JPH052301A - 画像形成装置及びプロセスカートリツジ - Google Patents
画像形成装置及びプロセスカートリツジInfo
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- JPH052301A JPH052301A JP3037896A JP3789691A JPH052301A JP H052301 A JPH052301 A JP H052301A JP 3037896 A JP3037896 A JP 3037896A JP 3789691 A JP3789691 A JP 3789691A JP H052301 A JPH052301 A JP H052301A
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Abstract
(57)【要約】
［目的］ ＯＰＣ感光体の感度特性にバラツキが生じて
も、細線の太りや細りを生じることなく安定した濃度の
画像を得ること。 ［構成］ 感光体１の感度特性に応じた信号を発生する
信号ピン３３（信号発生手段）と、該信号ピン３３から
の信号を受けて高圧電源３０、直流バイアス電源３２に
よって一次帯電器２（グリッド２７）と現像器１１（現
像ローラ１２）に印加されるバイアス電圧の各々の値を
同時に変更する信号検知手段３４（バイアス発生手段）
をプロセスカートリッジ１００に設ける。従って、感光
体１の感度特性にバラツキが生じても、ライン画像のラ
イン幅及び画像濃度が適正化され、細線の太りや細りを
生じることなく安定した濃度の画像が得られる。
も、細線の太りや細りを生じることなく安定した濃度の
画像を得ること。 ［構成］ 感光体１の感度特性に応じた信号を発生する
信号ピン３３（信号発生手段）と、該信号ピン３３から
の信号を受けて高圧電源３０、直流バイアス電源３２に
よって一次帯電器２（グリッド２７）と現像器１１（現
像ローラ１２）に印加されるバイアス電圧の各々の値を
同時に変更する信号検知手段３４（バイアス発生手段）
をプロセスカートリッジ１００に設ける。従って、感光
体１の感度特性にバラツキが生じても、ライン画像のラ
イン幅及び画像濃度が適正化され、細線の太りや細りを
生じることなく安定した濃度の画像が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、像担持体としてＯＰＣ
感光体を用い、これを半導体レーザにより露光して画像
形成を行なう電子写真方式を採る画像形成装置及び画像
形成装置本体に対して着脱されるプロセスカートリッジ
に関する。
感光体を用い、これを半導体レーザにより露光して画像
形成を行なう電子写真方式を採る画像形成装置及び画像
形成装置本体に対して着脱されるプロセスカートリッジ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】像担持体上に形成された静電潜像を現像
剤によって顕像化する画像形成装置としては、複写機や
レーザビームプリンタ等が知られている。図９にレーザ
ビームプリンタの構成の一従来例を示すが同図に示すよ
うに像担持体としての感光ドラム１は、不図示の基板上
に光によって電位が変化する層が形成されて構成されて
おり、この層の上、つまり感光ドラム１上が一次帯電器
２によって帯電される。そして、一様に帯電された感光
ドラム１上には、露光装置３により画像情報に応じた光
が照射されて静電潜像が形成される。
剤によって顕像化する画像形成装置としては、複写機や
レーザビームプリンタ等が知られている。図９にレーザ
ビームプリンタの構成の一従来例を示すが同図に示すよ
うに像担持体としての感光ドラム１は、不図示の基板上
に光によって電位が変化する層が形成されて構成されて
おり、この層の上、つまり感光ドラム１上が一次帯電器
２によって帯電される。そして、一様に帯電された感光
ドラム１上には、露光装置３により画像情報に応じた光
が照射されて静電潜像が形成される。
【０００３】ところで、上記露光装置３は、インターフ
ェースコントローラ４、レーザ駆動回路５、半導体レー
ザダイオード６、コリメータ７、ポリゴンミラー８、Ｆ
・θレンズ９及び反射ミラー１０によって構成されてい
る。
ェースコントローラ４、レーザ駆動回路５、半導体レー
ザダイオード６、コリメータ７、ポリゴンミラー８、Ｆ
・θレンズ９及び反射ミラー１０によって構成されてい
る。
【０００４】又、現像器１１は現像剤を有しており、こ
の現像剤が供給されつつ回転する現像ローラ１２には現
像バイアス電位が与えられ、この現像バイアス電位と前
記感光ドラム１の層の電位との差によって電界力が生
じ、この電界力によって現像剤が感光ドラム１上に形成
された前記静電潜像に与えられて該静電潜像が顕像化さ
れる。
の現像剤が供給されつつ回転する現像ローラ１２には現
像バイアス電位が与えられ、この現像バイアス電位と前
記感光ドラム１の層の電位との差によって電界力が生
じ、この電界力によって現像剤が感光ドラム１上に形成
された前記静電潜像に与えられて該静電潜像が顕像化さ
れる。
【０００５】一方、給紙カセット１３からは転写紙が給
紙ローラ１５によって１枚ずつ搬送され、該転写紙はレ
ジストローラ１６によって適当なタイミングで転写帯電
器１７と感光ドラム１の間の転写部に搬送され、その上
には感光ドラム１上の現像像が転写帯電器１７によって
転写される。そして、現像像を転写された転写紙は定着
器１８へ送られ、現像像の定着を受ける。尚、図９中、
１９は転写の終った感光ドラム１の表面の汚れを除去す
るためのクリーナ、２０は汚れが除去された感光ドラム
１の表面を一様に露光して残留している電荷を除去する
ためのＬＥＤアレイである。
紙ローラ１５によって１枚ずつ搬送され、該転写紙はレ
ジストローラ１６によって適当なタイミングで転写帯電
器１７と感光ドラム１の間の転写部に搬送され、その上
には感光ドラム１上の現像像が転写帯電器１７によって
転写される。そして、現像像を転写された転写紙は定着
器１８へ送られ、現像像の定着を受ける。尚、図９中、
１９は転写の終った感光ドラム１の表面の汚れを除去す
るためのクリーナ、２０は汚れが除去された感光ドラム
１の表面を一様に露光して残留している電荷を除去する
ためのＬＥＤアレイである。
【０００６】次に、以上説明したレーザービームプリン
タの作用を説明する。
タの作用を説明する。
【０００７】不図示のホストコンピュータから送られる
電気信号化された文字等の画像情報は、インターフェー
