JP2000029030A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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Publication number
JP2000029030A
JP2000029030A JP10196328A JP19632898A JP2000029030A JP 2000029030 A JP2000029030 A JP 2000029030A JP 10196328 A JP10196328 A JP 10196328A JP 19632898 A JP19632898 A JP 19632898A JP 2000029030 A JP2000029030 A JP 2000029030A
Authority
JP
Japan
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liquid crystal
substrate
rubbing
crystal display
display device
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP10196328A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shiyougo Fujioka
正悟 藤岡
Masumi Kubo
真澄 久保
Yozo Narutaki
陽三 鳴瀧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain excellent display quality without making rubbing lines conspicuous by subjecting only a first perpendicular alignment film to rubbing treatment and making a step formed on the first substrate by the rubbing treatment smaller than that on the second substrate. SOLUTION: In this device, an active matrix substrate 20 is provided on its surface of the liquid crystal side with a reflective electrode region 20R and a transmissive electrode region 20T different in height and a perpendicular alignment layer is formed on each surface of the liquid crystal layer sides of the substrate 20 and another substrate 60, to perform rubbing treatment on these layers in an R1 direction different from a conventional R2 direction. When the rubbing treatment is performed in the R2 direction, many rubbing lines are caused to obtain only low display quality. On the other hand, when the rubbing treatment is performed in the R1 direction, fewer rubbing lines are caused, to attain a well-aligned state and to obtain excellent display quality. Also, by performing the rubbing treatment in the R1 direction parallel to the longitudinal direction of the shape of a transmission section, the variation in pretilt angle due to the difference in level can be controlled to the minimum.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、屋外のような明るい場所や、外光の少ない屋
内や暗がりでも優れた視認性を有する透過反射両用型の
液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a transflective liquid crystal display device having excellent visibility even in a bright place such as outdoors, indoors where little external light is present, or in darkness.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置は、薄型で低消費電力であ
るという特徴を生かして、ワードプロセッサやパーソナ
ルコンピューターなどのOA機器や、電子手帳等の携帯
情報機器、あるいは、液晶モニターを備えたカメラ一体
型VTR等に広く用いられている。これら液晶表示装置
の多くには、誘電異方性が正の液晶材料を基板に対し水
平に配向させ、かつ上下の基板間で液晶分子が90度に
ねじれた配向状態をとるTN(ツイステッドネマティッ
ク)モードが用いられている。また、TNモードに比べ
て高いコントラストが実現できるため、誘電率異方性が
負の液晶材料を基板に対して垂直に配向させたDAP
(ディフォーメーションアラインドフェイズ)モードの
開発が盛んに行われている。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device is characterized by its thinness and low power consumption, and is characterized by OA equipment such as a word processor and a personal computer, portable information equipment such as an electronic organizer, and a camera having a liquid crystal monitor. Widely used for body VTRs and the like. In many of these liquid crystal display devices, a TN (twisted nematic) is used in which a liquid crystal material having a positive dielectric anisotropy is horizontally aligned with respect to a substrate, and liquid crystal molecules are twisted by 90 degrees between upper and lower substrates. Mode is used. Further, since a higher contrast can be realized as compared with the TN mode, a DAP in which a liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy is vertically aligned with respect to the substrate is used.
(Deformation Aligned Phase) mode has been actively developed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、DAP
モードはTNモードに比べて、電圧を印加した際に、液
晶分子の配向方向を規定するための配向膜の表面を布で
こする処理(以下ラビング処理と称す)を行った方向に
筋状の輝度ムラ(以下ラビング筋と称す)が発生しやす
く、表示品位が低下するという問題があった。
SUMMARY OF THE INVENTION However, DAP
Compared with the TN mode, when the voltage is applied, the surface of the alignment film for defining the alignment direction of the liquid crystal molecules is rubbed with a cloth (hereinafter referred to as a rubbing process). There has been a problem that luminance unevenness (hereinafter referred to as rubbing streak) is likely to occur and display quality is deteriorated.

【0004】特に、DAPモードを用いた透過反射両用
型の液晶表示装置(本願出願人による特願平9-201176
号)においては、従来のDAPモードを用いた透過型液
晶表示装置と比べて、ラビング筋が著しく目立つという
問題があった。
In particular, a transflective liquid crystal display device using a DAP mode (Japanese Patent Application No. 9-201176 by the present applicant).
No. 2), there is a problem that rubbing lines are remarkably noticeable as compared with a conventional transmission type liquid crystal display device using a DAP mode.

【0005】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、ラビング筋が目だ立たない、表示品位
に優れた液晶表示装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has as its object to provide a liquid crystal display device having excellent display quality, in which rubbing lines are inconspicuous.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、第1及び第2基板と、該第1基板と第2基板との間
に挟持された誘電率異方性が負の液晶材料からなる液晶
層を有し、該第1及び第2基板は、それぞれの該液晶層
側の表面に第1及び第2垂直配向膜を有し、該第1垂直
配向膜のみにラビング処理が施されており、該第1基板
は該第2基板よりもラビング処理に対する段差が少ない
構成を有し、そのことによって上記目的が達成される。
A liquid crystal display device according to the present invention comprises a first and a second substrate, and a liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy sandwiched between the first and the second substrates. The first and second substrates have first and second vertical alignment films on their respective liquid crystal layer side surfaces, and only the first vertical alignment film is subjected to a rubbing treatment. The first substrate has a configuration in which the step for the rubbing process is smaller than that of the second substrate, thereby achieving the above object.

【0007】前記第1基板はさらにカラーフィルタ層を
有し、前記第2基板は、複数の絵素領域毎に、スイッチ
ング素子と、該スイッチング素子に接続された絵素電極
とを有する構成としてもよい。
[0007] The first substrate may further include a color filter layer, and the second substrate may include, for each of a plurality of picture element regions, a switching element and a picture element electrode connected to the switching element. Good.

【0008】本発明の液晶表示装置は、第1及び第2基
板と、該第1基板と第2基板との間に挟持された誘電率
異方性が負の液晶材料からなる液晶層を有し、該第1及
び第2基板は、それぞれの該液晶層側の表面に第1及び
第2垂直配向膜を有する液晶表示装置であって、前記第
2基板は、絵素領域毎に、反射電極領域と透過電極領域
とを有し、該反射電極領域は該透過電極領域よりも高
く、該第2基板の表面に段差を形成しており、該第2垂
直配向膜は、ラビング処理に対する段差が最小となる方
向にラビングされており、且つ、該第1垂直配向膜はラ
ビング処理されていない、構成を有し、上記目的が達成
される。
A liquid crystal display device according to the present invention has first and second substrates and a liquid crystal layer made of a liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy sandwiched between the first and second substrates. The first and second substrates are liquid crystal display devices each having a first and a second vertical alignment film on a surface of the liquid crystal layer side, wherein the second substrate has a reflective surface for each pixel region. An electrode region and a transmission electrode region, wherein the reflection electrode region is higher than the transmission electrode region and forms a step on the surface of the second substrate; and the second vertical alignment film has a step with respect to a rubbing process. Is rubbed in a direction in which the rubbing is minimized, and the first vertical alignment film is not rubbed, thereby achieving the above object.

【0009】前記反射電極領域と前記透過電極領域とに
よって前記第2基板の表面に形成される段差は、前記ラ
ビング方向に対しては存在しない構成とすることが好ま
しい。
It is preferable that a step formed on the surface of the second substrate by the reflective electrode region and the transmissive electrode region does not exist in the rubbing direction.

【0010】以下、作用について説明する。Hereinafter, the operation will be described.

