JPH10307296A - Liquid crystal display device - Google Patents
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- JPH10307296A JPH10307296A JP9119700A JP11970097A JPH10307296A JP H10307296 A JPH10307296 A JP H10307296A JP 9119700 A JP9119700 A JP 9119700A JP 11970097 A JP11970097 A JP 11970097A JP H10307296 A JPH10307296 A JP H10307296A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、テレビ、モニ
タ、ノートＰＣ、携帯端末等に用いられる液晶表示装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device used for a television, a monitor, a notebook PC, a portable terminal and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】直視型の液晶表示装置として、画素毎に
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）またはポリシリコン
（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）からなる薄膜トランジスタ（以下、
ＴＦＴと称する）を設け、ＴＦＴのスイッチング動作に
より、画素電極に選択的に電圧を印加して液晶を駆動す
るアクティブマトリクス型の液晶表示装置が、高画質が
得られる観点から多く使用されている。従来、アクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置では、ツイステッドネマ
ティック液晶（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ液晶、
以下、ＴＮ液晶と称する）を用いたものが多く、液晶に
印加する電界の方向を基板面に対して垂直方向とする表
示方式が主に採用されている。しかし、ＴＮ液晶を用い
た表示方式では、視覚方向を変えた場合のコントラスト
変化が著しく、コントラストが一定値以上確保できる視
野角が狭いという問題点を有している。近年、液晶表示
装置における広視野角を実現するために、液晶に印加す
る電界の方向を基板面に対して平行方向とするＩＰＳ
（In-Plane Switching）方式の液晶表示装置の開発が進
められている。2. Description of the Related Art As a direct-view type liquid crystal display device, a thin film transistor (hereinafter, referred to as an amorphous silicon (a-Si) or a polysilicon (Poly-Si)) is provided for each pixel.
An active matrix type liquid crystal display device in which a liquid crystal is driven by selectively applying a voltage to a pixel electrode by a switching operation of the TFT is provided from the viewpoint of obtaining high image quality. Conventionally, in an active matrix type liquid crystal display device, a twisted nematic liquid crystal (Twisted Nematic liquid crystal,
In many cases, a display method is used in which the direction of an electric field applied to the liquid crystal is perpendicular to the substrate surface. However, the display method using the TN liquid crystal has a problem that the contrast greatly changes when the visual direction is changed, and the viewing angle at which the contrast can be maintained at a certain value or more is narrow. In recent years, in order to realize a wide viewing angle in a liquid crystal display device, an IPS in which the direction of an electric field applied to the liquid crystal is made parallel to the substrate surface.
(In-Plane Switching) type liquid crystal display devices are being developed.
【０００３】図６は例えば特開平７−１２８６８３号公
報に示された、従来のＩＰＳ方式の液晶表示装置のＴＦ
Ｔアレイ基板を示す平面図である。図において、１はＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｕのい
ずれか、あるいはそれらの合金からなるゲート配線、２
はゲート配線１と同時に形成された対向電極、３はＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｕのい
ずれか、あるいはそれらの合金からなるソース配線、４
はソース配線３と同時に形成された画素電極、５はスイ
ッチング素子としてのＴＦＴ部分、６は対向電極２と画
素電極４の重なり部分に形成される電圧保持用の蓄積容
量部分である。この例では、工程を簡略化するために、
ゲート配線１と対向電極２、ソース配線３と画素電極４
がそれぞれ同一材料で同時に形成されている。また、図
７は図６のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図におい
て、７はガラス基板等の透明絶縁性基板、８はゲート配
線１および対向電極２上に形成されたＳｉ3 Ｎ4 、Ｓｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等からなるゲート絶縁膜である。FIG. 6 shows a TF of a conventional IPS type liquid crystal display device disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-128683.
It is a top view showing a T array substrate. In the figure, 1 is A
1, a gate wiring made of any of Cr, Ta, Mo, W, Ti, Zr and Cu, or an alloy thereof;
Is a counter electrode formed simultaneously with the gate wiring 1, and 3 is A
1, a source wiring made of any of Cr, Ta, Mo, W, Ti, Zr and Cu, or an alloy thereof;
Is a pixel electrode formed simultaneously with the source wiring 3, 5 is a TFT portion as a switching element, and 6 is a storage capacitor portion for holding a voltage formed in an overlapping portion of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4. In this example, to simplify the process,
Gate wiring 1 and counter electrode 2, Source wiring 3 and pixel electrode 4
Are simultaneously formed of the same material. FIG. 7 is a sectional view taken along line AA of FIG. In the figure, 7 is a transparent insulating substrate such as a glass substrate, 8 is Si 3 N 4 , Si formed on the gate wiring 1 and the counter electrode 2.
A gate insulating film made of O 2 , Al 2 O 3, or the like.
【０００４】また、図８は、図６に示すＴＦＴアレイ基
板と、ＴＦＴアレイ基板と液晶を介して対向するカラー
フィルタ基板とを組み合わせたＩＰＳ方式の液晶表示装
置の断面図を示している。カラーフィルタ基板は、透明
絶縁性基板７、および透明絶縁性基板７上に形成された
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ９とＣ
ｒ、黒色樹脂等からなるブラックマスク１０から構成さ
れる。１１はＩＰＳ方式に対応したｐ型あるいはｎ型液
晶である。FIG. 8 is a cross-sectional view of an IPS type liquid crystal display device in which the TFT array substrate shown in FIG. 6 and a color filter substrate facing the TFT array substrate via a liquid crystal are combined. The color filter substrate includes a transparent insulating substrate 7 and R (red), G (green), and B (blue) color filters 9 and C formed on the transparent insulating substrate 7.
r, a black mask 10 made of a black resin or the like. Reference numeral 11 denotes a p-type or n-type liquid crystal compatible with the IPS system.