スコントローラ４に入力され、ここで信号処理され、イ
ンターフェーコントローラ４の出力によってレーザ駆動
回路５は半導体レーザダイオード６を適宜発光せしめ
る。そして、半導体レーザダイオード６から発せられる
レーザ光はコリメータ７に集光され、回転するポリゴン
ミラー８上に投射された後、Ｆ・θレンズ９やポリゴン
ミラー８の面倒れを補正する不図示の光学系及び反射ミ
ラー１０を経て感光ドラム１上に、その回転方向とは直
角方向に走査しながら投影される。感光ドラム１は一次
帯電器２によって一様に帯電された後、上述のレーザ光
の照射を受ける。感光ドラム１のレーザ光が照射された
箇所は、電荷が減衰し、レーザ光が照射されなかった残
りの箇所には電荷が残留するため、半導体レーザダイオ
ード６のＯＮ・ＯＦＦに応じた静電潜像が形成される。
電気信号化された文字等の画像情報は、インターフェー
スコントローラ４に入力され、ここで信号処理され、イ
ンターフェーコントローラ４の出力によってレーザ駆動
回路５は半導体レーザダイオード６を適宜発光せしめ
る。そして、半導体レーザダイオード６から発せられる
レーザ光はコリメータ７に集光され、回転するポリゴン
ミラー８上に投射された後、Ｆ・θレンズ９やポリゴン
ミラー８の面倒れを補正する不図示の光学系及び反射ミ
ラー１０を経て感光ドラム１上に、その回転方向とは直
角方向に走査しながら投影される。感光ドラム１は一次
帯電器２によって一様に帯電された後、上述のレーザ光
の照射を受ける。感光ドラム１のレーザ光が照射された
箇所は、電荷が減衰し、レーザ光が照射されなかった残
りの箇所には電荷が残留するため、半導体レーザダイオ
ード６のＯＮ・ＯＦＦに応じた静電潜像が形成される。
【０００８】次いで、現像器１１によって現像剤が静電
潜像に付与され、感光ドラム１上に現像像が得られる。
この現像像は、給紙カセット１３より給紙ローラ１５で
１枚ずつ取り出された転写紙上に、転写帯電器１７によ
って転写される。そして、転写紙上の画像は定着器１８
によって転写紙上に定着される。
潜像に付与され、感光ドラム１上に現像像が得られる。
この現像像は、給紙カセット１３より給紙ローラ１５で
１枚ずつ取り出された転写紙上に、転写帯電器１７によ
って転写される。そして、転写紙上の画像は定着器１８
によって転写紙上に定着される。
【０００９】一方、感光ドラム１は転写工程終了後、ク
リーナ１９によって残留現像剤が除去され、ＬＥＤアレ
イ２０で一様に露光されて残留電荷が除去され、次の画
像プロセスに備えられる。
リーナ１９によって残留現像剤が除去され、ＬＥＤアレ
イ２０で一様に露光されて残留電荷が除去され、次の画
像プロセスに備えられる。
【００１０】ところで、一般に感光体には光に対する感
度のバラツキが存在する。このバラツキは、感光体の基
板上に形成されて光によって電位が変化する層の製造上
のバラツキ、例えば材料ロットや塗布厚のバラツキ等に
よって生ずる。一例として、ＯＰＣ感光体の場合につい
て図１０に基づいてこのことを説明する。
度のバラツキが存在する。このバラツキは、感光体の基
板上に形成されて光によって電位が変化する層の製造上
のバラツキ、例えば材料ロットや塗布厚のバラツキ等に
よって生ずる。一例として、ＯＰＣ感光体の場合につい
て図１０に基づいてこのことを説明する。
【００１１】図１０は積層型（機能分離型）ＯＰＣ感光
体の一例を示す断面図であって、感光体１は電荷発生層
（以下、ＣＧＬと略称す）２２及び電荷移動層（以下、
ＣＴＬと略称す）２１を有する顔料分散系のＯＰＣ感光
体である。
体の一例を示す断面図であって、感光体１は電荷発生層
（以下、ＣＧＬと略称す）２２及び電荷移動層（以下、
ＣＴＬと略称す）２１を有する顔料分散系のＯＰＣ感光
体である。
【００１２】ここで、ＣＧＬ２２としては、一般にバイ
ンダーとしてのブチラール、アクリル等の樹脂に、半導
体レーザ光の波長７００ｎｍ〜９００ｎｍに感度を有す
るＣＧ材であるフタロシアニン、アゾ顔料等を分散させ
たものがよく用いられる。又、ＣＴＬ２１としては、バ
インダーとしてのポリカーボ、アクリル等の樹脂に、Ｃ
Ｔ材としてヒドラゾン等を溶解したものが用いられる。
ンダーとしてのブチラール、アクリル等の樹脂に、半導
体レーザ光の波長７００ｎｍ〜９００ｎｍに感度を有す
るＣＧ材であるフタロシアニン、アゾ顔料等を分散させ
たものがよく用いられる。又、ＣＴＬ２１としては、バ
インダーとしてのポリカーボ、アクリル等の樹脂に、Ｃ
Ｔ材としてヒドラゾン等を溶解したものが用いられる。
【００１３】而して、ＣＧＬ２２の層厚や材料のロット
が変動すると、感光体１の感度にバラツキが生じ易い。
又、下地層（ＵＣＬ）２３として設けたポリアミド等の
塗布層や、レーザ画像露光における干渉防止層（ＣＰ
Ｌ）２４等の塗布条件によっても基板２５との間で電荷
注入状態が変化し、感光体１の感度にバラツキを生じる
ことがある。
が変動すると、感光体１の感度にバラツキが生じ易い。
又、下地層（ＵＣＬ）２３として設けたポリアミド等の
塗布層や、レーザ画像露光における干渉防止層（ＣＰ
Ｌ）２４等の塗布条件によっても基板２５との間で電荷
注入状態が変化し、感光体１の感度にバラツキを生じる
ことがある。
【００１４】ところで、上述のように感光体に感度のバ
ラツキが存在すると、画像形成装置がレーザプリンタで
あって、これが現像方法として反転現像法（レーザ光が
当った明部電位の部分に現像剤を付着させる現像法）を
採る場合には、画像を構成する線が太ったり、細ったり
する不都合が生じていた。
ラツキが存在すると、画像形成装置がレーザプリンタで
あって、これが現像方法として反転現像法（レーザ光が
当った明部電位の部分に現像剤を付着させる現像法）を
採る場合には、画像を構成する線が太ったり、細ったり
する不都合が生じていた。
【００１５】又、正現像法（反転現像法とは逆に、レー
ザ光の当らない暗部電位の部分に現像剤を付着させる方
法）においては、地かぶりという不都合な現象が生じる
ことがある。
ザ光の当らない暗部電位の部分に現像剤を付着させる方
法）においては、地かぶりという不都合な現象が生じる
ことがある。
【００１６】上記不都合に対して従来は、一般にサービ
スマンが感光体を交換する際に個々の画像形成装置毎に
種々の調整をしていた。
スマンが感光体を交換する際に個々の画像形成装置毎に
種々の調整をしていた。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年、低価
格の画像形成装置が普及するにつれ、感光体をユーザー
