JPH05228363A - セラミック又はサーメット粉末物質の製造装置及び方法 - Google Patents

セラミック又はサーメット粉末物質の製造装置及び方法

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JPH05228363A
JPH05228363A JP3154327A JP15432791A JPH05228363A JP H05228363 A JPH05228363 A JP H05228363A JP 3154327 A JP3154327 A JP 3154327A JP 15432791 A JP15432791 A JP 15432791A JP H05228363 A JPH05228363 A JP H05228363A
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flame
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チャンドラ ダス チャクレイダー アソーク
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ジョージ バタース ロバート
Douglas A Ross
アルバート ロス ダグラス
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University of British Columbia
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BRITISH COLOMBIA THE, University of
University of British Columbia
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 プラズマ型熱反応器を利用し、セラミック又
はサーメット粉末を収集液の中に集めて微細な粉末を作
る。 【構成】 プラズマ型熱反応器において、反応器炎と反
応物質を反応チャンバーの一方の端部に導入する。収集
液(油)の同心膜が反応チャンバーの中を流れて、収集液
の溜まりの中に入る。収集液(及び冷却液)が、炎が入る
のと同じ端部側からチャンバーに入って、炎を囲む液壁
を形成する。この液壁がチャンバーの壁の内周部全体を
一方の端部から他方の端部に亘って洗い取って収集液
(及び冷却液)の中に入る。溜まり内の液体は、反応チャ
ンバーの一方の端部に再循環するために送られ、途中で
フィルターを通して粒状物質を反応生成物から分離させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ炎の中でセラ
ミック粉末を合成しセラミック又はサーメット粉末を形
成する技術に関する。より具体的には、本発明はセラミ
ック又はサーメット粉末を形成し収集する装置に関す
る。
【０００２】
【発明の背景】セラミック粉末を作る装置として、例え
ば、ゾル−ゲル方法、プラズマ法その他の熱化学的手段
等の多くの装置が開発されている。しかし、ゾル−ゲル
法はコストが高く、その他の方法では、小さなサイズの
粉末や純度の高い粉末を得ることはできない。
【０００３】誘導プラズマやDCアークプラズマ装置を用
いて、炭化珪素(SiC)粉末の如き物質をプラズマ合成す
る試みは多くなされている。ロスアラモス研究所(USA)
では、RFプラズマを用いてシランをメタンと反応させ、
純度が極めて高い炭化珪素のサブミクロン粉末の合成に
成功した(「超微粒及び超高純度の炭化珪素を製造する
ためのRFプラズマ装置」シー．エム．ホールボウ，ジャ
ーナル オブ マテリアル サイエンス，18巻，1983
年，3190−3194参照)。また、市販のDCプラズマトーチ
を用いて、同じ反応物質から粒子サイズ約0.5ミクロン
の炭化珪素粉末を作ることも報告されている(オーデュ
ポー，バッテレル ジェネヴァ リサーチセンター イ
ン セラミック インフォルマジオン，13巻，No.143，
1978年，283−292参照)。得られた製品は、トーチのア
ノード及びカソードからの銅やタングステンによって汚
染されている。
【０００４】さらに、シランとメタンのレーザー駆動反
応によっても、超微粒の炭化珪素が作られている(「レ
ーザー駆動のガス相反応による超微粒SiC粉末の合成」
ワイ．スヤマ及びアール．エム．ハラ，アメリカン セ
ラミックス ササイエティ ブリテン，64巻，No.10，1
985年、1356−1359参照)。