【０００５】また、液晶表示装置の画質においては、液
晶表示装置の視認側からの外光が液晶表示装置内に入射
し、液晶表示装置の各構成部材の界面で反射して視認側
に戻るため、不要な反射光が大きくなり、コントラスト
の低下、照明の写り込み等、特に黒表示の画面の視認性
を著しく低下させるという問題がある。この不要な反射
光を主に生じさせる部分としては、屈折率が大きく変化
する液晶表示装置と視認側の空気との界面、および液晶
表示装置内に用いられているブラックマスク等の金属膜
の表面があり、従来のＴＮ方式の液晶表示装置では、視
認側における不要な反射光を防止するために、液晶表示
装置の視認側の最表面に反射防止層を形成したり、凹凸
を形成して散乱処理を施したり、ブラックマスクに低反
射のＣｒＯ／Ｃｒからなる二層膜あるいは黒色樹脂を採
用するなどの対策が施されている。しかし、従来のＩＰ
Ｓ方式の液晶表示装置では、視認側における不要な反射
光を防止するために、視認側最表面およびブラックマス
クに対しては、ＴＮ方式と同様の対策が取られている
が、ＴＦＴアレイ基板側に形成された基板面に対して平
行方向の電界を形成する対向電極や画素電極等の電極
は、金属材料を用いて構成されているにもかかわらず、
特に対策が施されていない。Further, in the image quality of the liquid crystal display device, external light from the viewing side of the liquid crystal display device enters the liquid crystal display device, and is reflected at the interface of each component of the liquid crystal display device and returns to the viewing side. In addition, unnecessary reflected light becomes large, and there is a problem that the visibility of a black display screen is remarkably reduced, such as a decrease in contrast and reflection of illumination. The portions that mainly generate the unnecessary reflected light include the interface between the liquid crystal display device where the refractive index changes greatly and the air on the viewing side, and the surface of a metal film such as a black mask used in the liquid crystal display device. In the conventional TN type liquid crystal display device, an anti-reflection layer is formed on the outermost surface on the viewing side of the liquid crystal display device, or unevenness is formed to prevent unnecessary reflected light on the viewing side. Measures have been taken such as applying a treatment or adopting a two-layer film of low reflection CrO / Cr or black resin for the black mask. However, conventional IP
In the S type liquid crystal display device, in order to prevent unnecessary reflected light on the viewing side, the same measures as the TN mode are taken for the outermost surface on the viewing side and the black mask. Although electrodes such as counter electrodes and pixel electrodes that form an electric field in a direction parallel to the substrate surface formed in
No special measures have been taken.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来のＩＰＳ方式の液
晶表示装置は、以上のように構成されており、ＴＦＴア
レイ基板側に形成された対向電極２や画素電極４等の電
極は、金属材料を用いて構成されているにもかかわら
ず、特に対策が施されていないため、ＴＦＴアレイ基板
側に形成された電極が反射板のように作用し、視認側か
ら入射した外光を反射させるため、従来のＴＮ方式の液
晶表示装置に比較して、液晶表示装置の画面の視認性が
低いという問題があった。The conventional IPS type liquid crystal display device is configured as described above, and the electrodes such as the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 formed on the TFT array substrate side are made of a metal material. In spite of the fact that no countermeasures are taken, the electrodes formed on the TFT array substrate act like a reflector and reflect external light incident from the viewing side. However, there is a problem that the visibility of the screen of the liquid crystal display device is lower than that of the conventional TN type liquid crystal display device.
【０００７】この発明は、上記のような問題を解決する
ためになされたもので、ＩＰＳ方式の液晶表示装置にお
いて、視認側から入射した外光が、ＴＦＴアレイ基板に
形成された金属材料からなる電極表面で反射するのを防
止して、視認性の低下を防止できるＩＰＳ方式の液晶表
示装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems. In an IPS type liquid crystal display device, external light incident from the viewing side is made of a metal material formed on a TFT array substrate. It is an object of the present invention to provide an IPS mode liquid crystal display device that can prevent reflection on an electrode surface and prevent a decrease in visibility.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明に係わる液晶表
示装置は、対向する一対の透明絶縁性基板と、一対の透
明絶縁性基板の間に挟持された液晶層と、一対の透明絶
縁性基板のいずれか一方の透明絶縁性基板上に形成され
た基板面に対して平行方向の電界を形成する第一の電極
および第二の電極と、視認側から入射した光が第一の電
極および第二の電極部で反射して視認側に戻る反射光の
量を制御する反射光制御部を備えたものである。さら
に、反射光制御部は、第一の電極および第二の電極の少
なくともいずれか一方に形成された反射光制御機能を有
する膜である。A liquid crystal display device according to the present invention comprises a pair of opposing transparent insulating substrates, a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent insulating substrates, and a pair of transparent insulating substrates. A first electrode and a second electrode that form an electric field in a direction parallel to the substrate surface formed on any one of the transparent insulating substrates, and light incident from the viewing side receives the first electrode and the second electrode. A reflected light controller is provided for controlling the amount of reflected light that is reflected by the two electrode portions and returns to the viewing side. Further, the reflected light control section is a film formed on at least one of the first electrode and the second electrode and having a reflected light control function.
【０００９】また、反射光制御機能を有する膜とは、第
一の電極および第二の電極の少なくともいずれか一方の
視認側の面に形成された低反射率導体膜である。さら
に、第一の電極および第二の電極の少なくともいずれか
一方は、低反射率導体膜により構成されるものである。
また、反射光制御機能を有する膜とは、第一の電極およ
び第二の電極の少なくともいずれか一方の視認側の面に
形成された反射防止膜である。また、反射防止膜は、Ｓ
ｉＯ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＴｉＯ2 、Ｔａ
2 Ｏ5 、ＣｒＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 等の酸化膜、およ
びＡｌＦ3 、ＭｇＦ2、ＣａＦ2 等のフッ化膜のいずれ
かによる単層膜、あるいはこれらを積層した多層膜で形
成されたものである。The film having the function of controlling the reflected light is a low-reflectance conductor film formed on the surface on the viewing side of at least one of the first electrode and the second electrode. Further, at least one of the first electrode and the second electrode is formed of a low-reflectance conductive film.
Further, the film having a reflected light control function is an antireflection film formed on the surface on the viewing side of at least one of the first electrode and the second electrode. The anti-reflection film is made of S
iO, SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, TiO 2 , Ta
It is formed of a single layer film of any one of an oxide film such as 2 O 5 , CrO, Y 2 O 3 , and ZrO 2 and a fluoride film such as AlF 3 , MgF 2 , and CaF 2 , or a multilayer film in which these are laminated. It is a thing.