が交換できる形式のものや、或は感光体、一次帯電器、
現像器等が一体となったプロセスカートリッジをユーザ
ーが交換できる形式のパーソナル型の画像形成装置が普
及してきており、斯かるパーソナル型の画像形成装置で
は前述のようにサービスマンが個々に感光体を調整する
ことは現実的に不可能である。
格の画像形成装置が普及するにつれ、感光体をユーザー
が交換できる形式のものや、或は感光体、一次帯電器、
現像器等が一体となったプロセスカートリッジをユーザ
ーが交換できる形式のパーソナル型の画像形成装置が普
及してきており、斯かるパーソナル型の画像形成装置で
は前述のようにサービスマンが個々に感光体を調整する
ことは現実的に不可能である。
【００１８】そこで、特にプロセスカートリッジを用い
る画像形成装置においては、感光体の感度のバラツキを
低減するための手段として、カートリッジ毎に適正露光
量を画像形成装置本体に知らせるための感度コマを設け
る方法が本出願人等によって提案されている（特開昭５
７−１４７３６６号公報参照）。この方法によれば、カ
ートリッジの装着時毎に、画像形成装置本体が適正な露
光量となるように、感度コマによりレーザパワーを自動
設定することができる。
る画像形成装置においては、感光体の感度のバラツキを
低減するための手段として、カートリッジ毎に適正露光
量を画像形成装置本体に知らせるための感度コマを設け
る方法が本出願人等によって提案されている（特開昭５
７−１４７３６６号公報参照）。この方法によれば、カ
ートリッジの装着時毎に、画像形成装置本体が適正な露
光量となるように、感度コマによりレーザパワーを自動
設定することができる。
【００１９】しかしながら、その後の検討により、レー
ザーパワーの調整だけでは必ずしも感光体の感度特性を
最適化できないことが判明した。これは前記ＯＰＣ感光
体の感度シフトは、残留電位レベルのシフト等により生
じることが多々あり、斯かる場合、例えば感度が悪いと
いう理由で露光量を上げると、コントラスト電位は改善
されるものの、細線が太くなってしまうという不都合を
生じるからである。
ザーパワーの調整だけでは必ずしも感光体の感度特性を
最適化できないことが判明した。これは前記ＯＰＣ感光
体の感度シフトは、残留電位レベルのシフト等により生
じることが多々あり、斯かる場合、例えば感度が悪いと
いう理由で露光量を上げると、コントラスト電位は改善
されるものの、細線が太くなってしまうという不都合を
生じるからである。
【００２０】図１１に、前述の処方によるＯＰＣ感光体
の感度特性（Ｅ−Ｖ特性）の一例を示すが、本図を用い
て前述の露光量による電位補正の方法を説明すると、同
図の曲線Ａにて示される特性を有する感光体 ＰＡは規定
電圧ＶLを得るのに露光量Ｅ1を要する。これに対し、曲
線Ｂにて示される特性を有する感光体ＰBについては、
残留電位が高いために感度が悪く、規定電圧ＶLを得る
には露光量Ｅ2を要する。従って、前述の感度コマを、
感光体ＰAについては露光量がＥ1となり、感光体ＰBに
ついては露光量がＥ2となるように合わせれば、規定の
電位ＶLが得られる。この結果、図１２に示す濃度特性
（Ｖ−Ｄ特性）に見られるように、例えば感光体ＰBに
露光量Ｅ1を与えた場合、電位ＶがＶL1となり、十分な
濃度が得られないのに対し、露光量ＥをＥ2にすること
で電位ＶはＶL2となり、感光体ＰBを安定した濃度領域
で使用することができる。
の感度特性（Ｅ−Ｖ特性）の一例を示すが、本図を用い
て前述の露光量による電位補正の方法を説明すると、同
図の曲線Ａにて示される特性を有する感光体 ＰＡは規定
電圧ＶLを得るのに露光量Ｅ1を要する。これに対し、曲
線Ｂにて示される特性を有する感光体ＰBについては、
残留電位が高いために感度が悪く、規定電圧ＶLを得る
には露光量Ｅ2を要する。従って、前述の感度コマを、
感光体ＰAについては露光量がＥ1となり、感光体ＰBに
ついては露光量がＥ2となるように合わせれば、規定の
電位ＶLが得られる。この結果、図１２に示す濃度特性
（Ｖ−Ｄ特性）に見られるように、例えば感光体ＰBに
露光量Ｅ1を与えた場合、電位ＶがＶL1となり、十分な
濃度が得られないのに対し、露光量ＥをＥ2にすること
で電位ＶはＶL2となり、感光体ＰBを安定した濃度領域
で使用することができる。
【００２１】しかし、電位コントラストは適正化して
も、図１１のＥ−Ｖ特性において傾きが極端に小さい領
域で使用することとなり、この結果、図１３（ａ）の曲
線Ｃに示す光量分布を持った細線が、露光量ＥをＥ1か
らＥ2にすることによって、図１３（ｂ）の曲線Ｄから
曲線Ｅのようになってつぶれた潜像となってしまう。
も、図１１のＥ−Ｖ特性において傾きが極端に小さい領
域で使用することとなり、この結果、図１３（ａ）の曲
線Ｃに示す光量分布を持った細線が、露光量ＥをＥ1か
らＥ2にすることによって、図１３（ｂ）の曲線Ｄから
曲線Ｅのようになってつぶれた潜像となってしまう。
【００２２】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、感光体の感度特性にバラツキ
が生じても、細線の太りや細りを生じることなく安定し
た濃度の画像を得ることができる画像形成装置及びプロ
セスカートリッジを提供することにある。
で、その目的とする処は、感光体の感度特性にバラツキ
が生じても、細線の太りや細りを生じることなく安定し
た濃度の画像を得ることができる画像形成装置及びプロ
セスカートリッジを提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明は、第１に少なくとも、半導体レーザ光の波長に感
度を有するＯＰＣ感光体と、該ＯＰＣ感光体を均一に帯
電するための帯電手段と、感光体表面を清掃するクリー
ニング手段を一体的に具備したプロセスカートリッジを
用いる画像形成装置において、前記ＯＰＣ感光体の感度
特性に応じた信号を発生する信号発生手段をカートリッ
ジ内に設けるとともに、該信号発生手段からの信号によ
って帯電手段と現像手段に印加するバイアス電圧の各々
の値を同時に変更するバイアス発生手段を装置本体内に
設けたことを特徴とする。
発明は、第１に少なくとも、半導体レーザ光の波長に感
度を有するＯＰＣ感光体と、該ＯＰＣ感光体を均一に帯
電するための帯電手段と、感光体表面を清掃するクリー
ニング手段を一体的に具備したプロセスカートリッジを
用いる画像形成装置において、前記ＯＰＣ感光体の感度
特性に応じた信号を発生する信号発生手段をカートリッ
