of translucent substrates, and patterning is performed to form a smooth uneven surface having a predetermined average inclination angle. A reflective film is formed, a plurality of picture element electrodes and an alignment film are further formed on the surface of the reflective film, and a common electrode having a translucent property over substantially the entire surface of the other substrate of the pair of translucent substrates. And an alignment film are formed, the pair of translucent substrates are attached so that the electrode formation surfaces face each other, and liquid crystal is injected between the translucent substrates.
【請求項6】 前記平均傾斜角度は、4°〜15°に選
ばれることを特徴とする請求項4または5記載の反射型
液晶表示装置の製造方法。
6. The method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to claim 4, wherein the average tilt angle is selected to be 4 ° to 15 °.
【請求項7】 前記複数の絵素電極は、反射膜としての
機能を有し、凹凸面上に直接形成されることを特徴とす
る請求項4または5記載の反射型液晶表示装置の製造方
法。
7. The method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to claim 4, wherein the plurality of pixel electrodes have a function as a reflective film and are directly formed on the uneven surface. .
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