【００１０】また、反射光制御機能を有する膜とは、第
一の電極および第二の電極の少なくともいずれか一方の
視認側の面に形成された光散乱膜である。また、光散乱
膜は、視認側の面に凹凸形状を有するものである。さら
に、第一の電極および第二の電極の少なくともいずれか
一方は、視認側の面に凹凸形状を有する導電性光散乱膜
により構成されるものである。また、反射光制御機能を
有する膜とは、第一の電極および第二の電極の少なくと
もいずれか一方の視認側の面に形成された光吸収膜であ
る。また、光吸収膜は、黒色顔料、染料等による黒色樹
脂、あるいは黒色無機物からなる絶縁膜で形成されたも
のである。または、光吸収膜は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅおよ
びＣのいずれか、あるいは上記Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅおよび
Ｃのいずれかを含有する塗料等からなる半導体膜あるい
は導体膜で形成されたものである。さらに、第一の電極
および第二の電極の少なくともいずれか一方は、導電性
光吸収膜で形成されたものである。The film having the function of controlling the reflected light is a light scattering film formed on the viewing side of at least one of the first electrode and the second electrode. Further, the light scattering film has an uneven shape on the surface on the viewing side. Further, at least one of the first electrode and the second electrode is formed of a conductive light scattering film having an uneven shape on the surface on the viewing side. The film having the function of controlling the reflected light is a light absorbing film formed on the surface on the viewing side of at least one of the first electrode and the second electrode. The light absorbing film is formed of an insulating film made of a black resin such as a black pigment or a dye, or a black inorganic material. Alternatively, the light absorption film is formed of a semiconductor film or a conductor film made of any of Si, Ge, Se and C, or a paint containing any of the above Si, Ge, Se and C. Further, at least one of the first electrode and the second electrode is formed of a conductive light absorbing film.
【００１１】[0011]
実施の形態１．以下、この発明の一実施の形態である液
晶表示装置を図について説明する。図１は本発明の実施
の形態１によるＩＰＳ方式の液晶表示装置のＴＦＴアレ
イ基板を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断
面図である。図において、１はゲート配線で、その表面
には反射光制御機能を有する、ＴｉＮ、ＴｉＳｉ、Ｔｉ
Ｗ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＣｒＳｉ、ＴａＳｉ、ＭｏＯ等
からなる低反射率導体層１ａが形成されている。２はゲ
ート配線１と同時に形成された第一の電極（本実施の形
態では対向電極）で、その表面には、ＴｉＮ、ＴｉＳ
ｉ、ＴｉＷ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＣｒＳｉ、ＴａＳｉ、
ＭｏＯ等からなる低反射率導体層２ａが形成されてい
る。３はソース配線で、その表面には、ＴｉＮ、ＴｉＳ
ｉ、ＴｉＷ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＣｒＳｉ、ＴａＳｉ、
ＭｏＯ等からなる低反射率導体層３ａが形成されてい
る。４はソース配線３と同時に形成された第二の電極
（本実施の形態では画素電極）で、その表面には、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＳｉ、ＴｉＷ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＣｒＳｉ、
ＴａＳｉ、ＭｏＯ等からなる低反射率導体層４ａが形成
されている。対向電極２と画素電極４は、それぞれ櫛形
形状を有して互いに対向するよう配置され、基板面に対
して平行方向の電界を形成する。５はスイッチング素子
としてのＴＦＴ部分、６は対向電極２と画素電極４の重
なり部分に形成される電圧保持用の蓄積容量部分、７は
ガラス基板等の透明絶縁性基板、８はゲート配線１およ
び対向電極２上に形成されたＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 等からなるゲート絶縁膜である。Embodiment 1 FIG. Hereinafter, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a TFT array substrate of an IPS type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. In the figure, reference numeral 1 denotes a gate wiring, whose surface has a reflection light control function, TiN, TiSi, Ti
A low-reflectance conductor layer 1a made of W, WSi, MoSi, CrSi, TaSi, MoO, or the like is formed. Reference numeral 2 denotes a first electrode (a counter electrode in the present embodiment) formed at the same time as the gate wiring 1, and the surface thereof is formed of TiN or TiS.
i, TiW, WSi, MoSi, CrSi, TaSi,
A low-reflectance conductor layer 2a made of MoO or the like is formed. Reference numeral 3 denotes a source wiring, the surface of which is TiN, TiS
i, TiW, WSi, MoSi, CrSi, TaSi,
A low-reflectance conductor layer 3a made of MoO or the like is formed. Reference numeral 4 denotes a second electrode (a pixel electrode in the present embodiment) formed simultaneously with the source wiring 3, and the surface thereof is made of Ti
N, TiSi, TiW, WSi, MoSi, CrSi,
A low-reflectance conductor layer 4a made of TaSi, MoO, or the like is formed. The counter electrode 2 and the pixel electrode 4 each have a comb shape and are arranged to face each other, and form an electric field in a direction parallel to the substrate surface. Reference numeral 5 denotes a TFT portion as a switching element; 6, a storage capacitor portion for holding a voltage formed at an overlapping portion of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4; 7, a transparent insulating substrate such as a glass substrate; Si 3 N 4 , SiO 2 , A formed on the counter electrode 2
A gate insulating film made of l 2 O 3 or the like.
【００１２】本実施の形態では、ゲート配線１およびソ
ース配線３上にも低反射率導体層１ａおよび３ａが形成
されているが、これは、工程を簡略化するために、ゲー
ト配線１と対向電極２、ソース配線３と画素電極４をそ
れぞれ同一材料で同時に形成しているためであり、一般
に、液晶表示装置においては、ゲート配線１およびソー
ス配線３部分はブラックマスクで覆われる構造を有する
ため、低反射率導体層は、対向電極２および画素電極４
上にのみ形成すればよい。さらに、低反射率導体層は、
対向電極２および画素電極４のブラックマスクに覆われ
ない部分のみでよい。以下に示す実施の形態においても
同様である。In this embodiment, the low-reflectivity conductor layers 1a and 3a are also formed on the gate wiring 1 and the source wiring 3, but this is opposed to the gate wiring 1 in order to simplify the process. This is because the electrode 2, the source wiring 3 and the pixel electrode 4 are simultaneously formed of the same material, respectively. Generally, in a liquid crystal display device, the gate wiring 1 and the source wiring 3 have a structure covered with a black mask. , The low-reflectivity conductor layer includes the counter electrode 2 and the pixel electrode 4.
