JP2793076B2 - Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof

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JP2793076B2
JP2793076B2 JP12750492A JP12750492A JP2793076B2 JP 2793076 B2 JP2793076 B2 JP 2793076B2 JP 12750492 A JP12750492 A JP 12750492A JP 12750492 A JP12750492 A JP 12750492A JP 2793076 B2 JP2793076 B2 JP 2793076B2
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liquid crystal
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crystal display
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精一 三ツ井
浩三 中村
直史 木村
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シャープ株式会社
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【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、入射光を反射することによって表示を行うバックライトを用いない反射型液晶表示装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a reflective liquid crystal display device and its manufacturing method without using a backlight that performs display by reflecting incident light.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップパソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用が急速に進展している。 In recent years, word processor, laptop personal computer, the application of a liquid crystal display device to such as a pocket TV are rapidly advancing. 特に、液晶表示装置の中でも外部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表示装置は、光源であるバックライトが不要であるため消費電力が低く、薄型であり軽量化が可能であるため注目されている。 In particular, reflective liquid crystal display device which performs display by reflecting light incident from the outside among the liquid crystal display device, a backlight as a light source is low power consumption because it is not necessary, it is possible to weight a thin attention has been paid for.

【0003】従来から、反射型液晶表示装置にはTN Conventionally, the reflection type liquid crystal display device TN
(ツイステッドネマティック)方式、並びにSTN(スーパーツイステッドネマティック)方式が用いられているけれども、これらの方式では偏光板によって必然的に自然光の光強度の1/2が表示に利用されないことになり、表示が暗くなるという問題がある。 (Twisted nematic) mode, and although STN (super twisted nematic) system is used, necessarily half of the light intensity of the natural light will be not used for display by the polarizing plate in these systems, see there is a problem that becomes dark.

【0004】このような問題に対して、偏光板を用いず、自然光のすべての光線を有効に利用しようとする表示モードが提案されている。 [0004] To solve this problem, without using a polarizing plate, display mode to try to effectively utilize all of the light rays of natural light have been proposed. このようなモードの例として、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる(D.L. Examples of such modes include a phase transition type guest-host method (D. L.
White and G. White and G. N. N. Taylor:J. Taylor: J. Appl. Appl. Phys. Phys. 45 4718 1 45 4718 1
974)。 974). この表示モードでは、電界によるコレステリック・ネマティック相転移現象が利用されている。 In this display mode, the cholesteric-nematic phase transition phenomenon is utilized by the electric field. この相転移型ゲスト・ホスト方式に、さらにマイクロカラーフィルタを組合わせた反射型マルチカラーディスプレイも提案されている(Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida,P This phase transition type guest-host system, yet also proposed reflective multicolor display which combined the micro color filter (Tohru Koizumi and Tatsuo Uchida, P
roceedings ofthe SID,Vol. roceedings ofthe SID, Vol. 29,157,1988)。 29,157,1988).

【0005】このような偏光板を必要としないモードでさらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度からの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。 [0005] In order to obtain a display brighter in such a polarizing plate mode which does not require the respect to the incident light from all angles, it is necessary to increase the intensity of the light scattered in the direction perpendicular to the display screen . そのためには、最適な反射特性を有する反射板を作成することが必要となる。 For this purpose, it is necessary to create a reflector having an optimum reflective characteristic. 上述の文献には、ガラスなどからなる基板の表面を研磨剤で粗面化し、フッ化水素酸でエッチングする時間を変えることによって表面の凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄膜を形成した反射板について記載されている。 The above references, the surface of the substrate made of glass or the like is roughened with an abrasive, controlling the surface irregularities by varying the time of etching with hydrofluoric acid, to form a silver thin film on the uneven It has been described for reflector.

【0006】図10は、アクティブマトリクス方式に用いられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ(以下、TFTと記す)1を有する反射板2aの平面図であり、図11は図10に示す切断面線XI−XIから見た断面図である。 [0006] Figure 10 is a thin film transistor which is a switching element used in active matrix system (hereinafter, referred to as TFT) is a plan view of a reflector 2a having 1, FIG. 11 is taken along the line XI-XI shown in FIG. 10 it is a cross-sectional view as seen from. ガラスなどの絶縁性の基板2上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線3が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線3からはゲート電極4が分岐して設けられている。 On an insulating substrate 2 such as glass, chromium, provided such a plurality of parallel to each other gate bus wiring 3 made of tantalum, the gate electrode 4 is provided to be branched from the gate bus line 3. ゲートバス配線3は、 Gate bus wiring 3,
走査線として機能している。 It is functioning as a scan line.

【0007】ゲートバス電極4を覆って基板2上の全面に窒化シリコン(SiN x )、酸化シリコン(SiO x [0007] the entire surface of silicon nitride covering the gate bus electrode 4 on the substrate 2 (SiN x), silicon oxide (SiO x)
などから成るゲート絶縁膜5が形成されている。 A gate insulating film 5 made of such as are formed. ゲート電極4の上方のゲート絶縁膜5上には、非晶質シリコン(以下、a−Siと記す)、多結晶シリコン、CdSe On top of the gate insulating film 5 of the gate electrode 4, an amorphous silicon (hereinafter, referred to as a-Si), polycrystalline silicon, CdSe
などから成る半導体層6が形成されている。 The semiconductor layer 6 made of like is formed. 半導体層6 Semiconductor layer 6
の一方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るソース電極7が重畳形成されている。 At one end of, titanium, molybdenum, a source electrode 7 made of aluminum or the like is superposed. また、半導体層6の他方の端部には、ソース電極7と同様にチタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレイン電極8が重畳形成されている。 Further, the other end of the semiconductor layer 6, titanium as well as the source electrode 7, molybdenum, drain electrode 8 made of aluminum or the like is superposed. ドレイン電極8の半導体層6と反対側の端部には、ITO(Indium Tin Oxi The end portion of the semiconductor layer 6 of the drain electrode 8 opposite to, ITO (Indium Tin Oxi
de)から成る絵素電極9が重畳形成されている。 Picture element electrode 9 made of de) is superposed.

【0008】図10に示すように、ソース電極7にはゲートバス配線3に前述のゲート絶縁膜5を挟んで交差するソースバス配線10が接続されている。 [0008] As shown in FIG. 10, the source electrode 7 source bus lines 10 intersecting across the gate insulating film 5 above the gate bus line 3 are connected. ソースバス配線10は、信号線として機能している。 Source bus lines 10 functions as a signal line. ソースバス配線10も、ソース電極7と同様な金属で形成されている。 Source bus lines 10 are also formed in the same metal as the source electrode 7.
ゲート電極4、ゲート絶縁膜5、半導体層6、ソース電極7およびドレイン電極8は、TFT1を構成し、該T Gate electrode 4, gate insulating film 5, semiconductor layer 6, the source electrode 7 and the drain electrode 8 constitute the TFT 1, the T
FT1は、スイッチング素子の機能を有している。 FT1 has a function of switching elements.