【０００５】ミウラに付与された米国特許第4,533,382
号(1985年8月6日)は、加熱された蒸発チャンバーを用い
て微細な金属粉末を作る装置を開示しており、これは断
熱膨張ノズルの中で蒸気を冷却して粉末を形成するもの
で、粉末は油槽の中に集められる。米国特許第4,872,90
5号は、スパッタリング技術によって金属粉末又は非金
属粉末を作り、高分子重量の低蒸気圧油の中に形成され
た粒子を捕獲することを記載している。回収された粒子
は油の分子層を有しており、これがアグロメレーション
を防止する。
【０００６】サブミクロンサイズのSiC粉末、特に粒子
サイズが4〜0.2ミクロン範囲のものは、商業的規模で広
く作られていない。
【０００７】
【発明の要旨】本発明は、収集液(collecting liquid)
の中にセラミック又はサーメット粉末を集めることので
きる新規な装置を提供することを目的とする。
【０００８】本発明は、セラミック又はサーメットの粉
末物質を作る装置に関し、該装置は、スリーブによって
形成された密閉反応チャンバーを有する炎型熱反応器
と、該チャンバーの長手方向の第１端部(one end)に反
応器の炎を供給する手段と、反応物質(reactants)を炎
の中に導入する手段と、反応チャンバーの長手方向の第
２端部(other end)にて収集液の溜まり(pool)を収容す
る手段と、スリーブの第１端部から第２端部までのチャ
ンバーの略全体長さ部分に亘って、収集液が炎を取り囲
みながらスリーブの内面に沿って運ばれ、収集液の溜ま
りの中に進入することができるように、収集液をスリー
ブの第１端部に隣接するチャンバーの中に導入する手段
と、収集液を溜まりから回収し、収集液を該チャンバー
の第１端部に再び導入する手段と、収集液によって集め
られた粒状物質を収集液から分離する手段とから構成さ
れる。
【０００９】炎型熱反応器は、プラズマ型反応器が望ま
しい。
【００１０】収集液は、第１の端部に戻す前に、冷却す
ることが望ましい。
【００１１】スリーブは断面を略円形の形状に形成し、
冷却液を第１の端部に向けて導入したとき、冷却液は遠
心力によって内面に作用しながらスリーブの内面を螺旋
径路を辿って流れるようにすることがより一層望まし
い。
【００１２】スリーブの長軸は、略垂直にすることが望
ましい。
【００１３】本発明は、本発明の装置を用いてセラミッ
ク粉末を作る方法及び該方法によて作られたセラミック
粉末を更に提供するものである。。本発明のその他の特
徴、目的及び利点については、以下の望ましい実施例の
詳細な説明によって明白なものとなるであろう。
【００１４】
【望ましい実施例の説明】図１に示す如く、本発明は、
炎型(flame type)熱反応器(10)を備えており、図示の実
施例において、該反応器はプラズマジェットを形成する
トーチ(11)を含んでいる。プラズマトーチ(11)のDCアー
クチャンバー(12)には、電源(18)によって作動するカソ
ード(14)とアノード(16)が内蔵される。プラズマガスが
ライン(20)を通じてチャンバー(12)の中に導入され、チ
ャンバー(12)の中で点火されることによって、プラズマ
ジェットがアノード(14)を介して細径部(26)の中で形成
される。反応物質はライン(22)からカソードを通って細
径部(26)に導入される。なお、反応物質は公知の他の方
法によって導入できることは勿論である。
【００１５】細径部(26)の中で形成されたプラズマジェ
ットは、ライン(22)から導入された反応物質と共に、略
密閉された反応器チャンバー(24)の中に送り込まれ、チ
ャンバー(24)の中で反応器炎(reactor flame)(図示の実
施例ではプラズマ炎)(28)を形成する。
【００１６】図１の実施例では、反応器チャンバー(24)
は、２つのセクションを有するスリーブ(30)によって形
成され、各セクションは略円筒形で、上部(30A)の内径
は下部(30B)よりも僅かに大きい。しかし、図６に示す
ように、反応器チャンバー(24)は、単一スリーブ(30)の
構造とすることにより、その長さ方向の全体を略同じ内
径としてもよい。
【００１７】反応チャンバー(24)の底端部(32)(第２端
部側)は空にして、容器(36)内の油その他のクーラント
及び収集液(34)の溜まり(34)中に入れられる。
【００１８】冷却液及び収集液は、ライン(38)を通じて
溜まり(34)から取り出され、ポンプ(42)、間接式熱交換
器(44)(クーラー)、パイプ(46)を通ってチャンバー(24)
の頂部(48)(第１端部)に戻される。液は、液体膜の連続