It may be formed only on top. Furthermore, the low-reflectance conductor layer is
Only the portions of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 that are not covered by the black mask are required. The same applies to the following embodiments.
【００１３】低反射率導体層１ａ、２ａ、３ａ、４ａを
構成する材料および膜厚は、下層に形成された電極材料
の反射率、吸収係数、反射を抑制したい光の波長、低反
射導体層１ａ、２ａ、３ａ、４ａとの界面となる絶縁
層、液晶等部材の屈折率、形成工程の容易さ等を考慮し
て選択する必要がある。例えば、対向電極２および画素
電極４を構成する電極材料として、２００ｎｍ厚のＡｌ
膜が用いられている場合、低反射率導体層２ａ、４ａと
して２０ｎｍ程度のＴｉＮ膜を、Ａｌ膜のスパッタ形成
後に連続して形成することにより、空気界面時のＡｌの
反射率は８０％であるが、ＴｉＮ／Ａｌの二層膜構造で
は約２０％であるので、対向電極２および画素電極４部
からの反射光を約１／４に低減できる。また、対向電極
２および画素電極４部からの反射を極力低減したい場合
は、工程数は増加するが、光の波長に応じてＲ、Ｇ、Ｂ
の画素毎に低反射率導体層２ａ、４ａの膜厚を変えても
よい。また、本実施の形態では、対向電極２および画素
電極４上に、低反射率導体層２ａおよび４ａを積層した
が、対向電極２および画素電極４を低反射率導体を用い
て形成してもよい。なお、低反射率導体層の形成、ある
いは低反射率導体材料を用いての電極の形成は、対向電
極２および画素電極４の少なくともいずれか一方に対し
て行えばよい。The material and thickness of the low-reflectivity conductor layers 1a, 2a, 3a, and 4a are as follows: the reflectance, absorption coefficient, wavelength of light whose reflection is to be suppressed, and the low-reflectivity conductor layer of the electrode material formed thereunder. It is necessary to select an insulating layer serving as an interface with 1a, 2a, 3a, and 4a, the refractive index of a member such as a liquid crystal, and the easiness of a forming process. For example, as an electrode material for forming the counter electrode 2 and the pixel electrode 4, a 200 nm thick Al
When a film is used, a TiN film of about 20 nm is continuously formed as the low-reflectance conductor layers 2a and 4a after the Al film is formed by sputtering, so that the reflectance of Al at the air interface is 80%. However, since it is about 20% in the TiN / Al two-layer film structure, the reflected light from the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 can be reduced to about 1/4. Further, when it is desired to reduce the reflection from the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 as much as possible, the number of steps is increased, but R, G, B according to the wavelength of light.
The thickness of the low-reflectance conductor layers 2a, 4a may be changed for each pixel. In the present embodiment, the low-reflectance conductor layers 2a and 4a are laminated on the counter electrode 2 and the pixel electrode 4, but the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 may be formed using a low-reflectance conductor. Good. The formation of the low-reflectance conductor layer or the formation of the electrode using the low-reflectance conductor material may be performed on at least one of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4.
【００１４】この発明によれば、対向電極２や画素電極
４の表面層に低反射率導体層２ａ、４ａを形成、もしく
は対向電極２や画素電極４を低反射率導体を用いて構成
することにより、対向電極２や画素電極４における反射
率を従来の１／２〜１／５に小さくできるので、液晶表
示装置の視認側から入射した外光が、対向電極２や画素
電極４の表面で反射して視認側に戻ることにより生じる
不要な反射光を低減させることができ、液晶表示装置の
画面の視認性を向上させることができる。According to the present invention, the low-reflectivity conductor layers 2a and 4a are formed on the surface layer of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4, or the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 are formed using the low-reflectivity conductor. As a result, the reflectance at the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 can be reduced to 1/2 to 1/5 of the conventional one, so that external light incident from the viewing side of the liquid crystal display device is Unnecessary reflected light generated by the reflection and returning to the viewing side can be reduced, and the visibility of the screen of the liquid crystal display device can be improved.
【００１５】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２を示すＴＦＴアレイ基板の断面図である。図におい
て、２ｂ、３ｂ、４ｂは対向電極２、ソース配線３、画
素電極４の表面層に形成された反射光制御機能を有する
反射防止層で、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｍｇ
Ｏ、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＣｒＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＺｒＯ
2 等の酸化膜、およびＡｌＦ3 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 等
のフッ化物のいずれかによる単層膜、あるいはこれらを
積層することにより構成される光学多層膜である。な
お、その他の構成は実施の形態１と同様であるので説明
を省略する。Embodiment 2 FIG. 3 is a sectional view of a TFT array substrate according to the second embodiment of the present invention. In the drawing, reference numerals 2b, 3b, and 4b denote reflection preventing layers formed on the surface layers of the counter electrode 2, the source wiring 3, and the pixel electrode 4 and having a function of controlling reflected light, such as SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , and Mg.
O, TiO 2, Ta 2 O 5, CrO, Y 2 O 3, ZrO
2 or a single-layer film made of any one of fluorides such as AlF 3 , MgF 2 , and CaF 2 , or an optical multilayer film formed by laminating these. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted.
