JPH0895071A - Reflection type liquid crystal display device - Google Patents

Reflection type liquid crystal display device

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JPH0895071A
JPH0895071A JP6233703A JP23370394A JPH0895071A JP H0895071 A JPH0895071 A JP H0895071A JP 6233703 A JP6233703 A JP 6233703A JP 23370394 A JP23370394 A JP 23370394A JP H0895071 A JPH0895071 A JP H0895071A
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JP
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liquid crystal
electrode
reflective
display device
crystal display
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JP6233703A
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Tadashi Kimura
直史 木村
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Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

PURPOSE: To provide a reflection type liquid crystal display device which is bright and does not deteriorate display grade due to peeling of a reflection electrode. CONSTITUTION: A plurality of gate bus wirings 52 and source bus wirings 53 are formed on the surface on the liquid crystal layer side of an insulating substrate 78 constituting one substrate 51 of a pair of substrates oppositely arranged through a liquid crystal layer, so that they are squarely crossed with each other while holding insulation. A reflection electrode 54 is formed in the rectangular area formed by crossing the wirings 52, 53 with each other. The reflection electrode 54 and the wirings 52, 53 are connected together through a TFT element 55. The reflection electrode 54 is provided with recessed and projecting surface, and the ratio of the territory removing recessed parts 60a, 60b to the marginal part area is selected in the range of 60%-100% in the marginal part 54a of the reflection electrode 54.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、携帯型情報端末装置、
携帯型ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータなど
の表示手段として好適に用いられ、外部からの入射光を
反射することによって表示を行う反射型液晶表示装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a portable information terminal device,
The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device which is suitably used as a display means of a portable word processor, a personal computer or the like and which displays by reflecting incident light from the outside.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置は、比較的薄型、軽量およ
び低消費電力であることから、従来からパーソナルコン
ピュータ、ワードプロセッサ、電子手帳などの情報端末
装置、および携帯型テレビジョンなどの表示手段として
幅広く用いられている。
2. Description of the Related Art Since a liquid crystal display device is relatively thin, lightweight and has low power consumption, it has been widely used as a display means for personal computers, word processors, electronic notebooks and other information terminal devices, and portable televisions. It is used.

【0003】白黒表示を行う液晶表示装置においては、
電子式卓上計算機および時計などの比較的表示する情報
量の少ない電子機器として、TN(ツイステッドネマテ
ィック)型液晶表示装置が、またワードプロセッサなど
の比較的表示情報量の多い電子機器として、STN(ス
ーパーツイステッドネマティック)型液晶表示装置が用
いられる。TN型およびSTN型液晶表示装置は、2枚
の偏光板を必要とし、外部から入射する光の利用効率は
30%以下となる。このため、反射板を設けた反射型液
晶表示装置として用いると、表示画像が暗くなる。ま
た、表示画像を明るくするために、バックライトを設け
ることも可能であるけれども、これによって消費電力の
増大および重量増加などの不都合が生じ、携帯用の電子
機器には適さない。
In a liquid crystal display device for displaying in black and white,
TN (Twisted Nematic) type liquid crystal display device is used as an electronic device such as an electronic desk calculator and a clock that displays a relatively small amount of information, and STN (Super Twisted) is used as an electronic device such as a word processor that displays a relatively large amount of information. A nematic type liquid crystal display device is used. The TN type and STN type liquid crystal display devices require two polarizing plates, and the utilization efficiency of light incident from the outside is 30% or less. Therefore, when it is used as a reflection type liquid crystal display device provided with a reflection plate, a display image becomes dark. A backlight may be provided to make the displayed image brighter, but this causes inconveniences such as an increase in power consumption and an increase in weight, which is not suitable for a portable electronic device.

【0004】カラー表示を行う液晶表示装置において
は、前記TN型およびSTN型液晶表示装置にカラーフ
ィルタを組合わせた液晶表示装置が用いられる。このよ
うなカラー表示用液晶表示装置は、加色混合によってカ
ラー表示を実現している。カラー表示を実現する場合に
も、白黒表示を行う場合と同様に2枚の偏光板を用いて
いるので、入射光の利用効率は低いものとなる。また、
カラー表示を実現するためには、画素を赤、緑、青の3
色に分割するので、画素分割によってさらに光の利用効
率が低下する。さらに、実際の表示パネルでは、画素の
開口率、すなわち1単位の画素領域のうちの実際に表示
に寄与する領域の割合も、光の利用効率に関係し、開口
率が小さくなると光の利用効率も低下する。表示の高精
細化を図ると画素領域が小さくなるけれども、表示に寄
与しない領域、たとえばスイッチング素子や表示のため
の電圧を供給する配線に要する領域の低減には限界があ
るので、前記開口率が小さくなる。このようなことか
ら、カラー表示を行う液晶表示装置においては、表示画
像がさらに暗くなる。たとえば、光の利用効率は数%と
なる。このため、バックライトが必要となり、低消費電
力および軽量化の妨げとなる。
In a liquid crystal display device for color display, a liquid crystal display device in which a color filter is combined with the TN type and STN type liquid crystal display devices is used. Such a liquid crystal display device for color display realizes color display by color mixing. Even when realizing color display, since two polarizing plates are used as in the case of performing monochrome display, the utilization efficiency of incident light is low. Also,
In order to realize color display, three pixels of red, green and blue are used.
Since the light is divided into colors, the light utilization efficiency is further reduced by the pixel division. Furthermore, in an actual display panel, the aperture ratio of the pixel, that is, the ratio of the region that actually contributes to the display in the pixel region of one unit is also related to the light utilization efficiency, and when the aperture ratio becomes smaller, the light utilization efficiency becomes smaller. Also decreases. Although the pixel area becomes smaller when the display is made finer, there is a limit to the reduction of the area that does not contribute to the display, for example, the area required for the switching element or the wiring that supplies the voltage for the display. Get smaller. For this reason, in a liquid crystal display device that performs color display, the display image becomes darker. For example, the utilization efficiency of light is several percent. Therefore, a backlight is required, which hinders low power consumption and weight reduction.

【0005】このような問題に対して、光の利用効率を
向上させるための検討がなされている。たとえば、液晶
層中に二色性色素を混入し、かつ液晶分子の配向にカイ
ラル構造を持たせること、すなわちホワイトテーラー型
ゲスト・ホストモードとすることによって、偏光板を不
要とした明るくコントラスト比の高い表示画像が得られ
ることが、「D.L.White and G.N.Taylor;J.Appl.Phys.
45No.11 4718(1974)」に開示されてい
る。この方法によれば、ねじれ配向した液晶分子に沿っ
て二色性色素もねじれ配向し、このような液晶層に入射
した光は、どの方向の偏光であっても二色性色素によっ
て吸収される。これによって、たとえば白黒表示におけ
る黒表示が実現できる。一方、電圧印加時には、電界方
向に液晶分子および二色性色素が配向し、入射光は透過
する。これによって、白表示が実現できる。
To solve such problems, the efficiency of light utilization is
Investigations are being made to improve it. For example, liquid crystal
Mixing a dichroic dye in the layer and aligning the liquid crystal molecules
Having a Lull structure, that is, a white tailor type
By setting the guest / host mode,
A bright, high-contrast display image is obtained.
, D.L.White and G.N.Taylor; J.Appl.Phys.
45No. 11 4718 (1974) "
It According to this method, along the liquid crystal molecules that are twisted and aligned,
The dichroic dye also twists and aligns and enters such a liquid crystal layer.
The emitted light is polarized by the dichroic dye regardless of the direction of polarization.
Is absorbed. This allows, for example, a black and white display.
Black display can be realized. On the other hand, when applying a voltage, the electric field
Liquid crystal molecules and dichroic dye are oriented in the opposite direction, and incident light is transmitted.
To do. As a result, white display can be realized.

【0006】またたとえば、偏光板を1枚だけ用いる方
法が「第18回液晶討論会3D−110(1992)」
において提案されている。この方法によれば、液晶表示
装置は偏光板/液晶層/反射板、または偏光板/位相差
板/液晶層/反射板の構造を有し、液晶層に入射した光
の位相変化によって表示が行われる。偏光板を1枚しか
用いないので、比較的明るい表示画像が得られる。
Further, for example, the method of using only one polarizing plate is "18th Liquid Crystal Conference 3D-110 (1992)".
Have been proposed in. According to this method, the liquid crystal display device has a structure of polarizing plate / liquid crystal layer / reflecting plate or polarizing plate / retardation plate / liquid crystal layer / reflecting plate, and display is performed by a phase change of light incident on the liquid crystal layer. Done. Since only one polarizing plate is used, a relatively bright display image can be obtained.

【0007】これらの2つの方法によって、30%以下
であった光の利用効率を約50%にまで向上させること
が可能となる。さらに、たとえば画素の開口率を向上す
ることが提案されている。これは、たとえば本件出願人
らによる特開平6−75238号に開示されている。
With these two methods, it is possible to improve the light utilization efficiency of 30% or less to about 50%. Further, it has been proposed to improve the aperture ratio of pixels, for example. This is disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-75238 by the present applicants.

【0008】図21は特開平6−75238号において
開示されている反射型液晶表示装置30の一方の基板3
1の平面図であり、図22は反射型液晶表示装置30の
断面図である。ガラスなどから成り、絶縁性を有する一
方の基板31上に、クロム、タンタルなどから成る複数
のゲートバス配線32が互いに平行に設けられ、ゲート
バス配線32からはゲート電極33が分岐している。ゲ
ートバス配線32は、走査線として機能している。
FIG. 21 shows one substrate 3 of the reflection type liquid crystal display device 30 disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-75238.
1 is a plan view of FIG. 1, and FIG. 22 is a cross-sectional view of the reflective liquid crystal display device 30. A plurality of gate bus wirings 32 made of chromium, tantalum, or the like are provided in parallel with each other on one substrate 31 made of glass or the like and having an insulating property, and a gate electrode 33 branches from the gate bus wiring 32. The gate bus line 32 functions as a scanning line.

【0009】ゲートバス配線32およびゲート電極33
を覆って基板31上の全面に、窒化シリコン(Si
x)、酸化シリコン(SiOx)などから成るゲート絶
縁膜34が形成される。ゲート電極33の上方のゲート
絶縁膜34上には、非晶質シリコン(以下、「a−S
i」と記す。)、多結晶シリコン、CdSeなどから成
る半導体層35が形成されている。半導体層35の両端
部には、a−Siなどから成るコンタクト電極41が形
成されている。一方のコンタクト電極41上には、チタ
ン、モリブデン、アルミニウムなどから成るソース電極
36が重畳形成され、他方のコンタクト電極41上に
は、ソース電極36と同様にチタン、モリブデン、アル
ミニウムなどから成るドレイン電極37が重畳形成され
ている。
Gate bus wiring 32 and gate electrode 33
To cover the entire surface of the substrate 31 with silicon nitride (Si
A gate insulating film 34 made of N x ), silicon oxide (SiO x ) or the like is formed. Amorphous silicon (hereinafter, referred to as “a-S”) is formed on the gate insulating film 34 above the gate electrode 33.
i ”. ), Polycrystalline silicon, and a semiconductor layer 35 made of CdSe or the like. Contact electrodes 41 made of a-Si or the like are formed on both ends of the semiconductor layer 35. A source electrode 36 made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is superposed on one contact electrode 41, and a drain electrode made of titanium, molybdenum, aluminum, or the like is formed on the other contact electrode 41, like the source electrode 36. 37 is formed in an overlapping manner.

【0010】図21に示すようにソース電極36には、
ゲートバス配線32に前述のゲート絶縁膜34を挟んで
交差するソースバス配線39が接続されている。ソース
バス配線39は、信号線として機能している。ソースバ
ス配線39も、ソース電極36と同様の金属で形成され
ている。ゲート電極33、ゲート絶縁膜34、半導体層
35、ソース電極36およびドレイン電極37は、薄膜
トランジスタ(以下、「TFT」と記す。)40を構成
し、該TFT40はスイッチング素子の機能を有する。
As shown in FIG. 21, the source electrode 36 has
A source bus line 39 that intersects with the gate insulating film 34 is connected to the gate bus line 32. The source bus line 39 functions as a signal line. The source bus line 39 is also made of the same metal as the source electrode 36. The gate electrode 33, the gate insulating film 34, the semiconductor layer 35, the source electrode 36, and the drain electrode 37 form a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) 40, and the TFT 40 has a function of a switching element.

【0011】ゲートバス配線32、ソースバス配線39
およびTFT40を覆って、基板31上全面に有機絶縁
膜42が形成されている。有機絶縁膜42の反射電極3
8が形成される領域には、先細状で先端部が球面状に形
成された、高さHの凸部42aが形成されており、有機
絶縁膜42のドレイン電極37上の所定の部分にはコン
タクトホール43が形成されている。有機絶縁膜42の
形成方法や、これにコンタクトホール43を形成する工
程上の問題、および液晶表示装置30を作成する際の液
晶層厚のバラツキを小さくするために、凸部42aの高
さHは10μm以下とすることが好ましい。一般に、液
晶層の厚さは10μm以下である。有機絶縁膜42の凸
部42aの形成領域上にアルミニウム、銀などから成る
反射電極38が形成され、反射電極38はコンタクトホ
ール43によって、ドレイン電極37と接続される。さ
らにその上には、配向膜44が形成される。
Gate bus wiring 32, source bus wiring 39
An organic insulating film 42 is formed on the entire surface of the substrate 31 so as to cover the TFT 40. Reflective electrode 3 of organic insulating film 42
In a region where 8 is formed, a convex portion 42a having a height H and having a tapered tip end formed in a spherical shape is formed, and a predetermined portion on the drain electrode 37 of the organic insulating film 42 is formed. A contact hole 43 is formed. In order to reduce the problems in the method of forming the organic insulating film 42, the process of forming the contact holes 43 in the organic insulating film 42, and the variation in the thickness of the liquid crystal layer when the liquid crystal display device 30 is formed, the height H of the convex portion 42a is reduced. Is preferably 10 μm or less. Generally, the thickness of the liquid crystal layer is 10 μm or less. A reflective electrode 38 made of aluminum, silver, or the like is formed on a region where the convex portion 42a of the organic insulating film 42 is formed, and the reflective electrode 38 is connected to the drain electrode 37 through a contact hole 43. Further, an alignment film 44 is formed on it.

【0012】他方の基板45上には、カラーフィルタ4
6が形成される。カラーフィルタ46は、基板31の反
射電極38に対向する領域には、マゼンタまたは緑色の
フィルタ46aが形成され、反射電極38に対向しない
領域には黒色のフィルタ46bが形成される。カラーフ
ィルタ46上の全面には、ITO(Indium Tin Oxide)
などから成る透明電極47が形成され、さらにその上に
は配向膜48が形成される。
The color filter 4 is provided on the other substrate 45.
6 are formed. In the color filter 46, a magenta or green filter 46a is formed in a region facing the reflective electrode 38 of the substrate 31, and a black filter 46b is formed in a region not facing the reflective electrode 38. ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the entire surface of the color filter 46.
A transparent electrode 47 made of, for example, is formed, and an alignment film 48 is further formed thereon.

【0013】前記2つの基板31,45は、反射電極3
8とフィルタ46aとが一致するように対向して貼合わ
せられ、基板間に液晶が注入されて液晶層49が形成さ
れる。このようにして、反射型液晶表示装置30が完成
する。
The two substrates 31 and 45 are the reflection electrodes 3
8 and the filter 46a are bonded so as to face each other so as to match each other, and liquid crystal is injected between the substrates to form a liquid crystal layer 49. In this way, the reflective liquid crystal display device 30 is completed.