【0011】本発明の液晶表示装置においては、ラビン
グ処理が段差によって乱れることを最小にすることがで
きるので、ラビング処理の不均一さに起因する表示不良
(ラビング筋)を低減することができる。特に、垂直配
向膜と負の誘電異方性を有する液晶材料を用いる透過反
射両用型の液晶表示装置に適用することによって、優れ
た表示品質を実現することができる。また、ラビング方
向に対する段差が絵素領域内に存在しない構成とするこ
とによって更に表示品質を向上することができる。
In the liquid crystal display device of the present invention, disturbance of the rubbing process due to a step can be minimized, so that display defects (rubbing streaks) caused by uneven rubbing process can be reduced. Particularly, by applying the present invention to a transflective liquid crystal display device using a vertical alignment film and a liquid crystal material having negative dielectric anisotropy, excellent display quality can be realized. Further, the display quality can be further improved by adopting a configuration in which a step in the rubbing direction does not exist in the picture element region.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、透過反射両用型の液晶表示
装置を例に本発明の実施形態を説明する。透過反射両用
型の液晶表示装置は、液晶パネル背面に設けられたバッ
クライトからの透過光を利用して表示する透過型液晶表
示装置の機能と、液晶パネル前面の周囲光を利用して表
示する反射型液晶表示装置の機能を兼ね備えた液晶表示
装置である(例えば、本願出願人による特願平9-201176
号)。本発明は、以下に詳述するように、大きな段差を
有する表面に形成された垂直配向膜と負の誘電異方性を
有する液晶材料を用いる液晶表示装置において効果が大
きいが、段差が小さい場合にも効果があり、下記の実施
形態に限られない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The embodiments of the present invention will be described below by taking a transflective liquid crystal display device as an example. The transflective liquid crystal display device has a function of a transmissive liquid crystal display device that displays by using transmitted light from a backlight provided on the back of the liquid crystal panel, and displays by using ambient light on the front surface of the liquid crystal panel. This is a liquid crystal display device having the function of a reflection type liquid crystal display device (for example, Japanese Patent Application No. 9-201176 by the present applicant).
issue). The present invention has a large effect in a liquid crystal display device using a liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy and a vertical alignment film formed on a surface having a large step, as described in detail below, but has a small step. And the present invention is not limited to the following embodiment.

【0013】以下、本発明の実施形態を図面を参照しな
がら説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態
1における透過反射両用型液晶表示装置100を示す。
図1(a)は液晶表示装置100を構成するアクティブ
マトリックス基板20を示した平面図であり、図1
(b)は液晶表示装置100の部分断面図を示し、図1
(a)のB−B’線に沿った断面に対応する。なお、図
1(a)のA−A’線に沿った断面図は、製造工程を示
す図4(b)に示す。
Embodiment 1 FIG. 1 shows a transflective liquid crystal display device 100 according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 1A is a plan view showing an active matrix substrate 20 constituting the liquid crystal display device 100. FIG.
FIG. 1B is a partial cross-sectional view of the liquid crystal display device 100, and FIG.
(A) corresponds to a cross section along the line BB '. A cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1A is shown in FIG. 4B showing a manufacturing process.

【0015】図1(b)に示したように、液晶表示装置
100は、アクティブマトリクス基板20と対向基板
(カラーフィルタ基板)60と、これらの間に挟持され
た液晶層40とを有している。液晶表示装置100の最
小の表示の単位となる絵素は、反射電極19によって規
定される反射領域と透明電極18によって規定される透
過領域とを有する。液晶層40の厚さは、反射領域にお
いてはdrであり、透過領域ではdt(dt≒2dr)
となっている。これは、表示に寄与する光(反射領域の
反射光と透過領域の透過光)の光路長をほぼ等しくする
ためである。dt=2drが好ましいが、表示特性との
関係で適宜設定すればよい。少なくとも、dt>drで
ればよい。典型的には、dtは約4〜6μmで、drは
約2〜3μmである。すなわち、アクティブマトリクス
基板20の絵素領域内に、約2〜3μmの段差が形成さ
れている。なお、反射電極19が図示したように凹凸を
有している場合には、平均値をdrとすればよい。
As shown in FIG. 1B, the liquid crystal display device 100 includes an active matrix substrate 20, a counter substrate (color filter substrate) 60, and a liquid crystal layer 40 interposed therebetween. I have. A picture element serving as a minimum display unit of the liquid crystal display device 100 has a reflective area defined by the reflective electrode 19 and a transmissive area defined by the transparent electrode 18. The thickness of the liquid crystal layer 40 is dr in the reflection region and dt (dtd2dr) in the transmission region.
It has become. This is to make the optical path lengths of the light (reflected light in the reflection area and transmitted light in the transmission area) contributing to the display substantially equal. Although dt = 2dr is preferable, it may be appropriately set in relation to the display characteristics. At least dt> dr may be satisfied. Typically, dt is about 4-6 μm and dr is about 2-3 μm. That is, a step of about 2 to 3 μm is formed in the picture element region of the active matrix substrate 20. If the reflective electrode 19 has irregularities as shown, the average value may be set to dr.

【0016】このように、透過反射両用型液晶表示装置
100においては、液晶層40の厚さの異なる領域(反
射領域と透過領域)が形成される。この例では、アクテ
ィブマトリクス基板20の液晶側表面に、高さの異なる
反射電極領域20Rと透過電極領域20Tとを有する。
両基板20及び60の液晶層40側表面には、垂直配向
膜(不図示)が形成されている。本実施形態では、アク
ティブマトリクス基板20上の垂直配向膜に、図1中矢
印R1で示した方向にラビング処理を施した。例えば、
垂直配向膜JALS2004(日本合成ゴム製)を膜厚
が80nmとなるように印刷し、180℃で2時間焼成
した。このアクティブマトリクス基板60にレーヨン製
の布を用いてローラー回転数100rpm、基板の送り
速度1000mm/minでラビング処理を行った。
As described above, in the transflective liquid crystal display device 100, regions having different thicknesses of the liquid crystal layer 40 (reflection region and transmission region) are formed. In this example, a reflective electrode region 20R and a transmissive electrode region 20T having different heights are provided on the liquid crystal side surface of the active matrix substrate 20.
A vertical alignment film (not shown) is formed on the surface of the substrates 20 and 60 on the liquid crystal layer 40 side. In this embodiment, the rubbing process is performed on the vertical alignment film on the active matrix substrate 20 in the direction indicated by the arrow R1 in FIG. For example,
A vertical alignment film JALS2004 (manufactured by Japan Synthetic Rubber) was printed so as to have a thickness of 80 nm, and baked at 180 ° C. for 2 hours. A rubbing process was performed on the active matrix substrate 60 using a rayon cloth at a roller rotation speed of 100 rpm and a substrate feed speed of 1000 mm / min.

【0017】通常の液晶表示装置におけるラビング方向
は、図1(a)の矢印R2で示した方向(ゲートバスラ
イン22やソースバスライン24に対して45°の角度
である。しかしながら、R2の方向にラビング処理を行
うと、ラビング筋の発生が多く、表示品位の低い液晶表
示装置しか得られなかったのに対し、R1の方向にラビ
ング処理を行った場合、ラビング筋の発生が少なく、配
向状態が良好で、優れた表示品質の液晶表示装置100
が得られた。
The rubbing direction in a normal liquid crystal display device is a direction indicated by an arrow R2 in FIG. 1A (an angle of 45 ° with respect to the gate bus line 22 or the source bus line 24. However, the direction of R2). When the rubbing treatment was performed, rubbing streaks were often generated and only a liquid crystal display device with low display quality could be obtained. On the other hand, when the rubbing treatment was performed in the direction of R1, the occurrence of rubbing streaks was small and the alignment state was low. Display device 100 with good display quality and excellent display quality
was gotten.

