JPH05225830A - 絶縁電線 - Google Patents
絶縁電線Info
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- JPH05225830A JPH05225830A JP4159384A JP15938492A JPH05225830A JP H05225830 A JPH05225830 A JP H05225830A JP 4159384 A JP4159384 A JP 4159384A JP 15938492 A JP15938492 A JP 15938492A JP H05225830 A JPH05225830 A JP H05225830A
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- Organic Insulating Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 可撓性に優れ、しかも損傷し難い絶縁被膜を
有し、耐加工性に優れた絶縁電線を提供する。 【構成】 下記一般式(I) ： 【化１】［上記式中Ｒ1 ，Ｒ2 は明細書に記載のとお
り。］で表される芳香族ジイソシアネート化合物を１０
〜８０モル％の範囲内で含有するジイソシアネート成分
と、酸成分とを原料とするポリアミドイミド系塗料の塗
布、焼付けにより、電線の表面に絶縁被膜を形成する。
有し、耐加工性に優れた絶縁電線を提供する。 【構成】 下記一般式(I) ： 【化１】［上記式中Ｒ1 ，Ｒ2 は明細書に記載のとお
り。］で表される芳香族ジイソシアネート化合物を１０
〜８０モル％の範囲内で含有するジイソシアネート成分
と、酸成分とを原料とするポリアミドイミド系塗料の塗
布、焼付けにより、電線の表面に絶縁被膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえばモータのコア
に捲き付けられる、耐加工性にすぐれた絶縁電線に関す
るものである。
に捲き付けられる、耐加工性にすぐれた絶縁電線に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、機器の小型化、軽量化の傾向に伴
い、モータについても、より小型、軽量で、しかも高性
能のものが要求されるようになってきた。この要求に答
えるには、モータのコアにより多くの絶縁電線を捲き付
ける必要があるが、コアのスロット内に絶縁電線を強引
に詰め込むことになり、捲線工程で絶縁被膜に損傷を生
じる危険性がある。そして、絶縁被膜に損傷が生じる
と、レアー不良やアース不良等が発生し、モータの電気
特性に不具合を生じるという問題がある。
い、モータについても、より小型、軽量で、しかも高性
能のものが要求されるようになってきた。この要求に答
えるには、モータのコアにより多くの絶縁電線を捲き付
ける必要があるが、コアのスロット内に絶縁電線を強引
に詰め込むことになり、捲線工程で絶縁被膜に損傷を生
じる危険性がある。そして、絶縁被膜に損傷が生じる
と、レアー不良やアース不良等が発生し、モータの電気
特性に不具合を生じるという問題がある。
【０００３】そこで、通常は、ポリアミドイミド系の塗
料の塗布、焼付けにより形成された、機械的強度にすぐ
れた絶縁被膜を有する絶縁電線が、上記用途に使用され
ている。なお、ポリアミドイミドとしては、下記式(II)
で表されるジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネ
ートとトリメリット酸無水物との反応生成物が、一般的
に使用される（たとえば特公昭４４−１９２７４号公
報、特公昭４５−２７６１１号公報等参照）。
料の塗布、焼付けにより形成された、機械的強度にすぐ
れた絶縁被膜を有する絶縁電線が、上記用途に使用され
ている。なお、ポリアミドイミドとしては、下記式(II)
で表されるジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネ
ートとトリメリット酸無水物との反応生成物が、一般的
に使用される（たとえば特公昭４４−１９２７４号公
報、特公昭４５−２７６１１号公報等参照）。
【０００４】
【化２】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、最近ではさら
に小型、軽量で性能の良いモータが要求され、それに対
応すべく、絶縁電線の捲線量がさらに増大する傾向にあ
り、ポリアミドイミド系の絶縁被膜でも損傷を生じるこ
とが多くなってきた。そこで、絶縁被膜の損傷を少しで
も減少させるために、たとえば有機または無機の潤滑剤
等を塗料に配合して、絶縁被膜の表面に潤滑性を付与す
ることが検討されているが、この方法では、絶縁被膜の
損傷を根本的に解決することはできない。
に小型、軽量で性能の良いモータが要求され、それに対
応すべく、絶縁電線の捲線量がさらに増大する傾向にあ
り、ポリアミドイミド系の絶縁被膜でも損傷を生じるこ