【0014】図23は特開平6−75238号において
従来技術として開示されているアクティブマトリクス方
式に用いられるTFT11を有する基板12の平面図で
あり、図24は図23に示される切断面線X28−X2
8から見た断面図である。ガラスなどの絶縁性を有する
基板12上にクロム、タンタルなどから成る複数のゲー
トバス配線13が互いに平行に設けられ、ゲートバス配
線13からはゲート電極14が分岐して設けられてい
る。ゲートバス配線13は、走査線として機能してい
る。
FIG. 23 is a plan view of a substrate 12 having TFTs 11 used in the active matrix system disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-75238 as a prior art, and FIG. 24 is a sectional plane X28- shown in FIG. X2
FIG. 8 is a cross-sectional view seen from 8. A plurality of gate bus wirings 13 made of chromium, tantalum, or the like are provided in parallel with each other on a substrate 12 having an insulating property such as glass, and gate electrodes 14 are branched from the gate bus wirings 13. The gate bus line 13 functions as a scanning line.

【0015】ゲート電極14を覆って基板12上の全面
に、窒化シリコン、酸化シリコンなどから成るゲート絶
縁膜15が形成されている。ゲート電極14の上方のゲ
ート絶縁膜15上には、a−Siなどから成る半導体層
16が形成されている。半導体層16の両端部には、a
−Siなどから成るコンタクト層17が形成されてい
る。一方のコンタクト層17上にはソース電極18が重
畳形成され、他方のコンタクト層17上には、ドレイン
電極19が重畳形成されている。ソース電極18には、
ゲートバス配線13と前述のゲート絶縁膜15を挟んで
交差する信号線として機能するソースバス配線23が接
続されている。ゲート電極14、ゲート絶縁膜15、半
導体層16、コンタクト層17、ソース電極18および
ドレイン電極19は、TFT11を構成する。
A gate insulating film 15 made of silicon nitride, silicon oxide or the like is formed on the entire surface of the substrate 12 so as to cover the gate electrode 14. A semiconductor layer 16 made of a-Si or the like is formed on the gate insulating film 15 above the gate electrode 14. At both ends of the semiconductor layer 16, a
A contact layer 17 made of —Si or the like is formed. A source electrode 18 is superposed on one contact layer 17, and a drain electrode 19 is superposed on the other contact layer 17. For the source electrode 18,
The source bus line 23, which functions as a signal line, intersects the gate bus line 13 and the gate insulating film 15 described above. The gate electrode 14, the gate insulating film 15, the semiconductor layer 16, the contact layer 17, the source electrode 18, and the drain electrode 19 form the TFT 11.

【0016】さらに、その上に複数の凸部20aを有
し、ドレイン電極19上にコンタクトホール21を有す
る有機絶縁膜20が形成される。有機絶縁膜20上に
は、反射電極22が形成され、反射電極22はコンタク
トホール21を介してドレイン電極19と接続されてい
る。反射電極22上には、さらに配向膜が形成されて、
前述したような一方の基板31と同様にして他方の基板
と貼合わせられ、基板間に液晶が注入される。
Further, an organic insulating film 20 having a plurality of convex portions 20a thereon and having a contact hole 21 on the drain electrode 19 is formed. A reflective electrode 22 is formed on the organic insulating film 20, and the reflective electrode 22 is connected to the drain electrode 19 via a contact hole 21. An alignment film is further formed on the reflective electrode 22,
Similar to the one substrate 31 as described above, it is bonded to the other substrate, and liquid crystal is injected between the substrates.

【0017】図21〜図24に示した例では、反射電極
38,22が、有機絶縁膜42,20の上に形成される
ので、ゲートバス配線32,13およびソースバス配線
39,23の一部に重畳させることが可能となる。した
がって、反射電極38,22の面積が大きくなり、開口
率が向上して光の利用効率が向上するので、明るい表示
画像が得られる。さらに、この方法では、画素電極とし
て反射性を有する材料から成る反射電極38,22を形
成し、当該反射電極38,22を反射板として用いてい
るので、基板31,12の液晶層と反対側に反射板を設
けた反射型液晶表示装置と比較すると、視差が低減す
る。このような構成の液晶表示装置を前述したホワイト
テラー型ゲスト・ホストモードと組合わせることによっ
て、さらに明るい反射型液晶表示装置を実現することが
できる。
In the examples shown in FIGS. 21 to 24, since the reflective electrodes 38 and 22 are formed on the organic insulating films 42 and 20, one of the gate bus wirings 32 and 13 and the source bus wirings 39 and 23 is formed. It becomes possible to superimpose on the part. Therefore, the areas of the reflective electrodes 38 and 22 are increased, the aperture ratio is improved, and the light utilization efficiency is improved, so that a bright display image can be obtained. Further, in this method, since the reflective electrodes 38 and 22 made of a material having reflectivity are formed as the pixel electrodes and the reflective electrodes 38 and 22 are used as the reflectors, the opposite side of the substrates 31 and 12 from the liquid crystal layer. Parallax is reduced as compared with a reflection type liquid crystal display device in which a reflection plate is provided on the. By combining the liquid crystal display device having such a structure with the above-mentioned white teller type guest-host mode, a brighter reflection type liquid crystal display device can be realized.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】図21〜図24に示さ
れるような構成とすることによって、光の利用効率が向
上して明るい表示画像が得られるけれども、前述したよ
うな凹凸による以下のような不都合が生じる。すなわ
ち、有機絶縁膜42,20の表面には、凸部42a,2
0aが形成され、凸部42a,20aを有する有機絶縁
膜42,20上に反射電極38,22が設けられる。
21 to 24, the utilization efficiency of light is improved and a bright display image can be obtained. However, the unevenness as described above causes the following problems. Inconvenience occurs. That is, the convex portions 42 a, 2 are formed on the surfaces of the organic insulating films 42, 20.
0a is formed, and the reflective electrodes 38 and 22 are provided on the organic insulating films 42 and 20 having the convex portions 42a and 20a.

【0019】反射電極38,22は、先ず反射電極3
8,22となる金属膜を全面に形成した後、所定の形状
にパターン形成することによって作成される。このパタ
ーン形成には、エッチング法が用いられる。エッチング
時には、エッチング液によって必要でない部分の金属膜
が溶解除去されるけれども、この際に前記エッチング液
が、反射電極38,22として残すべき金属膜と有機絶
縁膜42,20との間に浸透する。エッチング液の浸透
は、残存すべき金属膜のエッジ部分において、当該金属
膜と有機絶縁膜42,20との界面が多いほど顕著であ
り、前述したように凸部42a,20aを設けることに
よって、見かけ上界面が多くなり、エッチング液の浸透
が顕著となる。また、金属膜は、たとえばスパッタリン
グ法によって成膜されるけれども、この金属膜の被覆性
が悪いときにエッチング液の浸透が顕著となる。
The reflective electrodes 38 and 22 are first formed in the reflective electrode 3
It is formed by forming a metal film to be 8, 22 on the entire surface and then patterning it into a predetermined shape. An etching method is used for this pattern formation. At the time of etching, an unnecessary portion of the metal film is dissolved and removed by the etching liquid. At this time, the etching liquid permeates between the metal film to be left as the reflective electrodes 38 and 22 and the organic insulating films 42 and 20. . The penetration of the etching solution is more remarkable as the number of interfaces between the metal film and the organic insulating films 42 and 20 is larger at the edge portion of the metal film to be left, and by providing the convex portions 42a and 20a as described above, Apparently, the number of interfaces increases, and the penetration of the etching solution becomes remarkable. Although the metal film is formed by, for example, a sputtering method, the penetration of the etching solution becomes remarkable when the coverage of the metal film is poor.

【0020】このようにエッチング液が浸透すると、形
成された反射電極38,22が、そのエッジ部分から剥
離する。反射電極38,22が剥離した絵素は、欠陥絵
素となってしまい表示品位を著しく低下させる。また、
剥離した反射電極38,22は、液晶層中に存在するの
で、これによって他の反射電極38,22と、反射電極
38,22に対向する透明電極との間に短絡が生じる恐
れがある。
When the etching solution thus permeates, the formed reflective electrodes 38 and 22 are separated from the edge portions thereof. The picture element from which the reflective electrodes 38 and 22 are peeled off becomes a defective picture element, and the display quality is significantly deteriorated. Also,
Since the peeled reflective electrodes 38 and 22 are present in the liquid crystal layer, this may cause a short circuit between the other reflective electrodes 38 and 22 and the transparent electrode facing the reflective electrodes 38 and 22.

【0021】なお、図21,図22に示す例では、反射
電極38と、ゲートおよびソースバス配線32,39と
の短絡を避けるために、前記配線32,39上の有機絶
縁膜42の表面には凸部42aを設けていないけれど
も、前述したような剥離を防止するための凸部42aを
設けない領域は規定していない。
In the examples shown in FIGS. 21 and 22, in order to avoid a short circuit between the reflective electrode 38 and the gate and source bus wirings 32, 39, the surface of the organic insulating film 42 on the wirings 32, 39 is covered. Does not provide the convex portion 42a, but does not define a region in which the convex portion 42a for preventing peeling as described above is not provided.

【0022】本発明の目的は、明るく、かつ反射電極の
剥離による表示品位の低下のない反射型液晶表示装置を
提供することである。
An object of the present invention is to provide a reflective liquid crystal display device which is bright and which does not deteriorate the display quality due to peeling of the reflective electrode.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在
して対向配置され、少なくともいずれか一方が透光性を
有する一対の基板のうちの一方基板の液晶層側表面は、
透光性を有する他方基板側からの入射光を反射する反射
電極を有し、他方基板の液晶層側表面は、透光性の電極
を有する反射型液晶表示装置において、前記反射電極は
凹凸状の表面を有し、前記反射電極の周縁部では、当該
周縁部領域に対する凹凸状の表面の凹所または凸部を除
く領域の占める割合が60%以上100%以下の範囲に
選ばれることを特徴とする反射型液晶表示装置である。
また本発明は、液晶層を介在して対向配置され、少なく
ともいずれか一方が透光性を有する一対の基板のうちの
一方基板の液晶層側表面は、透光性を有する他方基板側
からの入射光を反射する表示絵素である複数の反射電極
と、各反射電極に印加される表示のための電圧が供給さ
れる引回電極と、前記引回電極からの電圧を複数の反射
電極に個別的に供給/遮断する複数のスイッチング素子
とを有し、他方基板の液晶層側表面は、当該液晶層側表
面のほぼ全面を覆う透光性を有する共通電極を有する反
射型液晶表示装置において、前記反射電極は凹凸状の表
面を有し、前記反射電極の周縁部では、当該周縁部領域
に対する凹凸状の表面の凹所または凸部を除く領域の占
める割合が60%以上100%以下の範囲に選ばれるこ
とを特徴とする反射型液晶表示装置である。また本発明
は、前記反射電極は矩形または略矩形状であり、当該反
射電極の互いに対向する端部に平行な方向の長さに対す
る前記反射電極の周縁部の前記方向に平行な方向の一方
の幅の割合は、0.3%以上10%以下の範囲に選ばれ
ることを特徴とする。また本発明の1つの反射電極にお
ける凹所または凸部は、不規則に配列されることを特徴
とする。さらにまた本発明の前記凹所または凸部は、1
種類または大きさの異なる2種類以上の形状から成るこ
とを特徴とする。また本発明の前記凹所または凸部の配
列パターンは、各反射電極において同一に選ばれること
を特徴とする。さらにまた本発明の前記凹所または凸部
の配列パターンは、隣接する反射電極間において互いに
反転するように選ばれることを特徴とする。また本発明
の前記反射電極と引回電極とは、相互に絶縁性を保持す
る間隔をあけて、一方基板の液晶層側表面に形成される
ことを特徴とする。
According to the present invention, a liquid crystal layer side surface of one of a pair of substrates, which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween and at least one of which has a light-transmitting property, comprises:
In a reflective liquid crystal display device having a light-transmitting electrode for reflecting incident light from the other substrate side, and having a light-transmitting electrode on the liquid crystal layer side surface of the other substrate, the reflection electrode is uneven. In the peripheral portion of the reflective electrode, the ratio of the region excluding the recesses or protrusions of the uneven surface to the peripheral region is selected in the range of 60% to 100%. And a reflective liquid crystal display device.
Further, according to the present invention, a liquid crystal layer side surface of one substrate of a pair of substrates, which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween and at least one of which has a light transmitting property, is provided from a side of the other substrate having a light transmitting property. A plurality of reflective electrodes which are display picture elements for reflecting incident light, a drawing electrode supplied with a display voltage applied to each reflecting electrode, and a voltage from the drawing electrode to the plurality of reflecting electrodes. In a reflective liquid crystal display device having a plurality of switching elements for individually supplying / cutting off, and a liquid crystal layer side surface of the other substrate having a translucent common electrode covering substantially the entire liquid crystal layer side surface. The reflective electrode has a concave-convex surface, and in the peripheral portion of the reflective electrode, the ratio of the region excluding the concave portion or the convex portion of the concave-convex surface to the peripheral region is 60% or more and 100% or less. Anti-characterized by being selected in range It is the type liquid crystal display device. In the present invention, the reflective electrode has a rectangular or substantially rectangular shape, and one of a direction parallel to the direction of the peripheral edge of the reflective electrode with respect to a length in a direction parallel to the opposite ends of the reflective electrode. The width ratio is selected in the range of 0.3% to 10%. Further, the concave portions or the convex portions in one reflective electrode of the present invention are characterized by being irregularly arranged. Furthermore, the recess or protrusion of the present invention is 1
It is characterized by being formed of two or more shapes having different kinds or sizes. Further, the arrangement pattern of the recesses or protrusions of the present invention is characterized in that it is selected in each reflection electrode. Furthermore, the arrangement pattern of the recesses or protrusions of the present invention is characterized in that they are selected so as to be mutually inverted between adjacent reflective electrodes. Further, the reflective electrode and the routing electrode of the present invention are characterized in that they are formed on the surface of one substrate on the liquid crystal layer side with a space therebetween that maintains their insulating properties.

【0024】[0024]

【作用】本発明に従えば、反射型液晶表示装置は、少な
くともいずれか一方が透光性を有する一対の基板を液晶
層を介して対向配置させて構成され、前記一対の基板の
うちの一方基板の液晶層側表面は、反射電極を有し、他
方基板の液晶層側表面は、透光性の電極を有する。反射
電極と帯状電極との重なる部分が表示絵素であり、透光
性を有する他方基板側から入射した光は、反射電極によ
って反射される。
According to the present invention, the reflection type liquid crystal display device is constructed by arranging a pair of substrates, at least one of which has a light-transmitting property, facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. The liquid crystal layer side surface of the substrate has a reflective electrode, while the liquid crystal layer side surface of the substrate has a translucent electrode. A portion where the reflective electrode and the strip-shaped electrode overlap is a display picture element, and light incident from the other transparent substrate side is reflected by the reflective electrode.

【0025】また本発明に従えば、反射型液晶表示装置
は、少なくともいずれか一方が透光性を有する一対の基
板を液晶層を介在して対向配置させて構成され、前記一
対の基板のうちの一方基板の液晶層側表面は、複数の反
射電極と、引回電極と、複数のスイッチング素子とを有
し、他方基板の液晶層側表面は、共通電極を有する。
According to the invention, the reflective liquid crystal display device is constructed by arranging a pair of substrates, at least one of which has a light-transmitting property, facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. The liquid crystal layer side surface of the one substrate has a plurality of reflection electrodes, a routing electrode and a plurality of switching elements, and the liquid crystal layer side surface of the other substrate has a common electrode.