壁(50)を形成し、チャンバー(24)の内側を通りながら、
反応チャンバー(24)の内面(51)全体を第１端部(48)から
第２端部(34)に亘って掃除する(sweep)。必要に応じ
て、フィルター(40)をポンプ(38)と熱交換器(44)の間に
接続してもよい。収集液の壁(50)はプラズマ炎(28)を取
り囲んで、すべての反応物質を取り込むことができるよ
うにしており、形成された粉末は収集液の中に集められ
る。内表面(51)上に液体を流すことによって、チャンバ
ー(24)を形成するスリーブ(30)(30Aと30B)を冷却する。
【００１９】液壁即ち液膜(50)は反応器(24)の内面(51)
を掃除するが、液膜は矢印(52)で示されるように略螺旋
形の径路を流れるようにすることが望ましい。クーラン
ト及び収集液は反応チャンバー(24)の頂部のヘッダー(7
8)から内面(51)に対して略接線方向に吹き付けられる。
螺旋径路上における液体の速度が十分に大きい場合、液
体は遠心力によってチャンバー(24)の壁と接触し、液体
が壁に接触している限り、端部(48)から離れた炎の端部
を超える位置までチャンバー(24)の長軸は傾斜して水平
にすらなる。
【００２０】図示の実施例における収集液及び冷却油
は、間接式熱交換器(44)によって冷却される。熱交換器
(44)の中で、冷却液は矢印(54)(56)で示すように循環
し、容器(36)の冷却油(58)の中では、冷却液は矢印(60)
(62)に示すように通過する。
【００２１】容器(36)中の油(オイル)のレベルＬの上方
は、チャンバー(24)を囲む環状スペース(64)となってお
り、溜まり(34)の油から出る排出ガスはこの環状スペー
スに入る。これらの排出ガスはライン(66)を通じて吐き
出される。
【００２２】反応チャンバー(24)の頂部に設けられたプ
ラズマジェットを形成するためのトーチ(11)に関し、そ
の更に詳細な構造を図２に示している。図示のように、
カソード(16)は循環クーラント(68)(70)によって冷却さ
れる。クーラントはさらに符号(72)で示す如く導入され
て循環し、アノード(14)を冷却する。一般的に、クーラ
ントは冷水が使用される。
【００２３】反応物質は矢印(74)で示すようにプラズマ
ジェットの中に導入され(例えばライン(22)を通じて導
入される。但し図２では図示せず)、アノード(14)を通
過する。反応物質は、符号(76)で示す如く、ジェットノ
ズル(26)を流れるプラズマ炎の中に径方向から送り込ま
れる。
【００２４】プラズマジェットトーチ(11)には取付フラ
ンジ(77)を設けており、プラズマジェットトーチ(11)を
入口マニホルド(78)の頂部にボルト止めして密封し、チ
ャンバー(24)の頂部(48)の液体を冷却する。冷却液は、
マニホルドの内側ハウジング(80)とチャンバー(24)の内
面との間を流れて、接線速度(tangential velocity)が
与えられ、液体は前述の如く、矢印(52)で示すように螺
旋状の流れとなって内面(50)に沿って回転しながら降下
する。
【００２５】アノード(14)を取り囲んで磁気コイル(90)
(図１及び図３参照)が設けられ、ノズル(26)の周りに作
用する磁気パターンを調節する。これによって、公知の
如く、プラズマ炎は所望通りの方向に向けられて、回転
が与えられる。
【００２６】アークは、アノード(14)とカソード(16)の
間で衝突する。プラズマガスは、ライン(20)を通じてチ
ャンバー(12)の中に供給される。プラズマはアノード(1
4)とカソード(16)の間に形成されたDCアークによって発
生し、プラズマジェットを作ってノズル(26)を通り、反
応器(24)の中でプラズマ炎(28)を形成する。
【００２７】本発明の粉末を作るための反応物質は、ラ
イン(22)を通じて、細径部(ノズル)(26)及び該細径部に
形成されたプラズマジェットの中に向けて、略半径方向
から導入される。
【００２８】炎(28)はコイル(90)が発生する磁束線をコ
ントロールすることによって回転させることができる。
【００２９】冷却液及び収集液は、ライン(46)を通じ
て、マニホルド(78)からチャンバー(24)の頂部に導入さ
れ、液体の膜壁(50)を作り、反応器チャンバー(24)の内
面(51)を下向きに流れる。反応器チャンバー(24)は通
常、略円筒形で断面は円形であり、クーラント液の流れ
は接線方向成分を有するようにすることが望ましい。こ
れによって、液はチャンバー(24)の内部を螺旋状に流れ