【0009】図10および図11に示すTFT1を有する反射板2aを反射型液晶表示装置に適応しようとすれば、絵素電極9をアルミニウム、銀などの光反射性を有する金属で形成するばかりでなく、ゲート絶縁膜5の上に凹凸を形成する必要がある。 [0009] If a reflecting plate 2a having a TFT1 shown in FIGS. 10 and 11 attempt to adapt to the reflection type liquid crystal display device, only formed of a metal having light reflectivity of the pixel electrode 9 of aluminum, silver no, it is necessary to form the irregularities on the gate insulating film 5. 一般に、無機物から成る絶縁膜5にテーパの付いた凹凸を均一に形成することは困難である。 In general, it is difficult to uniformly form the irregularities tapered insulating film 5 made of an inorganic material.

【0010】図12はアクティブマトリスク方式に用いられるTFT11を有する反射板12aの平面図であり、図13は図12に示される切断面線XII−XII [0010] Figure 12 is a plan view of a reflection plate 12a having TFT11 employed in the active matrix-type, 13 along the line is shown in Figure 12 XII-XII
から見た断面図である。 It is a cross-sectional view as seen from. ガラスなどの絶縁性の基板12 An insulating substrate such as a glass 12
上にクロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線13が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線13からはゲート電極14が分岐して設けられている。 Chromium above, a plurality of gate bus lines 13 made of tantalum is provided in parallel with each other, the gate electrode 14 is provided to branch from the gate bus line 13. ゲートバス配線13は、走査線として機能している。 Gate bus lines 13 function as scanning lines.

【0011】ゲート電極14を覆って基板12上の全面に窒化シリコン、酸化シリコンなどから成るゲート絶縁膜15が形成されている。 [0011] the entire surface of the silicon nitride on the substrate 12 to cover the gate electrode 14, the gate insulating film 15 made of silicon oxide or the like is formed. ゲート電極14の上方のゲート絶縁膜15上には、a−Siなどから成る半導体層1 On top of the gate insulating film 15 of the gate electrode 14, the semiconductor layer 1 consisting of a a-Si
6が形成されている。 6 is formed. 半導体層16の両端部には、a− At both ends of the semiconductor layer 16, a-
Siなどから成るコンタクト層17が形成されている。 A contact layer 17 made of a Si are formed.
一方のコンタクト層17上にはソース電極18が重畳形成され、他方のコンタクト層17上にはドレイン電極1 The source electrode 18 is formed on one of the contact layer 17 are superimposed formed, the drain electrode 1 is formed on the other contact layer 17
9が重畳形成されている。 9 is superposed. ソース電極18にはゲートバス配線13に前述のゲート絶縁膜15を挟んで交差する信号線として機能するソースバス配線23が接続されている。 Source bus lines 23 which function as lines crossing through the gate insulating film 15 above the gate bus line 13 is connected to the source electrode 18. ゲート電極14、ゲート絶縁膜15、半導体層1 Gate electrode 14, the gate insulating film 15, the semiconductor layer 1
6、コンタクト層17、ソース電極18およびドレイン電極19は、TFT11を構成する。 6, the contact layer 17, the source electrode 18 and drain electrode 19 constitute a TFT 11.

【0012】さらにその上に複数の凸部20aを有し、 [0012] further includes a plurality of protrusions 20a thereon,
ドレイン電極19上にコンタクトホール21を有する有機絶縁膜20が形成される。 The organic insulating film 20 having contact holes 21 on the drain electrode 19 are formed. 有機絶縁膜20上には、反射電極22が形成され、反射電極22はコンタクトホール21を介してドレイン電極19と接続されている。 On the organic insulating film 20, the reflective electrode 22 is formed, the reflective electrode 22 is connected to the drain electrode 19 through the contact hole 21.

【0013】以上のようにTFT11を形成した反射板12a上に有機絶縁膜20を形成すれば、エッチング法を用いて有機絶縁膜20の表面に凸部20aを容易に形成することができ、凸部20aを有する有機絶縁膜20 [0013] By forming the organic insulating film 20 on the reflecting plate 12a formed with TFT11 above, the convex portion 20a can be easily formed on the surface of the organic insulating film 20 by using an etching method, a convex the organic insulating film 20 having a section 20a
上に反射電極22を形成することによって、容易に凹凸を有する反射電極22を形成することができる。 By forming the reflective electrode 22 on, it is possible to form the reflective electrode 22 having an easily uneven.

【0014】 [0014]

【発明が解決しようとする課題】上記文献に記載の反射板では、ガラス基板に研磨剤によって傷を付けることによって凹凸部が形成されるので、均一な形状の凹凸部を形成することができない。 The reflection plate according to the literature [0005] Since uneven portion by scratching by abrasive glass substrate is formed, it is impossible to form the uneven portion of uniform shape. また、凹凸部の形状の再現性が悪いという問題点と、凹凸部の形状がパターン化できないという問題点とがあるため、このようなガラス基板を用いると再現性良く良好な反射特性を有する反射型液晶表示装置を提供することはできない。 The reflection with the problem of poor reproducibility of the shape of the concave-convex portion, since the shape of the uneven portion is a problem that can not be patterned, with good reproducibility excellent reflection characteristics using such a glass substrate it is not possible to provide a mold a liquid crystal display device. さらに、この方法はTFTなどのスイッチング素子を有した反射板に対しては装置にダメージを与える危険があるために適用できない。 Furthermore, can not be applied because of the risk of damaging the device for this method is reflecting plate having a switching element such as TFT.

【0015】また前述の図10および図11に示されるように、反射電極9とソースバス配線10とをゲート絶縁膜5上に形成する際には、反射電極9とソースバス配線10とが導通しないように間隙9aが形成される。 [0015] As shown in FIGS. 10 and 11 described above, when forming the reflection electrode 9 and the source bus lines 10 on the gate insulating film 5, conducting a reflective electrode 9 and the source bus line 10 gap 9a is formed so as not to. しかしながら、前述の図12および図13に示されるように、ソースバス配線23をゲート絶縁膜15上に反射電極22を有機絶縁膜20上に形成すれば、前述のような間隙9aは不要である。 However, as shown in FIGS. 12 and 13 described above, by forming the source bus lines 23 on the gate insulating film 15 organic insulating film 20 to the reflective electrode 22 is formed on the gap 9a as described above is not required .

【0016】表示の輝度を向上するためには、反射電極22は大きいほど好ましい。 [0016] In order to improve the brightness of the display, the reflection electrode 22 is preferably larger. したがって、図12および図13では反射電極22端部は有機絶縁膜20を介してソースバス配線23上にも形成され、図10および図1 Therefore, the reflective electrode 22 end in FIG. 12 and FIG. 13 is also formed on the source bus line 23 through the organic insulating film 20, 10 and 1
1で示される反射電極9より大きい。 Greater than the reflection electrode 9 shown in 1.