【００１６】反射防止層２ｂ、３ｂ、４ｂは、下層に形
成された電極材料の反射率、吸収係数、反射を抑制した
い光の波長、反射防止層との界面となる絶縁層、液晶等
部材の屈折率、形成工程の容易さ等を考慮して設計する
ことにより、反射防止層２ｂ、３ｂ、４ｂからの反射を
低減できる。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタが形
成された液晶表示装置では、通常対向電極２や画素電極
４等の電極は、液晶表示装置の視認側からみてカラーフ
ィルタの下にあり、電極部に入射する光の波長はＲ、
Ｇ、Ｂのいずれかの波長の光のみであるため、入射する
光の波長に合わせてＲ、Ｇ、Ｂの画素毎に反射防止層２
ｂ、３ｂ、４ｂの膜厚を設計すればよい。ただし、Ｒ、
Ｇ、Ｂの画素毎に膜厚設計をする必要があり、工程数が
増え実用的ではないため、実際には、視認性の高いＧの
波長に主眼をおいて反射防止層２ｂ、３ｂ、４ｂの設計
を行い、一種類の膜を全領域に形成してもよい。なお、
反射防止層は、対向電極２および画素電極４の少なくと
もいずれか一方に対して形成すればよい。The antireflection layers 2b, 3b, and 4b are made of a material such as a liquid crystal having a reflectance, an absorption coefficient, a wavelength of light whose reflection is to be suppressed, an insulating layer serving as an interface with the antireflection layer, and a liquid crystal material. Reflection from the antireflection layers 2b, 3b, 4b can be reduced by designing in consideration of the refractive index, ease of the forming process, and the like. For example, in a liquid crystal display device in which R, G, and B color filters are formed, the electrodes such as the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 are usually below the color filter when viewed from the viewing side of the liquid crystal display device, and are provided in the electrode portion. The wavelength of the incident light is R,
Since the light is only light having a wavelength of either G or B, the antireflection layer 2 is provided for each of the R, G, and B pixels in accordance with the wavelength of the incident light.
The thicknesses of b, 3b, and 4b may be designed. Where R,
Since it is necessary to design the film thickness for each of the G and B pixels, and the number of steps is increased and it is not practical, the antireflection layers 2b, 3b, and 4b are actually focused on the G wavelength with high visibility. And one type of film may be formed over the entire region. In addition,
The antireflection layer may be formed on at least one of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4.
【００１７】本実施の形態によれば、対向電極２や画素
電極４の表面層に、反射防止層２ｂ、４ｂを形成するこ
とにより、対向電極２や画素電極４における反射率を小
さくできるので、液晶表示装置の視認側から入射した外
光が、対向電極２や画素電極４の表面で反射して視認側
に戻ることにより生じる不要な反射光を低減させること
ができ、液晶表示装置の画面の視認性を向上させること
ができる。According to the present embodiment, by forming the antireflection layers 2b and 4b on the surface layer of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4, the reflectivity of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 can be reduced. Unnecessary reflected light caused by external light incident from the viewing side of the liquid crystal display device being reflected on the surface of the counter electrode 2 or the pixel electrode 4 and returning to the viewing side can be reduced, and the screen of the liquid crystal display device can be reduced. Visibility can be improved.
【００１８】実施の形態３．図４はこの発明の実施の形
態３を示すＴＦＴアレイ基板の断面図である。図におい
て、２ｃ、３ｃ、４ｃは対向電極２、ソース配線３、画
素電極４の表面層に形成された反射光制御機能を有する
光散乱層で、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ
およびＣｕのいずれかによる単層膜、またはこれらの合
金膜、あるいはＴｉＮ、ＴｉＳｉ、ＴｉＷ、ＷＳｉ、Ｍ
ｏＳｉ、ＣｒＳｉ、ＴａＳｉおよびＭｏＯのいずれかに
よる単層膜により構成される。なお、光散乱層２ｃ、３
ｃ、４ｃは、光散乱を生じさせるために、膜の表面は凹
凸形状に形成されている。なお、その他の構成は実施の
形態１と同様であるので説明を省略する。また、対向電
極２および画素電極４を構成する電極材料の表面を、凹
凸形状とすることにより、対向電極２および画素電極４
自体に光散乱機能を具備させてもよい。Embodiment 3 FIG. 4 is a sectional view of a TFT array substrate according to Embodiment 3 of the present invention. In the drawing, reference numerals 2c, 3c, and 4c denote light scattering layers having a reflection light control function formed on the surface layers of the counter electrode 2, the source wiring 3, and the pixel electrode 4, and include Al, Cr, Ta, Mo, W, Ti, Zr
And Cu, a single layer film of any of these, or an alloy film thereof, or TiN, TiSi, TiW, WSi, M
It is composed of a single-layer film of any of oSi, CrSi, TaSi and MoO. The light scattering layers 2c, 3c
For c and 4c, the surface of the film is formed in an uneven shape in order to cause light scattering. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted. In addition, the surface of the electrode material forming the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 is made uneven so that the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 are formed.
The light scattering function itself may be provided.
【００１９】凹凸形状を形成する方法としては、例え
ば、光散乱を等方性とするためには、対向電極２や画素
電極４等の電極を構成する膜の表面、あるいは光散乱層
の表面に、写真製版法を用いて１〜１０μｍ程度の線あ
るいは島形状のパターンをランダムに形成したレジスト
マスクを形成し、熱処理を施すことによりレジストマス
クのエッジ部に丸みを持たせ、このレジストマスクを用
いてドライエッチング法等によりエッチングを行うこと
により、対向電極２や画素電極４上に、エッジ部には丸
みを有するランダムな凹凸形状を形成することができ
る。As a method of forming the concavo-convex shape, for example, in order to make the light scattering isotropic, the surface of the film constituting the electrodes such as the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 or the surface of the light scattering layer is formed. Using a photoengraving method, a resist mask in which lines or island-shaped patterns of about 1 to 10 μm are randomly formed is formed, and the edge of the resist mask is rounded by heat treatment. By performing dry etching or the like, a random uneven shape having rounded edges can be formed on the counter electrode 2 and the pixel electrode 4.