て、容器即ちチャンバー(24)の壁(30)(30A及び30B)を冷
却する作用を有する。なお、チャンバーはパイレックス
のような適当なガラスから作ることができる。また、液
は炎(28)を含んでおり、符号(92)で示す小さな粒子を捕
えて、これらを溜まり(34)の中に運ぶ。
【００３０】なお、チャンバー(24)の断面を矩形形状に
することが望ましい場合もあり、かかる場合はチャンバ
ーの長軸は通常略垂直とし、収集液はチャンバー(24)の
長さ方向の一方の端部から他方の端部まで略軸方向を流
れる。或はまた、チャンバー(24)は、円錐又はピラミッ
ド形状のように、入口端部(第１端部)(48)側の断面を大
きく、出口端部(第２端部)(34)側の断面を小さくなるよ
うにテーパ状に形成してもよい。
【００３１】通常、冷却液及び収集液は、高沸点(望ま
しくは100℃以上)及び低粘度の石油ベースのオイルであ
る。しかし、他のオイルを使用することもできる。
【００３２】前述したように、冷却液及び収集液は冷却
コイル(58)及び間接式熱交換器(44)によって冷却され、
液体(油)の中に入り込んだ粒状物質(92)はフィルター(4
0)を通して分離される。冷却された油はライン(46)を通
って再び循環し、チャンバー(24)の頂部(48)のマニホル
ド(78)を通じて再び導入される。
【００３３】溜まり(34)ではガスが発生し、ガスはチャ
ンバー(36)の中からライン(66)を通って排出される。
【００３４】
【実施例１】図４に示す装置では、四塩化珪素(SiCl4)
の反応物質が、ライン(22)を通じて、細径部(74)の水素
(H2)の流れの中に導入される。プラズマガスの成分は、
アルゴン、メタン及び水素からなる。この実施例では、
アノードとカソードは両方共、グラファイトから作ら
れ、形成される炭化物の汚染が生じないようにする(通
常の場合、アノードは銅から作られ、カソードはタング
ステンから作られる)。チャンバー(24)の底端部(32)
は、溜まり(34)のレベルＬの下に沈められている。
【００３５】反応チャンバー(24)と容器(36)は、まず最
初に、両方とも約0.2mm水銀の圧力になるまで空気を抜
いておき、次にアルゴン源(100)からアルゴンを充填す
る。
【００３６】冷却水を加えてプラズマトーチ(11)を冷却
し、さらにその冷却水を用いてコイル(28)及び熱交換器
(44)のオイルを冷却する。
【００３７】オイルは、約12℃の温度でチャンバー(24)
の頂部に入り、約17℃の温度で取り出され、チャンバー
(24)の壁の表面上に厚さ約2mmの膜(50)が形成される。
チャンバー(24)は直径75cm、長さ約1ｍである。
【００３８】純アルゴンを用いてアークを衝突させ、次
に水素源(102)及びメタン源(104)から、夫々水素及びメ
タンをプラズマガスに添加し、プラズマ炎(28)を作る。
【００３９】源(106)の四塩化珪素を水素との混合物と
して、ライン(22)を通じてプラズマジェット細径部(26)
に導入する。装置をこのようにして作動させて粉末を作
る。排出ガスは装置から取り除き、ライン(66)を通じて
NaOHスクラッバー(108)に運び、大気中に放出する前に
ガスの不純物を取り除く。
【００４０】実験の完了後、四塩化珪素、メタン及び水
素を遮断し、オイルを蒸留フラスコに移し、乾燥ヘリウ
ムを少量流しながら、真空状態で１時間以上100℃の温
度に保持する。次に粉末をフィルターを通してオイルか
ら分離し、ヘキサンで洗浄して乾燥させる。このように
して作られた炭化珪素を図５に示す。粒子(110)は、残
留オイルの外側コーティング(112)で被覆されているこ
とに留意すべきである。
【００４１】コーティング(112)によって粒子(110)のア
グロメレーションが防止され、一方、使用時には飛散し
て(flash off)除去される。粒子をヘキサンで洗浄する
とき、このコーテイング層(112)には少量のヘキサンが
含まれる。
【００４２】使用したオイルは高沸点の石油ベースオイ
ルで、沸点は約100℃である。
【００４３】得られた産物をＸ線回折で分析したとこ
ろ、図７のＸ線回折プロット図に示すように、ベータ
(立方)炭化珪素に、少量(5重量％よりも少ない)のアル
ファ(六角)炭化珪素を有していた。
【００４４】粒子サイズの分析は、ホリバcapa-700の粒
子サイズアナライザーにおける分析結果である。平均粒
子サイズは0.2ミクロン、最大粒子サイズは約0.6ミクロ
ンであり、分布状態は比較的狭く、図８に示している。
粒子の形状はランダムである。
【００４５】粉末に吸収されたオイルの薄膜の量は約3.