【0017】しかし、有機絶縁膜20は凹凸を有しているため、凹部が深くなり、凹部の底20bがソースバス配線23上に接触するエッチング不良が生じた場合、有機絶縁膜20による絶縁が行われず、有機絶縁膜20上に形成される反射電極22とソースバス配線23との絶縁不良が生じるという問題がある。 [0017] However, since the organic insulating film 20 which has irregularities, recesses become deeper, if the bottom 20b of the recess has occurred defective etching in contact on the source bus line 23, the insulation by the organic insulating film 20 done without, there is a problem that insulation failure occurs between the reflective electrode 22 and the source bus lines 23 formed on the organic insulating film 20.

【0018】また、基板12上の全面に凸部20aを有する有機絶縁膜20を形成するため、反射電極22をパターニングする際、凸部20aによって反射電極22の端部に凹凸が生じ、反射電極22のパターニング不良が生じるという問題がある。 Further, for forming an organic insulating film 20 having a convex portion 20a on the entire surface of the substrate 12, when patterning the reflective electrode 22, unevenness occurs in the end portion of the reflective electrode 22 by the convex portion 20a, the reflection electrode there is a problem that 22 defective patterning of the resulting.

【0019】本発明の目的は、上述の問題を解決し、良好な反射特性を有する反射電極を備えた反射型液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to solve the above problems, it is to provide a reflective liquid crystal display device and a manufacturing method thereof with a reflective electrode having a good reflective characteristic.

【0020】 [0020]

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在して対向配置される基板のうち、一方の基板上の液晶層側に形成された凹凸を有する絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された反射電極とを備えた反射型液晶表示装置において、前記絶縁膜に、方形の単位パターン内で断面形状が円形である凹凸部が不規則に配置され、隣り合う単位パターンとは鏡面反転された形状の凹凸が形成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置である。 The present invention SUMMARY OF THE INVENTION, among the substrates disposed to face each other by interposing a liquid crystal layer, an insulating film having formed on the liquid crystal layer side on one substrate irregularities on the insulating film in the reflection type liquid crystal display device that includes a formed reflective electrode, the insulating film, the cross-sectional shape in a rectangular unit pattern is arranged irregularly uneven portion is circular, the adjacent unit pattern mirror the unevenness of the inverted shape is formed is a reflection type liquid crystal display device according to claim.

【0021】また本発明は、第1のバス配線と第2のバス配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子をさらに備え、前記反射電極が前記スイッチング素子に接続され、前記絶縁膜が前記スイッチング素子、前記第1のバス配線および前記第2のバス配線の一部を覆う反射型液晶表示装置であって、前記絶縁膜のうち前記反射電極が形成される領域であって、少なくとも前記第1のバス配線または前記第2のバス配線の一方と前記反射電極とが重なる領域を除いて凹凸が形成されていることを特徴とする。 [0021] The present invention further comprises a switching element provided in the vicinity of the intersections of the first bus line and the second bus lines, the reflective electrode connected to the switching element, the insulating film the switching element, a reflective type liquid crystal display device for covering a portion of said first bus lines and the second bus lines, a region where the reflective electrode is formed of the insulating film, at least the wherein the unevenness except one and the region where the reflective electrode overlaps the first bus lines or the second bus lines are formed.

【0022】また本発明は、液晶層を介在して対向配置される基板のうち、一方の基板上の液晶層側に形成された凹凸を有する絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された反射電極とを備えた反射型液晶表示装置の製造方法において、前記一方の基板上に有機絶縁膜を塗布する工程と、 [0022] The present invention, among the substrates disposed to face each other by interposing a liquid crystal layer, an insulating film having irregularities formed on the liquid crystal layer side on one substrate, the reflection formed on the insulating film the method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device including an electrode, a step of applying an organic insulating film on the one substrate,
方形の単位パターン内に直径3〜50μmの遮光または透光領域が不規則に、かつ隣接する前記遮光または透光領域が1μm以上離れて配置されており、隣り合う単位パターンが鏡面反転されて形成されたマスクを使用して、前記絶縁膜に凹凸を形成する工程と、前記凹凸部に熱処理を施す工程と、前記熱処理の施された絶縁膜に金属薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法である。 Irregular light shielding or translucent regions diameter 3~50μm a square in the unit pattern, and the light shielding or translucent regions adjacent are spaced apart more than 1 [mu] m, adjacent unit patterns is mirror-inverted form using a mask that is, wherein and forming irregularities on the insulating film, and a step of performing heat treatment on the uneven portion, and forming a metal thin film on an insulating film has been subjected to the heat treatment it is a manufacturing method of a reflection type liquid crystal display device according to.

【0023】 [0023]

【作用】本発明に従えば、反射板は凹凸を有する絶縁膜とその上に形成された反射電極とから成り、絶縁膜には方形の単位パターン内で断面形状が円形である凹凸部が不規則に配され、隣り合う単位パターンとは鏡面反転された形状の凹凸部が形成されているので、凹凸部を形成するマスクの設計を簡略化できるとともに、継ぎ目が直線にならず、この上に形成された反射電極による反射特性が良好になる。 According to the invention, the reflecting plate consists of an insulating film having an uneven and the reflective electrode formed thereon, the cross-sectional shape in a rectangular unit pattern in the insulating film is uneven portion is circular not arranged convention, uneven portions of the adjacent unit patterns are mirror-inverted shape is formed, it is possible to simplify the design of the mask for forming the uneven portions, seam does not become a straight line, on this reflection characteristics of the formed reflective electrode is improved.

【0024】また本発明に従えば、前記絶縁膜に凹凸部が形成される領域は、第1のバス配線および第2のバス配線と重なる領域が除外されている。 [0024] According to the present invention, the area where uneven portion is formed on the insulating film, a region overlapping with the first bus line and the second bus lines are excluded. これによって凹部が深くなり、凹部の底面が第1および第2のバス配線に接触してもこの上に形成される反射電極がバス配線に接触することが防げる。 This recess is deepened, the reflective electrode bottom surface of the recess is formed on the even contact with the first and second bus lines can be prevented to be in contact with the bus lines.

【0025】また本発明に従えば、単位パターン内に直径が3〜50μmの円形の遮光または透光領域が不規則に、かつ隣接する前記領域との距離が1μm以上離れて配置されており、これによって均一な反射特性を有する反射板が簡単に基板上に形成できる。 [0025] According to the present invention, irregular diameter within the unit pattern is a circular light-shielding or light-transmitting area of ​​3 to 50 [mu] m, and the distance between adjacent said regions are spaced apart more than 1 [mu] m, This can be formed on the reflecting plate easily on a substrate having a uniform reflection characteristics.