とが多くなってきた。そこで、絶縁被膜の損傷を少しで
も減少させるために、たとえば有機または無機の潤滑剤
等を塗料に配合して、絶縁被膜の表面に潤滑性を付与す
ることが検討されているが、この方法では、絶縁被膜の
損傷を根本的に解決することはできない。
【０００６】絶縁被膜の機械的強度をさらに向上すれば
損傷の発生を減少できるが、単に機械的強度を向上させ
たのでは、被膜が剛直で可撓性に劣るものとなり、電線
を曲げた際に割れたり剥離したりしやすくなって、絶縁
電線の加工性が悪化するという問題がある。本発明は、
以上の事情に鑑みてなされたものであって、可撓性にす
ぐれ、しかも損傷し難い絶縁被膜を有し、耐加工性にす
ぐれた絶縁電線を提供することを目的としている。
損傷の発生を減少できるが、単に機械的強度を向上させ
たのでは、被膜が剛直で可撓性に劣るものとなり、電線
を曲げた際に割れたり剥離したりしやすくなって、絶縁
電線の加工性が悪化するという問題がある。本発明は、
以上の事情に鑑みてなされたものであって、可撓性にす
ぐれ、しかも損傷し難い絶縁被膜を有し、耐加工性にす
ぐれた絶縁電線を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するため、本発明者らは、ポリアミドイミドの構造に
ついて検討を行い、その結果、下記一般式(I) ：
決するため、本発明者らは、ポリアミドイミドの構造に
ついて検討を行い、その結果、下記一般式(I) ：
【０００８】
【化３】
【０００９】［上記式中Ｒ1 ，Ｒ2 は、同一または異な
って、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示す。］で表される芳香族ジイソシアネート
化合物を、原料としてのジイソシアネート成分中に含有
させて、ポリアミドイミドの構造中にビフェニル部分を
導入すると、当該絶縁被膜の弾性率が向上して、可撓性
にすぐれ、しかも、損傷し難い絶縁被膜を形成できるこ
とを見出した。そして、上記一般式(I) で表される芳香
族ジイソシアネート化合物の含有割合についてさらに検
討を行った結果、本発明を完成するに至った。
って、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示す。］で表される芳香族ジイソシアネート
化合物を、原料としてのジイソシアネート成分中に含有
させて、ポリアミドイミドの構造中にビフェニル部分を
導入すると、当該絶縁被膜の弾性率が向上して、可撓性
にすぐれ、しかも、損傷し難い絶縁被膜を形成できるこ
とを見出した。そして、上記一般式(I) で表される芳香
族ジイソシアネート化合物の含有割合についてさらに検
討を行った結果、本発明を完成するに至った。
【００１０】すなわち本発明の絶縁電線は、少なくとも
ジイソシアネート成分と酸成分とを原料とするポリアミ
ドイミド系塗料の塗布、焼付けにより形成された絶縁被
膜を有する絶縁電線において、原料としてのジイソシア
ネート成分が、上記一般式(I) で表される芳香族ジイソ
シアネート化合物を１０〜８０モル％の範囲内で含有す
ることを特徴とする。
ジイソシアネート成分と酸成分とを原料とするポリアミ
ドイミド系塗料の塗布、焼付けにより形成された絶縁被
膜を有する絶縁電線において、原料としてのジイソシア
ネート成分が、上記一般式(I) で表される芳香族ジイソ
シアネート化合物を１０〜８０モル％の範囲内で含有す
ることを特徴とする。
【００１１】ポリアミドイミド系塗料の原料の一つであ
るジイソシアネート成分のうち、一般式(I) で表される
芳香族ジイソシアネート化合物の具体例としては、たと
えばビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、ビフェ
ニル−３，３′−ジイソシアネート、ビフェニル−３，
４′−ジイソシアネート、３，３′−ジクロロビフェニ
ル−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−ジクロロ
ビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−
ジブロモビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、
２，２′−ジブロモビフェニル−４，４′−ジイソシア
ネート、３，３′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジ
イソシアネート、２，２′−ジメチルビフェニル−４，
４′−ジイソシアネート、２，３′−ジメチルビフェニ
ル−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジエチル
ビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−
ジエチルビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、