0％である。これは、沸点が著しく低くなっているが、3
50℃の加熱によって粒子の表面から完全に蒸発し、オイ
ルとSiC粉末との間で分子の相互反応を生じる。粉末の
自由カーボン量は3〜10重量％である。
【００４６】
【実施例２】図６に示す装置を用いて同様な試験を行な
った。試験方法は、図４とほぼ同じであるが、反応チャ
ンバー(24)の壁(30)を略円筒形とし、長さ全体を同じ直
径としている点のみが相違している。反応チャンバーの
底端部は、溜まり(34)のオイルのレベルよりも上方であ
る。この場合、オイルが再循環するのに必要な冷却は全
て熱交換器(44)によって行なわれ、前述したようなコイ
ル(58)は設けられていない。
【００４７】手順も前述したものと殆んど同じであり、
例えば、装置内の空気を抜いた後にアークが形成され
る。しかしながら、この場合には、窒素、水素及びアル
ゴンが夫々の源(114)(116)(118)からライン(20)を通じ
てプラズマガスとして供給される。反応物質はアルミニ
ウム粉末であり、アルゴンガスの中に含めて運ばれる。
粉末の供給器(120)はMetco 4MP粉末フィーダーを用い、
流量計は4MP-800を用いた。
【００４８】送り込んだ粉末が部分的に溶けて蒸発する
ので窒化アルミニウムを形成することは困難であるが、
溶融及び蒸発の度合いは、プラズマジェットの熱量、粉
末の供給速度、送り込まれる粉末の描く軌道(trajector
y)に依存している。熱が十分でないと、溶融及び蒸発に
は限界がある。粒子の供給速度が速すぎる場合も同じ結
果となる。粒子の描く軌道は、プラズマの最も温度の高
い領域を通過するようにしなければならない。これは、
径方向からの導入の場合は難しい。
【００４９】アルミニウムは窒化物を容易に蒸発させ、
AlNのサブミクロン粒子を形成する。溶融アルミニウム
の小滴(droplets)の窒化は更にもっと難しい。粒子の薄
い酸化物の表面層は窒化作用を妨げる。この層はカーボ
ンをプラズマジェットに導入することによって薄くなる
が、粒子の表面に形成される窒化層が粒子内部の窒化に
対するバリヤとして作用する。このように、僅かな滞留
時間内に粉末の全部をプラズマジェットの最も温度の高
い部分に噴射することは困難であり、アルミニウム粉末
を完全に蒸気化することはできない。従って、この方法
を用いて完全な窒化を行なうことは可能であっても、半
径方向からの導入では最適な結果を得ることはできな
い。
【００５０】予備的な試験として、図８に示す粒子サイ
ズの純粋AlNを少なくとも一部分とする粉末を作った。
最大粒子サイズは5μmであり、85％は2.5μmよりも小さ
い。平均粒子サイズは1.4μmである。
【００５１】
【実施例３】アルミニウムの蒸気化及び炭化チタンの溶
融が難しいため、タングステン粉末を浸炭プラズマ(car
burizing plasma)中に径方向から導入することによって
炭化タングステンを作ることは更に難しい。これらの理
由から、プラズマ方法で炭化タングステンを作るという
従来の方法を用いることにした。市販の炭化タングステ
ンは、タングステンとカーボンを鉄の中で溶かすことに
よってトン単位で作られる。このような混合物が冷却さ
れると、炭化タングステンが溶液から析出する。鉄基地
は硫酸中で溶解して、WCの大きな結晶が残る。次のこの
結晶を粉砕して粉末にする。同じ方法を用いて、炭化チ
タンや炭化タンタル等の他の炭化物を合成することがで
きる。
【００５２】71.5重量％の高Ｃ鉄、25重量％のタングス
テン及び3.5重量％カーボンからなる混合物をドライミ
ルによって十分に混合する。鉄と炭素の粒子サイズは、
-325メッシュ(44ミクロン)であり、タングステン粉末の
平均粒子サイズは2ミクロンである。この複合粉末を次
に850℃の温度で１時間、前焼結を行ない、鉄−タング
ステン−カーボンのアグロメレーションを起こして塊状
集積物を形成する。得られた塊状物を-270メッシュ(-53
ミクロン)に砕いた。
【００５３】次に、この粉末をアルゴン粉末の中に導入
する。急速に加熱すると、タングステンとカーボンは鉄
の中に溶ける。この後、急速な固化によって炭化タング
ステン粒子は鉄基地の中に微細に分散する。
【００５４】プラズマ工程の後、粉末を酸処理して鉄及
び形成された鉄炭化物を除去する。Ｘ線分析によって分
析すると、粉末の残部は、WC、W2C、Ｗ及びＣの混合物
であることがわかった。この混合物を1550℃の温度で１
時間加熱することにより反応は終了する。加熱した粉末
をＸ線分析すると、Ｃ及びW2Cが残存していることがわ
かった。このことから、WCを作るためには加熱時間をも
っと長くする必要のあることがわかる。
【００５５】得られた炭化タングステンの粒子サイズの
分析結果を図９に示す。最大粒子サイズは１ミクロンで
あり、平均粒子サイズは0.2ミクロンであり、元のタン
グステン粉末のサイズの大きさよりも全て小さなオーダ
である。更に、粉末の90％は0.5ミクロン以下であっ
た。0.1ミクロン以下のサイズのものは粉末の37％を占
め、かなり平坦な分布状態で、8％は0.02ミクロン以下
であった。
【００５６】本発明の技術及びガス反応物質の流れ又は
粉末反応物質の流れのどちらか一方を用いることによ
り、所望サイズのAlN、TiN、TiC、TiB2、B4C、WC、TaC
及びSiCの粉末を作ることができる。