【0026】また、前記反射機能を有する薄膜が、誘電体ミラーやコレステリック液晶を用いたノッチ形フィルタの絶縁性薄膜であってもよいが、金属薄膜としても差し支えがない。 Further, a thin film having a reflection function may be an insulating thin film of the notch-shaped filter using dielectric mirror or a cholesteric liquid crystal, but there is no harm even the metal thin film. さらに、この場合には前記透光性基板に形成された電極とは前記液晶層を挟んで対向する電極としても機能を付与することができる。 Moreover, the electrode formed on the transparent substrate in this case it is possible to impart a function as an electrode facing each other across the liquid crystal layer.

【0027】 [0027]

【実施例】以下、実施例でもって本発明をより具体的に説明する。 EXAMPLES The following have in Examples illustrate the present invention more specifically.

【0028】図1は本発明の一実施例である反射型液晶表示装置30の断面図であり、図2は図1に示される反射板52の平面図である。 [0028] Figure 1 is a sectional view of a reflection type liquid crystal display device 30 according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a reflection plate 52 shown in FIG. ガラスなどから成る絶縁性の基板31上に、クロム、タンタルなどから成る複数の第1のバス配線であるゲートバス配線32が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線32からは第2のバス配線であるソートバス配線39の交差部の近傍でゲート電極3 Like on an insulating substrate 31 made of glass, chromium, gate bus lines 32 a plurality of first bus lines made of tantalum is provided in parallel with each other, the second bus lines from the gate bus line 32 the gate electrode 3 in the vicinity of the intersection of a Sotobasu wiring 39
3が分岐している。 3 is branched. ゲートバス配線32は、走査線として機能している。 Gate bus lines 32 function as scanning lines.

【0029】ゲート電極33を覆って基板31上の全面に、窒化シリコン(SiN x )、酸化シリコン(Si [0029] covering the gate electrode 33 on the entire surface of the substrate 31, a silicon nitride (SiN x), silicon oxide (Si
x )などから成るゲート絶縁膜34が形成されている。 O x) gate insulating film 34 made of like is formed. ゲート電極33の上方のゲート絶縁膜34上には、 On top of the gate insulating film 34 of the gate electrode 33,
a−Si、多結晶シリコン、CdSeなどから成る半導体層35が形成されている。 a-Si, polycrystalline silicon, the semiconductor layer 35 made of a CdSe is formed. 半導体層35の両端部には、a−Siなどから成るコンタクト電極41が形成されている。 At both ends of the semiconductor layer 35, a contact electrode 41 made of a-Si or the like are formed. 一方のコンタクト電極41上にはチタン、モリブデン、アルミニウム等から成るソース電極36が重畳形成され、他方のコンタクト電極41上にはソース電極36と同様にチタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレイン電極37が重畳形成されている。 Titanium on one of the contact electrode 41, a molybdenum, a source electrode 36 made of aluminum or the like is superimposed formed, titanium similarly to the source electrode 36 is formed on the other of the contact electrode 41, a molybdenum, a drain electrode 37 made of aluminum or the like It is superposed.

【0030】図2に示すようにソース電極36には、ゲートバス配線32に前述のゲート絶縁膜34を挟んで交差するソースバス配線39が接続されている。 [0030] The source electrode 36 as shown in FIG. 2, source bus wirings 39 crossing through the gate insulating film 34 above the gate bus line 32 is connected. ソースバス配線39は、信号線として機能している。 Source bus lines 39 functions as a signal line. ソースバス配線39も、ソース電極36と同様の金属で形成されている。 Source bus lines 39 are also formed in the same metal as the source electrode 36. ゲート電極33、ゲート絶縁膜34、半導体層3 Gate electrode 33, the gate insulating film 34, semiconductor layer 3
5、ソース電極36およびドレイン電極37は、TFT 5, the source electrode 36 and drain electrode 37, TFT
40を構成し、該TFT40は、スイッチング素子の機能を有する。 Configure 40, the TFT40 has the function of switching elements.

【0031】ゲートバス配線32、ソースバス配線39 The gate bus line 32, the source bus line 39
およびTFT40を覆って、基板31上全面に有機絶縁膜42が形成されている。 And covering the TFT 40, the organic insulating film 42 is formed on the entire surface of the substrate 31. 有機絶縁膜42の反射電極3 Reflective electrode 3 of the organic insulating film 42
8が形成される領域には先細状で底面部の断面形状が直径3〜50μm、好ましくは5〜20μmの凸部が高さHで、隣接する凸部が1μm以上離れて形成されており、ドレイン電極37部分にはコンタクトホール43が形成されている。 8 is a bottom portion with tapering the area formed cross section diameter 3 to 50 [mu] m, preferably the convex portion height H of 5 to 20 [mu] m, are formed apart protrusions adjacent than 1 [mu] m, a contact hole 43 is formed in the drain electrode 37 portion. 有機絶縁膜42の形成方法やこれにコンタクトホール43を形成する工程上の問題、および液晶表示装置30を作成する際のセル厚のばらつきを小さくするため、前記凸部の高さHは10μm以下が好ましい(一般にセルの厚さは10μm以下である)。 The organic insulating film 42 of the forming method and which process issues to form contact holes 43 in, and to reduce variations in cell thickness in creating a liquid crystal display device 30, the height H of the convex portion is 10μm or less preferably (typically the thickness of the cell is 10μm or less). 有機絶縁膜42の円形の凸部42aの形成領域上にアルミニウム、銀などから成る反射電極38が形成され、反射電極38はコンタクトホール43においてドレイン電極37 Aluminum in the organic insulating film 42 circular protrusion 42a of the forming region of the reflective electrode 38 made of silver is formed, the reflective electrode 38 is the drain electrode 37 in the contact hole 43
と接続される。 It is connected to. さらにその上には配向膜44が形成される。 Further thereon an alignment film 44 is formed.

【0032】他方の基板45上には、カラーフィルタ4 [0032] On the other substrate 45, a color filter 4
6が形成される。 6 is formed. カラーフィルタ46の基板31の反射電極38に対向する位置にはマゼンタまたは緑のフィルタ46aが形成され、反射電極38に対向しない位置にはブラックのフィルタ46bが形成される。 At a position facing the reflecting electrode 38 of the substrate 31 of the color filter 46 is formed magenta or green filter 46a, the filter 46b of black is formed at a position not opposed to the reflective electrode 38. カラーフィルタ46上の全面にはITOなどから成る透明な電極4 Transparent electrodes made of ITO on the entire surface of the color filter 46 4
7、さらにその上には配向膜48が形成される。 7, further thereon is formed an alignment film 48.