３，３′−ジメトキシビフェニル−４，４′−ジイソシ
アネート、２，２′−ジメトキシビフェニル−４，４′
−ジイソシアネート、２，３′−ジメトキシビフェニル
−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジエトキシ
ビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−
ジエトキシビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、
２，３′−ジエトキシビフェニル−４，４′−ジイソシ
アネート等があげられる。これらは単独で、あるいは２
種以上混合して使用される。
るジイソシアネート成分のうち、一般式(I) で表される
芳香族ジイソシアネート化合物の具体例としては、たと
えばビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、ビフェ
ニル−３，３′−ジイソシアネート、ビフェニル−３，
４′−ジイソシアネート、３，３′−ジクロロビフェニ
ル−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−ジクロロ
ビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−
ジブロモビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、
２，２′−ジブロモビフェニル−４，４′−ジイソシア
ネート、３，３′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジ
イソシアネート、２，２′−ジメチルビフェニル−４，
４′−ジイソシアネート、２，３′−ジメチルビフェニ
ル−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジエチル
ビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−
ジエチルビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、
３，３′−ジメトキシビフェニル−４，４′−ジイソシ
アネート、２，２′−ジメトキシビフェニル−４，４′
−ジイソシアネート、２，３′−ジメトキシビフェニル
−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジエトキシ
ビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、２，２′−
ジエトキシビフェニル−４，４′−ジイソシアネート、
２，３′−ジエトキシビフェニル−４，４′−ジイソシ
アネート等があげられる。これらは単独で、あるいは２
種以上混合して使用される。
【００１２】上記各芳香族ジイソシアネート化合物の中
でも、入手のしやすさやコスト等の点で、下記式(Ia)で
表される３，３′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジ
イソシアネートが、本発明に最も好適に使用される。
でも、入手のしやすさやコスト等の点で、下記式(Ia)で
表される３，３′−ジメチルビフェニル−４，４′−ジ
イソシアネートが、本発明に最も好適に使用される。
【００１３】
【化４】
【００１４】一般式(I) で表される芳香族ジイソシアネ
ート化合物とともにジイソシアネート成分中に含まれる
他のジイソシアネートとしては、たとえばジフェニルメ
タン−４，４′−ジイソシアネート、ジフェニルメタン
−３，３′−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−
３，４′−ジイソシアネート、ジフェニルエーテル−
４，４′−ジイソシアネート、ベンゾフェノン−４，
４′−ジイソシアネート、ジフェニルスルホン−４，
４′−ジイソシアネート、トリレン−２，４−ジイソシ
アネート、トリレン−２，６−ジイソシアネート、ｍ−
キシリレンジイソシアネート、ｐ−キシリレンジイソシ
アネート等、従来公知の種々のジイソシアネート化合物
があげられる。これらは単独で、あるいは２種以上混合
して使用される。
ート化合物とともにジイソシアネート成分中に含まれる
他のジイソシアネートとしては、たとえばジフェニルメ
タン−４，４′−ジイソシアネート、ジフェニルメタン
−３，３′−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−
３，４′−ジイソシアネート、ジフェニルエーテル−
４，４′−ジイソシアネート、ベンゾフェノン−４，
４′−ジイソシアネート、ジフェニルスルホン−４，
４′−ジイソシアネート、トリレン−２，４−ジイソシ
アネート、トリレン−２，６−ジイソシアネート、ｍ−
キシリレンジイソシアネート、ｐ−キシリレンジイソシ
アネート等、従来公知の種々のジイソシアネート化合物