【００５７】前述の記載は、本発明にとって特に望まし
いプラズマ炎型熱反応器についてのものであるが、他の
公知技術によってプラズマ炎と同等の炎を作ることので
きるものであれば他の炎反応器を用いることだできるこ
とは理解されるべきである。
【００５８】本発明を説明したが、当該分野の専門家で
あれば、特許請求の範囲に規定された発明の精神から逸
脱することなく変形をなすことはできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の説明図である。
【図２】本発明に使用される装置のアーク形成部の詳細
説明図である。
【図３】反応チャンバーを形成するスリーブの頂部に、
冷却液及び収集液を導入するための機構の詳細説明図で
ある。
【図４】図１と同様な図であって、四塩化珪素をメタン
と反応させて炭化珪素を作る実施例の説明図である。
【図５】本発明のセラミック又はサーメット粉末粒子の
略図である。
【図６】図３と同様な図であって、粉末反応物質を装置
に供給するための粉末フィーダーを内蔵した説明図であ
る。
【図７】ヘキサンで洗浄した後の炭化珪素粉末のＸ線回
折パターンであって、作られた炭化珪素粒子物質の純度
を示す図である。
【図８】SiC粉末の粒子サイズ分布を体積％で示すグラ
フである。
【図９】窒化アルミニウム粉末の粒子サイズ分布を体積
％で示すグラフである。
【図１０】炭化タングステン粉末の粒子サイズ分布を体
積％で示すグラフである。
【符号の説明】
(10) 熱反応器 (11) プラズマトーチ (14) アノード (16) カソード (24) 反応チャンバー (30) スリーブ (34) 溜まり (36) 容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アソーク チャンドラ ダス チャクレイ ダー カナダ国 ブイ６ティー １アール３ ブ リティッシュコロンビア，バンクーバー・ アカディア ロード 1788 (72)発明者 ロバート ジョージ バタース カナダ国 ブイ６エル １ブイ１ ブリテ ィッシュ コロンビア，バンクーバー・ウ エスト キング エドワード アベニュー 2849 (72)発明者 ダグラス アルバート ロス カナダ国 ブイ７イー １エス５ ブリテ ィッシュ コロンビア，リッチモンド・Ｎ ｏ．１ ロード ＃９−11340

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スリーブによって形成された密閉反応チ
    ャンバーを有する炎型熱反応器と、該チャンバーの長手
    方向の第１端部にて反応器の炎を作る手段と、反応物質
    を炎の中に導入する手段と、反応チャンバーの長手方向
    の第２端部にて収集液の溜まりを収容する手段と、収集
    液が環状の流れとなって炎を取り囲みながらチャンバー
    の第１端部から第２端部までをスリーブの内面に沿って
    運ばれて、炎を取り囲みつつ内面を掃除することによっ
    て炎が形成した粒状物を集めて溜まりの中に進入させる
    ことができるように、収集液をスリーブの第１端部に隣
    接するチャンバーの中に導入する手段と、収集液を溜ま
    りから回収して、該収集液をスリーブの頂部に再び導入
    する手段と、収集液によって集められた粒状物質を収集
    液から分離する手段とから構成される、セラミック又は
    サーメット粉末物質の製造装置。
  2. 【請求項２】 反応器炎を作る手段は、プラズマ炎を発
    生させる手段である請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 スリーブの第２端部は、溜まりの中に浸
    っている請求項２に記載の装置。
  4. 【請求項４】 収集液が戻される前に収集液を冷却する
    手段を備え、スリーブを冷却し粒状物質を更に集めるこ
    とができるようにしている請求項２に記載の装置。
  5. 【請求項５】 スリーブの長軸は略垂直である請求項２
    に記載の装置。
  6. 【請求項６】 スリーブは断面略円形であって、頂部で
    収集液を導入するための手段は接線方向の速度成分を有
    する方向に収集液を送ることができるようにしており、
    収集液は、遠心力によってスリーブの内面に作用しなが
    ら螺旋状の径路を辿ってスリーブを流れ落ちるようにし
    ている請求項２に記載の装置。
  7. 【請求項７】 スリーブはその長さ全体を通じて略同じ
    断面形状である請求項６に記載の装置。
  8. 【請求項８】 スリーブの長軸は略垂直である請求項６
    に記載の装置。
  9. 【請求項９】 スリーブは断面略円形であって、頂部で
    収集液を導入するための手段は接線方向の速度成分を有
    する方向に収集液を送ることができるようにしており、
    収集液は、遠心力によってスリーブの内面に作用しなが
    ら螺旋状の径路を辿ってスリーブを流れ落ちるようにし
    ている請求項３に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 スリーブはその長さ全体を通じて略同
    じ断面形状である請求項９に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 スリーブの長軸は略垂直である請求項