ジ内に設けるとともに、該信号発生手段からの信号によ
って帯電手段と現像手段に印加するバイアス電圧の各々
の値を同時に変更するバイアス発生手段を装置本体内に
設けたことを特徴とする。
【００２４】又、本発明の第２の発明は、上記プロセス
カートリッジを装置本体内に着脱自在に装填して画像形
成装置を構成したことを特徴とする。更に又、本発明の
第３の発明は、前記感光体の感度特性に応じて帯電手段
と現像手段に印加するバイアス電圧の各々の値を同時に
変更するバイアス発生手段をカートリッジ内に設けたこ
とを特徴とする。
カートリッジを装置本体内に着脱自在に装填して画像形
成装置を構成したことを特徴とする。更に又、本発明の
第３の発明は、前記感光体の感度特性に応じて帯電手段
と現像手段に印加するバイアス電圧の各々の値を同時に
変更するバイアス発生手段をカートリッジ内に設けたこ
とを特徴とする。
【００２５】
【作用】本発明によれば、感光体の感度特性にバラツキ
が生じても、これに応じてバイアス発生手段が帯電手段
と現像手段に印加するバイアス電圧の各々の値を同時に
変更するため、ライン画像のライン幅及び画像濃度が適
正化され、細線の太りや細りを生じることなく安定した
濃度の画像を得ることができる。
が生じても、これに応じてバイアス発生手段が帯電手段
と現像手段に印加するバイアス電圧の各々の値を同時に
変更するため、ライン画像のライン幅及び画像濃度が適
正化され、細線の太りや細りを生じることなく安定した
濃度の画像を得ることができる。
【００２６】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００２７】図１は本発明の第１実施例に係るプロセス
カートリッジの構成図、図２は画像形成装置の断面図で
ある。
カートリッジの構成図、図２は画像形成装置の断面図で
ある。
【００２８】図１に示すプロセスカートリッジ１００
は、画像形成プロセスユニットである感光体１、現像器
１１、一次帯電器２及びクリーナ１９をケース２６内に
一体に収納して構成され、これは図２に示すように画像
形成装置本体１０１に着脱自在に装填される。尚、画像
形成装置本体１０１にはプロセスカートリッジ１００の
他、不図示の露光装置及び給紙カセット１３、給紙ロー
ラ１５、レジストローラ１６、転写帯電器１７、搬送ベ
ルト５０、定着器１８、排紙ローラ５１、排紙トレイ５
２等が設けられている。
は、画像形成プロセスユニットである感光体１、現像器
１１、一次帯電器２及びクリーナ１９をケース２６内に
一体に収納して構成され、これは図２に示すように画像
形成装置本体１０１に着脱自在に装填される。尚、画像
形成装置本体１０１にはプロセスカートリッジ１００の
他、不図示の露光装置及び給紙カセット１３、給紙ロー
ラ１５、レジストローラ１６、転写帯電器１７、搬送ベ
ルト５０、定着器１８、排紙ローラ５１、排紙トレイ５
２等が設けられている。
【００２９】ところで、プロセスカートリッジ１００の
前記一次帯電器２はコロナ帯電ワイヤー２８及びグリッ
ド２７を有しており、これらの各々には装置本体側に設
けられた高圧電源２９，３０より高圧電圧がそれぞれ印
加される。
前記一次帯電器２はコロナ帯電ワイヤー２８及びグリッ
ド２７を有しており、これらの各々には装置本体側に設
けられた高圧電源２９，３０より高圧電圧がそれぞれ印
加される。
【００３０】又、前記現像器１１は所謂ジャンピング現
像方式を採用するものであって、図示矢印方向に回転す
る現像スリーブ１２の表面に現像剤（以下、トナーと称
す）をコートし、感光体１とは非接触を保ちながら交流
バイアス電源３１及び直流バイアス電源３２により現像
を行なう。
像方式を採用するものであって、図示矢印方向に回転す
る現像スリーブ１２の表面に現像剤（以下、トナーと称
す）をコートし、感光体１とは非接触を保ちながら交流
バイアス電源３１及び直流バイアス電源３２により現像
を行なう。
【００３１】又、プロセスカートリッジ１００のケース
２６には、感光体１の感度特性に応じた信号を発生する
手段である複数個の信号ピン３３が設けられており、装
置本体１０１側に設けられた信号検知手段３４により感
光体１の感度特性を検知することができるよう構成され
ている。即ち、例えば複数個の信号ピン３３によって信
号検知手段３４に設けられたマイクロスイッチをＯＮ／
ＯＦＦするようにしてもよく、或はマイクロスイッチの
代りにフォトセンサーを用いて信号ピン３３を検知して
もよく、更にはピン以外の手段を用いてもよい。 ＜実験例＞前記プロセスカートリッジ１００の感光体１
として、前記感光体ＰA，ＰB を用いて実験を行なっ
た。
２６には、感光体１の感度特性に応じた信号を発生する
手段である複数個の信号ピン３３が設けられており、装
置本体１０１側に設けられた信号検知手段３４により感
光体１の感度特性を検知することができるよう構成され
ている。即ち、例えば複数個の信号ピン３３によって信
号検知手段３４に設けられたマイクロスイッチをＯＮ／
ＯＦＦするようにしてもよく、或はマイクロスイッチの
代りにフォトセンサーを用いて信号ピン３３を検知して
もよく、更にはピン以外の手段を用いてもよい。 ＜実験例＞前記プロセスカートリッジ１００の感光体１
として、前記感光体ＰA，ＰB を用いて実験を行なっ
た。
【００３２】先ず、図１の一次帯電器（コロナ帯電器）
２のコロナワイヤー２８に、高圧電源２９を用いて定電
流駆動により−４５０μＡのコロナ電流を流した。同時
に、グリッド２７には高圧電源３０によりＶG1＝−６７
０Ｖの直流定電圧を印加した。
２のコロナワイヤー２８に、高圧電源２９を用いて定電
流駆動により−４５０μＡのコロナ電流を流した。同時
に、グリッド２７には高圧電源３０によりＶG1＝−６７
０Ｖの直流定電圧を印加した。
【００３３】上記の結果、感光体ＰA，ＰBの表面電圧
（暗電位）は共にグリッドバイアスに略近い値ＶD1＝−
７００Ｖを示した。このとき、Ｅ−Ｖ特性を測定したと
ころ、各々図３の曲線Ａ，Ｂのようになり、図１１に示
した結果と同様になった。
（暗電位）は共にグリッドバイアスに略近い値ＶD1＝−
７００Ｖを示した。このとき、Ｅ−Ｖ特性を測定したと
ころ、各々図３の曲線Ａ，Ｂのようになり、図１１に示
した結果と同様になった。
【００３４】次に、潜像を現像器１１によって顕像化し
た。このとき、現像スリーブ１２には、交流バイアス電
源３１による１６００ＶP-P 、１８００Ｈｚの交流電圧
と直流バイアス電源３２によるＶB1＝−５００Ｖの直流