【0026】反射電極は、透光性を有する他方基板側か
らの入射光を反射する表示絵素であり、引回電極には、
各反射電極に印加される表示のための電圧が供給され、
前記電圧は複数の反射電極に対して個別的に設けられた
スイッチング素子によって前記反射電極に供給/遮断さ
れる。共通電極は、他方基板の液晶層側表面のほぼ全面
を覆い、透光性を有する。
The reflective electrode is a display picture element that reflects the incident light from the other substrate side having a light-transmitting property, and the routing electrode includes
The voltage for display applied to each reflective electrode is supplied,
The voltage is supplied / interrupted to / from the reflective electrodes by a switching element individually provided for the plurality of reflective electrodes. The common electrode covers almost the entire surface of the other substrate on the liquid crystal layer side and has a light-transmitting property.

【0027】このような反射型液晶表示装置において、
前記反射電極は凹凸状の表面を有し、その周縁部、すな
わち反射電極表面の周縁から内方に向って所定の長さを
有する領域では、当該周縁部領域に対する凹所または凸
部を除く領域の占める割合が60%以上100%以下の
範囲に選ばれる。前記割合が100%であることは、周
縁部に凹所または凸部が完全にないことを表している。
反射電極表面を凹凸状とするためには、反射電極が形成
されるべき表面が凹凸状とされ、当該表面の全面に反射
電極となる金属膜を形成した後、前記金属膜をパターン
形成することによって反射電極が形成される。金属膜の
パターン形成にはエッチングが用いられ、必要でない金
属膜が溶解除去される。
In such a reflective liquid crystal display device,
The reflective electrode has an uneven surface, and in the peripheral portion thereof, that is, in an area having a predetermined length inward from the peripheral edge of the reflective electrode surface, an area excluding a recess or a convex portion with respect to the peripheral area. The proportion occupied by is selected from the range of 60% to 100%. The above ratio of 100% means that there are no recesses or protrusions in the peripheral portion.
In order to make the surface of the reflective electrode uneven, the surface on which the reflective electrode is to be formed is made uneven, and a metal film to be the reflective electrode is formed on the entire surface of the surface, and then the metal film is patterned. Thereby forming a reflective electrode. Etching is used to form the pattern of the metal film, and the unnecessary metal film is dissolved and removed.

【0028】前記反射型液晶表示装置では、反射電極の
周縁部には凹所または凸部が比較的少なくまたは全くな
く、このため反射電極が形成されるべき表面の反射電極
の周縁部に相当する部分に形成される凹所または凸部も
比較的少なくまたは全くなくなる。このため、反射電極
として残存する金属膜のエッジ部分において、反射電極
が形成されるべき表面と金属膜との界面が比較的少なく
なり、前記金属膜をパターン形成するためのエッチング
時において、エッチング液が両者の界面から浸透する量
が少なくなる。
In the reflective liquid crystal display device, the peripheral portion of the reflective electrode has relatively few or no recesses or protrusions, and therefore corresponds to the peripheral portion of the reflective electrode on the surface where the reflective electrode is to be formed. There are also relatively few or no recesses or protrusions formed in the part. Therefore, in the edge portion of the metal film remaining as the reflective electrode, the interface between the surface on which the reflective electrode is to be formed and the metal film becomes relatively small, and an etching solution is used during etching for patterning the metal film. The amount of permeation from the interface between the two becomes smaller.

【0029】したがって、反射電極のエッジ部分からの
剥離が防止されて、欠陥絵素の発生が低減する。また、
剥離した反射電極によって他の反射電極と反射電極に対
向する帯状電極または共通電極との間で短絡が発生する
ことも防止される。さらに、反射電極は反射板として機
能し、これによって一方基板の液晶層側とは反対側に反
射板を設けた反射型液晶表示装置と比較すると、視差が
低減する。
Therefore, peeling from the edge portion of the reflective electrode is prevented, and the generation of defective picture elements is reduced. Also,
The peeled reflective electrode also prevents a short circuit from occurring between the other reflective electrode and the strip electrode or the common electrode facing the reflective electrode. Further, the reflective electrode functions as a reflective plate, which reduces parallax as compared with a reflective liquid crystal display device in which the reflective plate is provided on the side opposite to the liquid crystal layer side of the one substrate.

【0030】前記反射電極の周縁部における凹所または
凸部を除く領域の占める割合を60%以上100%以下
の範囲とすることによって、反射電極のエッジ部分の剥
離が生じないことが確認された。
It was confirmed that peeling of the edge portion of the reflective electrode did not occur by setting the ratio of the region excluding the recess or the convex portion in the peripheral portion of the reflective electrode within the range of 60% or more and 100% or less. .

【0031】また本発明に従えば、反射電極は矩形また
は略矩形状であり、反射電極の互いに対向する端部に平
行な方向の長さに対する前記反射電極の周縁部の前記方
向に平行な方向の一方の幅の割合は、0.3%以上10
%以下の範囲に選ばれる。このような大きさに選ばれる
周縁部に前述したような凹所または凸部が形成される。
Further, according to the invention, the reflective electrode has a rectangular shape or a substantially rectangular shape, and a direction parallel to the direction of the peripheral portion of the reflective electrode with respect to a length of the reflective electrode in a direction parallel to the opposite ends. The ratio of one width is 0.3% or more 10
% Or less. The above-described recesses or protrusions are formed on the peripheral portion selected to have such a size.

【0032】また本発明に従えば、1つの反射電極にお
ける凹所または凸部は不規則に配列される。また好まし
くは、前記凹所または凸部は、1種類または大きさの異
なる2種類以上の形状から成る。また好ましくは、前記
凹所または凸部の配列パターンは、各反射電極において
同一とされる。また好ましくは、前記凹所または凸部の
配列パターンは、隣接する反射電極間において互いに反
転される。これらは、いずれも、どの絵素でも同じ反射
特性を示すので、均一で高コントラストな明るい表示画
像を得ることが可能となる。
Further, according to the present invention, the recesses or protrusions in one reflective electrode are arranged irregularly. Also preferably, the recesses or protrusions are formed of one type or two or more types having different sizes. Further, preferably, the arrangement pattern of the recesses or the protrusions is the same in each reflective electrode. Further, preferably, the arrangement patterns of the recesses or the protrusions are mutually inverted between adjacent reflective electrodes. Since all of them have the same reflection characteristic in any picture element, it is possible to obtain a uniform and high-contrast bright display image.

【0033】また本発明に従えば、前記反射電極と引回
電極とは、相互に絶縁性を保持する間隔をあけて、前記
一方基板の液晶層側表面に形成される。このように、反
射電極と引回電極とが形成されたときであっても、前述
したように反射電極表面を凹凸状とすることによって、
比較的明るく、反射電極の剥離のない表示品位の優れた
反射型液晶表示装置を作成することができる。
Further, according to the present invention, the reflective electrode and the lead-out electrode are formed on the liquid crystal layer side surface of the one substrate at an interval such that they maintain insulating properties. Thus, even when the reflective electrode and the routing electrode are formed, by making the reflective electrode surface uneven as described above,
A reflective liquid crystal display device that is relatively bright and has excellent display quality without peeling of the reflective electrode can be produced.

【0034】[0034]

【実施例】図1は、本発明の一実施例であるアクティブ
マトリックス型の反射型液晶表示装置61の一方基板5
1を拡大して示す平面図である。反射型液晶表示装置6
1は、少なくともいずれか一方が透光性を有する一対の
基板51,71の間に液晶層を介在して構成される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows one substrate 5 of a reflection type liquid crystal display device 61 of an active matrix type which is an embodiment of the present invention.
It is a top view which expands and shows 1. Reflective liquid crystal display device 6
1 is configured by interposing a liquid crystal layer between a pair of substrates 51 and 71, at least one of which has translucency.

【0035】前記一対の基板51,71のうちの一方基
板51を構成し、たとえばガラスで実現される絶縁性基
板78上には、複数のゲートバス配線52が互いに平行
に設けられる。ゲートバス配線52からは、ゲート電極
56が分岐している。また、前記複数のゲートバス配線
52とは互いに絶縁性を保持し、かつ互いに直交する方
向に複数のソースバス配線53が設けられる。ソースバ
ス配線53からは、ソース電極57が分岐している。複
数のゲートバス配線52と複数のソースバス配線53と
が交差することによって形成される一方基板51上の矩
形状の領域には、反射電極54が形成される。反射電極
54は、ゲートバス配線52およびソースバス配線53
と互いに絶縁性を保持するために間隔W1〜W4をあけ
て設けられる。
A plurality of gate bus lines 52 are provided in parallel with each other on an insulating substrate 78 made of, for example, glass, which constitutes one of the pair of substrates 51 and 71. A gate electrode 56 branches off from the gate bus line 52. Further, a plurality of source bus wirings 53 are provided so as to maintain insulation from the plurality of gate bus wirings 52 and in directions orthogonal to each other. A source electrode 57 branches off from the source bus line 53. A reflective electrode 54 is formed in a rectangular region on the substrate 51, which is formed by intersecting the plurality of gate bus lines 52 and the plurality of source bus lines 53. The reflective electrode 54 includes a gate bus line 52 and a source bus line 53.
Are provided at intervals W1 to W4 in order to maintain insulation between them.

【0036】前記反射電極54と、ゲートバス配線52
およびソースバス配線53とは、スイッチング素子であ
るTFT素子55を介して接続される。TFT素子55
は前記ゲート電極56およびソース電極57と、反射電
極54に接続されるドレイン電極58とを含んで構成さ
れ、ドレイン電極58と反射電極54とは後述するよう
にしてコンタクトホール59によって接続される。
The reflective electrode 54 and the gate bus wiring 52
The source bus line 53 and the source bus line 53 are connected via a TFT element 55 which is a switching element. TFT element 55
Includes a gate electrode 56 and a source electrode 57, and a drain electrode 58 connected to the reflective electrode 54. The drain electrode 58 and the reflective electrode 54 are connected by a contact hole 59 as described later.

【0037】前記反射電極54の表面には、複数の凹所
60a,60bが設けられており、これによって前記表
面は凹凸状となっている。複数の凹所60a,60bは
反射電極54表面のほぼ全面にあるけれども、図1中に
おいて斜線を付して示す反射電極54の周縁部54aに
おいては、次のように凹所60a,60bが設けられ
る。すなわち、周縁部54aの全領域に対する凹所60
a,60bを除く領域の占める割合が60%以上100
%以下の範囲に選ばれる。図示されるものは、100%
に選んだ場合、すなわち前記周縁部54aに凹所60
a,60bを全く形成しなかった場合である。なお、周
縁部54aとは反射電極54の表面の周縁から内方に向
って所定の長さを有する領域のことであり、本実施例で
は前記所定の長さはA2,B2で表される。
A plurality of recesses 60a and 60b are provided on the surface of the reflective electrode 54, so that the surface is uneven. Although the plurality of recesses 60a and 60b are formed on almost the entire surface of the reflection electrode 54, the recesses 60a and 60b are provided in the peripheral portion 54a of the reflection electrode 54 shown by hatching in FIG. To be That is, the recess 60 with respect to the entire area of the peripheral portion 54a.
The ratio of the area excluding a and 60b is 60% or more 100
% Or less. What is shown is 100%
When selecting, that is, the recess 60 in the peripheral portion 54a.
This is the case where a and 60b were not formed at all. The peripheral portion 54a is a region having a predetermined length inward from the peripheral edge of the surface of the reflective electrode 54, and in the present embodiment, the predetermined length is represented by A2 and B2.

【0038】また本実施例では、複数の凹所60a,6
0bは1つの反射電極54において不規則に配列され、
かつ複数の凹所は大きさの異なる2種類の凹所60a,
60bから構成される。なお、複数の凹所は、1種類で
あってもよく、また大きさの異なる3種類以上の形状か
ら成ることも本発明に範囲に属するものである。
Further, in the present embodiment, a plurality of recesses 60a, 6
0b are randomly arranged in one reflective electrode 54,
And the plurality of recesses are two types of recesses 60a having different sizes,
It is composed of 60b. It should be noted that the plurality of recesses may be of one type, and that it is also within the scope of the present invention that the recesses are formed of three or more shapes having different sizes.

【0039】さらに前記凹所60a,60bの深さHは
10μm以下とするのが好ましい。一般に液晶層の厚さ
は10μm以下であり、上述のように深さHを選ぶこと
によって液晶層厚のばらつきを小さくすることができ
る。本実施例では、凹所60a,60bの大きさは、た
とえば断面形状の最大直径D1,D2を10μmと5μ
mとし、深さHは0.6μmとした。
Further, the depth H of the recesses 60a and 60b is preferably 10 μm or less. Generally, the thickness of the liquid crystal layer is 10 μm or less, and the variation of the liquid crystal layer thickness can be reduced by selecting the depth H as described above. In this embodiment, the sizes of the recesses 60a and 60b are such that the maximum diameters D1 and D2 of the sectional shape are 10 μm and 5 μm, respectively.
m and the depth H was 0.6 μm.

【0040】図2は、反射型液晶表示装置61を示す断
面図である。図2を参照して反射型液晶表示装置61の
製造方法を説明する。たとえば、コーニング社製、商品
名#7059で実現されるガラスなどから成る絶縁性基
板78上には、前記ゲートバス配線52およびゲート電
極56が形成される。これは、たとえば絶縁性基板78
の全面にスパッタリング法によって3000Åの厚さの
Ta膜を形成し、当該Ta膜をフォトリソグラフィ法お
よびエッチング法によってパターン形成することによっ
て作成される。
FIG. 2 is a sectional view showing the reflection type liquid crystal display device 61. A method of manufacturing the reflective liquid crystal display device 61 will be described with reference to FIG. For example, the gate bus wiring 52 and the gate electrode 56 are formed on the insulating substrate 78 made of glass or the like, which is manufactured by Corning and has a trade name # 7059. This is, for example, an insulating substrate 78.
A Ta film having a thickness of 3000 Å is formed on the entire surface of the film by sputtering, and the Ta film is patterned by photolithography and etching.

【0041】次に、前記ゲートバス配線52およびゲー
ト電極56を覆ってゲート絶縁膜62が形成される。こ
れはたとえばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposit
ion)法によって4000Åの厚さのSiNX膜を形成す
ることによって作成される。また、ゲートバス配線52
およびゲート電極56を陽極酸化してTa25膜を形成
することによっても作成することができる。本実施例で
は、プラズマCVD法によってSiNX膜、さらに10
00Åの厚さのa−Si層および400Åの厚さのn+
型a−Si層をこの順に連続して形成した。a−Si層
およびn+型a−Si層は、同時にパターン形成され、
a−Si層によって半導体層63が、n+型a−Si層
によってコンタクト層64,65がそれぞれ形成され
る。
Next, a gate insulating film 62 is formed so as to cover the gate bus line 52 and the gate electrode 56. This is, for example, plasma CVD (Chemical Vapor Deposit).
Ion) method to form a 4000 N thick SiN x film. In addition, the gate bus wiring 52
Also, the gate electrode 56 can be formed by anodizing to form a Ta 2 O 5 film. In this embodiment, the SiN x film is further formed by the plasma CVD method.
00Å thick a-Si layer and 400Å thick n +
The mold a-Si layer was continuously formed in this order. the a-Si layer and the n + -type a-Si layer are simultaneously patterned,
The semiconductor layer 63 is formed by the a-Si layer, and the contact layers 64, 65 are formed by the n + -type a-Si layer.

【0042】続いて、形成された部材を覆って絶縁性基
板78の全面に、スパッタリング法によって2000Å
の厚さのMo膜を形成し、当該Mo膜をパターン形成す
ることによってソースバス配線53、ソース電極57お
よびドレイン電極58が形成される。このようにして、
TFT素子55が作成される。
Then, the entire surface of the insulating substrate 78 is covered with the formed member by a sputtering method at 2000 Å.
A Mo film having a thickness of 1 is formed, and the Mo film is patterned to form the source bus line 53, the source electrode 57, and the drain electrode 58. In this way
The TFT element 55 is created.