    ９に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 スリーブは断面略円形であって、頂部
    で収集液を導入するための手段は接線方向の速度成分を
    有する方向に収集液を送ることができるようにしてお
    り、収集液は、遠心力によってスリーブの内面に作用し
    ながら螺旋状の径路を辿ってスリーブを流れ落ちるよう
    にしている請求項４に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 スリーブはその長さ全体を通じて略同
    じ断面形状である請求項１２に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 スリーブの長軸は略垂直である請求項
    １２に記載の装置。
  15. 【請求項１５】 反応物質のスペースを形成し、該スペ
    ースの一方の端部に反応器炎及び反応物質を送り込み、
    収集液の環状膜によって反応スペースを取り囲んで収集
    液の境界壁を形成すると共に収集液の溜まり表面によっ
    て反応スペースの他方の端部を構成し、反応スペースの
    収集液の中に形成された粒状物質を集め、溜まりから境
    界壁の一方の端部に収集液を連続的に循環させ、粒状物
    質を収集液から分離する工程から構成される、プラズマ
    ジェット炎の中で形成された粒状物質の収集方法。
  16. 【請求項１６】 反応器炎はプラズマ炎である請求項１
    ５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 反応スペースは略垂直なスリーブ内部
    にあって、一方の端部はスリーブの頂部の端部にある請
    求項１５に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 境界壁の頂部に循環される前に、収集
    液が冷却されるようにしている請求項１５に記載の方
    法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008027657A (ja) * 2006-07-19 2008-02-07 Tokyo Institute Of Technology プラズマ源、処理装置及び処理方法
US8641976B2 (en) 2010-02-01 2014-02-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Apparatus for synthesizing nano particles, and method for synthesizing the nano particles using the same
JP2022543382A (ja) * 2019-08-08 2022-10-12 シュミット シリコン テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング シリコン含有材料を製造するための方法及び装置

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4214725C2 (de) * 1992-05-04 1995-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Feinteilige Nichtoxid-Keramikpulver
DE4214720C2 (de) * 1992-05-04 1994-10-13 Starck H C Gmbh Co Kg Vorrichtung zur Herstellung feinteiliger Metall- und Keramikpulver
JPH10505538A (ja) * 1994-08-25 1998-06-02 キューキューシー，インコーポレイテッド ナノ規模の粒子およびその用途
US5749937A (en) * 1995-03-14 1998-05-12 Lockheed Idaho Technologies Company Fast quench reactor and method
US6821500B2 (en) 1995-03-14 2004-11-23 Bechtel Bwxt Idaho, Llc Thermal synthesis apparatus and process
US7576296B2 (en) * 1995-03-14 2009-08-18 Battelle Energy Alliance, Llc Thermal synthesis apparatus
US5707419A (en) * 1995-08-15 1998-01-13 Pegasus Refractory Materials, Inc. Method of production of metal and ceramic powders by plasma atomization
ES2157471T3 (es) * 1995-12-20 2001-08-16 Alcan Int Ltd Reactor termico de plasma y metodo de tratamiento de aguas residuales.