【0018】これはR1の方向にラビングした場合、ラ
ビング方向に対してラビング布の毛足が直接当たる段差
は、図1(a)中の透過領域20Tの四辺の内の辺αと
βのみであるが、R2の方向にラビングした場合はラビ
ング布の毛足が辺α、β、γ、δの段差に当たることに
なり、R1方向にラビングした場合に比べて、ラビング
布に当たる段差がより多い(段差の辺が長い)。その結
果、ラビング布の毛足が乱れることになり、均一なラビ
ング処理が困難となり、結果としてラビング筋などの不
良の発生原因となる。従って、透過部の形状の長手方向
に平行なR1方向にラビングすることで、段差によるプ
レティルト角のばらつきを最小限に押さえることが出来
る。
This is because, when rubbing is performed in the direction of R1, the step at which the bristle of the rubbing cloth directly contacts the rubbing direction is only the sides α and β of the four sides of the transmission region 20T in FIG. However, when rubbing is performed in the direction of R2, the bristle of the rubbing cloth hits the step of the sides α, β, γ, and δ, and the step that hits the rubbing cloth is larger than that in the case of rubbing in the R1 direction ( The side of the step is long). As a result, the bristle of the rubbing cloth is disturbed, and uniform rubbing treatment becomes difficult, and as a result, defects such as rubbing streaks are caused. Therefore, by performing rubbing in the R1 direction parallel to the longitudinal direction of the shape of the transmitting portion, it is possible to minimize variations in pretilt angle due to steps.

【0019】液晶分子の配向は、基板上に形成された配
向膜の規制力と、液晶分子間の相互作用によって決定さ
れる。誘電異方性が負の液晶材料の場合、電圧を印加す
ることにより、液晶分子は垂直配向状態から水平配向状
態に再配向するが、再配向する方向、つまり、液晶分子
が倒れる方向は基板内で一様である必要がある。もし液
晶分子が倒れる方向がばらばらであると、配向欠陥(以
下ディスクリネーション)が発生し、表示品位を劣化さ
せる。液晶分子が一様に同じ方向に倒れるようにするた
めに、ラビング処理を行う。この時、液晶分子は基板法
線方向からラビング処理を行う方向に少し傾いた状態に
配向する(以下この傾き角度をプレティルト角と称す
る)。ラビングのメカニズムについては、配向膜を構成
する高分子の側鎖がラビング方向に配列し、液晶分子が
側鎖に沿って配向するというモデルが一般に考えられて
いる。しかしながら、垂直配向膜に用いられている側鎖
は、炭素数が3〜20個という長鎖アルキル鎖であるこ
とが多く、その方向を1方向に安定して揃えることは容
易ではない。配向膜の下地すなわち基板の表面が平坦で
あれば、ラビングの効果も一様であるが、段差があれば
ラビングの効果が場所により異なる結果、プレティルト
角が一様にならず、ラビング筋となって見えると考えら
れる。従って、特に、垂直配向膜と誘電率異方性が負の
液晶材料を用いた場合に、ラビング処理に対する段差が
多いと、配向不良の発生が発生しやすい。
The alignment of the liquid crystal molecules is determined by the regulating force of the alignment film formed on the substrate and the interaction between the liquid crystal molecules. In the case of a liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy, when a voltage is applied, the liquid crystal molecules are re-aligned from a vertical alignment state to a horizontal alignment state. And must be uniform. If the directions in which the liquid crystal molecules fall are different, alignment defects (hereinafter, disclination) occur, and display quality is degraded. A rubbing process is performed to make the liquid crystal molecules fall uniformly in the same direction. At this time, the liquid crystal molecules are oriented in a state of being slightly inclined from the normal direction of the substrate to the direction in which the rubbing process is performed (this inclination angle is hereinafter referred to as a pretilt angle). Regarding the rubbing mechanism, a model in which the side chains of the polymers constituting the alignment film are arranged in the rubbing direction and the liquid crystal molecules are aligned along the side chains is generally considered. However, the side chain used in the vertical alignment film is often a long alkyl chain having 3 to 20 carbon atoms, and it is not easy to stably align the direction in one direction. If the underlayer of the alignment film, that is, the surface of the substrate is flat, the rubbing effect is uniform, but if there is a step, the rubbing effect varies depending on the location. It is thought to be visible. Therefore, particularly when a vertical alignment film and a liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy are used, if there are many steps in the rubbing treatment, poor alignment is likely to occur.

【0020】本明細書でいう「ラビング処理に対する段
差」とは、絵素領域内において、ラビング方向と平行で
ない辺を有する段差(不連続な)を指し、その辺の長さ
の合計で段差の量を評価する。絵素領域以外の段差は、
表示に影響しないので考慮する必要はない。また、段差
の高さの違いが、約1μm未満であると、ラビング処理
に対して実質的に影響がないので、高さの違いが約1μ
m以上の段差のみ考慮すればよい。
The term "step relative to the rubbing process" as used herein refers to a step (discontinuous) having a side that is not parallel to the rubbing direction in the picture element region, and the total of the lengths of the sides is a step difference. Evaluate the quantity. Steps other than the picture element area
It does not need to be considered as it does not affect the display. If the difference in height of the step is less than about 1 μm, there is substantially no effect on the rubbing treatment, so that the difference in height is about 1 μm.
It is only necessary to consider the step difference of m or more.

【0021】以下に、本発明の液晶表示装置100の構
成およびその製造方法を説明する。この透過反射両用型
のアクティブマトリクス基板20は、絶縁基板であるガ
ラス基板11の上に、走査線としての複数のゲートバス
ライン22および信号線としてのソースバスライン24
が交互に交差して設けられている。各ゲートバスライン
22および各ソースバスライン24によって囲まれた矩
形状の領域内には、光反射効率の高い材料からなる反射
電極19と、それとは別に、光透過効率の高い材料から
なる透明電極18とが配置されており、これら反射電極
19と透明電極18とで絵素電極を形成している。
Hereinafter, the configuration of the liquid crystal display device 100 of the present invention and a method of manufacturing the same will be described. The transmission-reflection type active matrix substrate 20 includes a plurality of gate bus lines 22 as scanning lines and source bus lines 24 as signal lines on a glass substrate 11 which is an insulating substrate.
Are provided so as to intersect alternately. In a rectangular area surrounded by each gate bus line 22 and each source bus line 24, a reflection electrode 19 made of a material having high light reflection efficiency and a transparent electrode made of a material having high light transmission efficiency are separately provided. The reflective electrode 19 and the transparent electrode 18 form a pixel electrode.

【0022】この各絵素電極が配置された領域内の隅部
には、ゲートバスライン22から絵素電極に向かって延
設されたゲート電極23が分岐されており、このゲート
電極23の先端部分にスイッチング素子として薄膜トラ
ンジスタ(TFT)21が形成されている。上記ゲート
電極23はTFT21の一部を構成する。TFT21
は、図4(b)に示すように、ガラス基板11の上に形
成された上記ゲート電極23の上方に配設されている。
ゲート電極23は、ゲート絶縁膜11aによって覆われ
ており、ゲート絶縁膜11aの上には、ゲート電極23
の上方を覆うように半導体層27が積層されている。
A gate electrode 23 extending from the gate bus line 22 toward the pixel electrode is branched at a corner in the area where each of the pixel electrodes is arranged. A thin film transistor (TFT) 21 is formed in a portion as a switching element. The gate electrode 23 forms a part of the TFT 21. TFT21
Is disposed above the gate electrode 23 formed on the glass substrate 11, as shown in FIG.
The gate electrode 23 is covered with the gate insulating film 11a.
The semiconductor layer 27 is stacked so as to cover the upper part of the semiconductor device.

【0023】この半導体層27上の両端部を覆って一対
のコンタクト層28、28が形成されている。
A pair of contact layers 28 are formed so as to cover both ends on the semiconductor layer 27.