【００２０】また、対向電極２や画素電極４等の電極を
構成する材料がＡｌの場合には、Ａｌ成膜後のアニール
によりＡｌの表面にヒロックを発生させたり、スパッタ
法による成膜時に、酸素あるいは水等からなる不純物ガ
スをＡｒガスに０. １〜１０％程度添加することによ
り、成膜される膜には形状および特性の異なる結晶粒が
含まれるため、その異なる結晶粒により膜表面を荒らし
て凹凸形状を形成することができる。凹凸形状を形成す
るために成膜される膜の結晶粒を利用する方法として
は、ＣＶＤ法あるいはスパッタ法等により多結晶Ｓｉ等
を成膜する方法もある。また、成膜される膜の結晶粒を
利用する他の方法としては、対向電極２や画素電極４等
の電極表面をライトエッチングし、電極を構成する結晶
粒のエッチング速度の違いを利用して、エッチング速度
の遅い結晶粒を浮き出させて、凹凸形状を形成する方法
もある。または、対向電極２や画素電極４等の電極を構
成する膜の表面に、例えばラビング等により、物理的に
微小な溝状の傷を形成することによっても、電極表面に
凹凸形状を形成することができる。When the material constituting the electrodes such as the opposing electrode 2 and the pixel electrode 4 is Al, hillocks are generated on the surface of Al by annealing after the formation of Al, By adding about 0.1 to 10% of an impurity gas composed of oxygen or water to the Ar gas, a film to be formed contains crystal grains having different shapes and characteristics. Can be roughened to form an uneven shape. As a method of utilizing crystal grains of a film formed to form the uneven shape, there is also a method of forming polycrystalline Si or the like by a CVD method, a sputtering method, or the like. As another method using crystal grains of a film to be formed, an electrode surface such as the counter electrode 2 or the pixel electrode 4 is light-etched, and a difference in an etching rate of crystal grains constituting the electrode is used. There is also a method in which crystal grains having a low etching rate are raised to form an uneven shape. Alternatively, an uneven shape may be formed on the electrode surface by forming physically minute groove-like scratches on the surface of a film constituting an electrode such as the counter electrode 2 or the pixel electrode 4 by, for example, rubbing. Can be.
【００２１】また、対向電極２や画素電極４等の電極形
成部分の下地である絶縁層やガラス基板等に、予め上記
の方法を用いて表面に凹凸形状を形成し、この凹凸面上
に電極を形成することにより、電極を構成する膜に凹凸
を転写して電極表面に凹凸形状を形成してもよい。な
お、光散乱層の形成、あるいは電極材料の表面への凹凸
形状の形成は、対向電極２および画素電極４の少なくと
もいずれか一方に対して行えばよい。In addition, an irregular shape is formed on the surface of the insulating layer or the glass substrate, which is the base of the electrode forming portion such as the counter electrode 2 and the pixel electrode 4, by using the above-described method in advance. May be formed to transfer irregularities to a film constituting the electrode to form irregularities on the electrode surface. The formation of the light scattering layer or the formation of the uneven shape on the surface of the electrode material may be performed on at least one of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4.
【００２２】本実施の形態によれば、対向電極２および
画素電極４の表面に凹凸形状を形成、あるいは対向電極
２および画素電極４の表面層に表面が凹凸形状を有する
光散乱層２ｃ、４ｃを形成することにより、液晶表示装
置の視認側から入射した外光は、対向電極２や画素電極
４の表面で散乱されて、視認側に戻る不要な反射光を低
減させることができるので、液晶表示装置の画面の視認
性を向上させることができる。According to the present embodiment, uneven surfaces are formed on the surfaces of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4, or the light scattering layers 2c, 4c having the uneven surfaces on the surface layers of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4. Is formed, external light incident from the viewing side of the liquid crystal display device is scattered on the surface of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4, and unnecessary reflected light returning to the viewing side can be reduced. The visibility of the screen of the display device can be improved.
【００２３】実施の形態４．図５はこの発明の実施の形
態４を示すＴＦＴアレイ基板の断面図である。図におい
て、２ｄ、３ｄ、４ｄは対向電極２、ソース配線３、画
素電極４の表面層に形成された反射光制御機能を有する
光吸収層で、黒色顔料、染料等による黒色樹脂、あるい
はＰｒＭｎＯ3 等の黒色無機物からなる絶縁体である。
なお、その他の構成は実施の形態１と同様であるので説
明を省略する。Embodiment 4 FIG. 5 is a sectional view of a TFT array substrate according to Embodiment 4 of the present invention. In the figure, reference numerals 2d, 3d, and 4d denote light absorption layers having a reflection light control function formed on the surface layers of the counter electrode 2, the source wiring 3, and the pixel electrode 4, and are formed of a black resin such as a black pigment or a dye, or PrMnO 3. And an insulator made of a black inorganic substance.
The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted.
【００２４】光吸収層２ｄ、３ｄ、４ｄとして、カラー
フィルタ等に使用されているような有色（黒色を含む）
のアクリル系感光性樹脂を用いた場合、光吸収層２ｄ、
４ｄを対向電極２や画素電極４のパターン形成のマスク
としても利用でき、製造工程を簡略化することができ
る。なお、光吸収性を高めるためには、光吸収層２ｄ、
３ｄ、４ｄの膜厚は厚い方がよいが、液晶の配向を乱さ
ないためには、液晶と接する面には大きな段差がない平
坦な形状が望ましく、そのため光吸収層２ｄ、３ｄ、４
ｄの膜厚は１μｍ以下がよい。The light absorbing layers 2d, 3d and 4d are colored (including black) as used in color filters and the like.
When the acrylic photosensitive resin is used, the light absorbing layer 2d,
4d can also be used as a mask for pattern formation of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4, and the manufacturing process can be simplified. In addition, in order to enhance the light absorption, the light absorption layer 2d,
The thickness of the layers 3d and 4d is preferably thicker, but in order not to disturb the alignment of the liquid crystal, it is desirable that the surface in contact with the liquid crystal has a flat shape without a large step.
The thickness of d is preferably 1 μm or less.
【００２５】また、光吸収層２ｄ、３ｄ、４ｄは、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、ＳｅおよびＣのいずれか、あるいはこれらを
含有する塗料等からなる半導体あるいは導体でもよく、
また、対向電極２や画素電極４を、光吸収性および導電
性を有する材料を用いて構成してもよい。特にＣは、結
晶構造によりカーボン、グラファイト等があるが、光吸
収性に優れ、導電性も有するため望ましい。なお、光吸
収層の形成、あるいは光吸収性かつ導電性を有する材料
を用いての電極の形成は、対向電極２および画素電極４
の少なくともいずれか一方に対して行えばよい。The light absorbing layers 2d, 3d and 4d are made of S
A semiconductor or conductor made of any of i, Ge, Se and C, or a paint or the like containing these may be used,
In addition, the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 may be formed using a material having light absorbency and conductivity. In particular, C may be carbon, graphite, or the like depending on the crystal structure, but is preferable because it has excellent light absorption and conductivity. Note that the formation of the light absorbing layer or the formation of the electrode using a light absorbing and conductive material is performed by the counter electrode 2 and the pixel electrode 4.