電圧を重畳して印加した。この結果、現像特性は感光体
ＰA，ＰBについて図４の曲線Ｃ（即ち、図１２と同じ曲
線）にて示すようになった。このような状態で、画像露
光条件として、図９に示した半導体レーザの静止スポッ
ト径を縦が略１２０μｍ、横が略９０μｍ（何れもピー
クより１／ｅ2の部分にて測定した幅）、解像度３００
ドット／インチ、レーザ露光量Ｅ1＝２．０５μＪ／ｃ
ｍ2の下で印字を行なった。この結果、先ずライン幅に
関しては、２ドット横線の比較の結果、感光体ＰAは細
線濃度の半値幅において約１９０μｍであるのに対し、
感光体ＰBについては約１８６μｍと略同一のライン幅
が得られた。
た。このとき、現像スリーブ１２には、交流バイアス電
源３１による１６００ＶP-P 、１８００Ｈｚの交流電圧
と直流バイアス電源３２によるＶB1＝−５００Ｖの直流
電圧を重畳して印加した。この結果、現像特性は感光体
ＰA，ＰBについて図４の曲線Ｃ（即ち、図１２と同じ曲
線）にて示すようになった。このような状態で、画像露
光条件として、図９に示した半導体レーザの静止スポッ
ト径を縦が略１２０μｍ、横が略９０μｍ（何れもピー
クより１／ｅ2の部分にて測定した幅）、解像度３００
ドット／インチ、レーザ露光量Ｅ1＝２．０５μＪ／ｃ
ｍ2の下で印字を行なった。この結果、先ずライン幅に
関しては、２ドット横線の比較の結果、感光体ＰAは細
線濃度の半値幅において約１９０μｍであるのに対し、
感光体ＰBについては約１８６μｍと略同一のライン幅
が得られた。
【００３５】しかし、５ｍｍ×５ｍｍ程度のベタ黒反射
濃度は図４に示すように感光体ＰA（明電位ＶL1＝−１
５０Ｖ）ではＤ1＝１．５となって安定領域にあるのに
対し、感光体ＰB（ＶL＝２００Ｖ）ではＤ2＝１．４３
程度に下がり、濃度変動の大きな不安定領域となった。
そこで、先ず、従来のようにレーザ露光量をＥ1＝２．
０５μＪ／ｃｍ2からＥ2＝３．４０μＪ／ｃｍ2にアッ
プし、感光体ＰBのＶLを１５０Ｖに補正したところ、ベ
タ黒濃度はＤ1まで改善されたが、２ドットのライン幅
が２２０μｍと大幅に太り、細線画像につぶれを生じ、
トナー消費量も１０％〜２０％程度増加してしまった。
因みに、レーザ露光量の代りに現像バイアスＶBを−５
００Ｖから−５５０〜６００Ｖに上げることで濃度を上
げることも可能であるが、この場合図３に示すカブリ防
止のための地肌コントラストΔＶ1が減少してカブリを
生じ易くなり、加えて細線のつぶれを生じるので好まし
くない。
濃度は図４に示すように感光体ＰA（明電位ＶL1＝−１
５０Ｖ）ではＤ1＝１．５となって安定領域にあるのに
対し、感光体ＰB（ＶL＝２００Ｖ）ではＤ2＝１．４３
程度に下がり、濃度変動の大きな不安定領域となった。
そこで、先ず、従来のようにレーザ露光量をＥ1＝２．
０５μＪ／ｃｍ2からＥ2＝３．４０μＪ／ｃｍ2にアッ
プし、感光体ＰBのＶLを１５０Ｖに補正したところ、ベ
タ黒濃度はＤ1まで改善されたが、２ドットのライン幅
が２２０μｍと大幅に太り、細線画像につぶれを生じ、
トナー消費量も１０％〜２０％程度増加してしまった。
因みに、レーザ露光量の代りに現像バイアスＶBを−５
００Ｖから−５５０〜６００Ｖに上げることで濃度を上
げることも可能であるが、この場合図３に示すカブリ防
止のための地肌コントラストΔＶ1が減少してカブリを
生じ易くなり、加えて細線のつぶれを生じるので好まし
くない。
【００３６】次に、信号ピン３３の信号により感光体Ｐ
Bに対して高圧電源３０の出力を変化させてグリッドバ
イアスをＶG2＝−７５０Ｖに引き上げ、これによりグリ
ッド２７の電位収束性を利用して暗電位ＶDをＶD2＝−
７８０Ｖとし、同時に直流電源３２の値をＶB1＝−５０
０ＶからＶB2＝−５８０Ｖに変更した。この結果、先ず
感光体ＰBの感度特性は図３の曲線ＢからＢ’のように
変化し、露光量Ｅ1＝２．０５μＪ／ｃｍ2のときの明電
位ＶLはＶL2＝−２００ＶからＶL3＝−２２０Ｖへと変
化した。このとき、現像特性は図４の曲線ＦからＧへと
変化し、ベタ黒濃度Ｄは露光量をＥ1に保ったままでも
Ｄ3＝１．５を確保することができ、当該感光体ＰBの安
定領域での使用が可能となった。又、このとき、２ドッ
トのライン幅を測定したところ、１９３μｍであり、こ
れは、測定誤差を考慮すると、前記感光体ＰAを用いて
正規設定を行なった場合と略同一の結果であった。この
結果は、図３の曲線ＡとＢ’の相似性により、潜像形成
が略等しくなったためと思われる。更に、地肌カブリに
関しても、地肌コントラストΔＶ3＝｜ＶD2−ＶB2｜＝
２００Ｖであるため、感光体ＰAでの正規設定ΔＶ3＝｜
ＶD1−ＶB1｜＝２００Ｖと同等の値を確保することがで
きることが確認できた。尚、地肌コントラストは、最適
値（本実施例では、２００Ｖ）に対して小さ過ぎると正
カブリを生じ、逆に大き過ぎると逆極性に帯電した反転
トナーにより所謂反転カブリを生じるため、どちらも好
ましくない。
Bに対して高圧電源３０の出力を変化させてグリッドバ
イアスをＶG2＝−７５０Ｖに引き上げ、これによりグリ
ッド２７の電位収束性を利用して暗電位ＶDをＶD2＝−
７８０Ｖとし、同時に直流電源３２の値をＶB1＝−５０
０ＶからＶB2＝−５８０Ｖに変更した。この結果、先ず
感光体ＰBの感度特性は図３の曲線ＢからＢ’のように
変化し、露光量Ｅ1＝２．０５μＪ／ｃｍ2のときの明電
位ＶLはＶL2＝−２００ＶからＶL3＝−２２０Ｖへと変
化した。このとき、現像特性は図４の曲線ＦからＧへと
変化し、ベタ黒濃度Ｄは露光量をＥ1に保ったままでも
Ｄ3＝１．５を確保することができ、当該感光体ＰBの安
定領域での使用が可能となった。又、このとき、２ドッ
トのライン幅を測定したところ、１９３μｍであり、こ
れは、測定誤差を考慮すると、前記感光体ＰAを用いて
正規設定を行なった場合と略同一の結果であった。この
結果は、図３の曲線ＡとＢ’の相似性により、潜像形成
が略等しくなったためと思われる。更に、地肌カブリに
関しても、地肌コントラストΔＶ3＝｜ＶD2−ＶB2｜＝
２００Ｖであるため、感光体ＰAでの正規設定ΔＶ3＝｜
ＶD1−ＶB1｜＝２００Ｖと同等の値を確保することがで
きることが確認できた。尚、地肌コントラストは、最適
値（本実施例では、２００Ｖ）に対して小さ過ぎると正
カブリを生じ、逆に大き過ぎると逆極性に帯電した反転
トナーにより所謂反転カブリを生じるため、どちらも好
ましくない。
【００３７】以上説明した実施例においては、感度の標
準的な感光体に対して残留電位が大きく、感度の悪い感