【0024】ソースバスライン24はソース電極25に
電気的に接続されており、コンタクト層28上に形成さ
れたソース電極25の先端部がゲート電極23の上に絶
縁状態で重畳されて、各TFT21の一部を構成する。
ゲート電極23の上には、ソース電極25とは間隔を空
け、かつ、ゲート電極23とは絶縁状態で重畳してTF
T21のドレイン電極26がコンタクト層28上に設け
られている。そして、このドレイン電極26は下地電極
31aを介して絵素電極に電気的に接続されている。
The source bus line 24 is electrically connected to the source electrode 25, and the tip of the source electrode 25 formed on the contact layer 28 is superposed on the gate electrode 23 in an insulated state. A part of.
The gate electrode 23 is spaced apart from the source electrode 25 and overlaps the gate electrode 23 in an insulated state.
A drain electrode 26 of T21 is provided on the contact layer 28. The drain electrode 26 is electrically connected to the pixel electrode via the base electrode 31a.

【0025】このとき、下地電極31aと次段のゲート
バスライン24とが、ゲート絶縁膜11aを介して重な
るような構造とすることにより補助容量を形成してい
る。また、この下地電極31aを後述する凹凸部が存在
するほぼ全領域に形成することにより、プロセスの影響
を均一にすることが可能となる。
At this time, the auxiliary capacitance is formed by a structure in which the base electrode 31a and the next-stage gate bus line 24 overlap with the gate insulating film 11a interposed therebetween. Further, by forming the base electrode 31a in substantially the entire region where the uneven portion described later exists, it is possible to make the influence of the process uniform.

【0026】一方、上述した光反射効率の高い材料から
なる反射電極19の下には、ガラス基板11の上にラン
ダムに形成した高さの高い凸部14aおよび高さの低い
凸部14bと、これら凸部14aおよび14bの上に形
成された高分子樹脂膜15とが存在する。
On the other hand, under the reflective electrode 19 made of the above-mentioned material having high light reflection efficiency, a high-height protrusion 14a and a low-height protrusion 14b randomly formed on the glass substrate 11 are provided. There is a polymer resin film 15 formed on these convex portions 14a and 14b.

【0027】この高分子樹脂膜15の上表面は、上述し
た凸部14aおよび14bの存在により、連続する波状
となっている。
The upper surface of the polymer resin film 15 has a continuous wavy shape due to the presence of the above-mentioned projections 14a and 14b.

【0028】上述した凸部14aおよび14bの上に存
在し、上表面が連続する波状となっている高分子樹脂膜
15部分の上には、上述した反射電極19が形成されて
おり、この反射電極19は、光反射効率の高い、例えば
Alにより形成されている。なお、反射電極19はコン
タクトホール29を介してドレイン電極26と電気的に
接続されている。
The above-mentioned reflective electrode 19 is formed on a portion of the polymer resin film 15 which is present on the above-mentioned convex portions 14a and 14b and has a continuous upper surface in a wavy shape. The electrode 19 is formed of, for example, Al having high light reflection efficiency. The reflection electrode 19 is electrically connected to the drain electrode 26 via the contact hole 29.

【0029】また、本発明の透過反射両用型の液晶表示
装置においては、反射電極19とは別に透明電極18が
形成されており、この透明電極18は光透過効率の高い
材料、例えばITO(Indium Tin Oxid
e)などにより形成されている。次に、この透過反射両
用型のアクテイブマトリクス基板20の要部である反射
電極19および透明電極18の形成方法を図面に基づい
て説明する。図2(a)(b)、図3(a)(b)、図
4(a)(b)は、図1に示す液晶表示装置のA−A線
部分におけるプロセス断面図である。
In the transmission / reflection type liquid crystal display device of the present invention, a transparent electrode 18 is formed separately from the reflection electrode 19, and the transparent electrode 18 is made of a material having a high light transmission efficiency, for example, ITO (Indium). Tin Oxid
e) and the like. Next, a method for forming the reflective electrode 19 and the transparent electrode 18 which are the main parts of the active-matrix substrate 20 of the transmission / reflection type will be described with reference to the drawings. 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, and 4B are process cross-sectional views taken along line AA of the liquid crystal display device shown in FIG.

【0030】まず、図2(a)に示すように、ガラス基
板11上には、Cr、Taなどからなる複数のゲートバ
スライン22(図1参照)と、このゲートバスライン2
2から分岐したゲート電極23とが形成されている。
First, as shown in FIG. 2A, a plurality of gate bus lines 22 (see FIG. 1) made of Cr, Ta, etc.
A gate electrode 23 branching from 2 is formed.

【0031】そして、これらゲートバスライン22およ
びゲート電極23を覆って、ガラス基板11上の全面
に、SiNx,SiOxなどからなるゲート絶縁膜11
aが形成されており、ゲート電極23の上方のゲート絶
縁膜11a上には、非晶質シリコン(a−Si)や多結
晶シリコン、CdSeなどからなる半導体層27が形成
されている。そして、この半導体層27の両端部には、
非晶質シリコン(a−Si)などからなるコンタクト層
28、28が形成されている。
The gate insulating film 11 made of SiNx, SiOx or the like is formed on the entire surface of the glass substrate 11 so as to cover the gate bus line 22 and the gate electrode 23.
a, and a semiconductor layer 27 made of amorphous silicon (a-Si), polycrystalline silicon, CdSe, or the like is formed on the gate insulating film 11 a above the gate electrode 23. And, at both ends of the semiconductor layer 27,
Contact layers 28, 28 made of amorphous silicon (a-Si) or the like are formed.

【0032】このコンタクト層28、28のうちの一方
側上には、Ti、Mo、Alなどからなるソース電極2
5が重畳形成されており、また他方側上には、ソース電
極25と同様に、Ti、Mo、Alなどからなるドレイ
ン電極26が重畳形成されている。
On one of the contact layers 28, 28, a source electrode 2 made of Ti, Mo, Al or the like is formed.
5, a drain electrode 26 made of Ti, Mo, Al or the like is formed on the other side in the same manner as the source electrode 25.

【0033】なお、本実施形態1では、ガラス基板11
としては、例えばコーニング社製の#7059の厚さ
1.1mmのものを用いた。
In the first embodiment, the glass substrate 11
For example, Corning # 7059 having a thickness of 1.1 mm was used.

【0034】そして、図2(b)に示すように、ソース
バスライン24を構成する金属層31と、この金属層3
1を用いて、この金属層31の形成と同時に下地電極3
1aをスパッタ法によって形成した。
Then, as shown in FIG. 2B, a metal layer 31 constituting the source bus line 24 and this metal layer 3
1 and at the same time as the formation of the metal layer 31,
1a was formed by a sputtering method.

【0035】続いて、図3(a)に示すように、ソース
バスライン24を構成するITO層30をスパッタ法に
よってパターニングした。
Subsequently, as shown in FIG. 3A, the ITO layer 30 constituting the source bus line 24 was patterned by a sputtering method.

【0036】本実施形態1においては、ソースバスライ
ン24を構成する層を金属層31とITO層30との2
層構造とした。この構造には、仮にソースライン24を
構成する金属層31の一部に膜の欠陥があったとして
も、ITO層30によって電気的に接続されるためソー
スバスライン24の断線を少なくすることができるとい
う利点がある。
In the first embodiment, the layers constituting the source bus lines 24 are two layers of the metal layer 31 and the ITO layer 30.
A layer structure was adopted. In this structure, even if a part of the metal layer 31 constituting the source line 24 has a film defect, the disconnection of the source bus line 24 can be reduced because it is electrically connected by the ITO layer 30. There is an advantage that you can.