【0043】TFT素子55が形成された絶縁性基板7
8の全面には、後述する方法によって凹凸状の表面を有
する有機絶縁膜66が形成され、さらに有機絶縁膜66
上には前記反射電極54が形成され、有機絶縁膜66の
凹凸状の表面によって反射電極54の表面も凹凸状とな
る。したがって、有機絶縁膜66の反射電極54が形成
されるべき領域に前述したような反射電極54表面が有
する凹所60a,60bに相当する凹所が形成される。
また、有機絶縁膜66の所定の領域には反射電極54を
ドレイン電極58と接続するためのコンタクトホール5
9が設けられる。反射電極54が形成された有機絶縁膜
66上には、前記反射電極54を覆って配向膜67が形
成される。このようにして一方基板51が作成される。
Insulating substrate 7 on which TFT element 55 is formed
An organic insulating film 66 having an uneven surface is formed on the entire surface of 8 by the method described later.
The reflective electrode 54 is formed thereon, and the surface of the reflective electrode 54 is also uneven due to the uneven surface of the organic insulating film 66. Therefore, recesses corresponding to the recesses 60a and 60b of the surface of the reflective electrode 54 as described above are formed in the region of the organic insulating film 66 where the reflective electrode 54 is to be formed.
Further, the contact hole 5 for connecting the reflective electrode 54 to the drain electrode 58 is formed in a predetermined region of the organic insulating film 66.
9 are provided. An alignment film 67 is formed on the organic insulating film 66 having the reflective electrode 54 formed thereon so as to cover the reflective electrode 54. In this way, the one substrate 51 is prepared.

【0044】また、たとえば前記絶縁性基板78と同様
にガラスなどから成る絶縁性基板79上には、カラーフ
ィルタ72が形成される。カラーフィルタ72は、たと
えば各絵素に対応して設けられるシアンフィルタ72a
とレッドフィルタ72bとから成る。カラーフィルタ7
2上には、たとえばITOで実現される1000Åの厚
さの共通電極73が形成される。さらに、共通電極73
上には配向膜74が形成される。このようにして他方基
板71が作成される。
A color filter 72 is formed on an insulating substrate 79 made of glass, for example, like the insulating substrate 78. The color filter 72 is, for example, a cyan filter 72a provided corresponding to each picture element.
And a red filter 72b. Color filter 7
A common electrode 73 having a thickness of 1000 Å and formed of ITO, for example, is formed on the second electrode 2. Furthermore, the common electrode 73
An alignment film 74 is formed on the top. In this way, the other substrate 71 is created.

【0045】前記一方基板51の配向膜67と、他方基
板71の配向膜74とは、まず樹脂膜を形成し、当該樹
脂膜を、たとえば180℃で焼成し、さらに一方方向に
ラビング処理を施した後、ラビング洗浄を行うことによ
って作成される。ラビング洗浄とは、ラビング処理され
た基板表面を、イソプロピルアルコールなどの有機溶剤
で超音波洗浄する処理のことであり、ラビング時に生じ
た汚れなどを除去するための処理である。
The alignment film 67 of the one substrate 51 and the alignment film 74 of the other substrate 71 are first formed into a resin film, the resin film is baked at, for example, 180 ° C., and a rubbing treatment is performed in one direction. After that, it is created by performing rubbing cleaning. The rubbing cleaning is a processing of ultrasonically cleaning the surface of the substrate subjected to the rubbing treatment with an organic solvent such as isopropyl alcohol, and is a processing for removing dirt and the like generated during the rubbing.

【0046】前述したようにして各部材が形成された一
方および他方基板51,71は、互いの基板の配向膜6
7,74表面が対向するようにして配置され、たとえば
4.5μmのスペーサを混入した接着剤によって接着さ
れる。接着剤は、いずれか一方の基板の周縁部にスクリ
ーン印刷法によって形成される。また、このとき、液晶
注入用の注入孔が設けられ、当該注入孔から液晶材料が
真空注入法によって注入される。これによって、一対の
基板51,71間に介在される液晶層75が形成され
る。
The one and the other substrates 51 and 71 on which the respective members are formed as described above are the alignment films 6 of the respective substrates.
The surfaces of 7, 74 are arranged so as to face each other, and are bonded by an adhesive containing a spacer of 4.5 μm, for example. The adhesive is formed on the peripheral portion of either one of the substrates by a screen printing method. At this time, an injection hole for injecting liquid crystal is provided, and the liquid crystal material is injected through the injection hole by a vacuum injection method. As a result, the liquid crystal layer 75 interposed between the pair of substrates 51 and 71 is formed.

【0047】液晶材料としては、たとえばネマティック
液晶に黒色の二色性色素を混入したゲストホスト型の材
料が用いられる。本実施例では、ネマティック液晶とし
てメルク社製、商品名ZLI4792(屈折率異方性Δ
n=0.13)を、二色性色素としてアゾ系およびアン
トラキノン系色素の混合物をそれぞれ用いた。また、液
晶材料中には1.3%のカイラル剤を混入した。前記カ
イラル剤としては、メルク社製、商品名S−811を用
いた。このカイラル剤によって液晶分子の捩れピッチP
0は5μmに設定され、液晶層75の厚さdは前記スペ
ーサによって4.5μmに設定されるので、d/P0は
約0.9に設定される。
As the liquid crystal material, for example, a guest-host type material in which a black dichroic dye is mixed in nematic liquid crystal is used. In this embodiment, a nematic liquid crystal manufactured by Merck & Co., Inc. under the trade name ZLI4792 (refractive index anisotropy Δ
n = 0.13) was used as a dichroic dye, and a mixture of an azo dye and an anthraquinone dye was used. Further, 1.3% of a chiral agent was mixed in the liquid crystal material. As the chiral agent, S-811 manufactured by Merck & Co. was used. With this chiral agent, the twist pitch P of liquid crystal molecules is
Since 0 is set to 5 μm and the thickness d of the liquid crystal layer 75 is set to 4.5 μm by the spacer, d / P0 is set to about 0.9.

【0048】図3は、基板貼合わせ時の各配向膜67,
74に施されたラビング処理方向67a,74aの関係
を示す図である。このように配向膜67に施されたラビ
ング処理方向67aと配向膜74に施されたラビング処
理方向74aとは、互いに反対方向となるようにして基
板51,71が貼合わせられる。したがって、基板間で
の液晶分子の捩れ角は約360°となる。このような構
成の反射型液晶表示装置61は、ホワイトテーラ型ゲス
トホストモードの液晶表示装置とほぼ同様の動作原理に
よって表示が行われる。ホワイトテーラ型ゲストホスト
モードの液晶表示装置では、基板間での液晶分子の捩れ
角は720°以上となる。
FIG. 3 shows each alignment film 67, when the substrates are bonded together.
It is a figure which shows the relationship of the rubbing process directions 67a and 74a given to 74. In this way, the substrates 51 and 71 are bonded so that the rubbing treatment direction 67a applied to the alignment film 67 and the rubbing treatment direction 74a applied to the alignment film 74 are opposite to each other. Therefore, the twist angle of the liquid crystal molecules between the substrates is about 360 °. The reflection type liquid crystal display device 61 having such a structure performs display according to an operation principle substantially similar to that of the white-tailer type guest-host mode liquid crystal display device. In the white-tailor type guest-host mode liquid crystal display device, the twist angle of the liquid crystal molecules between the substrates is 720 ° or more.

【0049】図2に示される絵素76aは、電圧無印加
時の液晶分子75aおよび二色性色素77の配向状態を
示しており、この場合、液晶分子75aは基板51,7
1間で360°捩れ配向し、この液晶分子75aに沿っ
て二色性色素77も配向する。このとき、他方基板71
側から入射した入射光は、二色性色素77によってあら
ゆる偏光の光であっても全て吸収されるので、黒色表示
となる。
The picture element 76a shown in FIG. 2 shows the alignment state of the liquid crystal molecules 75a and the dichroic dye 77 when no voltage is applied. In this case, the liquid crystal molecules 75a are the substrates 51 and 7.
The twisted orientation is 360 ° between 1 and the dichroic dye 77 is also oriented along the liquid crystal molecules 75a. At this time, the other substrate 71
The incident light that has entered from the side is absorbed by the dichroic dye 77 even if it is light of any polarized light, resulting in black display.

【0050】一方、絵素76bは、電圧印加時の液晶分
子75aおよび二色性色素77の配向状態を示してお
り、この場合、液晶分子75aは配向膜67,74の配
向規制力の比較的弱い配向膜67,74から離れた部分
において、電界方向に配向し、液晶分子75aに沿って
二色性色素77も配向する。このとき、他方基板71側
から入射した入射光は、二色性色素77で吸収されるこ
となく反射電極54で反射し、出射するので、カラーフ
ィルタ72に基づく色表示となる。
On the other hand, the picture element 76b shows the alignment state of the liquid crystal molecules 75a and the dichroic dye 77 when a voltage is applied. In this case, the liquid crystal molecules 75a have a comparatively large alignment regulating force of the alignment films 67 and 74. In the portions apart from the weak alignment films 67 and 74, the dichroic dye 77 is aligned along the liquid crystal molecules 75a in the electric field direction. At this time, the incident light incident from the other substrate 71 side is not absorbed by the dichroic dye 77 but reflected by the reflective electrode 54 and emitted, so that color display based on the color filter 72 is performed.

【0051】なお、TFT素子55の構成は前述したよ
うなボトムゲート構造に限るものではなく、たとえばト
ップゲート構造のTFT素子を設けることも本発明の範
囲に属するものである。また、ゲート、ソースおよびド
レイン電極56〜58としては、前述した金属材料の他
に、Al、Tiなどの金属や、AlとSiとの合金、K
rとTaとの合金などを用いることも本発明の範囲に属
するものである。また、ゲート絶縁膜62としては、S
iO2 などの絶縁材料を用いることも可能である。さら
に、本実施例ではTFT素子55としてa−SiTFT
素子について説明したけれども、p−SiTFT素子を
用いることも可能である。
The structure of the TFT element 55 is not limited to the bottom gate structure as described above, and it is also within the scope of the present invention to provide a TFT element having a top gate structure, for example. Further, as the gate, source and drain electrodes 56 to 58, in addition to the above-mentioned metal materials, metals such as Al and Ti, alloys of Al and Si, and K.
It is also within the scope of the present invention to use an alloy of r and Ta. Further, as the gate insulating film 62, S
It is also possible to use an insulating material such as iO 2 . Further, in this embodiment, the TFT element 55 is an a-Si TFT.
Although the device has been described, it is also possible to use a p-SiTFT device.

【0052】また本実施例では、液晶材料の屈折率異方
性Δnを0.13とし、液晶層の厚さdを4.5μmと
設定したので、Δn・dは約0.585μmとなる。Δ
n・dは、前述した値に限るものではなく、好ましくは
1.0μm以下、さらに好ましくは0.6μm以下に選
ばれる。Δn・dが大きすぎると液晶層75で光が旋光
するために二色性色素77の吸収が不十分となる。
Further, in this embodiment, since the refractive index anisotropy Δn of the liquid crystal material is set to 0.13 and the thickness d of the liquid crystal layer is set to 4.5 μm, Δn · d is about 0.585 μm. Δ
The value of n · d is not limited to the above value, but is preferably 1.0 μm or less, more preferably 0.6 μm or less. If Δn · d is too large, light is rotated by the liquid crystal layer 75, and the absorption of the dichroic dye 77 becomes insufficient.

【0053】図4は、一方基板51の反射電極54表面
の凹所60a,60bの形成方法を段階的に示す断面図
である。前述したようにして絶縁性基板78上にTFT
素子55が形成された後、図4(1)に示されるように
前記絶縁性基板78の表面にはTFT素子55を覆って
レジスト膜81が形成される。レジスト膜81は、たと
えば東京応化社製商品名OFPR−800で実現され、
回転数が500rpm〜3000rpmに設定されるス
ピンコート法によってレジスト膜材料が塗布される。本
実施例では、レジスト膜材料を3000rpmの回転数
で30秒間塗布し、1.2μmの膜厚のレジスト膜81
を作成した。なお、塗布した後、100℃で30分間プ
リベーク処理(熱処理)される。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing stepwise a method of forming the recesses 60a and 60b on the surface of the reflective electrode 54 of the one substrate 51. As described above, the TFT is formed on the insulating substrate 78.
After the element 55 is formed, a resist film 81 is formed on the surface of the insulating substrate 78 so as to cover the TFT element 55, as shown in FIG. The resist film 81 is realized by, for example, a product name OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.,
The resist film material is applied by a spin coating method in which the rotation speed is set to 500 rpm to 3000 rpm. In this embodiment, the resist film material is applied at a rotation speed of 3000 rpm for 30 seconds to form a resist film 81 having a film thickness of 1.2 μm.
It was created. After application, prebaking treatment (heat treatment) is performed at 100 ° C. for 30 minutes.

【0054】次に、図4(2)に示されるように塗布さ
れたレジスト膜81上に所定のパターンに透光領域82
aおよび遮光領域82bが形成されたマスク82が配置
され、光83によって露光処理が行われる。その後、た
とえば東京応化社製、商品名NMD−3(2.38%)
によって現像処理が行われる。これによってマスク82
のパターンに応じた凸部が形成される。
Next, as shown in FIG. 4B, a light transmitting region 82 is formed in a predetermined pattern on the resist film 81 applied.
A mask 82 on which a and the light shielding region 82b are formed is arranged, and an exposure process is performed by the light 83. After that, for example, manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd., product name NMD-3 (2.38%)
The development processing is performed by. This allows the mask 82
A convex portion corresponding to the pattern is formed.

【0055】前述したような基板を、たとえば120℃
〜250℃で熱処理を行うことによって図4(3)に示
されるように角がとれて滑らかとなった凸部84が形成
される。本実施例では、180℃で30分間熱処理を行
った。さらに、形成された凸部84を覆って前述したレ
ジスト膜81と同様のレジスト材料を塗布し、当該レジ
スト材料と前記凸部84とから成る有機絶縁膜66を形
成する。レジスト材料の塗布は、たとえばスピンコート
法によって行われ、その条件は920rpm〜3500
rpmの回転数で20秒間に選ばれる。本実施例ではレ
ジスト材料を2200rpmで20秒間塗布し、1μm
の厚さの有機絶縁膜66を形成した。形成された有機絶
縁膜66の表面は前記凸部84によって凹凸状となる。
A substrate as described above is formed, for example, at 120.degree.
By performing the heat treatment at ˜250 ° C., the convex portion 84 having sharpened corners and smoothed is formed as shown in FIG. In this example, heat treatment was performed at 180 ° C. for 30 minutes. Further, a resist material similar to the resist film 81 described above is applied to cover the formed convex portions 84, and an organic insulating film 66 composed of the resist material and the convex portions 84 is formed. The application of the resist material is performed by, for example, a spin coating method under the conditions of 920 rpm to 3500.
It is selected for 20 seconds at rpm. In this embodiment, the resist material is applied at 2200 rpm for 20 seconds, and 1 μm is applied.
An organic insulating film 66 having a thickness of 3 was formed. The surface of the formed organic insulating film 66 becomes uneven due to the convex portion 84.