があげられる。これらは単独で、あるいは２種以上混合
して使用される。
【００１５】上記各ジイソシアネート化合物の中でも、
入手のしやすさやコスト等の点で、前記式(II)で表され
るジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネートが、
好適に使用される。上記ジイソシアネート成分とともに
ポリアミドイミド系塗料を構成する酸成分としては、ト
リメリット酸、トリメリット酸無水物、トリメリット酸
クロライド、または、トリメリット酸の誘導体のうちの
三塩基酸等があげられる。とくに、入手のしやすさやコ
スト等の点で、下記式(III) で表されるトリメリット酸
無水物が、好適に使用される。
入手のしやすさやコスト等の点で、前記式(II)で表され
るジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネートが、
好適に使用される。上記ジイソシアネート成分とともに
ポリアミドイミド系塗料を構成する酸成分としては、ト
リメリット酸、トリメリット酸無水物、トリメリット酸
クロライド、または、トリメリット酸の誘導体のうちの
三塩基酸等があげられる。とくに、入手のしやすさやコ
スト等の点で、下記式(III) で表されるトリメリット酸
無水物が、好適に使用される。
【００１６】
【化５】
【００１７】また酸成分中には、テトラカルボン酸無水
物や二塩基酸、たとえば、ピロメリット酸二無水物、ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸二無水物、テレフタル酸、イソフタル酸、スル
ホテレフタル酸、ジクエン酸、２，５−チオフェンジカ
ルボン酸、４，５−フェナントレンジカルボン酸、ベン
ゾフェノン−４，４′−ジカルボン酸、フタルジイミド
ジカルボン酸、ビフェニルジカルボン酸、２，６−ナフ
タレンジカルボン酸、ジフェニルスルホン−４，４′−
ジカルボン酸、アジピン酸等を、一部添加することもで
きる。
物や二塩基酸、たとえば、ピロメリット酸二無水物、ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸二無水物、テレフタル酸、イソフタル酸、スル
ホテレフタル酸、ジクエン酸、２，５−チオフェンジカ
ルボン酸、４，５−フェナントレンジカルボン酸、ベン
ゾフェノン−４，４′−ジカルボン酸、フタルジイミド
ジカルボン酸、ビフェニルジカルボン酸、２，６−ナフ
タレンジカルボン酸、ジフェニルスルホン−４，４′−
ジカルボン酸、アジピン酸等を、一部添加することもで
きる。
【００１８】前記一般式(I) で表される芳香族ジイソシ
アネート化合物の、ジイソシアネート成分中に占める割
合が１０〜８０モル％の範囲内に限定されるのは、以下
の理由による。つまり、一般式(I) で表される芳香族ジ
イソシアネート化合物の割合が１０モル％未満では、当
該芳香族ジイソシアネート化合物の添加効果が得られ
ず、絶縁被膜が損傷しやすいものとなってしまう。一
方、一般式(I) で表される芳香族ジイソシアネート化合
物の割合が８０モル％を超えると、絶縁被膜が剛直で可
撓性に劣り、割れたり剥離したりしやすいものとなって
しまう。
アネート化合物の、ジイソシアネート成分中に占める割
合が１０〜８０モル％の範囲内に限定されるのは、以下
の理由による。つまり、一般式(I) で表される芳香族ジ
イソシアネート化合物の割合が１０モル％未満では、当
該芳香族ジイソシアネート化合物の添加効果が得られ
ず、絶縁被膜が損傷しやすいものとなってしまう。一
方、一般式(I) で表される芳香族ジイソシアネート化合
物の割合が８０モル％を超えると、絶縁被膜が剛直で可
撓性に劣り、割れたり剥離したりしやすいものとなって
しまう。
【００１９】なお、一般式(I) で表される芳香族ジイソ
シアネート化合物の、ジイソシアネート成分中に占める
割合は、上記範囲の中でもとくに、３０〜６０モル％の
範囲内であるのが好ましい。一般式(I) で表される芳香
族ジイソシアネート化合物の、ジイソシアネート成分中
に占める割合が６０〜８０モル％である場合には、絶縁
被膜の可撓性を維持するため、酸成分中に、下記式(I
V)：
シアネート化合物の、ジイソシアネート成分中に占める
割合は、上記範囲の中でもとくに、３０〜６０モル％の
範囲内であるのが好ましい。一般式(I) で表される芳香
族ジイソシアネート化合物の、ジイソシアネート成分中
に占める割合が６０〜８０モル％である場合には、絶縁
被膜の可撓性を維持するため、酸成分中に、下記式(I
V)：
【００２０】
【化６】
【００２１】で表されるイソフタル酸等の、分子中に折
れ曲がり構造を有する酸を、好ましくは５〜４０モル％
の範囲内、より好ましくは１０〜３０モル％の範囲内で
含有させるのがよい。分子中に折れ曲がり構造を有する
酸としては、上記イソフタル酸の他、ｏ−フタル酸、ベ
ンゾフェノンジカルボン酸、ジフェニルスルフォンジカ
ルボン酸、ジフェニルメタンジカルボン酸等があげられ