【0037】このITO層30を用いて、このITO層
30の形成と同時に絵素電極を構成する透明電極18を
形成した。このようにすることで、透明電極18をソー
スバスライン24の形成時に同時に作り込むことがで
き、層数増加を招くことがなくなる。
Using the ITO layer 30, a transparent electrode 18 constituting a picture element electrode was formed simultaneously with the formation of the ITO layer 30. By doing so, the transparent electrode 18 can be formed simultaneously with the formation of the source bus line 24, and the number of layers does not increase.

【0038】次に、図3(b)に示すように、感光性樹
脂のレジスト膜12からなる角落としされた断面略円形
状の凸部14aおよび14bを反射電極19がパターニ
ングされる領域の下に形成する。
Next, as shown in FIG. 3 (b), the convex portions 14a and 14b having a substantially circular cross section and made of a photosensitive resin resist film 12 are formed under the region where the reflective electrode 19 is to be patterned. Formed.

【0039】ここで、この反射部領域に形成された凸部
14aおよび14bの形成プロセスについて、図5
(a)〜(d)を用いて簡単に説明する。
Here, the process of forming the projections 14a and 14b formed in the reflection area will be described with reference to FIG.
A brief description will be given using (a) to (d).

【0040】まず、図5(a)に示すように、ガラス基
板11(実際は、図3(b)に示すように、ガラス基板
11上には、金属層31と下地電極31aとが既に形成
されている。)の上に、感光性樹脂からなるレジスト膜
12をスピンコート方式により形成する。なお、レジス
ト膜12としては、後述する高分子樹脂膜15と同一の
材料であるOFPR−800の感光性樹脂を、好ましく
は500rpmから3000rpm、本実施形態1では
1500rpmで30秒スピンコートし、レジスト膜1
2の厚さを2.5μmとした。
First, as shown in FIG. 5A, a glass substrate 11 (actually, as shown in FIG. 3B, a metal layer 31 and a base electrode 31a are already formed on the glass substrate 11). A resist film 12 made of a photosensitive resin is formed by spin coating. As the resist film 12, a photosensitive resin of OFPR-800, which is the same material as the polymer resin film 15 described later, is preferably spin-coated at 500 rpm to 3000 rpm, and in the first embodiment at 1500 rpm for 30 seconds. Membrane 1
2 had a thickness of 2.5 μm.

【0041】次に、このレジスト膜12が形成されたガ
ラス基板11を、例えば90℃で30分間プリベークす
る。
Next, the glass substrate 11 on which the resist film 12 is formed is prebaked at, for example, 90 ° C. for 30 minutes.

【0042】続いて、図6に示すような、例えば板体1
3cに2種類の円形のパターン孔13a、13bが形成
されているフォトマスク13を使用し、このフォトマス
ク13を、図5(b)に示すようにレジスト膜12の上
方に配置して、このフォトマスク13の上方から図の矢
印で示すように露光する。
Subsequently, for example, as shown in FIG.
A photomask 13 in which two types of circular pattern holes 13a and 13b are formed in 3c is used. This photomask 13 is disposed above the resist film 12 as shown in FIG. Exposure is performed from above the photomask 13 as shown by arrows in the figure.

【0043】なお、本実施形態1におけるフォトマスク
13は、直径5μmの円形をしたパターン孔13aと、
直径3μmの円形をしたパターン孔13bとがランダム
に配置されており、相互に近接するパターン孔の間隔
は、少なくとも2μm以上隔離されている。ただし、あ
まり隔離し過ぎると、高分子樹脂膜15の上表面が連続
する波状となり難い。
The photomask 13 according to the first embodiment has a circular pattern hole 13a having a diameter of 5 μm.
The circular pattern holes 13b having a diameter of 3 μm are arranged at random, and the intervals between the pattern holes adjacent to each other are separated by at least 2 μm. However, if they are separated too much, it is difficult for the upper surface of the polymer resin film 15 to have a continuous wavy shape.

【0044】次に、例えば東京応化製のNMD−3から
なる濃度2.38%の現像液を使用して現像を行う、こ
れにより、図5(c)に示すように、ガラス基板11の
一方の反射部領域表面に、高さの異なる微細な凸部14
a’、14b’が多数個形成される。これら凸部14
a’、14b’は上縁が角張っている本実施形態1で
は、直径5μmのパターン孔13aによって高さ2.4
8μmの凸部14aが形成され、直径3μmのパターン
孔13bによって高さ1.64μmの凸部14bが形成
された。
Next, development is performed using a developing solution of 2.38% concentration, for example, made of NMD-3 manufactured by Tokyo Ohka. As a result, as shown in FIG. On the surface of the reflective area of the fine projections 14 having different heights.
a 'and 14b' are formed in large numbers. These convex portions 14
In the first embodiment in which the upper edges are angular, the heights a ′ and 14b ′ are 2.4 due to the pattern holes 13a having a diameter of 5 μm.
An 8 μm projection 14 a was formed, and a 1.64 μm height projection 14 b was formed by a 3 μm diameter pattern hole 13 b.

【0045】これらの凸部14a’、14b’の高さ
は、パターン孔13a、13bの大きさ、露光時間、現
像時間によって変化させることが可能であり、パターン
孔13a,13bの大きさとしても、上述のサイズに限
定されるものではない。
The height of the projections 14a 'and 14b' can be changed by the size of the pattern holes 13a and 13b, the exposure time, and the development time. However, the size is not limited to the above.

【0046】次に、図5(d)に示すように、凸部14
a’、14b’を形成したガラス基板11を200℃で
1時間加熱して熱処理を行う。これによって、図5
(c)に示したように上端部に角部を有する現像された
ままの凸部14a’、14b’を軟化させて、角部が丸
くなった、つまり角落としされた断面略円形状の凸部1
4a,14bを形成する。
Next, as shown in FIG.
The glass substrate 11 on which a ′ and 14b ′ are formed is heated at 200 ° C. for 1 hour to perform heat treatment. As a result, FIG.
As shown in (c), the as-developed convex portions 14a 'and 14b' having a corner portion at the upper end portion are softened so that the corner portion is rounded, that is, the convex portion having a substantially circular cross section is cut off. Part 1
4a and 14b are formed.

【0047】図3(b)に示したような凸部14a,1
4bは、上述したような工程により形成される。次に、
図4(a)に示すように、高分子樹脂膜をガラス基板1
1上にスピンコートしてパターンニングし、高分子樹脂
膜15を形成した。高分子絶縁膜としては、上述したO
FPR−800を使用し、好ましくは1000rpm〜
3000rpmでスピンコートする、本実施形態1で
は、2000rpmでスピンコートした。
The protrusions 14a, 1 as shown in FIG.
4b is formed by the process described above. next,
As shown in FIG. 4A, a polymer resin film is
A polymer resin film 15 was formed by spin-coating on 1 and patterning. As the polymer insulating film, the above-mentioned O
Using FPR-800, preferably at 1000 rpm
In the first embodiment in which the spin coating is performed at 3000 rpm, the spin coating is performed at 2000 rpm.

【0048】これにより、上表面が連続する波状をした
高分子樹脂膜15が形成されることになる。
As a result, a high-molecular resin film 15 having a continuous upper surface is formed.

【0049】次に、図4(b)に示すように、上述した
高分子樹脂膜15の上の所定箇所にAlからなる反射電
極19を、例えばスパッタリングすることにより形成し
た。反射電極19に使用するのに適した材料としては、
AlやAl合金の他に、例えば光反射効率の高いTa、
Ni、Cr、Agなどを挙げることができ、反射電極1
9の厚さとしては、0.01〜1.0μm程度が適して
いる。このようにして形成された光反射効率の高い材料
からなる反射電極19は、下地膜と同様に上表面が連続
する波状となる。
Next, as shown in FIG. 4B, a reflective electrode 19 made of Al was formed on a predetermined portion of the polymer resin film 15 by, for example, sputtering. Materials suitable for use in the reflective electrode 19 include:
In addition to Al and Al alloys, for example, Ta having high light reflection efficiency,
Ni, Cr, Ag, etc., can be used.
The thickness of 9 is suitably about 0.01 to 1.0 μm. The reflection electrode 19 formed of a material having a high light reflection efficiency formed in this manner has a continuous upper surface like a base film.