【0033】両基板31,45は、反射電極38とフィルタ46aとが一致するように対向して貼り合わせられ、間に液晶49が注入されて反射型液晶表示装置30 The two substrates 31 and 45, the reflective electrode 38 and the facing is bonded as a filter 46a coincide, the reflection type liquid crystal display device liquid crystal 49 is injected between 30
が完成する。 There is completed.

【0034】図3は、図1および図2に示される円形の凹凸を有する反射電極38を基板31上に形成する形成方法を説明する工程図であり、図4は図3に示す形成方法を説明する断面図であり、図5は図3の工程s7で用いられるマスク51の平面図である。 [0034] FIG. 3 is a process view for explaining a method of forming a reflective electrode 38 having a circular-dimensional pattern shown in FIGS. 1 and 2 on a substrate 31, a forming method 4 shown in FIG. 3 are sectional views illustrate, FIG. 5 is a plan view of a mask 51 used in step s7 in Fig. 図4(1)は図3 4 (1) of FIG. 3
の工程s4を示し、図4(2)は図3の工程s7を示し、図4(3)は図3の工程s8を示し、図4(4)は図3の工程s9を示している。 Shows the steps s4, 4 (2) shows step s7 of FIG. 3, FIG. 4 (3) shows step s8 in FIG. 3, FIG. 4 (4) shows a step s9 of FIG.

【0035】工程s1では、ガラスなどから成る絶縁性の基板31上にスパッタリング法によって3000Åの厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリソグラフ法およびエッチングによってパターニングを行い、ゲートバス配線32およびゲート電極33を形成する。 [0035] In step s1, by sputtering on the insulating substrate 31 made of glass or the like to form a tantalum metal layer having a thickness of 3000 Å, and patterned the metal layer by photolithographic method and an etching, the gate bus lines to form a 32 and the gate electrode 33. 工程s2では、プラズマCVD法によって4000 In step s2, by plasma CVD 4000
Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜34を形成する。 Forming a gate insulating film 34 having a thickness of the silicon nitride Å.

【0036】工程s3では、半導体層35となる厚さ1 [0036] In step s3, the thickness becomes the semiconductor layer 35 of 1
000Åのa−Si層と、コンタクト層41となる厚さ400Åのn +型a−Si層とをこの順で連続的に形成する。 And a-Si layer 000A, to continuously form a n + -type a-Si layer having a thickness of 400Å as a contact layer 41 in this order. 形成されたn +型a−Si層およびa−Si層のパターニングを行い、半導体35およびコンタクト層4 The formed n + -type a-Si layer and subjected to patterning of the a-Si layer, the semiconductor 35 and the contact layer 4
1を形成する。 To form a 1. 工程s4では、基板31の全面に厚さ2 In step s4, the thickness on the entire surface of the substrate 31 is 2
000Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソース電極36、ドレイン電極37およびソースバス配線39を形成し、TFT40が完成する。 Molybdenum metal 000Å was formed by sputtering, and by patterning the molybdenum metal layer, forming a source electrode 36, drain electrode 37 and source bus lines 39, TFT 40 is completed. 図4(1)は、 4 (1)
工程s4までの処理終了後のTFT40が形成された反射板52の断面図である。 Is a cross-sectional view of a reflection plate 52 TFT40 is formed after completion of processing up to the step s4.

【0037】工程s5では、TFT40を形成した反射板52上全面にポリイミド樹脂(商品名:JSS−74 [0037] In step s5, 52 on the entire surface of the polyimide resin reflector plate forming the TFT 40 (trade name: JSS-74
2;日本合成ゴム株式会社製)を、1200rpmで2 2; the Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), 2 at 1200rpm
0秒間スピンコートし、2μmの厚さに形成し、有機絶縁膜42を形成する。 And 0 seconds spin coating, formed to a thickness of 2 [mu] m, to form an organic insulating film 42. 工程s6では、ホトリソグラフ法およびドライエッチング法を用いて有機絶縁膜42にコンタクトホール43を形成する。 In step s6, to form a contact hole 43 to the organic insulating film 42 using a photolithographic method and a dry etching method. 工程s7では、有機絶縁膜42上にホトレジスト50を塗布し、図5に示されるマスク51を用いて反射電極38形成領域のホトレジスト50に円形の凸部50aをパターニングする。 In step s7, a photoresist 50 is coated on the organic insulating film 42 is patterned circular protrusion 50a on the photoresist 50 of the reflective electrode 38 formed region using a mask 51 shown in FIG. さらに、円形の凸部50aの角を取るために、120℃〜2 Furthermore, to take the square of the circular convex portion 50a, 120 ° C. to 2
50℃の範囲で熱処理を行う。 Performing heat treatment in the range of 50 ° C.. 本実施例では、200 In this embodiment, 200
℃、30分の熱処理を行った。 ℃, was subjected to a heat treatment of 30 minutes. 図4(2)に、工程s7 4 (2), the step s7
までの処理終了後の基板31の断面図を示す。 It shows a cross-sectional view of the substrate 31 after completion of processing up. マスク5 Mask 5
1には、反射電極38形成領域に図5の斜線で示す円形の遮光領域51aが不規則に形成されている。 The 1, circular light shielding regions 51a indicated by oblique lines in FIG. 5 to the reflective electrode 38 formed region is irregularly formed.

【0038】工程s8では、図4(3)に示されるように、ホトレジスト50のない部分の有機絶縁膜42をエッチングして高さHが1.0μmの円形の凸部42aを形成する。 [0038] In step s8, as shown in FIG. 4 (3), the organic insulating film 42 of the portion having no photoresist 50 is etched height H to form a circular convex portion 42a of 1.0 .mu.m. このとき、ホトレジスト50に熱処理を行い、円形の凸部の角を取ってあるため、円形の凸部42 In this case, heat treatment is performed on the photoresist 50, since that is taking the corners of circular protrusions, circular protrusions 42
aもまた角が取れた形に形成される。 a is also formed in the shape that the corner has been established. また、コンタクトホール43およびTFT40上の有機絶縁膜42はホトレジスト50によって保護されており、エッチングが行われない。 The organic insulating film 42 on the contact hole 43 and TFT40 are protected by the photoresist 50, it is not performed etching. エッチングが終われば、薬品で洗浄するか、 After completion etching, or cleaning with chemicals,
光照射でホトレジスト50を取りさる。 Monkey takes the photoresist 50 in the light irradiation.

【0039】工程s9では有機絶縁膜42上全面にアルミニウム層を形成し、図4(4)に示されるように、円形の凸部42aの上に反射電極38を形成する。 [0039] The aluminum layer is formed on the step s9 organic insulating film 42 over the entire surface, as shown in FIG. 4 (4), to form a reflective electrode 38 on the circular convex portion 42a. この状態の反射板52を、反射電極38を有する基板52とする。 A reflector 52 in this state, the substrate 52 having the reflective electrode 38. 反射電極38は、有機絶縁膜42に形成されたコンタクトホール43を介してTFT40のドレイン電極3 Reflective electrode 38, the drain electrode 3 of TFT40 via a contact hole 43 formed in the organic insulating film 42
7と接続されている。 And it is connected to the 7.