光体を用いる場合の補正法について述べたが、逆に残留
電位が小さく、感度の良い感光体についても全く同様に
本発明を適用することができる。この場合には、感度の
悪い場合とは逆に、グリッドバイアスＶGと現像バイア
スＶBを共に小さく設定すればよい。尚、信号ピン３３
は、２本のピンを組み合わせれば２2＝４通り、３本用
いれば３2＝９通りの設定が可能であり、実用的には、
ＶGを−６００〜−８００Ｖ、ＶBを−４００Ｖ〜−６０
０Ｖ位の間で３〜９通り変化させられるように適当な組
み合わせを選べばよい。勿論、信号発生手段としては信
号ピンである必要はなく、例えばバーコード等の情報源
を読み取る方法を採用してもよいことは言うまでもな
い。
準的な感光体に対して残留電位が大きく、感度の悪い感
光体を用いる場合の補正法について述べたが、逆に残留
電位が小さく、感度の良い感光体についても全く同様に
本発明を適用することができる。この場合には、感度の
悪い場合とは逆に、グリッドバイアスＶGと現像バイア
スＶBを共に小さく設定すればよい。尚、信号ピン３３
は、２本のピンを組み合わせれば２2＝４通り、３本用
いれば３2＝９通りの設定が可能であり、実用的には、
ＶGを−６００〜−８００Ｖ、ＶBを−４００Ｖ〜−６０
０Ｖ位の間で３〜９通り変化させられるように適当な組
み合わせを選べばよい。勿論、信号発生手段としては信
号ピンである必要はなく、例えばバーコード等の情報源
を読み取る方法を採用してもよいことは言うまでもな
い。
【００３８】次に、本発明の第２実施例を図５に基づい
て説明する。
て説明する。
【００３９】図５に示す例では、一次帯電ローラ３５を
用いて感光体１を帯電する所謂接触帯電方式を採用して
いる。この接触帯電方式は１０4Ω・ｃｍ〜１０6Ω・ｃ
ｍ程度の導電性弾性体を感光体１に直接接触させて帯電
を行なうもので、コロナ帯電に比べてオゾンの発生がな
い等の利点を有する。バイアス電源としては、直流電圧
のみを印加する方式と、図５に示すように、交流電源３
６と直流電源３７を重畳させて印加する方式が一般に知
られている。このうち、前者の方式は、構造が簡単とな
る反面、印加電圧に対する感光体の表面電位の直線性が
悪かったり、帯電の均一性が悪い等の欠点を有してい
る。
用いて感光体１を帯電する所謂接触帯電方式を採用して
いる。この接触帯電方式は１０4Ω・ｃｍ〜１０6Ω・ｃ
ｍ程度の導電性弾性体を感光体１に直接接触させて帯電
を行なうもので、コロナ帯電に比べてオゾンの発生がな
い等の利点を有する。バイアス電源としては、直流電圧
のみを印加する方式と、図５に示すように、交流電源３
６と直流電源３７を重畳させて印加する方式が一般に知
られている。このうち、前者の方式は、構造が簡単とな
る反面、印加電圧に対する感光体の表面電位の直線性が
悪かったり、帯電の均一性が悪い等の欠点を有してい
る。
【００４０】一方、後者の方式は、交流バイアス電圧と
して１０００ＶP-P〜２０００ＶP-P以上の電圧を印加し
ておけば、感光体１の表面電位は直流電源３７の印加電
圧に対して略リニヤに変化するという利点を有してい
る。この様子を図６に示すが、同図中、直線Ｈは１２０
０ＶP-P及び１８００ＶP-Pの交流バイアス時、曲線Ｉは
５００ＶP-Pの交流バイアス時、曲線Ｊは交流バイアス
を印加しない場合の感光体１の表面電位Ｖと直流印加電
圧ＶDCの関係（交流周波数は全て６００Ｈｚとした）を
示すもので、直線Ｈは直流印加電圧ＶDCに対して略傾き
１の割合でリニヤに表面電位が変化するのに対し、曲線
Ｉ，Ｊは不安定であることがわかる。本実施例では、こ
の直線Ｈの関係に着目し、直流印加電圧ＶDCと現像バイ
アス電圧ＶBを変化させることで感光体１の感度のバラ
ツキを補正する。 ＜実験例＞前記第１実施例と同じ感光体ＰA，ＰBを用
い、感光体ＰAは信号ピン３３ににより直流電圧ＶDC＝
−７３０Ｖ、現像バイアスＶB＝−５００Ｖを与え、同
様に感光体ＰBにはＶDC＝−８１５Ｖ、ＶB＝−５８０Ｖ
を与え、露光量は共にＥ1＝２．０５μＪ／ｃｍ2のまま
で、他の条件も第１実施例と同様に固定して実験を行な
った。この結果、感度特性（Ｅ−Ｖカーブ）は、感光体
ＰAは図３の曲線Ａ、感光体ＰBは同図の曲線Ｂ’と同じ
になり、第１実施例で説明したと同様の効果が得られ
た。
して１０００ＶP-P〜２０００ＶP-P以上の電圧を印加し
ておけば、感光体１の表面電位は直流電源３７の印加電
圧に対して略リニヤに変化するという利点を有してい
る。この様子を図６に示すが、同図中、直線Ｈは１２０
０ＶP-P及び１８００ＶP-Pの交流バイアス時、曲線Ｉは
５００ＶP-Pの交流バイアス時、曲線Ｊは交流バイアス
を印加しない場合の感光体１の表面電位Ｖと直流印加電
圧ＶDCの関係（交流周波数は全て６００Ｈｚとした）を
示すもので、直線Ｈは直流印加電圧ＶDCに対して略傾き
１の割合でリニヤに表面電位が変化するのに対し、曲線
Ｉ，Ｊは不安定であることがわかる。本実施例では、こ
の直線Ｈの関係に着目し、直流印加電圧ＶDCと現像バイ
アス電圧ＶBを変化させることで感光体１の感度のバラ
ツキを補正する。 ＜実験例＞前記第１実施例と同じ感光体ＰA，ＰBを用
い、感光体ＰAは信号ピン３３ににより直流電圧ＶDC＝
−７３０Ｖ、現像バイアスＶB＝−５００Ｖを与え、同
様に感光体ＰBにはＶDC＝−８１５Ｖ、ＶB＝−５８０Ｖ
を与え、露光量は共にＥ1＝２．０５μＪ／ｃｍ2のまま
で、他の条件も第１実施例と同様に固定して実験を行な
った。この結果、感度特性（Ｅ−Ｖカーブ）は、感光体
ＰAは図３の曲線Ａ、感光体ＰBは同図の曲線Ｂ’と同じ
になり、第１実施例で説明したと同様の効果が得られ
た。
【００４１】次に、本発明の第３実施例を図７に基づい
て説明する。
て説明する。
【００４２】本実施例では、現像方式として、接触現像
タイプの一成分現像方式を用いた。この方式は、直流バ
イアスのみを印加することで現像を行なうことができる
という利点を有する。
タイプの一成分現像方式を用いた。この方式は、直流バ
イアスのみを印加することで現像を行なうことができる
という利点を有する。
【００４３】そして、本実施例では、現像バイアス電源
と一次帯電器のグリッドバイアスを同一の電源からと
り、各々のバイアス値の補正と感光体毎の設定変更をバ
イアス補正手段３８により行なうようにした。このよう
にすれば、バイアス補正手段３８は図８に示すようにツ
ェナーダイオード４０〜４２及びバリスター４４、バイ
アス切換部４３によって簡易な構成とすることが可能と
なる。又、一般に現像スリーブに流れる電流のみでは数