AT404912B (de) * 1996-11-04 1999-03-25 Plansee Ag Verfahren zur herstellung von pulver-pressansätzen für feinkörniges hartmetall
AU2906401A (en) * 1999-12-21 2001-07-03 Bechtel Bwxt Idaho, Llc Hydrogen and elemental carbon production from natural gas and other hydrocarbons
JP3965696B2 (ja) * 2004-02-05 2007-08-29 日立金属株式会社 粉末のプラズマ処理装置および粉末のプラズマ処理方法
EP2138458A1 (en) * 2004-04-19 2009-12-30 SDC Materials, LLC High throughput discovery of materials through vapor phase synthesis
US7717001B2 (en) 2004-10-08 2010-05-18 Sdc Materials, Inc. Apparatus for and method of sampling and collecting powders flowing in a gas stream
US7354561B2 (en) * 2004-11-17 2008-04-08 Battelle Energy Alliance, Llc Chemical reactor and method for chemically converting a first material into a second material
CA2647621A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Northwest Mettech Corporation Method and apparatus for nanopowder and micropowder production using axial injection plasma spray
US9173967B1 (en) 2007-05-11 2015-11-03 SDCmaterials, Inc. System for and method of processing soft tissue and skin with fluids using temperature and pressure changes
US8507401B1 (en) 2007-10-15 2013-08-13 SDCmaterials, Inc. Method and system for forming plug and play metal catalysts
USD627900S1 (en) 2008-05-07 2010-11-23 SDCmaterials, Inc. Glove box
WO2009143626A1 (en) * 2008-05-29 2009-12-03 Northwest Mettech Corp. Method and system for producing coatings from liquid feedstock using axial feed
US8591821B2 (en) * 2009-04-23 2013-11-26 Battelle Energy Alliance, Llc Combustion flame-plasma hybrid reactor systems, and chemical reactant sources
US9126191B2 (en) 2009-12-15 2015-09-08 SDCmaterials, Inc. Advanced catalysts for automotive applications
US8803025B2 (en) 2009-12-15 2014-08-12 SDCmaterials, Inc. Non-plugging D.C. plasma gun
US8545652B1 (en) 2009-12-15 2013-10-01 SDCmaterials, Inc. Impact resistant material
US8557727B2 (en) 2009-12-15 2013-10-15 SDCmaterials, Inc. Method of forming a catalyst with inhibited mobility of nano-active material
US9149797B2 (en) 2009-12-15 2015-10-06 SDCmaterials, Inc. Catalyst production method and system
US8652992B2 (en) 2009-12-15 2014-02-18 SDCmaterials, Inc. Pinning and affixing nano-active material
US9039916B1 (en) 2009-12-15 2015-05-26 SDCmaterials, Inc. In situ oxide removal, dispersal and drying for copper copper-oxide
US8470112B1 (en) 2009-12-15 2013-06-25 SDCmaterials, Inc. Workflow for novel composite materials
US8669202B2 (en) 2011-02-23 2014-03-11 SDCmaterials, Inc. Wet chemical and plasma methods of forming stable PtPd catalysts
AU2012299065B2 (en) 2011-08-19 2015-06-04 SDCmaterials, Inc. Coated substrates for use in catalysis and catalytic converters and methods of coating substrates with washcoat compositions
KR101166070B1 (ko) * 2012-05-21 2012-07-19 김진일 전기분해를 이용한 프라즈마 스크러버
US9511352B2 (en) 2012-11-21 2016-12-06 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
US9156025B2 (en) 2012-11-21 2015-10-13 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
CN105592921A (zh) 2013-07-25 2016-05-18 Sdc材料公司 用于催化转化器的洗涂层和经涂覆基底及其制造和使用方法
US9427732B2 (en) 2013-10-22 2016-08-30 SDCmaterials, Inc. Catalyst design for heavy-duty diesel combustion engines
CN105848756A (zh) 2013-10-22 2016-08-10 Sdc材料公司 用于贫NOx捕捉的组合物
US9687811B2 (en) 2014-03-21 2017-06-27 SDCmaterials, Inc. Compositions for passive NOx adsorption (PNA) systems and methods of making and using same
CN104070175B (zh) * 2014-06-30 2017-01-11 西安建筑科技大学 一种制备金属钼球形微粉或超微粉的方法
CA3034985C (en) 2016-09-07 2023-05-09 Alan W. Burgess High velocity spray torch for spraying internal surfaces
CN109847673B (zh) * 2017-11-30 2021-09-07 中国石油化工股份有限公司 一种电弧等离子体反应器及重油轻质化方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4289952A (en) * 1979-12-12 1981-09-15 Massachusetts Institute Of Technology Process for controlling powder size with optical energy
JPS59208004A (ja) * 1983-05-10 1984-11-26 Toyota Motor Corp 金属微粉末の製造方法
JPS6254005A (ja) * 1985-09-02 1987-03-09 Hitachi Ltd 超微粒子の製造方法
US4756746A (en) * 1986-09-08 1988-07-12 Gte Products Corporation Process of producing fine spherical particles
US4769064A (en) * 1988-01-21 1988-09-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for synthesizing ultrafine powder materials
US4872905A (en) * 1988-05-11 1989-10-10 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of producing non-agglomerating submicron size particles

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008027657A (ja) * 2006-07-19 2008-02-07 Tokyo Institute Of Technology プラズマ源、処理装置及び処理方法
US8641976B2 (en) 2010-02-01 2014-02-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Apparatus for synthesizing nano particles, and method for synthesizing the nano particles using the same
US8641873B2 (en) 2010-02-01 2014-02-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for synthesizing nano particles
JP2022543382A (ja) * 2019-08-08 2022-10-12 シュミット シリコン テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング シリコン含有材料を製造するための方法及び装置

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Publication number Publication date
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