【0040】有機絶縁膜42上の凸の形状を決めるマスクの形状は、図5(a)に示すような一辺が100〜2 The shape of the mask that determines the shape of the convex of the organic insulating film 42, the side as shown in FIG. 5 (a) 100-2
00μmの方形のFで示す単位パターン51とし、図5 The unit pattern 51 shown in square F of 00Myuemu, 5
(b)に示すように鏡面反転を利用して設計する。 Designed using the mirror-reversed as shown in (b). 図6 Figure 6
は鏡面反転を利用して設計したマスク55の一例を示す。 Shows an example of a mask 55 was designed using the mirror-inverted. なお、図6の点線53,56は鏡面を示す。 The dotted line 53 and 56 of FIG. 6 shows a mirror.

【0041】有機絶縁膜42上の凸部の形状は、マスク51を鏡面反転を利用して設計したマスク55の形状、 The organic shape of the convex portion on the insulating film 42, the shape of the mask 55 designed mask 51 by using a mirror-inverted,
ホトレジスト50の厚さ、ドライエッチングの時間によって制御することができるが、さらに他の有機絶縁膜を塗布してもよい。 The thickness of the photoresist 50, can be controlled by the time of the dry etching, it may be further coated with another organic insulating film.

【0042】以上の工程によって、反射電極38を有する反射板52を得た。 [0042] Through the above steps, to obtain a reflection plate 52 having a reflection electrode 38. また上述の製造工程において、有機絶縁膜42のドライエッチング時間を長くして、種々の半径の円形の凸部42aとのそれぞれの高さHを1μ In the above-described manufacturing process, by increasing the dry etching time of the organic insulating film 42, the respective heights H of the various radii of the circular convex portion 42a 1 [mu]
mとした基板31を得ることができ、高さHが1μmである反射電極38を有する反射板52を基板59とする。 It is possible to obtain a substrate 31 having a m, a reflecting plate 52 having a reflection electrode 38 and a height H is 1μm and the substrate 59.

【0043】図1に示される他方の基板45に形成される電極47は、たとえばITOから成り、厚さは100 The electrode 47 formed on the other substrate 45 shown in FIG. 1, for example made of ITO, the thickness 100
0Åである。 It is 0Å. 配向膜44,48は、ポリイミドなどを塗布後、焼成することによって形成されている。 Alignment films 44 and 48, after such a coating polyimide, is formed by firing. 基板5 Substrate 5
2,45間には、たとえば7μmのスペーサを混入した図示しない接着性シール剤をスクリーン印刷することによって液晶49を封入する空間が形成され、前記空間を真空脱気することによって液晶49が注入される。 Between 2,45, for example space for sealing a liquid crystal 49 is formed by an adhesive sealant (not shown) mixed with 7μm spacer screen printing, the liquid crystal 49 is injected by vacuum degassing the space that. 液晶49としては、たとえば黒色色素を混入したゲストホスト液晶(メルク社製、商品名 ZLI2327)に、光学活性物質(メルク社製、商品名 S811)を4.5 As the liquid crystal 49, a guest-host liquid crystal (Merck, trade name ZLI2327) obtained by mixing for example, black dye, optically active substance (Merck, trade name S811) 4.5
%混入したものを用いる。 % Used after mixed.

【0044】図7は、反射電極67を有する反射板70 [0044] Figure 7, reflector 70 having a reflective electrode 67
の反射特性の測定方法を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing a measuring method of the reflection characteristic of. 反射板70 Reflection plate 70
を実際に液晶表示装置に用いる場合を想定し、液晶層とガラス基板の屈折率はいずれも約1.5とほぼ等しいので、反射電極67を有する反射板70上に屈折率1.5 Actually assumed that used in a liquid crystal display device, the refractive index of the liquid crystal layer and the glass substrate is substantially equal to about 1.5 Both, the refractive index on the reflecting plate 70 having a reflective electrode 67 1.5
の紫外線硬化接着樹脂63を用いてガラス基板62を密着し、測定装置61を形成する。 Adhered to the glass substrate 62, to form a measuring device 61 using a UV curing adhesive resin 63. ガラス基板62の上部には、光の強度を測定するフォトマルチメータ64が配置されている。 On top of the glass substrate 62, the photo multimeter 64 to measure the intensity of light is disposed. フォトマルチメータ64は、反射板70 Photo multimeter 64, the reflection plate 70
に対して入射角θで入射する入射光65のうち、反射電極67によってガラス基板69の法線方向に反射する散乱光66を検出するように、反射板70の法線方向に固定されている。 Of the incident light 65 at an incident angle theta, to detect scattered light 66 reflected in the normal direction of the glass substrate 69 by the reflective electrode 67, and is fixed in the normal direction of the reflector 70 are against .

【0045】測定装置61に入射される入射光65の入射角θを変化させて反射電極67による法線方向の散乱光66を測定することによって、反射電極67の反射特性が得られる。 [0045] By measuring the normal direction of the scattered light 66 by the reflecting electrode 67 by changing the incident angle θ of the incident light 65 incident on the measuring device 61, the reflection characteristics of the reflection electrode 67 is obtained.

【0046】図8は、図1に示す円形の凸部をもった反射電極38の反射特性を示すグラフである。 [0046] Figure 8 is a graph showing reflection characteristics of the reflective electrode 38 having a circular convex portion shown in FIG. 図8において入射角θをもって入射する光の反射強度はθ=0°の線に対する角度θの方向に原点0からの距離として横軸に表されている。 Reflection intensity of the light incident with a incident angle theta is represented on the horizontal axis as the distance from the origin 0 in the direction of an angle theta with respect to the line of theta = 0 ° in FIG. 8. 反射電極38の反射特性を黒三角で示す。 The reflection characteristic of the reflective electrode 38 indicated by the solid triangles. 白丸で示す反射特性曲線は、標準白色板(酸化マグネシウム)について測定したものである。 Reflection characteristic curve indicated by white circles, is measured for a standard white plate (magnesium oxide).

【0047】図9は、前述の図13に示す従来の円形凸部の反射電極22による反射特性を示すグラフである。 [0047] Figure 9 is a graph showing the reflection characteristics of the reflection electrode 22 of the conventional circular protrusions shown in FIG. 13 described above.
反射電極22による反射特性を黒四角で示す。 The reflection characteristics of the reflective electrode 22 shown by the black squares. 本発明の円形の凸部を有する反射電極38の反射特性と、従来の円形の凸部を有する反射電極とを比較すると、前者の方が反射特性がよく、明るい表示が得られることがわかる。 The reflection characteristic of the reflection electrode 38 having a circular convex portion of the present invention, the conventional comparing the reflective electrode having a circular protrusion, the former is better reflection characteristics, it can be seen that the bright display is obtained.