【0050】本実施形態1においては、透明電極18を
ソースバスライン24の形成と同時に形成しているが、
ソースバスライン24が金属層31とITO層30との
2層構造ではなく、金属層31の単層である場合には、
透明電極18の形成とソースバスライン24の形成と
は、別々であってもよい。
In the first embodiment, the transparent electrode 18 is formed simultaneously with the formation of the source bus line 24.
When the source bus line 24 is not a two-layer structure of the metal layer 31 and the ITO layer 30, but is a single layer of the metal layer 31,
The formation of the transparent electrode 18 and the formation of the source bus line 24 may be separate.

【0051】なお、フォトマスク13のパターン孔13
a、13bの形状は、本実施形態1では円形としている
が、これは他の形でもよく、例えば長方形、楕円、スト
ライブなど任意の形状であってもよい。
The pattern holes 13 of the photomask 13
Although the shapes of a and 13b are circular in the first embodiment, the shapes may be other shapes such as a rectangle, an ellipse, and a stripe.

【0052】また、上記実施形態1では、2つの高さが
異なる凸部14aと14bとを形成しているが、本発明
ではこれに限らず、凸部が3つの高さでもまた3つ以上
の異なる高さの凸部を形成しても良好な反射特性を有す
る反射電極を形成することが可能である。
In the first embodiment, two convex portions 14a and 14b having different heights are formed. However, the present invention is not limited to this, and three or more convex portions may be formed. Even if convex portions having different heights are formed, it is possible to form a reflective electrode having good reflection characteristics.

【0053】ただし、凸部を2つ以上の高さが異なる凸
部で形成したほうが、1つの高さで形成するよりもより
反射特性の波長依存性の良好な反射電極が得られること
が判っている。
However, it can be seen that forming the projections with two or more projections having different heights can provide a reflection electrode having better wavelength dependence of the reflection characteristics than forming the projections with one height. ing.

【0054】ここで、凸部14aと14bとを形成する
だけで、連続する波状の上表面が得られるようであれ
ば、高分子樹脂膜15を形成せすにレジスト膜12だけ
で連続する波状の上表面を形成し、反射電極19を形成
してもよい。こうすることにより、高分子樹脂膜15を
形成する工程を短縮することが可能となる。また、上記
実施形態1では、感光性樹脂材料として東京応化社製の
OFPR−800を用いているが、本発明はこれに限る
ものではなく、ネガ型、ポジ型に拘らず、露光プロセス
を用いてパターンニングできる感光性樹脂材料であれば
よい。例えば、東京応化社製のOMR−83、OMR−
85、ONNR−20、OFPR−2、OFPR−83
0、またはOFPR−500などであってもよく、或る
いはShipley社製のTF−20、1300−2
7、または1400−27であってもよい。さらに、東
レ社製のフォトニース、積水ファインケミカル社製のR
W−101、日本化薬社製のR101、R633などで
あってもよい。
Here, if a continuous wavy upper surface can be obtained only by forming the convex portions 14a and 14b, the continuous wavy shape is formed only by the resist film 12 to form the polymer resin film 15. And the reflective electrode 19 may be formed. This makes it possible to shorten the step of forming the polymer resin film 15. In the first embodiment, OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd. is used as the photosensitive resin material. However, the present invention is not limited to this, and an exposure process is used regardless of whether it is a negative type or a positive type. Any material can be used as long as it is a photosensitive resin material that can be patterned. For example, OMR-83, OMR-
85, ONNR-20, OFPR-2, OFPR-83
0, or OFPR-500, or TF-20, 1300-2 manufactured by Shipley.
7, or 1400-27. In addition, Toray's Photo Nice, Sekisui Fine Chemical's R
W-101 and R101 and R633 manufactured by Nippon Kayaku may be used.

【0055】上記実施形態1では、スイッチング素子と
してTFT21を用いているが、本発明はこれに限ら
ず、他のスイッチング素子、例えばMIM(Metal
−Insulater−Metal)素子、ダイオー
ド、バリスタなどを用いたアクティブマトリクス基板に
も適用できる。
In the first embodiment, the TFT 21 is used as a switching element. However, the present invention is not limited to this, and other switching elements, for example, MIM (Metal
-Insulator-Metal) can be applied to an active matrix substrate using an element, a diode, a varistor, or the like.

【0056】透過部20Tの形状は、上記の例に限られ
ない。例えば、図7(a)及び7(b)に模式的に示す
ように、透過領域20T’を複数の絵素領域を貫く様に
形成してもよい。図7(b)は図7(a)のC−C’線
に沿った断面図である。上述の例(図1)では、透過領
域が、反射電極の一部をくりぬいた形で存在しているた
め、ラビング方向に対してラビング布が感じる段差が完
全になくなることはなかったのに対し、図7(a)に示
した様に透過領域20T’を形成すると、絵素領域内で
ラビング方向に対してラビング布が感じる段差が存在し
ないので、これにより段差によるラビング布の毛足の乱
れがなくなり、一様なラビングを実現することができ
る。その結果、優れた表示品質の液晶表示装置が得られ
る。
The shape of the transmission section 20T is not limited to the above example. For example, as schematically shown in FIGS. 7A and 7B, the transmission region 20T 'may be formed so as to penetrate a plurality of pixel regions. FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line CC ′ of FIG. 7A. In the above-described example (FIG. 1), since the transmission region exists in a form in which a part of the reflection electrode is hollowed out, the step felt by the rubbing cloth in the rubbing direction did not completely disappear. When the transmissive area 20T 'is formed as shown in FIG. 7 (a), there is no step felt by the rubbing cloth in the rubbing direction in the picture element area. And uniform rubbing can be realized. As a result, a liquid crystal display device having excellent display quality can be obtained.

【0057】(実施形態2)本実施形態2では、図1に
示した液晶表示装置100のカラーフィルタ基板60上
の垂直配向膜(不図示)ラビング処理を行い、アクティ
ブマトリクス基板20上の垂直配向膜にはラビング処理
を行わない例を説明する。
(Embodiment 2) In this embodiment 2, a vertical alignment film (not shown) on the color filter substrate 60 of the liquid crystal display device 100 shown in FIG. An example in which a rubbing process is not performed on a film will be described.

【0058】図8は、対向基板であるカラーフイルター
基板60の平面図であり、図9(a)は、図8のD−
D’線に沿った線の断面図、図9(b)は図8のE−
E’線に沿った断面図である。ガラス基板62上に赤、
緑、青からなるカラーフイルター層64R、64G、6
4Bが、約1.2μmの厚さで形成されており、その上
に透明電極であるITO膜66が形成されている。これ
らカラーフィルター層の間にはCrからなる遮光層67
が形成されている。
FIG. 8 is a plan view of a color filter substrate 60 which is an opposing substrate, and FIG.
FIG. 9B is a sectional view taken along line D ′, and FIG.
It is sectional drawing which followed the E 'line. Red on the glass substrate 62,
Green and blue color filter layers 64R, 64G, 6
4B is formed with a thickness of about 1.2 μm, on which an ITO film 66 as a transparent electrode is formed. A light-shielding layer 67 made of Cr is provided between these color filter layers.
Are formed.