【0056】続いて前記有機絶縁膜66には、露光およ
び現像処理によってコンタクトホール59が形成され
る。さらに反射電極54とされる金属膜が有機絶縁膜6
6上に形成される。金属膜としては、たとえばAl,N
i,CrおよびAgなどを用いることができる。また金
属膜の厚さは0.01μm〜1.0μm程度に選ばれ
る。本実施例では、Alを真空蒸着法によって形成し
た。さらに形成した金属膜を露光、現像およびエッチン
グすることによって図4(4)に示されるような反射電
極54が形成される。当該反射電極54の表面には、前
記有機絶縁膜66表面が凹凸状であることから、凹所6
0a,60bが形成されて凹凸状となる。
Subsequently, a contact hole 59 is formed in the organic insulating film 66 by exposure and development processing. Further, the metal film used as the reflective electrode 54 is the organic insulating film 6.
6 is formed. As the metal film, for example, Al, N
i, Cr and Ag can be used. The thickness of the metal film is selected to be about 0.01 μm to 1.0 μm. In this example, Al was formed by a vacuum evaporation method. Further, the formed metal film is exposed, developed and etched to form a reflective electrode 54 as shown in FIG. 4 (4). Since the surface of the organic insulating film 66 is uneven on the surface of the reflective electrode 54, the recess 6
0a and 60b are formed to be uneven.

【0057】図5は、凹凸状の表面を有する有機絶縁膜
66を作成する際に用いられるマスク82を示す平面図
である。当該マスク82を用いて、前述したようにレジ
スト材料から成る複数の凸部84が形成され、この凸部
84を覆ってレジスト材料を塗布することによって有機
絶縁膜66が形成される。マスク82が有する透光領域
82aと遮光領域82bとによって、凸部84の形状お
よび配列パターンが決定され、これによって有機絶縁膜
66上の凹所60a,60bの形状および配列パターン
も決定される。マスク82の透光領域82aの配列パタ
ーンは、たとえば図示されるように各絵素76c〜76
fにおいて同一に配置される。
FIG. 5 is a plan view showing a mask 82 used when forming the organic insulating film 66 having an uneven surface. A plurality of convex portions 84 made of a resist material are formed using the mask 82 as described above, and the organic insulating film 66 is formed by coating the convex portions 84 with a resist material. The shape and arrangement pattern of the protrusions 84 are determined by the light-transmitting area 82a and the light-shielding area 82b of the mask 82, and thus the shape and arrangement pattern of the recesses 60a and 60b on the organic insulating film 66 are also determined. The array pattern of the translucent regions 82a of the mask 82 is, for example, as shown in the drawing, each of the picture elements 76c to 76.
It is arranged the same in f.

【0058】図6は、他のマスク85を示す平面図であ
る。マスク85では、図示されるように隣接する絵素間
において互いに反転して配置される。すなわち、絵素7
6cにおいては、絵素76cと絵素76d,76eの配
列パターンは線対称の関係となり、他の絵素76d〜7
6fについても同様である。
FIG. 6 is a plan view showing another mask 85. In the mask 85, the adjacent picture elements are arranged to be inverted with respect to each other, as shown in the drawing. That is, picture element 7
6c, the arrangement pattern of the picture element 76c and the picture elements 76d and 76e has a line-symmetrical relationship, and the other picture elements 76d to 7d.
The same applies to 6f.

【0059】凹凸状の表面を有する有機絶縁膜66を作
成する際に用いられるマスクとしては、前記マスク8
2,85の他に以下のようなマスク86〜90を用いる
ことも可能である。
As the mask used when forming the organic insulating film 66 having the uneven surface, the mask 8 is used.
In addition to 2,85, the following masks 86 to 90 can be used.

【0060】図7は、反射電極54の表面の複数の凹所
60間の距離rを示す平面図である。また、図8は、距
離rと、1つの反射電極54の表面に存在する距離rの
存在個数との関係を示すグラフである。本実施例におい
て、好ましくは複数の凹所60は、1つの反射電極54
で不規則に配列されるけれども、凹所60を真の意味で
不規則に配列するには、図7に示されるような凹所60
間の距離r1〜r7を同じ頻度で存在させなければなら
ない。理想的な配列の場合、図8の符号L1のようにな
るけれども、実際には、距離rが限りなく0に近い場合
は少なかったりまたは全くなかったりするので、符号L
2のようになる。このため、反射光の干渉が生じ、表示
品位の低下を招く。
FIG. 7 is a plan view showing the distance r between the plurality of recesses 60 on the surface of the reflective electrode 54. Further, FIG. 8 is a graph showing the relationship between the distance r and the number of existing distances r on the surface of one reflective electrode 54. In this embodiment, preferably, the plurality of recesses 60 are formed by one reflective electrode 54.
However, in order to arrange the recesses 60 in a true sense, the recesses 60 as shown in FIG.
The distances r1 to r7 must be present at the same frequency. In the case of an ideal array, the symbol L1 in FIG. 8 is obtained, but in practice, when the distance r is infinitely close to 0, there are few or no symbols.
It becomes like 2. For this reason, interference of reflected light occurs, resulting in deterioration of display quality.

【0061】上述したような反射光の干渉を解消するた
めに、互いに重なり合った凹所60を形成するためのマ
スクが用いられる。
In order to eliminate the interference of the reflected light as described above, a mask is used to form the recesses 60 that overlap each other.

【0062】図9は、さらに他のマスク86〜90を示
す平面図である。図9(1)に示されるマスク86に
は、1種類の大きさの透光領域86aが形成されてお
り、透光領域86aの重なる領域を有する。その他の領
域は遮光領域86bである。図9(2)に示されるマス
ク87には、2種類の大きさの透光領域87a,87b
が形成されており、当該透光領域87a,87bの重な
る領域を有する。その他の領域は遮光領域87cであ
る。図9(3)に示されるマスク88には、3種類の大
きさの透光領域88a,88b,88cが形成されてお
り、その他の領域は遮光領域88dである。図9(4)
に示されるマスク89には、3種類の大きさの透光領域
89a,89b,89cが形成されており、当該透光領
域89a,89b,89cの重なる領域を有する。その
他の領域は遮光領域89dである。図9(5)に示され
るマスク90には、2種類の大きさの透光領域90a,
90bが形成されており、その他の領域は遮光領域90
cである。
FIG. 9 is a plan view showing still another mask 86-90. The mask 86 shown in FIG. 9 (1) has a light-transmitting region 86a of one size formed therein, and has a region where the light-transmitting region 86a overlaps. The other area is a light shielding area 86b. In the mask 87 shown in FIG. 9 (2), the translucent regions 87a and 87b of two sizes are provided.
Is formed, and has a region where the translucent regions 87a and 87b overlap. The other area is a light shielding area 87c. The mask 88 shown in FIG. 9C has light-transmitting regions 88a, 88b, and 88c of three sizes, and the other regions are light-shielding regions 88d. Figure 9 (4)
The light-transmissive regions 89a, 89b, 89c of three sizes are formed on the mask 89 shown in FIG. 3, and the light-transmissive regions 89a, 89b, 89c overlap each other. The other area is a light shielding area 89d. In the mask 90 shown in FIG. 9 (5), the light-transmitting regions 90a having two different sizes,
90b is formed, and the other regions are light-shielding regions 90.
c.

【0063】上述したいずれのマスク82,85〜90
を用いても、本発明に基づく凹凸状の表面を反射電極5
4に形成することが可能である。なお、マスク82,8
5〜90に形成される透光および遮光領域は、用いるレ
ジスト材料の感光性(ネガ型あるいはポジ型)に対応し
て透光/遮光部分が選ばれる。上述したような反射光の
干渉を解消するためには、図9(1),(2),(4)
に示されるようなマスク86,87,89が用いられ
る。
Any of the above-mentioned masks 82, 85-90
Even if the reflective electrode 5 is used,
4 can be formed. The masks 82 and 8
For the light-transmitting and light-shielding regions formed in 5 to 90, light-transmitting / light-shielding portions are selected according to the photosensitivity (negative or positive type) of the resist material used. In order to eliminate the interference of the reflected light as described above, FIGS. 9 (1), 9 (2) and 9 (4) are used.
Masks 86, 87, 89 as shown in FIG.

【0064】図10は、前述したようにして絶縁性基板
78に形成される凸部84a,84bをそれぞれ示す断
面図である。図10(1)は凸部が重ならないようなマ
スクを用いた場合を示し、図10(2)は凸部が重なる
ようなマスクを用いた場合を示す。図10(1)に示さ
れるように凸部が重ならないようなマスクを用いて形成
された凸部84aは、全て高さh1を有し、基板51の
表面と、当該基板51の表面から凸部84aの傾斜に沿
って想定される直線との成す角は全て角α1となる。
FIG. 10 is a sectional view showing the projections 84a and 84b formed on the insulating substrate 78 as described above. FIG. 10A shows the case where a mask in which the convex portions do not overlap is used, and FIG. 10B shows the case where a mask in which the convex portions overlap. As shown in FIG. 10 (1), all the protrusions 84a formed by using a mask such that the protrusions do not overlap each other have a height h1 and protrude from the surface of the substrate 51 and the surface of the substrate 51. The angle formed with the straight line assumed along the inclination of the portion 84a is the angle α1.

【0065】一方、図10(2)に示されるように凸部
が重なるようなマスクを用いて形成された凸部84a,
84bのうちの一方の凸部84aは、図10(1)に示
される凸部84aと同様であり、他方の凸部84bに
は、用いたマスクの前述したような透光領域の重なる領
域によって凹所84cが形成される。凹所84cの最も
凹んだ点から凸部84bの頂点までの長さはh2であ
り、基板51の表面に平行で、前記凹所84cの最も凹
んだ点を有する平面と、当該平面から凸部84bの傾斜
に沿って想定される直線との成す角は角α2となる。
On the other hand, as shown in FIG. 10B, the protrusions 84a formed by using a mask in which the protrusions overlap each other,
One convex portion 84a of 84b is similar to the convex portion 84a shown in FIG. 10 (1), and the other convex portion 84b is formed by the overlapping region of the light-transmitting region of the mask used. A recess 84c is formed. The length from the most recessed point of the recess 84c to the apex of the protrusion 84b is h2, is parallel to the surface of the substrate 51, and has a plane having the most recessed point of the recess 84c and the protrusion from the plane. The angle formed with the straight line assumed along the inclination of 84b is the angle α2.

【0066】図1に示されるように本実施例における反
射電極54はほぼ矩形状であり、TFT素子55部分を
除く反射電極54の長手方向の長さをA1、TFT素子
55部分を除く前記長手方向に直交する短手方向の長さ
をB1とし、反射電極54の周縁部54aの前記長手方
向に平行な方向の一方の幅をA2とし、反射電極54の
周縁部54aの前記短手方向に平行な方向の一方の幅を
B2とすると、(A2/A1)×100、および(B2
/B1)×100は、0.3%以上10%以下の範囲に
選ばれる。
As shown in FIG. 1, the reflective electrode 54 in this embodiment has a substantially rectangular shape, and the length in the longitudinal direction of the reflective electrode 54 excluding the TFT element 55 portion is A1, and the longitudinal length excluding the TFT element 55 portion is the same. The length in the lateral direction orthogonal to the direction is B1, the width of one side of the peripheral edge portion 54a of the reflective electrode 54 in the direction parallel to the longitudinal direction is A2, and the width in the lateral direction of the peripheral edge portion 54a of the reflective electrode 54 is defined as If one width in the parallel direction is B2, (A2 / A1) × 100, and (B2
/ B1) × 100 is selected in the range of 0.3% or more and 10% or less.

【0067】本実施例では、A1を300μmとし、B
1を150μmとした。また、A2,B2はともに3μ
mとしており、(A2/A1)×100=1%となり、
(B2/B1)×100=2%となる。本実施例の場合
は、A2は0.9μm〜30μmの範囲であれば、B2
は0.5μm〜15μmの範囲であれば上述した条件を
満たす。A2,B2の範囲が上記範囲よりも小さいと、
反射電極54を形成する際のエッチング時におけるエッ
チング液の浸透による反射電極54の剥離が発生するこ
とが確認された。また、A2,B2の範囲が上記範囲よ
りも大きいとあらゆる方向からの光であっても表示画面
に対して垂直な方向に反射させる効果が低くなり、表示
画像の明るさの向上が図れない。
In this embodiment, A1 is set to 300 μm and B1
1 was 150 μm. A2 and B2 are both 3μ
m, and (A2 / A1) × 100 = 1%,
(B2 / B1) × 100 = 2%. In the case of this embodiment, if A2 is in the range of 0.9 μm to 30 μm, B2 is
Satisfies the above-mentioned condition in the range of 0.5 μm to 15 μm. When the range of A2 and B2 is smaller than the above range,
It was confirmed that peeling of the reflective electrode 54 occurs due to permeation of the etching liquid during etching when forming the reflective electrode 54. Further, if the range of A2 and B2 is larger than the above range, the effect of reflecting light in all directions in the direction perpendicular to the display screen becomes low, and the brightness of the display image cannot be improved.

【0068】次の表1は、X((A2/A1)×10
0、または(B2/B1)×100)の値と、反射型液
晶表示装置の表示状態および反射電極54の剥離の発生
との関係を示すものである。X=0%においては表示状
態は良好であるけれども、反射電極54の剥離が生じ、
X=20%においては、剥離は生じないけれども、鏡面
性が強すぎることによってあらゆる方向からの光であっ
ても表示画面に対してほぼ垂直な方向に反射させる効果
が充分に得られないことが確認された。X=0.3%,
5%,10%の場合においては、表示状態はほぼ良好で
あり、また反射電極54の剥離の発生が無い、またはほ
とんど無いことが確認された。
The following Table 1 shows X ((A2 / A1) × 10
The relationship between the value of 0 or (B2 / B1) × 100), the display state of the reflective liquid crystal display device, and the occurrence of peeling of the reflective electrode 54 is shown. When X = 0%, the display state is good, but peeling of the reflective electrode 54 occurs,
When X = 20%, peeling does not occur, but the specularity is too strong, so even if light from any direction is reflected, the effect of reflecting it in a direction substantially perpendicular to the display screen may not be sufficiently obtained. confirmed. X = 0.3%,
In the cases of 5% and 10%, it was confirmed that the display state was almost good, and the peeling of the reflective electrode 54 did not occur, or almost never occurred.

【0069】[0069]

【表1】 [Table 1]

【0070】図11は、反射電極54に形成される凹所
60aの他の例を示す平面図である。前述した例は、周
縁部54aに凹所60aを全く設けない例であるけれど
も、図示されるように凹所60aを周縁部54aに形成
する例も本発明の範囲に属するものである。ただし、前
述したように、周縁部54aの全領域に対する凹所60
aを除く領域、すなわち図11において斜線を付して示
す領域の占める割合が60%以上100%以下となるよ
うに選ばれる。前記割合が60%よりも小さくなると、
反射電極54の作成のためのエッチング時において、反
射電極54と有機絶縁膜66との間にエッチング液が浸
透して反射電極54が剥離することが確認された。
FIG. 11 is a plan view showing another example of the recess 60a formed in the reflective electrode 54. Although the above-described example is an example in which the recess 60a is not provided at all in the peripheral portion 54a, an example in which the recess 60a is formed in the peripheral portion 54a as shown in the figure also belongs to the scope of the present invention. However, as described above, the recess 60 with respect to the entire area of the peripheral portion 54a is formed.
The area except a, that is, the area shown by hatching in FIG. 11, is selected to be 60% or more and 100% or less. When the ratio is less than 60%,
It was confirmed that the etching liquid penetrated between the reflective electrode 54 and the organic insulating film 66 during the etching for forming the reflective electrode 54, and the reflective electrode 54 was peeled off.