【0048】ポリイミド樹脂の種類や膜厚、レジストの熱処理温度を適当に選択すると凹凸の傾斜角度を自由に制御することができ、これによって反射強度の入射角θ The polyimide resin type and thickness, the heat treatment temperature of the resist suitable selection can be freely controlled inclination angle of the unevenness, whereby the angle of incidence of the reflected intensity θ
の依存性を制御できる。 You can control the dependencies. その上に塗布する有機絶縁膜の種類や膜厚を変えることによっても反射強度を制御できる。 Can control the reflective intensity by changing the kind and thickness of the organic insulating film applied thereon.

【0049】また、マスク51の遮光領域の占める割合を変えることによって、正反射成分の大きさも制御することができる。 [0049] Further, by changing the proportion of the light shielding region of the mask 51 can be the size of the specular reflection component is also controlled.

【0050】反射率の測定は、前述の図8の反射板の位置に、上記の反射型液晶表示装置を置いて測定した。 [0050] Reflectance measurements, the position of the reflector of Figure 8 described above, was measured by placing the above reflective liquid crystal display device. 反射率は、入射角θ=30°をもって入射する入射光について説明され、標準白色板における法線方向への拡散光に対する、表示装置における法線方向への拡散光の強度の比率を求めることによって得られる。 Reflectance is described light incident with a incident angle theta = 30 °, with respect to the diffused light in the normal direction at the standard white plate, by determining the ratio of the intensity of the diffused light in the normal direction of the display device can get.

【0051】本実施例の反射型液晶表示装置では、反射型アクティブマトリスク基板52の反射電極38を形成した面が、液晶層側に配置されているので視差がなくなり、良好な表示画面が得られる。 [0051] In the reflection type liquid crystal display device of this embodiment, a surface forming the reflection electrode 38 of the reflection type active matrix-substrate 52, since it is disposed on the liquid crystal layer side eliminates parallax, good display screen obtained It is. また、本実施例では反射型アクティブマトリスク基板52の反射薄膜が液晶層側、すなわち液晶層にほぼ隣接する位置に配置されている構成となるので、凸部の高さHはセル厚よりも小さく、凸部の傾斜角度は液晶の配向を乱さない程度に緩やかにするのが望ましい。 The reflection thin film liquid crystal layer side of the reflective active matrix-substrate 52 in the present embodiment, that is, a configuration that is disposed substantially adjacent positions on the liquid crystal layer, the height H of the convex portion than the cell thickness small, the inclination angle of the convex portion is desirably made gentle so as not to disturb the orientation of the liquid crystal.

【0052】さらに、本実施例では有機絶縁膜のパターニングをドライエッチング法によって行ったが、有機絶縁膜がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶液によるウエットエッチング法によって行ってもよい。 [0052] Further, in this embodiment was patterned organic insulating film by a dry etching method, when the organic insulating film is a polyimide resin may be performed by wet etching method using an alkaline solution. また、有機絶縁膜としてポリイミド樹脂を用いたが、アクリル樹脂などの他の有機材料を用いることができる。 Although a polyimide resin as the organic insulating film, it is possible to use other organic materials such as acrylic resin. さらに、基板としては、本実施例ではガラス基板を用いたが、Si Further, as the substrate, although a glass substrate was used in this example, Si
基板のような不透明基板でも同様な効果が発揮され、この場合には回路を基板上に集積できるメリットがある。 Similar effects in non-transparent substrate such as a substrate is exhibited, in this case, there is a merit of integrated circuits on a substrate.

【0053】なお、本実施例では表示モードとして相転移型ゲスト・ホストモードを取り上げたが、これに限定することなく、たとえば2層式ゲスト・ホストモードのような他の光吸収モード、高分子分散型LCD(液晶表示装置)のような光散乱型表示モード、強誘電性LCD [0053] Incidentally, although this embodiment taken a phase transition type guest-host mode as a display mode, without limitation thereto, for example, other light-absorbing modes such as 2-layer guest-host mode, a polymer light-scattering type display mode such as a distributed LCD (liquid crystal display device), a ferroelectric LCD
で使用される複屈折表示モードなど、本発明にかかわる反射型アクティブマトリクス基板およびその製造方法の適用は可能である。 In such birefringence display mode used, the application of the reflective-type active matrix substrate and a manufacturing method thereof according to the present invention are possible. スイッチング素子としてTFTを用いた場合について説明したが、他のたとえばMIM(Met Has been described the case of using a TFT as a switching element, other example MIM (Met
al Insulator Metal)素子、ダイオード、バリスタなどを用いたアクティブマトリクス基板にも適用することができる。 al Insulator Metal) element, a diode, and the like on the active matrix substrate using a varistor can be applied.

【0054】有機絶縁膜に用いる樹脂にレジスト(OF [0054] resist resin used for the organic insulating film (OF
PR−800)を用いたものは、さらに干渉光を少なくできる効果がある。 PR-800) which was used has the effect of reducing the further interference light.

【0055】 [0055]

【発明の効果】以上のように本発明による反射型液晶表示装置は、反射電極が形成される絶縁膜に、方形の単位パターン内で断面形状が円形である凹凸部が不規則に配置され、隣り合う単位パターンとは鏡面反転された形状の凹凸が形成されているので、凹凸部を形成するマスク設計を簡略化できるとともに、継ぎ目が直線にならない良好な反射特性を有する。 Reflection type liquid crystal display device according to the present invention as described above, according to the present invention is, in an insulating film reflective electrode is formed, uneven portion cross-sectional shape is circular in the unit pattern of a square are irregularly arranged, since the unevenness of the adjacent unit patterns are mirror-inverted shape is formed, it is possible to simplify the mask design to form the uneven portion and has a good reflection characteristic seam is not a straight line. また、前記絶縁膜には、第1 Further, in the insulating film, the first
および第2のバス配線と重なり部には、前記凹凸部が形成されないので、凹部の底面でバス配線と反射電極との間に生ずるおそれのある絶縁不良が防止できる。 And the second bus line and the overlapping portion, the so uneven portion is not formed, can be a risk of some insulating preventing failure occurring between the bus lines in the bottom surface of the concave portion and the reflective electrode.