【0059】上述のアクティブマトリクス基板20とカ
ラーフィルター基板60上に垂直配向膜JALS200
4(日本合成ゴム製)を膜厚が80nmとなるように印
刷し、180℃で2時間焼成した。この対向基板にレー
ヨン製の布を用いてローラー回転数100rpm、基板
の送り速度1000mm/minでラビング処理を行っ
た。この時ラビング方向は、図8のD−D’線と平行な
方向(Y方向)に行った。アクティブマトリクス基板に
ついてはラビング処理を行わなかった。実施形態1と同
様に作製したアクティブマトリクス基板20と対向基板
60とを、3μmのスペーサーを介してエポキシ樹脂に
より貼り合わせ液晶パネルを作製した。このパネルに誘
電異方性が負の液晶材料(MJ:メルク社製)を注入
し、偏光板、位相差板を配置させて、透過反射両用型の
液晶表示装置を完成させた。対向基板60は公知の方法
で形成することができる。対向基板60の表面はカラー
フィルタ層64による段差が存在しているが、その段差
はY方向のラビング処理に対しては存在しない。したが
って、図から明らかなようにD−D’方向は、E−E’
方向やアクティブマトリクス基板20に比べて極めて段
差が小さく、D−D’方向に平行にラビング処理するこ
とによって、均一な配向規制力を液晶層40に与えるこ
とができる。この均一な配向規制力を与えられた対向基
板60と、液晶分子間の相互作用によって、多数の段差
が存在するアクティブマトリクス基板20をラビング処
理することなしに、液晶分子が倒れる方向が一方向に規
制されるため、ディスクリネーションを発生させること
もなく、ラビング筋が大幅に低減される。
The vertical alignment film JALS200 is formed on the active matrix substrate 20 and the color filter substrate 60 described above.
4 (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) was printed so as to have a thickness of 80 nm, and baked at 180 ° C. for 2 hours. A rubbing treatment was performed on the opposing substrate using rayon cloth at a roller rotation speed of 100 rpm and a substrate feeding speed of 1000 mm / min. At this time, the rubbing direction was parallel to the DD ′ line in FIG. 8 (Y direction). No rubbing treatment was performed on the active matrix substrate. The liquid crystal panel was manufactured by bonding the active matrix substrate 20 and the counter substrate 60 manufactured in the same manner as in the first embodiment with an epoxy resin via a 3 μm spacer. A liquid crystal material having negative dielectric anisotropy (MJ: manufactured by Merck & Co.) was injected into this panel, and a polarizing plate and a retardation plate were arranged. Thus, a transflective liquid crystal display device was completed. The counter substrate 60 can be formed by a known method. The surface of the counter substrate 60 has a step due to the color filter layer 64, but the step does not exist for the rubbing process in the Y direction. Accordingly, as apparent from the figure, the DD ′ direction is EE ′.
The rubbing process is performed in parallel with the direction and the DD ′ direction with a very small step compared to the direction and the active matrix substrate 20, so that a uniform alignment regulating force can be given to the liquid crystal layer 40. The interaction between the opposing substrate 60 provided with the uniform alignment regulating force and the liquid crystal molecules causes the liquid crystal molecules to fall in one direction without rubbing the active matrix substrate 20 having a large number of steps. Since it is regulated, rubbing streaks are greatly reduced without causing disclination.

【0060】(実施形態3)上記の実施形態1では、反
射特性を有する電極で反射電極領域を形成したのに対
し、本実施形態では、反射層(反射板)と透明電極とを
用いて反射電極領域を構成する。反射電極領域は、反射
機能と液晶層に電圧を印加する機能を備えた基板上の領
域を指す。実施形態1においては、表面に凹凸を有する
反射電極を形成したが、必ずしもその必要は無い。
(Embodiment 3) In Embodiment 1 described above, the reflection electrode region is formed by electrodes having reflection characteristics, whereas in this embodiment, reflection is performed using a reflection layer (reflection plate) and a transparent electrode. Configure the electrode region. The reflective electrode region refers to a region on the substrate having a reflective function and a function of applying a voltage to the liquid crystal layer. In the first embodiment, the reflective electrode having the irregularities on the surface is formed, but it is not always necessary.

【0061】図10(a)は、本実施形態の液晶表示装
置に用いられるアクティブマトリクス基板80の上面図
を、(b)は(a)のF−F’線に沿った断面図を示
す。図10(a)に示したように、アクティブマトリク
ス基板80を上方から観察すると、絵素内中央部に透過
電極領域80Tが四角形に設けられ、それを囲うように
反射電極領域80Rが設けられている。反射電極領域8
0Rの外郭は、ゲート配線82とソース配線84の縁に
沿った四角形となっている。この例では、反射電極領域
80Tにはゲート電極83(及びゲート配線82)と同
一の材料によって形成された反射率の高い層(反射層)
89が設けられている。
FIG. 10A is a top view of the active matrix substrate 80 used in the liquid crystal display device of the present embodiment, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line FF ′ of FIG. As shown in FIG. 10A, when the active matrix substrate 80 is observed from above, a transparent electrode region 80T is provided in the center of the picture element in a rectangular shape, and a reflective electrode region 80R is provided so as to surround it. I have. Reflective electrode area 8
The outline of 0R is a square along the edges of the gate wiring 82 and the source wiring 84. In this example, a layer having a high reflectance (reflective layer) formed of the same material as the gate electrode 83 (and the gate wiring 82) is formed in the reflective electrode region 80T.
89 are provided.

【0062】図10(b)に示したように、反射層89
はゲート絶縁膜92で覆われており、その上に、絵素電
極として機能する透明電極88が形成されている。反射
層89と透明電極88は絶縁されている。反射層89と
反射層89上に形成された透明電極88とが反射電極領
域80Rを形成する。
As shown in FIG. 10B, the reflection layer 89
Is covered with a gate insulating film 92, on which a transparent electrode 88 functioning as a picture element electrode is formed. The reflection layer 89 and the transparent electrode 88 are insulated. The reflective layer 89 and the transparent electrode 88 formed on the reflective layer 89 form a reflective electrode region 80R.

【0063】アクティブマトリクス基板80は、ガラス
基板等の絶縁性基板81上に反射性の材料からなる導電
膜を堆積し、この導電膜をパターニングすることにより
ゲート電極83、ゲート配線82及び反射層89を形成
する。ゲート電極83、ゲート配線82及び反射層89
を覆うゲート絶縁膜92を形成した後、半導体層93、
チャネル保護層94、ソース・ドレイン電極となるn+
−Si層95を順に、堆積、パターニングして、TFT
81を形成する。ソース配線84の一部となる金属層9
7bと、ドレイン−絵素電極接続層96とを同一プロセ
スにて形成する。接続層96はTFT81のドレイン電
極95に一部重畳し電気的に接続されている。透明導電
材料(例えば、ITO)をスパッタ法によって成膜し、
パターニングして、透明電極88及びソース配線84の
上層97aを形成する。透明電極88は、各絵素内全域
に形成し、絵素電極として機能する。透明電極88は接
続層96に一部重畳することによりTFT81のドレイ
ン電極95に電気的に接続されている。その後、少なく
ともTFT81を覆うパシベーション膜98が形成され
る。
The active matrix substrate 80 is formed by depositing a conductive film made of a reflective material on an insulating substrate 81 such as a glass substrate and patterning the conductive film to form a gate electrode 83, a gate wiring 82 and a reflective layer 89. To form Gate electrode 83, gate wiring 82 and reflection layer 89
After forming a gate insulating film 92 covering the semiconductor layer 93,
Channel protection layer 94, n + serving as source / drain electrodes
-Deposit and pattern the Si layer 95 in order,
81 is formed. Metal layer 9 to be a part of source wiring 84
7b and the drain-picture element electrode connection layer 96 are formed by the same process. The connection layer 96 partially overlaps and is electrically connected to the drain electrode 95 of the TFT 81. A transparent conductive material (for example, ITO) is formed by a sputtering method,
By patterning, an upper layer 97a of the transparent electrode 88 and the source wiring 84 is formed. The transparent electrode 88 is formed in the whole area of each picture element and functions as a picture element electrode. The transparent electrode 88 is electrically connected to the drain electrode 95 of the TFT 81 by partially overlapping the connection layer 96. After that, a passivation film 98 covering at least the TFT 81 is formed.