【0071】図12は、本発明に基づく他の一方基板6
9を示す平面図である。一方基板69は、前記一方基板
51と同様の部材で構成されるけれども、反射電極54
には前記凹所61a,61bに代わって凸部68a,6
8bを設けたことを特徴とする。凸部68a,68b
は、前記凹所61a,61bと同様に前述したような条
件でかつ同様の方法で設けられる。凸部68a,68b
を設けることによっても、前述したのと同様の効果が得
られる。
FIG. 12 shows another one substrate 6 according to the present invention.
It is a top view which shows 9. The one substrate 69 is made of the same material as the one substrate 51, but the reflective electrode 54
Instead of the recesses 61a, 61b, the protrusions 68a, 6b
8b is provided. Convex portions 68a, 68b
Are provided under the same conditions as described above and in the same manner as the recesses 61a and 61b. Convex portions 68a, 68b
By providing the above, the same effect as described above can be obtained.

【0072】図13は、本発明の他の実施例であり、他
の方法によって反射電極の表面を凹凸状とした単純マト
リックス型の反射型液晶表示装置91を示す断面図であ
る。また図14は反射型液晶表示装置91の絶縁性基板
123に凹所92aを形成する際に用いるマスク99を
示す平面図である。反射型液晶表示装置91は、少なく
ともいずれか一方が透光性を有する一対の基板92,9
5の間に液晶層98を介して構成される。
FIG. 13 is a sectional view showing another embodiment of the present invention, which is a simple matrix type reflection type liquid crystal display device 91 in which the surface of the reflection electrode is made uneven by another method. FIG. 14 is a plan view showing a mask 99 used when forming the recess 92a in the insulating substrate 123 of the reflective liquid crystal display device 91. The reflective liquid crystal display device 91 includes a pair of substrates 92, 9 at least one of which is transparent.
5 is formed via the liquid crystal layer 98.

【0073】前記一対の基板92,95のうちの一方基
板92を構成し、ガラスで実現される絶縁性基板123
の表面には、互いに平行に間隔をあけて配置される複数
本の帯状の反射電極93が形成されるけれども、まず、
反射電極93が形成されるべき絶縁性基板123の所定
の領域に凹所92aが形成される。この凹所92aは、
絶縁性基板123上にまずフォトレジスト膜を形成し、
図14に示されるマスク99を前記フォトレジスト膜上
に配置して露光し、現像し、たとえばフッ化水素酸を用
いてエッチングすることによって作成される。図14に
示されるマスク99は、A1×B1の大きさの1つの反
射電極に相当する領域に前記マスク82,85〜90と
同様な透光領域99aと遮光領域99bとを有する。ま
た、反射電極の周縁から内方に向って所定の長さを有す
る周縁部には前述したのと同じ条件で凹所が形成される
ので、これに対応してマスク99の長さA2,B2を有
する周縁部の透光領域99aおよび遮光領域99bの配
置が選ばれる。
An insulating substrate 123 which is made of glass and constitutes one substrate 92 of the pair of substrates 92 and 95.
Although a plurality of strip-shaped reflective electrodes 93 arranged in parallel with each other at intervals are formed on the surface of,
A recess 92a is formed in a predetermined area of the insulating substrate 123 where the reflective electrode 93 is to be formed. This recess 92a is
First, a photoresist film is formed on the insulating substrate 123,
The mask 99 shown in FIG. 14 is formed by arranging it on the photoresist film, exposing it, developing it, and etching it with hydrofluoric acid, for example. The mask 99 shown in FIG. 14 has a light-transmitting region 99a and a light-shielding region 99b similar to the masks 82, 85 to 90 in a region corresponding to one reflective electrode having a size of A1 × B1. Further, since a recess is formed in the peripheral portion having a predetermined length inward from the peripheral edge of the reflective electrode under the same conditions as described above, the lengths A2 and B2 of the mask 99 are correspondingly formed. The arrangement of the light-transmitting region 99a and the light-shielding region 99b in the peripheral portion having the is selected.

【0074】凹所92aが形成された絶縁性基板123
上には、たとえば真空蒸着法によって0.5μmの厚さ
のAl膜が形成される。次にAl膜を露光し、現像し、
さらにエッチングすることによって所定の位置に反射電
極93が形成される。反射電極93の表面には、前記絶
縁性基板123の凹所92aによって凹所93aが形成
される。さらに、絶縁性基板123上には、前記反射電
極93を覆って配向膜94が形成される。このようにし
て、一方基板92が作成される。
Insulating substrate 123 having recess 92a formed therein
An Al film having a thickness of 0.5 μm is formed on the upper surface by, for example, a vacuum deposition method. Next, the Al film is exposed and developed,
By further etching, the reflective electrode 93 is formed at a predetermined position. A recess 93 a is formed on the surface of the reflective electrode 93 by the recess 92 a of the insulating substrate 123. Further, an alignment film 94 is formed on the insulating substrate 123 so as to cover the reflective electrode 93. In this way, the one-sided substrate 92 is produced.

【0075】また、たとえばガラスで実現される絶縁性
基板124上には、前記反射電極93とは直交する方向
に配置され、透光性を有する複数の帯状電極96が形成
され、さらに配向膜97が形成される。このようにして
他方基板95が作成され、このような一対の基板92,
95は互いの配向膜94,97が対向するようにして配
置され、前記反射型液晶表示装置61と同様にして液晶
層98を介在して接着される。反射電極93と帯状電極
96との重なる部分が表示絵素である。液晶層98は前
記液晶層75と同様の材料によって実現される。また、
配向膜94,97の配向処理方向も、前記配向膜67,
74と同様に配置される。
On the insulating substrate 124 made of, for example, glass, a plurality of translucent strip electrodes 96 are formed which are arranged in a direction orthogonal to the reflective electrodes 93, and the alignment film 97 is further formed. Is formed. In this way, the other substrate 95 is formed, and a pair of such substrates 92,
95 are arranged so that the alignment films 94 and 97 face each other, and are bonded to each other with the liquid crystal layer 98 interposed therebetween in the same manner as in the reflective liquid crystal display device 61. The portion where the reflective electrode 93 and the strip electrode 96 overlap is a display pixel. The liquid crystal layer 98 is realized by the same material as the liquid crystal layer 75. Also,
The alignment treatment directions of the alignment films 94 and 97 are also the same as those of the alignment films 67 and
It is arranged similarly to 74.

【0076】このようにガラス製の絶縁性基板123に
直接凹所92aを形成することによっても反射電極93
の表面を凹凸状とすることが可能である。
By directly forming the recess 92a in the insulating substrate 123 made of glass as described above, the reflective electrode 93 can be formed.
The surface of can be made uneven.

【0077】なお、凹所93aを反射電極93の周縁部
に形成しない場合には、ガラス製の絶縁性基板123の
反射電極93が形成されるべき領域のうちの周縁部に相
当する部分を覆うマスクを用いて、周知のサンドブラス
ト法またはポリッシング法で前述したような絶縁性基板
123表面に凹所92aを形成することも可能である。
また、ビーズ散布によっても形成することが可能であ
る。さらに、Al−Si合金膜を形成し、当該合金膜を
エッチングする方法、凹凸状の表面を有するSiO2
をCVD法で形成する方法、あるいはSiO2膜を形成
し、当該SiO2膜をエッチングする方法などによって
も形成することが可能である。
When the recess 93a is not formed in the peripheral edge of the reflective electrode 93, the portion of the glass insulating substrate 123, which corresponds to the peripheral edge of the area where the reflective electrode 93 is to be formed, is covered. It is also possible to use a mask to form the recess 92a on the surface of the insulating substrate 123 as described above by a known sandblast method or polishing method.
Also, it can be formed by sprinkling beads. Furthermore, to form the Al-Si alloy film, a method for etching the alloy film, a method of forming a SiO 2 film having an uneven surface by a CVD method or a SiO 2 film is formed, etching the SiO 2 film It can also be formed by a method such as.

【0078】図15は、前記ポリッシング法の処理工程
を段階的に示す断面図である。ポリッシング法とは、図
15(1)に示されるように絶縁性基板123の表面に
球状のビーズ121を散布し、図15(2)に示される
ようにビーズ121が散布された絶縁性基板123の表
面に板状部材122を配置し、圧力を加え、かつ左右お
よび斜め方向にずらせながらこすりつけ、最後に図15
(3)に示されるように板状部材122およびビーズ1
21を除去することによって、絶縁性基板123の表面
に凹所92aを作成する方法である。
FIG. 15 is a sectional view showing the steps of the polishing method step by step. By the polishing method, spherical beads 121 are dispersed on the surface of an insulating substrate 123 as shown in FIG. 15A, and insulating substrate 123 on which beads 121 are dispersed as shown in FIG. 15B. The plate-shaped member 122 is arranged on the surface of, and rubbed while applying pressure and shifting it to the left and right and diagonally, and finally to FIG.
As shown in (3), the plate member 122 and the beads 1
This is a method of forming a recess 92a on the surface of the insulating substrate 123 by removing 21.

【0079】また、ビーズ散布法とは、本件出願人らに
よる特開平4−308816号公報に開示されている方
法であり、基板表面に微粒子を添加した有機絶縁性樹脂
を塗布して焼成することによって多数の微細な凹凸を形
成する方法である。
The bead spraying method is a method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-308816 by the applicants of the present invention, in which an organic insulating resin containing fine particles is applied to the substrate surface and baked. This is a method of forming a large number of fine irregularities by using.

【0080】図16は、本発明のさらに他の実施例であ
るアクティブマトリックス型の反射型液晶表示装置11
9の一方基板101を拡大して示す平面図である。反射
型液晶表示装置119は、少なくともいずれか一方が透
光性を有する一対の基板101,112の間に液晶層を
介在して構成される。
FIG. 16 shows an active matrix type reflection type liquid crystal display device 11 which is still another embodiment of the present invention.
It is a top view which expands and shows one board | substrate 101 of 9. The reflective liquid crystal display device 119 is configured by interposing a liquid crystal layer between a pair of substrates 101 and 112, at least one of which is translucent.

【0081】前記一対の基板101,112のうちの一
方基板101を構成し、たとえばガラスで実現される絶
縁性基板125上には、複数の信号配線102が互いに
平行に設けられる。信号配線102からは下部電極10
5が分岐している。また、ほぼ矩形状の複数の反射電極
103がマトリクス状に配置される。反射電極103と
前記信号配線102とは互いに絶縁性を保持する間隔W
5をあけて設けられる。反射電極103と信号配線10
2ととは、スイッチング素子である二端子素子104を
介して接続される。二端子素子104は、前記下部電極
105、上部電極106、および前記電極105,10
6間に介在される絶縁層109を含んで構成される。上
部電極106と反射電極103ととは後述するようにし
てコンタクトホール107によって接続される。
A plurality of signal wirings 102 are provided in parallel with each other on an insulating substrate 125, which constitutes one of the pair of substrates 101 and 112 and is made of, for example, glass. From the signal wiring 102 to the lower electrode 10
5 is branched. Further, a plurality of substantially rectangular reflecting electrodes 103 are arranged in a matrix. The distance W between the reflective electrode 103 and the signal line 102 is such that they maintain insulation.
It is provided with 5 open. Reflection electrode 103 and signal wiring 10
2 is connected via a two-terminal element 104 which is a switching element. The two-terminal element 104 includes the lower electrode 105, the upper electrode 106, and the electrodes 105 and 10.
It is configured to include an insulating layer 109 interposed between the six. The upper electrode 106 and the reflective electrode 103 are connected by the contact hole 107 as described later.

【0082】前記反射電極103の表面には、複数の凹
所111a,111bが設けられており、これによって
前記表面は凹凸状となっている。複数の凹所111a,
111bは反射電極103の表面のほぼ全面に存在する
けれども、図16において斜線を付して示す反射電極1
03の周縁部103a、すなわち反射電極103の周縁
から内方に向って所定の長さを有する領域においては、
前述した実施例と同様の条件で凹所111a,111b
が設けられる。図示されるものは、周縁部103aに凹
所111a,111bを全く設けなかった場合である。
なお、本実施例において、前記所定の長さはA2,B2
で表される。
A plurality of recesses 111a and 111b are provided on the surface of the reflective electrode 103, so that the surface is uneven. A plurality of recesses 111a,
Although 111b exists on almost the entire surface of the reflective electrode 103, the reflective electrode 1 shown by hatching in FIG.
03 in the peripheral portion 103a, that is, a region having a predetermined length inward from the peripheral edge of the reflective electrode 103,
The recesses 111a and 111b are formed under the same conditions as in the above-described embodiment.
Is provided. What is illustrated is the case where no recesses 111a and 111b are provided in the peripheral edge portion 103a.
In this embodiment, the predetermined length is A2, B2.
It is represented by.

【0083】図17は、反射型液晶表示装置119を示
す断面図である。図17を参照して反射型液晶表示装置
119の製造方法を説明する。たとえば、ガラスなどか
ら成る絶縁性基板125上には、まずベースコート膜1
08が形成される。ベースコート膜108は、スパッタ
リング法によって5000Åの厚さのTa25膜を形成
することによって実現される。また、前記絶縁性基板1
25としては無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ま
たはソーダガラスなどを用いることができ、本実施例で
は、コーニング社製、商品名#7059を用いた。な
お、前記ベースコート膜108の形成は省略することも
できるけれども、当該ベースコート膜108を形成する
ことによって前記絶縁性基板125からの汚染を防ぐこ
とができ良好な表示特性を得ることが可能となる。
FIG. 17 is a sectional view showing the reflective liquid crystal display device 119. A method of manufacturing the reflective liquid crystal display device 119 will be described with reference to FIG. For example, the base coat film 1 is first formed on the insulating substrate 125 made of glass or the like.
08 is formed. The base coat film 108 is realized by forming a Ta 2 O 5 film having a thickness of 5000Å by a sputtering method. In addition, the insulating substrate 1
As 25, non-alkali glass, borosilicate glass, soda glass, or the like can be used. In this example, Corning's trade name # 7059 was used. Although formation of the base coat film 108 can be omitted, by forming the base coat film 108, contamination from the insulating substrate 125 can be prevented and good display characteristics can be obtained.

【0084】次に、ベースコート膜108上に前記信号
配線102および下部電極105が形成される。まず、
たとえばリアクティブ方式スパッタリング法によって3
000Åの厚さのTa膜を形成し、当該Ta膜がフォト
リソグラフィ法によって所定の形状にパターン形成され
る。前記Ta膜のスパッタリング時には、ターゲットと
して純度99.99%のTaを用いた。また反応ガスと
してはアルゴンと窒素との混合ガスを用いた。前記アル
ゴンガスと窒素ガスとの総流量に対する窒素ガス流量を
調節することによって窒素含有量を調整することができ
る。本実施例では窒素濃度を4.3%とした。前記窒素
濃度を3%〜7%の範囲に選ぶことによって、非線形特
性の良好な二端子素子104が得られ、さらに好ましく
は4%〜5.5%とすることが好ましい。
Next, the signal wiring 102 and the lower electrode 105 are formed on the base coat film 108. First,
For example, by the reactive sputtering method, 3
A Ta film having a thickness of 000Å is formed, and the Ta film is patterned into a predetermined shape by photolithography. At the time of sputtering the Ta film, Ta having a purity of 99.99% was used as a target. A mixed gas of argon and nitrogen was used as the reaction gas. The nitrogen content can be adjusted by adjusting the nitrogen gas flow rate with respect to the total flow rate of the argon gas and the nitrogen gas. In this embodiment, the nitrogen concentration is 4.3%. By selecting the nitrogen concentration in the range of 3% to 7%, the two-terminal element 104 having good non-linear characteristics can be obtained, and more preferably 4% to 5.5%.