【0056】また本発明によれば、方形の単位パターン内に直径3〜50μmの円形の遮光または透光領域が不規則に、かつ1μm以上の間隔で隣接される前記領域が配置され、隣り合う単位パターンが鏡面反転されて形成されたマスクを使用して、有機絶縁膜に凹凸を形成するので、前記特徴を有する反射型液晶表示装置が容易に製造できる。 [0056] According to the invention, circular light shielding or translucent regions diameter 3~50μm within rectangular unit pattern irregularly, and said region being adjacent are arranged at intervals greater than 1 [mu] m, adjacent using a mask unit pattern is formed by mirror-inverted, so forming irregularities on the organic insulating film can be easily manufactured a reflection type liquid crystal display device having the above characteristics.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施例である反射型液晶表示装置3 According to an embodiment of the invention, FIG reflective liquid crystal display device 3
0の断面図である。 0 is a sectional view of the.

【図2】図1に示される基板31の平面図である。 2 is a plan view of a substrate 31 shown in FIG.

【図3】図1および図2に示される基板31上に直径3 [3] Figure 1 and a diameter of 3 on the substrate 31 shown in FIG. 2
〜50μmの円形の凸部を有する反射電極38を形成する方法を説明する工程図である。 A method of forming a reflective electrode 38 having a circular protrusion of ~50μm is a process diagram for explaining the.

【図4】図3に示す形成方法を説明するための基板31 Substrate 31 for describing a forming method shown in FIG. 3. FIG
の断面図である。 It is a cross-sectional view of.

【図5】図3の工程s7で用いるマスクの一例の平面図である。 5 is a plan view of an example of a mask used in the step s7 in Fig.

【図6】単位パターンを鏡面反転して設計したマスク5 [6] mask 5 was designed unit pattern by mirror-inverted
5の平面図である。 5 is a plan view of the.

【図7】反射電極67の反射特性を測定する装置の原理を説明する断面図である。 7 is a cross-sectional view illustrating the principle of a device for measuring the reflection characteristic of the reflection electrodes 67.

【図8】本発明の円形の凸部を有する反射電極の反射特性を示すグラフである。 8 is a graph showing reflection characteristics of the reflective electrode having a circular convex portion of the present invention.

【図9】従来技術による円形の凸部を有する反射電極2 [9] the reflective electrode 2 according to the prior art having a circular protrusion
2の反射特性を示すグラフである。 It is a graph showing a second reflection characteristic.

【図10】従来技術に用いられる反射型液晶表示装置の基板2の平面図である。 10 is a plan view of the substrate 2 of the reflective type liquid crystal display device used in the prior art.

【図11】図10に示される切断面線XI−XIから見た断面図である。 11 is a sectional view taken along the line XI-XI shown in FIG. 10.

【図12】従来技術に用いられるその他の反射型液晶表示装置の基板12の平面図である。 12 is a plan view of the substrate 12 other reflective liquid crystal display device used in the prior art.

【図13】図12に示される切断面線XII−XIIから見た断面図である。 13 is a sectional view taken along the line XII-XII shown in FIG. 12.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

30 反射型液晶表示装置 38 反射電極 42 有機絶縁膜 42a 円形の凸部 51,55 マスク 30 reflective liquid crystal display device 38 the reflective electrode 42 organic insulating film 42a circular protrusions 51 and 55 mask

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−102680(JP,A) 特開 平3−50523(JP,A) 特開 昭58−2821(JP,A) 特開 昭58−125084(JP,A) 特開 平4−97121(JP,A) 米国特許4519678(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 6 ,DB名) G02F 1/136 500 G02F 1/1335 520 G02F 1/1343 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (56) reference Patent Sho 57-102680 (JP, a) JP flat 3-50523 (JP, a) JP Akira 58-2821 (JP, a) JP Akira 58- 125084 (JP, a) JP flat 4-97121 (JP, a) United States Patent 4519678 (US, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 6, DB name) G02F 1/136 500 G02F 1/1335 520 G02F 1/1343

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 液晶層を介在して対向配置される基板のうち、一方の基板上の液晶層側に形成された凹凸を有する絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された反射電極とを備えた反射型液晶表示装置において、 前記絶縁膜に、方形の単位パターン内で断面形状が円形である凹凸部が不規則に配置され、隣り合う単位パターンとは鏡面反転された形状の凹凸が形成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置。 [Claim 1] of the substrate disposed to face each other by interposing a liquid crystal layer, an insulating film having irregularities formed on the liquid crystal layer side on one substrate, and a reflective electrode formed on the insulating film in the reflection type liquid crystal display device having the insulating film, the cross-sectional shape in a rectangular unit pattern is arranged irregularly uneven portion is circular, the unevenness of the adjacent unit patterns are mirror-inverted shape forming reflection type liquid crystal display device characterized by being.
  2. 【請求項2】 第1のバス配線と第2のバス配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子をさらに備え、前記反射電極が前記スイッチング素子に接続され、 Wherein further comprising a switching element provided in the vicinity of the intersections of the first bus line and the second bus lines, the reflective electrode connected to the switching element,
    前記絶縁膜が前記スイッチング素子、前記第1のバス配線および前記第2のバス配線の一部を覆う反射型液晶表示装置であって、前記絶縁膜のうち前記反射電極が形成される領域であって、少なくとも前記第1のバス配線または前記第2のバス配線の一方と前記反射電極とが重なる領域を除いて凹凸が形成されていることを特徴とする請求項1記載の反射型液晶表示装置。 The insulating film is the switching element, a reflective type liquid crystal display device for covering a portion of said first bus lines and the second bus lines, there in the region where the reflective electrode of said insulating film is formed Te, according to claim 1, wherein the uneven except one and the region where the reflective electrode overlaps at least said first bus lines or the second bus lines are formed reflective liquid crystal display device .
  3. 【請求項3】 液晶層を介在して対向配置される基板のうち、一方の基板上の液晶層側に形成された凹凸を有する絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された反射電極とを備えた反射型液晶表示装置の製造方法において、 前記一方の基板上に有機絶縁膜を塗布する工程と、 方形の単位パターン内に直径3〜50μmの遮光または透光領域が不規則に、かつ隣接する前記遮光または透光領域が1μm以上離れて配置されており、隣り合う単位パターンが鏡面反転されて形成されたマスクを使用して、前記絶縁膜に凹凸を形成する工程と、 前記凹凸部に熱処理を施す工程と、 前記熱処理の施された絶縁膜に金属薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 3. Among the substrates disposed to face each other by interposing a liquid crystal layer, an insulating film having irregularities formed on the liquid crystal layer side on one substrate, and a reflective electrode formed on the insulating film the method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device including the steps of applying an organic insulating film on the one substrate, irregular light shielding or translucent regions diameter 3~50μm in a unit pattern of a square, and the adjacent wherein and the light-shielding or light-transmitting regions are spaced apart more than 1μm to the steps of the adjacent unit patterns using a mask which is formed by mirror-inverted, forming unevenness on the insulating film, the uneven portion method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device which comprises a step of heat treatment, and forming a metal thin film on an insulating film has been subjected to the heat treatment.
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