μＡ以下と微弱で、ツェナーダイオード４０〜４２の電
圧を安定化させることが難しいが、グリッド２７の電流
も合わせて、ツェナー電圧の安定化を図ることも可能で
ある。 ＜実験例＞第１実施例と同様に、感光体ＰA，ＰBを用い
て説明する。先ず、電源３９により−４５０Ｖの直流電
圧を印加し、バリスター４４は定格１７０Ｖのものを用
いる。この状態で、感光体ＰAを用いた場合、バイアス
切換部４３により、ツェナーダイオード４０〜４２から
５０Ｖのツェナーダイオードを選択する。これは、例え
ば信号ピン３３’としてツェナーダイオード４０〜４２
の１つをバリスター４４側の接点部に接触させるような
ジャンパー接点を用いればよい。このようにすること
で、感光体ＰAにはグリッドバイアス−６７０Ｖが印加
され、このとき現像スリーブ１２’には−５００Ｖのバ
イアス電圧が印加される。
と一次帯電器のグリッドバイアスを同一の電源からと
り、各々のバイアス値の補正と感光体毎の設定変更をバ
イアス補正手段３８により行なうようにした。このよう
にすれば、バイアス補正手段３８は図８に示すようにツ
ェナーダイオード４０〜４２及びバリスター４４、バイ
アス切換部４３によって簡易な構成とすることが可能と
なる。又、一般に現像スリーブに流れる電流のみでは数
μＡ以下と微弱で、ツェナーダイオード４０〜４２の電
圧を安定化させることが難しいが、グリッド２７の電流
も合わせて、ツェナー電圧の安定化を図ることも可能で
ある。 ＜実験例＞第１実施例と同様に、感光体ＰA，ＰBを用い
て説明する。先ず、電源３９により−４５０Ｖの直流電
圧を印加し、バリスター４４は定格１７０Ｖのものを用
いる。この状態で、感光体ＰAを用いた場合、バイアス
切換部４３により、ツェナーダイオード４０〜４２から
５０Ｖのツェナーダイオードを選択する。これは、例え
ば信号ピン３３’としてツェナーダイオード４０〜４２
の１つをバリスター４４側の接点部に接触させるような
ジャンパー接点を用いればよい。このようにすること
で、感光体ＰAにはグリッドバイアス−６７０Ｖが印加
され、このとき現像スリーブ１２’には−５００Ｖのバ
イアス電圧が印加される。
【００４４】次に、感光体ＰBを用いた場合には、ツェ
ナーダイオード４０〜４２から１３０Ｖのツェナーダイ
オードを選択する。こうすると、感光体ＰBにはグリッ
ドバイアス−７５０Ｖが印加され、現像スリーブ１２’
には−５８０Ｖのバイアス電圧が印加される。この結果
の作用は前記第１、第２実施例と同様であるので、説明
を省略する。
ナーダイオード４０〜４２から１３０Ｖのツェナーダイ
オードを選択する。こうすると、感光体ＰBにはグリッ
ドバイアス−７５０Ｖが印加され、現像スリーブ１２’
には−５８０Ｖのバイアス電圧が印加される。この結果
の作用は前記第１、第２実施例と同様であるので、説明
を省略する。
【００４５】以上のように構成することで、高圧電源及
びその調整機構を省略することができ、大幅なコストダ
ウンが可能となる。勿論、このバイアス補正手段３８の
ような構成は帯電手段又は現像手段だけに単独で用いる
ことも可能である。例えば、第１実施例において、グリ
ッドバイアス発生手段３０の代りにバリスター４４及び
ツェナーダイオード４０〜４２を用い、現像バイアス手
段３２は第１実施例にて示したように、信号により切り
換えてもよい。この場合、例えばバリスター４４として
は、定格６２０Ｖ程度のものを用い、ツェナーダイオー
ド４０〜４２として０〜１００Ｖ程度のものを用いれば
よい。更に又、図８におけるツェナーダイオード４０〜
４２を本体側ではなく、カートリッジ側に設ければ、感
光体特性に応じたバイアス補正手段がカートリッジ側に
設けられることとなり、且つこの場合、１カートリッジ
につき感光体感度に対応した１つの適正なツェナーダイ
オードを設ければよいので、本体及びカートリッジの構
造を簡略化することが可能となる。
びその調整機構を省略することができ、大幅なコストダ
ウンが可能となる。勿論、このバイアス補正手段３８の
ような構成は帯電手段又は現像手段だけに単独で用いる
ことも可能である。例えば、第１実施例において、グリ
ッドバイアス発生手段３０の代りにバリスター４４及び
ツェナーダイオード４０〜４２を用い、現像バイアス手
段３２は第１実施例にて示したように、信号により切り
換えてもよい。この場合、例えばバリスター４４として
は、定格６２０Ｖ程度のものを用い、ツェナーダイオー
ド４０〜４２として０〜１００Ｖ程度のものを用いれば
よい。更に又、図８におけるツェナーダイオード４０〜
４２を本体側ではなく、カートリッジ側に設ければ、感
光体特性に応じたバイアス補正手段がカートリッジ側に
設けられることとなり、且つこの場合、１カートリッジ
につき感光体感度に対応した１つの適正なツェナーダイ
オードを設ければよいので、本体及びカートリッジの構
造を簡略化することが可能となる。
【００４６】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、少なくとも、半導体レーザ光の波長に感度を有す
るＯＰＣ感光体と、該ＯＰＣ感光体を均一に帯電するた
めの帯電手段と、感光体表面を清掃するクリーニング手
段を一体的に具備したプロセスカートリッジを用いる画
像形成装置において、前記ＯＰＣ感光体の感度特性に応
じた信号を発生する信号発生手段と、該信号発生手段か
らの信号によって帯電手段と現像手段に印加するバイア
ス電圧の各々の値を同時に変更するバイアス発生手段を
設けたため、感光体の感度特性にバラツキが生じても、
信号発生手段から出力される感光体の感度特性に応じた
信号を受けてバイアス発生手段が帯電手段と現像手段に
印加するバイアス電圧の各々の値を同時に変更し、これ
によってライン画像のライン幅及び画像濃度が適正化さ
れ、細線の太りや細りを生じることなく安定した濃度の
画像が得られる。
れば、少なくとも、半導体レーザ光の波長に感度を有す
るＯＰＣ感光体と、該ＯＰＣ感光体を均一に帯電するた
めの帯電手段と、感光体表面を清掃するクリーニング手
段を一体的に具備したプロセスカートリッジを用いる画
像形成装置において、前記ＯＰＣ感光体の感度特性に応
じた信号を発生する信号発生手段と、該信号発生手段か
らの信号によって帯電手段と現像手段に印加するバイア
ス電圧の各々の値を同時に変更するバイアス発生手段を
設けたため、感光体の感度特性にバラツキが生じても、
信号発生手段から出力される感光体の感度特性に応じた
信号を受けてバイアス発生手段が帯電手段と現像手段に