【0085】パターン形成されたTa膜は1%の酒石酸
アンモニウム溶液を電界液として陽極酸化される。これ
によってTa膜の表面の酸化された部分が絶縁層109
となる。また酸化されなかった部分によって信号配線1
02および下部電極105が形成される。絶縁層109
の厚さはたとえば600Åに選ばれる。
The patterned Ta film is anodized using a 1% ammonium tartrate solution as an electrolytic solution. As a result, the oxidized portion of the surface of the Ta film is covered with the insulating layer 109.
Becomes Moreover, the signal wiring 1 is formed by the portion which is not oxidized.
02 and the lower electrode 105 are formed. Insulating layer 109
The thickness is selected to be, for example, 600Å.

【0086】さらに、絶縁層109が形成されたベース
コート膜108上には上部電極106となる金属膜が形
成される。当該金属膜は、たとえばスパッタリング法に
よって形成され、フォトリソグラフィ法によってパター
ン形成されて上部電極106とされる。上部電極106
としてはたとえばTa,Cr,Ti,およびAlなどを
用いることができ、本実施例ではTiを用いた。このよ
うにして二端子素子104が形成される。
Further, a metal film to be the upper electrode 106 is formed on the base coat film 108 on which the insulating layer 109 is formed. The metal film is formed by, for example, a sputtering method and patterned by a photolithography method to form the upper electrode 106. Upper electrode 106
For example, Ta, Cr, Ti, Al, or the like can be used, and Ti is used in this embodiment. In this way, the two-terminal element 104 is formed.

【0087】二端子素子104が形成されたベースコー
ト膜108上には前述した実施例と同様にして凹凸状の
表面を有する有機絶縁膜110が形成される。さらに有
機絶縁膜110の上には前記反射電極103が形成さ
れ、有機絶縁膜110の表面に形成された凹所によって
反射電極103の表面にも凹所111a,111bが形
成される。したがって、有機絶縁膜110の反射電極1
03が形成されるべき領域に前述したような反射電極1
03の表面が有する凹所111a,111bに相当する
凹所が形成される。また、有機絶縁膜110には反射電
極103を上部電極106と接続するためのコンタクト
ホール107が設けられる。反射電極103が形成され
た有機絶縁膜110上には前記反射電極103を覆って
配向膜120が形成される。このようにして一方基板1
01が作成される。
On the base coat film 108 on which the two-terminal element 104 is formed, the organic insulating film 110 having an uneven surface is formed in the same manner as in the above-mentioned embodiment. Further, the reflective electrode 103 is formed on the organic insulating film 110, and the recesses formed on the surface of the organic insulating film 110 also form recesses 111a and 111b on the surface of the reflective electrode 103. Therefore, the reflective electrode 1 of the organic insulating film 110
In the area where 03 is to be formed, the reflective electrode 1 as described above
The recesses corresponding to the recesses 111a and 111b of the surface 03 are formed. Further, the organic insulating film 110 is provided with a contact hole 107 for connecting the reflective electrode 103 to the upper electrode 106. An alignment layer 120 is formed on the organic insulating layer 110 having the reflective electrode 103 formed thereon to cover the reflective electrode 103. In this way, the first substrate 1
01 is created.

【0088】また、他方基板112を構成する絶縁性基
板126上には、前記実施例と同様にカラーフィルタ1
13が形成される。カラーフィルタ113は、たとえば
各絵素に対応して設けられるシアンフィルタ113aと
レッドフィルタ113bとから成る。カラーフィルタ1
13上には、たとえばITOで実現される2000Åの
厚さの共通電極114が形成される。共通電極114は
フォトリソグラフィ法を用いてストライプ状にパターン
形成される。パターン形成された共通電極114を覆っ
てカラーフィルタ113上には配向膜115が形成され
る。このようにして他方基板112が作成される。
On the insulating substrate 126 which constitutes the other substrate 112, the color filter 1 is formed in the same manner as in the above embodiment.
13 is formed. The color filter 113 includes, for example, a cyan filter 113a and a red filter 113b provided corresponding to each picture element. Color filter 1
A common electrode 114 having a thickness of 2000 Å realized by, for example, ITO is formed on the layer 13. The common electrode 114 is patterned in a stripe shape by using a photolithography method. An alignment film 115 is formed on the color filter 113 so as to cover the patterned common electrode 114. In this way, the other substrate 112 is created.

【0089】このようにして各部材が形成された一方お
よび他方基板101,112は、前記実施例と同様にし
て液晶層116を介在して貼合わせられる。液晶層11
6は、前記液晶層75と同様の材料によって実現され
る。このようにして構成される反射型液晶表示装置11
9の電圧無印加時および電圧印加時においては、前記反
射型液晶表示装置61と同様の動作原理によって表示が
行われる。図17に示される絵素117aは電圧無印加
時を、絵素117bは電圧印加時をそれぞれ示してい
る。
The one and the other substrates 101 and 112 on which the respective members are formed in this manner are bonded together with the liquid crystal layer 116 interposed therebetween in the same manner as in the above embodiment. Liquid crystal layer 11
6 is realized by the same material as the liquid crystal layer 75. The reflection type liquid crystal display device 11 configured in this way
When the voltage of 9 is not applied and the voltage is applied, display is performed according to the same operation principle as that of the reflective liquid crystal display device 61. A picture element 117a shown in FIG. 17 shows a time when no voltage is applied, and a picture element 117b shows a time when a voltage is applied.

【0090】以上のように本実施例によれば、反射電極
54,93,103は凹凸状の表面を有し、その周縁部
54a,103aでは比較的凹凸が少なく設けられる。
またあるいは凹凸が全く形成されない。反射電極54,
93,103の表面を凹凸状とするためには、反射電極
54,93,103が形成されるべき表面が凹凸状とさ
れ、当該表面の全面に反射電極となる金属膜を形成した
後、前記金属膜をパターン形成することによって反射電
極54,93,103が形成される。金属膜のパターン
形成にはエッチングが用いられ、必要でない金属膜が溶
解除去される。前述した反射型液晶表示装置61,9
1,119では、反射電極54,93,103の周縁部
に設けられる凹所または凸部が比較的少なく、または全
くなく、このため反射電極54,93,103が形成さ
れる表面の反射電極の周縁部に相当する部分に形成され
る凹所または凸部も比較的少なく、または全くなくな
る。このため、残存すべき金属膜のエッジ部分におい
て、当該金属膜と反射電極が形成されるべき表面との界
面が比較的少なくなり、前記金属膜をパターン形成する
ためのエッチング時において、エッチング液が両者の界
面から浸透する量が少なくなる。
As described above, according to this embodiment, the reflective electrodes 54, 93 and 103 have uneven surfaces, and the peripheral portions 54a and 103a thereof are provided with relatively few unevenness.
Alternatively, no unevenness is formed. Reflective electrode 54,
In order to make the surfaces of 93 and 103 uneven, the surface on which the reflective electrodes 54, 93 and 103 are to be formed is made uneven, and after forming a metal film to be a reflective electrode on the entire surface, The reflective electrodes 54, 93 and 103 are formed by patterning the metal film. Etching is used to form the pattern of the metal film, and the unnecessary metal film is dissolved and removed. The reflective liquid crystal display device 61, 9 described above
1, 119, there are relatively few or no recesses or protrusions provided on the peripheral portions of the reflective electrodes 54, 93, 103, and therefore the reflective electrodes on the surface on which the reflective electrodes 54, 93, 103 are formed. There are relatively few or no recesses or protrusions formed in the portion corresponding to the peripheral portion. Therefore, in the edge portion of the metal film to be left, the interface between the metal film and the surface on which the reflective electrode is to be formed becomes relatively small, and the etching solution is not removed during the etching for patterning the metal film. The amount that permeates from the interface between the two decreases.

【0091】したがって、反射電極54,93,103
のエッジ部分からの剥離が防止され、欠陥絵素の発生が
防止される。また、剥離した反射電極によって、他の反
射電極と反射電極に対向する共通電極との間で短絡が発
生することが防止される。
Therefore, the reflective electrodes 54, 93, 103
Is prevented from being peeled off from the edge portion, and generation of defective picture elements is prevented. Further, the peeled reflective electrode prevents a short circuit from occurring between another reflective electrode and the common electrode facing the reflective electrode.

【0092】また、反射電極54,93,103の表面
は凹凸状であるので、これによってあらゆる方向からの
入射光であっても表示画面にほぼ垂直な方向に反射させ
ることができ、明るい表示画像が得られる。さらに、反
射電極54,93,103は、反射板として機能し、こ
れによって一方基板51,92,101の液晶層側とは
反対側に反射板を設けた反射型液晶表示装置と比較する
と、視差が生じない。
Further, since the surfaces of the reflection electrodes 54, 93, 103 are uneven, even if incident light from any direction can be reflected in a direction substantially perpendicular to the display screen, a bright display image can be obtained. Is obtained. Further, the reflective electrodes 54, 93, 103 function as a reflective plate, and as a result, parallax is improved when compared with a reflective liquid crystal display device in which a reflective plate is provided on the opposite side of the substrates 51, 92, 101 from the liquid crystal layer side. Does not occur.

【0093】上述した実施例では、スイッチング素子と
してTFT素子55および二端子素子104を設けた例
を説明したけれども、二端子素子104は、たとえばM
IM素子で実現される。また、二端子素子としてはバリ
スタ素子やダイオードリング素子などを用いることも可
能である。
Although the TFT element 55 and the two-terminal element 104 are provided as the switching elements in the above-described embodiments, the two-terminal element 104 is, for example, M.
It is realized by IM element. Also, a varistor element, a diode ring element, or the like can be used as the two-terminal element.

【0094】また、本実施例では液晶表示装置の表示モ
ードとしてゲストホストモードについて説明したけれど
も、ゲストホストモードの他に、PDLC(PolymerDis
persed Liquid Crystal)モード、偏光板を1枚用いる
モード、相転移モード、強誘電性液晶を用いるモードに
おいても適用するが可能である。また、前述した実施例
ではカラーフィルタとして補色フィルタを用いた例につ
いて説明したけれども、赤、緑、青のフィルタを用いる
ことも可能であり、またさらにカラーフィルタを用いな
い白黒表示を行う液晶表示装置に適用することも可能で
ある。
Although the guest-host mode has been described as the display mode of the liquid crystal display device in this embodiment, in addition to the guest-host mode, PDLC (PolymerDis
Persed Liquid Crystal) mode, a mode using one polarizing plate, a phase transition mode, and a mode using ferroelectric liquid crystal are also applicable. Further, in the above-described embodiment, an example in which a complementary color filter is used as a color filter has been described, but it is also possible to use red, green, and blue filters, and a liquid crystal display device that performs monochrome display without using color filters. It is also possible to apply to.

【0095】なお、本実施例では反射電極54,103
と配線52,53,102とは、間隔W1〜W5をあけ
て有機絶縁膜66,110上に形成されるけれども、前
記配線52,53,102を覆って有機絶縁膜66,1
10が形成されるので、反射電極54,103は配線5
2,53,102に重畳するようにして設けることも可
能である。この場合、反射電極54,103は、隣接す
る反射電極同士が絶縁性を保持する間隔をあけて設けら
れる。これによって反射電極54,103の面積が拡大
し、より明るい表示画像が得られる。
In this embodiment, the reflective electrodes 54, 103
Although the wirings 52, 53, 102 are formed on the organic insulating films 66, 110 with a space W1 to W5 therebetween, the organic insulating films 66, 1 cover the wirings 52, 53, 102.
10 is formed, the reflective electrodes 54 and 103 are connected to the wiring 5
It is also possible to provide them so as to overlap with 2, 53 and 102. In this case, the reflective electrodes 54 and 103 are provided at intervals such that adjacent reflective electrodes maintain insulation. As a result, the areas of the reflective electrodes 54 and 103 are enlarged, and a brighter display image can be obtained.

【0096】図18および図19は、前記二端子素子1
04を設け、反射電極103を信号配線102に重畳す
るようにして設けた一方基板101を示す平面図であ
る。図18に示されるように、信号配線102と反射電
極103との重なり部分において、前記信号配線102
の長手方向とは直交する方向の長さC1が比較的大きい
値に選ばれるときには、反射電極103の周縁部103
aと、それ以外の領域との境界線(図18中において、
二点鎖線で示す線)は、信号配線102の、重畳する反
射電極103側の端部から信号配線102の内方に向っ
て長さC2(<C1)の所に選ばれる。たとえば、長さ
C1が2μmのときには、長さC2は0.5μmに選ば
れる。
18 and 19 show the two-terminal element 1
4 is a plan view showing one substrate 101 provided with 04 and the reflective electrode 103 so as to overlap the signal wiring 102. FIG. As shown in FIG. 18, in the overlapping portion of the signal wiring 102 and the reflective electrode 103, the signal wiring 102 is formed.
When the length C1 in the direction orthogonal to the longitudinal direction of is selected to be a relatively large value, the peripheral edge portion 103 of the reflective electrode 103 is
The boundary line between a and the other area (in FIG. 18,
A line indicated by a chain double-dashed line) is selected at a length C2 (<C1) from the overlapping end of the signal wiring 102 on the side of the reflective electrode 103 toward the inside of the signal wiring 102. For example, when the length C1 is 2 μm, the length C2 is selected to be 0.5 μm.

【0097】また、図19に示されるように、信号配線
102と反射電極103との重なり部分において、前記
信号配線102の長手方向とは直交する方向の長さC3
が比較的小さい値に選ばれるときには、反射電極103
の周縁から反射電極103の内方に向って長さC4(>
C3)を有する領域が周縁部103aとされる。たとえ
ば、長さC3が0.1μmのときには、長さC4は0.
5μmに選ばれる。
Further, as shown in FIG. 19, at the overlapping portion of the signal wiring 102 and the reflective electrode 103, the length C3 in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the signal wiring 102 is obtained.
Is selected to be a relatively small value, the reflective electrode 103
From the periphery of the inside of the reflective electrode 103 to the length C4 (>
The region having C3) is the peripheral edge portion 103a. For example, when the length C3 is 0.1 μm, the length C4 is 0.
5 μm is selected.

【0098】なお、隣接する反射電極103同士は間隔
W5,W6をあけて設けられる。信号配線102の長手
方向に垂直な方向の反射電極103同士の間隔はW5
に、平行な方向の反射電極103同士の間隔はW6にそ
れぞれ選ばれる。
The adjacent reflective electrodes 103 are provided with the intervals W5 and W6. The distance between the reflective electrodes 103 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the signal wiring 102 is W5.
In addition, the distance between the reflective electrodes 103 in the parallel direction is selected as W6.

【0099】図20は、前記TFT素子55を設け、反
射電極54をゲートバス配線52およびソースバス配線
53に重畳するようにして設けた一方基板51を示す平
面図である。たとえばゲートバス配線52と反射電極5
4との重なり部分において、前記ゲートバス配線52の
長手方向とは直交する方向の長さE1が比較的大きい値
に選ばれるときには、反射電極54の周縁から反射電極
54の内方に向って長さE2(<E1)を有する領域が
周縁部54aとされる。たとえば、長さE1が3μmの
ときには、長さE2は0.5μmに選ばれる。
FIG. 20 is a plan view showing the one substrate 51 in which the TFT element 55 is provided and the reflective electrode 54 is provided so as to overlap the gate bus wiring 52 and the source bus wiring 53. For example, the gate bus wiring 52 and the reflective electrode 5
When the length E1 in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the gate bus line 52 is selected to be a relatively large value in the overlapping portion with 4, the length from the peripheral edge of the reflective electrode 54 toward the inside of the reflective electrode 54 is increased. A region having a height E2 (<E1) is the peripheral edge portion 54a. For example, when the length E1 is 3 μm, the length E2 is selected to be 0.5 μm.