【0064】これらを覆う垂直配向膜(不図示)を形成
し、上述したように、絵素領域内において、ラビング処
理に対する段差が少ない方向(透過電極領域80Tの長
辺に平行)にラビング処理を施すことによって、ラビン
グ筋の発生が少ないアクティブマトリクス基板が形成さ
れる。反射電極領域80Rの高さは、例えば、反射層8
9の厚さや、反射電極領域内にパシベーション膜98を
設けて調整することで制御することができる。
A vertical alignment film (not shown) covering these is formed, and as described above, the rubbing process is performed in the pixel region in a direction in which the step relative to the rubbing process is small (parallel to the long side of the transmission electrode region 80T). By performing this, an active matrix substrate with less occurrence of rubbing streaks is formed. The height of the reflective electrode region 80R is, for example, the reflective layer 8
The thickness can be controlled by providing a passivation film 98 in the reflective electrode region and adjusting the thickness.

【0065】[0065]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によると、
ラビング処理による配向不良が発生せず、表示品質の優
れた液晶表示装置が提供される。特に、垂直配向膜と負
の誘電異方性を有する液晶材料を用いる透過反射両用型
の液晶表示装置に適用することによって、優れた表示品
質を実現することができる。
As described in detail above, according to the present invention,
The present invention provides a liquid crystal display device which does not cause alignment failure due to rubbing treatment and has excellent display quality. Particularly, by applying the present invention to a transflective liquid crystal display device using a vertical alignment film and a liquid crystal material having negative dielectric anisotropy, excellent display quality can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1における透過反射両用型液晶表示装
置100を示す。(a)は液晶表示装置100を構成す
るアクティブマトリックス基板20を示す平面図であ
り、(b)は液晶表示装置100の部分断面図である。
FIG. 1 shows a transflective liquid crystal display device 100 according to a first embodiment. 1A is a plan view showing an active matrix substrate 20 constituting the liquid crystal display device 100, and FIG. 2B is a partial sectional view of the liquid crystal display device 100.

【図2】アクティブマトリックス基板20の製造工程を
説明する断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the active matrix substrate 20.

【図3】アクティブマトリックス基板20の他の製造工
程を説明する断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating another manufacturing process of the active matrix substrate 20.

【図4】アクティブマトリックス基板20の他の製造工
程を説明する断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating another manufacturing process of the active matrix substrate 20.

【図5】アクティブマトリックス基板20の反射部領域
に形成された凸部の形成方法を説明する断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a method of forming a projection formed in a reflection area of the active matrix substrate 20.

【図6】反射部領域に凸部を形成するために用いれるフ
ォトマスクを示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a photomask used for forming a convex portion in a reflective portion region.

【図7】本発明の液晶表示装置に用いられる他のアクテ
ィブマトリックス基板を示す平面図であり、(b)は
(a)のC−C’線に沿った断面図である。
FIG. 7 is a plan view showing another active matrix substrate used in the liquid crystal display device of the present invention, and FIG. 7 (b) is a cross-sectional view taken along line CC ′ of FIG.

【図8】カラーフイルター基板60の平面図である。FIG. 8 is a plan view of the color filter substrate 60.

【図9】(a)は図8のD−D’線に沿った断面図であ
り、(b)は図8のE−E’線に沿った断面図である。
9A is a sectional view taken along line DD ′ of FIG. 8, and FIG. 9B is a sectional view taken along line EE ′ of FIG.

【図10】本発明の液晶表示装置に用いられる他のアク
ティブマトリックス基板を示す平面図であり、(b)は
(a)のF−F’線に沿った断面図である。
FIG. 10 is a plan view showing another active matrix substrate used in the liquid crystal display device of the present invention, and FIG. 10 (b) is a cross-sectional view taken along line FF ′ of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

18、66 透明電極 19 反射電極 20 アクティブマトリクス基板 20R 反射電極領域 20T 透過電極領域 40 液晶層 60 対向基板(カラーフィルタ基板) 100 液晶表示装置 18, 66 Transparent electrode 19 Reflective electrode 20 Active matrix substrate 20R Reflective electrode region 20T Transmission electrode region 40 Liquid crystal layer 60 Counter substrate (color filter substrate) 100 Liquid crystal display device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鳴瀧 陽三 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 2H090 HA03 JB02 KA07 LA04 LA15 MA01 MA16 MB01 MB02 MB03 MB05  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Yozo Narutaki 22-22, Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka F-term (reference) 2H090 HA03 JB02 KA07 LA04 LA15 MA01 MA16 MB01 MB02 MB03 MB05

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1及び第2基板と、該第1基板と第2
基板との間に挟持された誘電率異方性が負の液晶材料か
らなる液晶層を有し、 該第1及び第2基板は、それぞれの該液晶層側の表面に
第1及び第2垂直配向膜を有し、該第1垂直配向膜のみ
にラビング処理が施されており、 該第1基板は該第2基板よりもラビング処理に対する段
差が少ない、液晶表示装置。
A first substrate, a first substrate and a second substrate;
A first liquid crystal layer formed of a liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy sandwiched between the substrate and the first and second substrates; A liquid crystal display device having an alignment film, wherein only the first vertical alignment film has been subjected to a rubbing process, and wherein the first substrate has less steps for the rubbing process than the second substrate.
【請求項2】 前記第1基板はさらにカラーフィルタ層
を有し、 前記第2基板は、複数の絵素領域毎に、スイッチング素
子と、該スイッチング素子に接続された絵素電極とを有
する、請求項1に記載の液晶表示装置。
2. The method according to claim 1, wherein the first substrate further includes a color filter layer, and the second substrate includes, for each of a plurality of pixel regions, a switching element and a pixel electrode connected to the switching element. The liquid crystal display device according to claim 1.
【請求項3】 第1及び第2基板と、該第1基板と第2
基板との間に挟持された誘電率異方性が負の液晶材料か
らなる液晶層を有し、 該第1及び第2基板は、それぞれの該液晶層側の表面に
第1及び第2垂直配向膜を有する液晶表示装置であっ
て、 前記第2基板は、絵素領域毎に、反射電極領域と透過電
極領域とを有し、該反射電極領域は該透過電極領域より
も高く、該第2基板の表面に段差を形成しており、該第
2垂直配向膜は、ラビング処理に対する段差が最小とな
る方向にラビングされており、且つ、該第1垂直配向膜
はラビング処理されていない、液晶表示装置。
3. The first and second substrates, and the first substrate and the second substrate.
A first liquid crystal layer formed of a liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy sandwiched between the substrate and the first and second substrates; A liquid crystal display device having an alignment film, wherein the second substrate has, for each pixel region, a reflective electrode region and a transmissive electrode region, and the reflective electrode region is higher than the transmissive electrode region; A step is formed on the surface of the two substrates, the second vertical alignment film is rubbed in a direction that minimizes a step relative to the rubbing process, and the first vertical alignment film is not rubbed, Liquid crystal display.
【請求項4】 前記反射電極領域と前記透過電極領域と
によって前記第2基板の表面に形成される段差は、前記
ラビング方向に対しては存在しない、請求項3に記載の
液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein a step formed on the surface of the second substrate by the reflective electrode region and the transmissive electrode region does not exist in the rubbing direction.
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