May be performed for at least one of the above.
【００２６】実施の形態１、２、３および４では、透明
絶縁性基板７面に対して平行方向の電界を形成する対向
電極２と画素電極４が、異なる層に形成されている場合
を示したが、対向電極２と画素電極４が同じ層に同一部
材で同時に形成される液晶表示装置に対しても適用で
き、同様の効果が得られる。また、実施の形態１、２、
３および４では、視認側からの入射光がＴＦＴアレイ基
板の上層側から入射する場合を示したが、入射光がＴＦ
Ｔアレイ基板の下層側から入射する場合には、対向電極
２と画素電極４の底面側に同様の反射制御機能を有する
膜を形成することにより同様の効果が得られる。また、
実施の形態１、２、３および４では、スイッチング素子
として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた場合を示し
たが、Ｓｉ基板を用い単結晶ＳｉからなるＭＯＳトラン
ジスタを用いた場合にも適用でき、同様の効果を得るこ
とができる。The first, second, third and fourth embodiments show the case where the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 for forming an electric field in the direction parallel to the surface of the transparent insulating substrate 7 are formed in different layers. However, the present invention can also be applied to a liquid crystal display device in which the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 are simultaneously formed of the same member in the same layer, and the same effects can be obtained. Embodiments 1, 2,
FIGS. 3 and 4 show the case where incident light from the viewing side enters from the upper layer side of the TFT array substrate.
When light is incident from the lower layer side of the T array substrate, a similar effect can be obtained by forming a film having a similar reflection control function on the bottom surface side of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4. Also,
In the first, second, third and fourth embodiments, the case where a thin film transistor (TFT) is used as a switching element has been described. However, the present invention can be applied to a case where a MOS transistor made of single crystal Si is used on a Si substrate. The effect can be obtained.
【００２７】本実施の形態によれば、対向電極２や画素
電極４の表面層に光吸収層２ｄ、４ｄを形成、もしくは
対向電極２や画素電極４を導電性光吸収材料を用いて構
成することにより、液晶表示装置の視認側から入射した
外光は、対向電極２や画素電極４の表面の光吸収層に吸
収され、視認側に戻る不要な反射光が低減するため、液
晶表示装置の画面の視認性を向上させることができる。According to this embodiment, the light absorbing layers 2d and 4d are formed on the surface layer of the counter electrode 2 and the pixel electrode 4, or the counter electrode 2 and the pixel electrode 4 are formed using a conductive light absorbing material. As a result, external light incident from the viewing side of the liquid crystal display device is absorbed by the light absorbing layer on the surface of the counter electrode 2 or the pixel electrode 4, and unnecessary reflected light returning to the viewing side is reduced. The visibility of the screen can be improved.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ＩＰ
Ｓ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基板に形
成された基板面に対して平行方向の電界を形成する対向
電極や画素電極等、金属材料からなる電極の表面に反射
光制御機能を有する膜を形成、もしくは反射光制御機能
を有する導電体を用いて電極を構成することにより、視
認側から入射した外光が、対向電極や画素電極等の表面
で反射して視認側に戻ることにより生じる不要な反射光
を低減させることができ、液晶表示装置の画面の視認性
を向上させることができる。As described above, according to the present invention, the IP
In an S-mode liquid crystal display device, a film having a reflected light control function is formed on the surface of an electrode made of a metal material such as a counter electrode or a pixel electrode that forms an electric field in a direction parallel to a substrate surface formed on a TFT array substrate. By forming or using a conductor having a reflected light control function to form the electrode, external light incident from the viewing side is reflected on the surface of the counter electrode, the pixel electrode, etc., and returns to the viewing side. Reflected light can be reduced, and the visibility of the screen of the liquid crystal display device can be improved.
【００２９】また、電極の視認側の面に反射防止膜を形
成したものでは、液晶表示装置の視認側から入射した外
光が、電極の表面で反射して視認側に戻ることにより生
じる不要な反射光を低減させることができ、液晶表示装
置の画面の視認性を向上させることができる。また、電
極の視認側の面に凹凸形状を有する導電性光散乱膜を形
成したものでは、液晶表示装置の視認側から入射した外
光は、電極の表面で散乱されて、視認側に戻る不要な反
射光を低減させることができるので、液晶表示装置の画
面の視認性を向上させることができる。また、電極の視
認側の面に光吸収膜を形成さてものでは、液晶表示装置
の視認側から入射した外光は、電極の表面の光吸収層に
吸収され、視認側に戻る不要な反射光が低減するため、
液晶表示装置の画面の視認性を向上させることができ
る。In the case where an anti-reflection film is formed on the surface on the viewing side of the electrode, unnecessary light generated when external light incident from the viewing side of the liquid crystal display device is reflected on the surface of the electrode and returns to the viewing side. The reflected light can be reduced, and the visibility of the screen of the liquid crystal display device can be improved. In the case where a conductive light scattering film having an uneven shape is formed on the surface on the viewing side of the electrode, external light incident from the viewing side of the liquid crystal display device is scattered on the surface of the electrode, and it is unnecessary to return to the viewing side. Since the reflected light can be reduced, the visibility of the screen of the liquid crystal display device can be improved. In addition, when a light absorbing film is formed on the viewing side of the electrode, external light incident from the viewing side of the liquid crystal display device is absorbed by the light absorbing layer on the surface of the electrode, and unnecessary reflected light returning to the viewing side is returned. Is reduced,
The visibility of the screen of the liquid crystal display device can be improved.