印加するバイアス電圧の各々の値を同時に変更し、これ
によってライン画像のライン幅及び画像濃度が適正化さ
れ、細線の太りや細りを生じることなく安定した濃度の
画像が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係るプロセスカートリッ
ジの構成図である。
ジの構成図である。
【図２】画像形成装置の断面図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る感光体の感度特性図
である。
である。
【図４】本発明に第１実施例に係る画像濃度特性図であ
る。
る。
【図５】本発明の第２実施例に係るプロセスカートリッ
ジの構成図である。
ジの構成図である。
【図６】本発明の第２実施例に係る感光体の感度特性図
である。
である。
【図７】本発明の第３実施例に係るプロセスカートリッ
ジの構成図である。
ジの構成図である。
【図８】本発明の第３実施例に係る電気回路図である。
【図９】レーザビームプリンタの構成図である。
【図１０】ＯＰＣ感光体の構成図である。
【図１１】従来の感光体の感度特性図である。
【図１２】従来例に係る画像濃度特性図である。
【図１３】（ａ），（ｂ）は従来例を説明するための光
量分布図、電圧分布図である。
量分布図、電圧分布図である。
１ 感光体
２ 一次帯電器
３ 露光装置
６ 半導体レーザー
１１ 現像器
１２ 現像スリーブ
２７ 一次グリッド
２８ 一次帯電ワイヤー
３０ グリッドバイアス電源
３２ 現像バイアス直流電源
３３，３３’信号ピン
３４ 信号検知手段
３５ 一次帯電ローラ
３７，３９ 直流電源
３８ バイアス補正手段
４０〜４２ ツェナーダイオード
４４ バリスター
１００ プロセスカートリッジ
１０１ 画像形成装置本体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 月田 辰一
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 矢野 秀幸
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 大塚 康正
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも、半導体レーザ光の波長に感
度を有するＯＰＣ感光体と、該ＯＰＣ感光体を均一に帯
電するための帯電手段と、感光体表面を清掃するクリー
ニング手段を一体的に具備したプロセスカートリッジを
用いる画像形成装置において、前記ＯＰＣ感光体の感度
特性に応じた信号を発生する信号発生手段をカートリッ
ジ内に設けるとともに、該信号発生手段からの信号によ
って帯電手段と現像手段に印加するバイアス電圧の各々
の値を同時に変更するバイアス発生手段を装置本体内に
設けたことを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のプロセスカートリッジを
装置本体内に着脱自在に装填して構成されることを特徴
とする画像形成装置。 - 【請求項３】 前記感光体の感度特性に応じて帯電手段
と現像手段に印加するバイアス電圧の各々の値を同時に
変更するバイアス発生手段を、カートリッジ内に設けた
ことを特徴とする画像形成装置のプロセスカートリッ
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037896A JPH052301A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 画像形成装置及びプロセスカートリツジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037896A JPH052301A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 画像形成装置及びプロセスカートリツジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052301A true JPH052301A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=12510307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3037896A Pending JPH052301A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 画像形成装置及びプロセスカートリツジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH052301A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007008136A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Sanbii Kk | 差込印 |
| US10948854B2 (en) | 2018-09-27 | 2021-03-16 | Ricoh Company, Ltd. | Bias circuit, image formation device and image forming apparatus |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3037896A patent/JPH052301A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007008136A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Sanbii Kk | 差込印 |
| JP4693103B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-06-01 | サンビー株式会社 | 差込印 |
| US10948854B2 (en) | 2018-09-27 | 2021-03-16 | Ricoh Company, Ltd. | Bias circuit, image formation device and image forming apparatus |
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