【0100】また、たとえばソースバス配線53と反射
電極54との重なり部分において、前記ソースバス配線
53の長手方向とは直交する方向の長さE3が比較的小
さい値に選ばれるときには、反射電極54の周縁から反
射電極54の内方に向って長さE4(>E3)を有する
領域が周縁部54aとされる。たとえば、長さE3が
0.2μmのときには、長さE4は0.5μmに選ばれ
る。
Further, when the length E3 in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the source bus line 53 is selected to be a relatively small value in the overlapping portion of the source bus line 53 and the reflective electrode 54, for example, the reflective electrode 54. A region having a length E4 (> E3) from the peripheral edge toward the inside of the reflective electrode 54 is defined as the peripheral edge portion 54a. For example, when the length E3 is 0.2 μm, the length E4 is selected to be 0.5 μm.

【0101】なお、隣接する反射電極54同士は間隔W
7,W8をあけて設けられる。ソースバス配線53の長
手方向に平行な方向の反射電極54同士の間隔はW7
に、ソースバス配線52の長手方向に平行な方向の反射
電極54同士の間隔はW8にそれぞれ選ばれる。
It should be noted that the distance W between adjacent reflective electrodes 54 is W.
It is provided with 7, W8 open. The distance between the reflection electrodes 54 in the direction parallel to the longitudinal direction of the source bus line 53 is W7.
In addition, the distance between the reflective electrodes 54 in the direction parallel to the longitudinal direction of the source bus line 52 is selected as W8.

【0102】[0102]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、反射電極
は凹凸状の表面を有し、反射電極の周縁から内方に向っ
て所定の長さを有する周縁部では、比較的凹凸が少なく
設けられる。または全く設けられない。したがって、反
射電極をパターン形成する際に、反射電極として残存す
る金属膜のエッジ部分において、当該金属膜と反射電極
が形成されるべき表面との界面が比較的少なくなり、エ
ッチング液が両者の界面から浸透する量が少なくなる。
このため、反射電極のエッジ部分からの剥離が防止さ
れ、欠陥絵素の発生が防止される。また、剥離した反射
電極によって、他の反射電極と帯状電極または共通電極
との間で短絡が発生することも防止される。さらに、反
射電極の表面は凹凸状であるので、どの絵素でも同じ反
射特性を示すので、均一で高コントラストな明るい表示
画像が得られる。さらに反射電極は反射板として機能す
るので、視差が生じない。
As described above, according to the present invention, the reflective electrode has an uneven surface, and the peripheral portion having a predetermined length from the peripheral edge of the reflective electrode toward the inside has a relatively irregular surface. There are few. Or not provided at all. Therefore, when patterning the reflective electrode, the interface between the metal film and the surface on which the reflective electrode is to be formed is relatively small at the edge portion of the metal film that remains as the reflective electrode, and the etching liquid is used as an interface between the two. The amount that permeates through is reduced.
Therefore, peeling from the edge portion of the reflective electrode is prevented, and generation of defective picture elements is prevented. In addition, the peeled reflective electrode also prevents a short circuit from occurring between the other reflective electrode and the strip electrode or the common electrode. Further, since the surface of the reflective electrode is uneven, any pixel shows the same reflective characteristic, and a uniform and high-contrast bright display image can be obtained. Furthermore, since the reflective electrode functions as a reflective plate, parallax does not occur.

【0103】また本発明によれば、1つの反射電極にお
ける凹所または凸部は不規則に配列される。また前記凹
所または凸部は1種類または大きさの異なる2種類以上
の形状から成る。また、前記凹所または凸部の配列パタ
ーンは、各反射電極において同一に配置される。また、
前記凹所または凸部の配列パターンは、隣接する反射電
極間において互いに反転して配置される。これらは、い
ずれもどの絵素でも同じ反射特性を示すので、均一で高
コントラストな明るい表示画像を得ることが可能とな
る。
Further, according to the present invention, the recesses or protrusions in one reflective electrode are arranged irregularly. The recesses or protrusions are formed of one type or two or more types having different sizes. In addition, the arrangement pattern of the recesses or the protrusions is the same in each reflective electrode. Also,
The arrangement pattern of the recesses or the protrusions is arranged so as to be inverted between adjacent reflective electrodes. Since all of them have the same reflection characteristic in any picture element, it is possible to obtain a bright display image with uniform and high contrast.

【0104】また本発明によれば、前記反射電極と引回
電極ととは、相互に絶縁性を保持する間隔をあけて一方
基板の液晶層側表面に形成され、このような場合であっ
ても、比較的明るく、反射電極の剥離の少ない表示品位
の優れた反射型液晶表示装置を作成することができる。
According to the present invention, the reflective electrode and the lead-out electrode are formed on the surface of one substrate on the liquid crystal layer side with an interval for maintaining insulation therebetween. Also, it is possible to produce a reflective liquid crystal display device which is relatively bright and has excellent display quality with less peeling of the reflective electrode.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例である反射型液晶表示装置6
1の一方基板51を拡大して示す平面図である。
FIG. 1 is a reflection type liquid crystal display device 6 which is an embodiment of the present invention.
It is a top view which expands and shows the one board | substrate 51 of 1.

【図2】反射型液晶表示装置61を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a reflective liquid crystal display device 61.

【図3】基板貼合わせ時の各配向膜67,74に施され
たラビング処理方向67a,74aの関係を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between rubbing processing directions 67a and 74a applied to respective alignment films 67 and 74 when substrates are bonded together.

【図4】前記一方基板51上の反射電極54の表面の凹
所60a,60bの形成方法を段階的に示す断面図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing stepwise a method of forming recesses 60a and 60b on the surface of a reflective electrode 54 on the one substrate 51.

【図5】凹凸状の表面を有する有機絶縁膜66を作成す
る際に用いられるマスク82を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a mask 82 used when forming an organic insulating film 66 having an uneven surface.

【図6】他のマスク85を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing another mask 85.

【図7】反射電極54の表面の複数の凹所60間の距離
rを示す平面図である。
7 is a plan view showing a distance r between a plurality of recesses 60 on the surface of the reflective electrode 54. FIG.

【図8】前記距離rと、1つの反射電極54の表面に存
在する距離rの存在個数との関係を示すグラフである。
8 is a graph showing a relationship between the distance r and the number of existing distances r existing on the surface of one reflective electrode 54. FIG.

【図9】さらに他のマスク86〜90を示す平面図であ
る。
FIG. 9 is a plan view showing still another masks 86 to 90.

【図10】絶縁性基板78に形成される凸部84a,8
4bをそれぞれ示す断面図である。
FIG. 10 shows protrusions 84a, 8 formed on the insulating substrate 78.
It is sectional drawing which shows 4b, respectively.

【図11】前記反射電極54に形成される凹所60aの
他の例を示す平面図である。
11 is a plan view showing another example of a recess 60a formed in the reflective electrode 54. FIG.

【図12】本発明に基づく他の一方基板69を示す平面
図である。
FIG. 12 is a plan view showing another one substrate 69 according to the present invention.

【図13】本発明の他の実施例であり、他の方法によっ
て反射電極54の表面を凹凸状とした反射型液晶表示装
置91を示す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing another embodiment of the present invention, a reflective liquid crystal display device 91 in which the surface of the reflective electrode 54 is made uneven by another method.

【図14】前記反射型液晶表示装置91の絶縁性基板1
23に凹所92aを形成する際に用いられるマスク99
を示す平面図である。
FIG. 14 is an insulating substrate 1 of the reflective liquid crystal display device 91.
A mask 99 used when forming the recess 92a in the groove 23.
FIG.

【図15】ポリッシング法の処理工程を段階的に示す断
面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing the processing steps of the polishing method step by step.

【図16】本発明の他の実施例である反射型液晶表示装
置119の一方基板101を拡大して示す平面図であ
る。
FIG. 16 is an enlarged plan view showing one substrate 101 of a reflective liquid crystal display device 119 which is another embodiment of the present invention.

【図17】反射型液晶表示装置119を示す断面図であ
る。
FIG. 17 is a cross-sectional view showing a reflective liquid crystal display device 119.

【図18】反射電極103を信号配線102に重畳する
ようにして設けた一方基板101を示す平面図である。
FIG. 18 is a plan view showing one substrate 101 in which a reflective electrode 103 is provided so as to overlap a signal wiring 102.

【図19】反射電極103を信号配線102に重畳する
ようにして設けた他の一方基板101を示す平面図であ
る。
FIG. 19 is a plan view showing another one substrate 101 in which a reflective electrode 103 is provided so as to overlap a signal wiring 102.

【図20】反射電極54をゲートおよびソースバス配線
52,53に重畳するようにして設けた一方基板51を
示す平面図である。
FIG. 20 is a plan view showing one substrate 51 in which a reflective electrode 54 is provided so as to overlap with gate and source bus wirings 52 and 53.

【図21】従来の反射型液晶表示装置30の一方基板3
1を示す平面図である。
FIG. 21: One substrate 3 of a conventional reflective liquid crystal display device 30
It is a top view which shows 1.

【図22】前記反射型液晶表示装置30を示す断面図で
ある。
FIG. 22 is a cross-sectional view showing the reflective liquid crystal display device 30.

【図23】さらに他の従来例であるアクティブマトリク
ス方式に用いられるTFT11を有する基板12を示す
平面図である。
FIG. 23 is a plan view showing a substrate 12 having TFTs 11 used in still another conventional active matrix system.

【図24】前記基板12を図16に示される切断面線X
28−X28から見たときに断面図である。
24 is a cross-sectional view of the substrate 12 shown in FIG.
28-X28 is a cross-sectional view when viewed from 28-X28.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

51,69,92,101 一方基板 52 ゲートバス配線 53 ソースバス配線 54,93,103 反射電極 55 TFT素子 59,107 コンタクトホール 60a,60b,111a,111b 凹所 61,91,119 反射型液晶表示装置 66,110 有機絶縁膜 68a,68b 凸部 71,95,112 他方基板 73,114 共通電極 75,98,116 液晶層 96 帯状電極 102 信号配線 104 二端子素子 51, 69, 92, 101 One-sided substrate 52 Gate bus wiring 53 Source bus wiring 54, 93, 103 Reflective electrode 55 TFT element 59, 107 Contact hole 60a, 60b, 111a, 111b Recess 61, 91, 119 Reflective liquid crystal display Device 66,110 Organic insulating film 68a, 68b Convex portion 71,95,112 Other substrate 73,114 Common electrode 75,98,116 Liquid crystal layer 96 Strip electrode 102 Signal wiring 104 Two-terminal element

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶層を介在して対向配置され、少なく
ともいずれか一方が透光性を有する一対の基板のうちの
一方基板の液晶層側表面は、透光性を有する他方基板側
からの入射光を反射する反射電極を有し、他方基板の液
晶層側表面は、透光性の電極を有する反射型液晶表示装
置において、 前記反射電極は凹凸状の表面を有し、 前記反射電極の周縁部では、当該周縁部領域に対する凹
凸状の表面の凹所または凸部を除く領域の占める割合が
60%以上100%以下の範囲に選ばれることを特徴と
する反射型液晶表示装置。
1. A liquid crystal layer-side surface of one substrate of a pair of substrates, which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween and at least one of which has a light-transmitting property, is provided from a side of the other substrate having a light-transmitting property. The liquid crystal layer side surface of the other substrate has a reflective electrode that reflects the incident light, in a reflective liquid crystal display device having a translucent electrode, the reflective electrode has an uneven surface, The reflective liquid crystal display device is characterized in that, in the peripheral portion, the ratio of the region excluding the concave portions or the convex portions of the uneven surface to the peripheral region is selected in the range of 60% or more and 100% or less.
【請求項2】 液晶層を介在して対向配置され、少なく
ともいずれか一方が透光性を有する一対の基板のうちの
一方基板の液晶層側表面は、透光性を有する他方基板側
からの入射光を反射する表示絵素である複数の反射電極
と、各反射電極に印加される表示のための電圧が供給さ
れる引回電極と、前記引回電極からの電圧を複数の反射
電極に個別的に供給/遮断する複数のスイッチング素子
とを有し、他方基板の液晶層側表面は、当該液晶層側表
面のほぼ全面を覆う透光性を有する共通電極を有する反
射型液晶表示装置において、 前記反射電極は凹凸状の表面を有し、 前記反射電極の周縁部では、当該周縁部領域に対する凹
凸状の表面の凹所または凸部を除く領域の占める割合が
60%以上100%以下の範囲に選ばれることを特徴と
する反射型液晶表示装置。
2. A liquid crystal layer side surface of one substrate of a pair of substrates, which are opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween and at least one of which has a light transmitting property, is provided from a side of the other substrate having a light transmitting property. A plurality of reflective electrodes which are display picture elements for reflecting incident light, a drawing electrode supplied with a display voltage applied to each reflecting electrode, and a voltage from the drawing electrode to the plurality of reflecting electrodes. In a reflective liquid crystal display device having a plurality of switching elements for individually supplying / cutting off, and a liquid crystal layer side surface of the other substrate having a translucent common electrode covering substantially the entire liquid crystal layer side surface. The reflective electrode has a concave-convex surface, and in the peripheral portion of the reflective electrode, the ratio of the region excluding the concave portion or the convex portion of the concave-convex surface to the peripheral region is 60% or more and 100% or less. Anti-characterized by being selected in range Type liquid crystal display device.
【請求項3】 前記反射電極は矩形または略矩形状であ
り、当該反射電極の互いに対向する端部に平行な方向の
長さに対する前記反射電極の周縁部の前記方向に平行な
方向の一方の幅の割合は、0.3%以上10%以下の範
囲に選ばれることを特徴とする請求項1または2記載の
反射型液晶表示装置。
3. The reflection electrode has a rectangular shape or a substantially rectangular shape, and one of a direction parallel to the direction of the peripheral edge portion of the reflection electrode with respect to a length of the reflection electrode in a direction parallel to the opposite ends of the reflection electrode. The reflection type liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein the width ratio is selected in a range of 0.3% to 10%.
【請求項4】 1つの反射電極における凹所または凸部
は、不規則に配列されることを特徴とする請求項1また
は2記載の反射型液晶表示装置。
4. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the concave portions or the convex portions of one reflective electrode are irregularly arranged.
【請求項5】 前記凹所または凸部は、1種類または大
きさの異なる2種類以上の形状から成ることを特徴とす
る請求項4記載の反射型液晶表示装置。
5. The reflection type liquid crystal display device according to claim 4, wherein the recess or the protrusion has one type or two or more types having different sizes.
【請求項6】 前記凹所または凸部の配列パターンは、
各反射電極において同一に選ばれることを特徴とする請
求項4記載の反射型液晶表示装置。
6. The arrangement pattern of the recesses or protrusions is
The reflective liquid crystal display device according to claim 4, wherein the reflective electrodes are selected in the same manner.
【請求項7】 前記凹所または凸部の配列パターンは、
隣接する反射電極間において互いに反転するように選ば
れることを特徴とする請求項4記載の反射型液晶表示装
置。
7. The arrangement pattern of the recesses or protrusions is
The reflective liquid crystal display device according to claim 4, wherein the reflective liquid crystal display devices are selected so as to be mutually inverted between adjacent reflective electrodes.
【請求項8】 前記反射電極と引回電極とは、相互に絶
縁性を保持する間隔をあけて、一方基板の液晶層側表面
に形成されることを特徴とする請求項2記載の反射型液
晶表示装置。
8. The reflective type electrode according to claim 2, wherein the reflective electrode and the lead-out electrode are formed on the surface of the one substrate on the liquid crystal layer side with a space therebetween for maintaining insulation therebetween. Liquid crystal display device.
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