【図１】 この発明の実施の形態１による液晶表示装置
のＴＦＴアレイ基板を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a TFT array substrate of a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 この発明の実施の形態１による液晶表示装置
のＴＦＴアレイ基板を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a TFT array substrate of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】 この発明の実施の形態２による液晶表示装置
のＴＦＴアレイ基板を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a TFT array substrate of a liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 この発明の実施の形態３による液晶表示装置
のＴＦＴアレイ基板を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a TFT array substrate of a liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention.
【図５】 この発明の実施の形態４による液晶表示装置
のＴＦＴアレイ基板を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a TFT array substrate of a liquid crystal display according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】 従来のこの種液晶表示装置のＴＦＴアレイ基
板を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a TFT array substrate of a conventional liquid crystal display device of this type.
【図７】 従来の液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板を示
す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a TFT array substrate of a conventional liquid crystal display device.
【図８】 従来の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a conventional liquid crystal display device.
１ ゲート配線、２ 対向電極、３ ソース配線、４
画素電極、５ ＴＦＴ部分、６ 蓄積容量部分、７ 透
明絶縁性基板、８ ゲート絶縁膜。1 gate wiring, 2 counter electrode, 3 source wiring, 4
Pixel electrode, 5 TFT part, 6 storage capacitor part, 7 transparent insulating substrate, 8 gate insulating film.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI G02F 1/136 500 G02B 1/10 A
Claims (13)
基板上に形成された基板面に対して平行方向の電界を形
成する第一の電極および第二の電極と、 視認側から入射した光が上記第一の電極および第二の電
極部で反射して視認側に戻る反射光の量を制御する反射
光制御部を備えたことを特徴とする液晶表示装置。A pair of transparent insulating substrates facing each other, a liquid crystal layer sandwiched between the pair of transparent insulating substrates, and a transparent insulating substrate on one of the pair of transparent insulating substrates. A first electrode and a second electrode that form an electric field in a direction parallel to the formed substrate surface, and light incident from the viewing side is reflected by the first electrode and the second electrode unit to be viewed on the viewing side. A liquid crystal display device comprising a reflected light control unit for controlling an amount of reflected light returning to the liquid crystal display.
の電極の少なくともいずれか一方に形成された反射光制
御機能を有する膜であることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。2. The liquid crystal display according to claim 1, wherein the reflection light control section is a film having a reflection light control function formed on at least one of the first electrode and the second electrode. apparatus.
電極および第二の電極の少なくともいずれか一方の視認
側の面に形成された低反射率導体膜であることを特徴と
する請求項２記載の液晶表示装置。3. The film having a function of controlling reflected light is a low-reflectance conductor film formed on the surface on the viewing side of at least one of the first electrode and the second electrode. The liquid crystal display device according to claim 2.
もいずれか一方は、低反射率導体膜で形成されているこ
とを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein at least one of the first electrode and the second electrode is formed of a low-reflectance conductive film.
電極および第二の電極の少なくともいずれか一方の視認
側の面に形成された反射防止膜であることを特徴とする
請求項２記載の液晶表示装置。5. The film having a function of controlling reflected light is an antireflection film formed on at least one of the first electrode and the second electrode on the viewing side. 3. The liquid crystal display device according to 2.
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＣｒＯ、Ｙ2
Ｏ3 、ＺｒＯ2 等の酸化膜、およびＡｌＦ3、Ｍｇ
Ｆ2 、ＣａＦ2 等のフッ化膜のいずれかによる単層膜、
あるいはこれらを積層した多層膜で形成されていること
を特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。6. The antireflection film is made of SiO, SiO 2 , Al
2 O 3 , MgO, TiO 2 , Ta 2 O 5 , CrO, Y 2
Oxide films such as O 3 and ZrO 2 , AlF 3 and Mg
A single-layer film made of any one of a fluoride film such as F 2 and CaF 2 ,
6. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the liquid crystal display device is formed of a multilayer film in which these are laminated.
電極および第二の電極の少なくともいずれか一方の視認
側の面に形成された光散乱膜であることを特徴とする請
求項２記載の液晶表示装置。7. The film having a function of controlling reflected light is a light scattering film formed on a viewing side of at least one of the first electrode and the second electrode. 3. The liquid crystal display device according to 2.
することを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。8. The liquid crystal display device according to claim 7, wherein the light scattering film has an uneven shape on the surface on the viewing side.
もいずれか一方は、視認側の面に凹凸形状を有する導電
性光散乱膜で形成されていることを特徴とする請求項７
または請求項８記載の液晶表示装置。9. The method according to claim 7, wherein at least one of the first electrode and the second electrode is formed of a conductive light scattering film having an uneven shape on the surface on the viewing side.
9. A liquid crystal display device according to claim 8.
の電極および第二の電極の少なくともいずれか一方の視
認側の面に形成された光吸収膜であることを特徴とする
請求項２記載の液晶表示装置。10. The film having a function of controlling reflected light is a light absorbing film formed on a viewing side of at least one of the first electrode and the second electrode. 3. The liquid crystal display device according to 2.
黒色樹脂、あるいは黒色無機物からなる絶縁膜で形成さ
れていることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装
置。11. The liquid crystal display device according to claim 10, wherein the light absorbing film is formed of a black resin such as a black pigment or a dye, or an insulating film made of a black inorganic substance.
Ｃのいずれか、あるいは上記Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｅおよびＣ
のいずれかを含有する塗料等からなる半導体膜あるいは
導体膜で形成されていることを特徴とする請求項１０記
載の液晶表示装置。12. The light-absorbing film is made of one of Si, Ge, Se and C, or the above-mentioned Si, Ge, Se and C
The liquid crystal display device according to claim 10, wherein the liquid crystal display device is formed of a semiconductor film or a conductor film made of a paint or the like containing any of the above.
ともいずれか一方は、導電性光吸収膜で形成されている
ことを特徴とする請求項１０または請求項１２記載の液
晶表示装置。13. The liquid crystal display device according to claim 10, wherein at least one of the first electrode and the second electrode is formed of a conductive light absorbing film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119700A JPH10307296A (en) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119700A JPH10307296A (en) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10307296A true JPH10307296A (en) | 1998-11-17 |
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ID=14767920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9119700A Pending JPH10307296A (en) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10307296A (en) |
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