る。
れ曲がり構造を有する酸を、好ましくは５〜４０モル％
の範囲内、より好ましくは１０〜３０モル％の範囲内で
含有させるのがよい。分子中に折れ曲がり構造を有する
酸としては、上記イソフタル酸の他、ｏ−フタル酸、ベ
ンゾフェノンジカルボン酸、ジフェニルスルフォンジカ
ルボン酸、ジフェニルメタンジカルボン酸等があげられ
る。
【００２２】原料としての酸成分中に上記酸を含有させ
ると、ポリアミドイミドの構造中に、上記酸に起因する
屈曲部分が生じて、絶縁被膜の可撓性が向上する。な
お、上記分子中に折れ曲がり構造を有する酸の割合が５
モル％未満では可撓性向上の効果が十分に得られないお
それがあり、逆に４０モル％を超えると、一般式(I) で
表される芳香族ジイソシアネート化合物の添加による弾
性率向上の効果が阻害され、絶縁被膜が損傷しやすいも
のとなるおそれがある。
ると、ポリアミドイミドの構造中に、上記酸に起因する
屈曲部分が生じて、絶縁被膜の可撓性が向上する。な
お、上記分子中に折れ曲がり構造を有する酸の割合が５
モル％未満では可撓性向上の効果が十分に得られないお
それがあり、逆に４０モル％を超えると、一般式(I) で
表される芳香族ジイソシアネート化合物の添加による弾
性率向上の効果が阻害され、絶縁被膜が損傷しやすいも
のとなるおそれがある。
【００２３】上記ジイソシアネート成分と酸成分とか
ら、本発明に使用されるポリアミドイミド系塗料を製造
するには、たとえば、略化学量論量のジイソシアネート
成分と酸成分とを適当な有機溶媒中で共重合させる、従
来のポリアミドイミド系塗料と同様の製造方法を採用す
ることができる。より詳細には、一般式(I) で表される
芳香族ジイソシアネート化合物を前記の割合で配合した
ジイソシアネート成分を、略等モル量の酸成分ととも
に、適当な有機溶媒中で０〜１８０℃の温度で１〜２４
時間反応させると、上記芳香族ジイソシアネート化合物
を含むジイソシアネート成分と酸成分との共重合体であ
るポリアミドイミドが、有機溶媒中に溶解または分散し
たポリアミドイミド系塗料が得られる。
ら、本発明に使用されるポリアミドイミド系塗料を製造
するには、たとえば、略化学量論量のジイソシアネート
成分と酸成分とを適当な有機溶媒中で共重合させる、従
来のポリアミドイミド系塗料と同様の製造方法を採用す
ることができる。より詳細には、一般式(I) で表される
芳香族ジイソシアネート化合物を前記の割合で配合した
ジイソシアネート成分を、略等モル量の酸成分ととも
に、適当な有機溶媒中で０〜１８０℃の温度で１〜２４
時間反応させると、上記芳香族ジイソシアネート化合物
を含むジイソシアネート成分と酸成分との共重合体であ
るポリアミドイミドが、有機溶媒中に溶解または分散し
たポリアミドイミド系塗料が得られる。
【００２４】また、本発明に使用されるポリアミドイミ
ド系塗料としては、一般式(I) で表される芳香族ジイソ
シアネート化合物と酸成分とを原料として製造したポリ
アミドイミド系塗料と、上記芳香族ジイソシアネート化
合物以外のジイソシアネート化合物と酸成分とを原料と
して製造したポリアミドイミド系塗料とを配合したもの
も使用可能である。この場合には、原料としての全ジイ
ソシアネート成分中の、一般式(I) で表される芳香族ジ
イソシアネート化合物の割合が１０〜８０モル％の範囲
内になるように、両塗料の配合割合を調整すればよい。
ド系塗料としては、一般式(I) で表される芳香族ジイソ
シアネート化合物と酸成分とを原料として製造したポリ
アミドイミド系塗料と、上記芳香族ジイソシアネート化
合物以外のジイソシアネート化合物と酸成分とを原料と
して製造したポリアミドイミド系塗料とを配合したもの
も使用可能である。この場合には、原料としての全ジイ
ソシアネート成分中の、一般式(I) で表される芳香族ジ
イソシアネート化合物の割合が１０〜８０モル％の範囲
内になるように、両塗料の配合割合を調整すればよい。
【００２５】なお、本発明に使用されるポリアミドイミ
ド系塗料には、さらに必要に応じて、顔料、染料、無機
または有機のフィラー、潤滑剤等の各種添加剤を添加し
てもよい。本発明の絶縁電線は、上記ポリアミドイミド
系塗料を電線の表面に塗布し、焼付けて絶縁被膜を形成
することで製造される。
ド系塗料には、さらに必要に応じて、顔料、染料、無機
または有機のフィラー、潤滑剤等の各種添加剤を添加し
てもよい。本発明の絶縁電線は、上記ポリアミドイミド
系塗料を電線の表面に塗布し、焼付けて絶縁被膜を形成
することで製造される。
【００２６】絶縁被膜の膜厚については本発明ではとく
に限定されず、電線のサイズ等に応じて、従来と同程度
の膜厚に形成することができる。絶縁被膜の下層には、
当該絶縁被膜および電線との密着性のよい材料からなる
下地層を設けることもできる。下地層としては、ポリウ
レタン系、ポリエステル系、ポリエステルイミド系、ポ
リエステルアミドイミド系、ポリアミドイミド系、ポリ
イミド系等、従来公知の種々の絶縁塗料の塗布、焼付け
により形成される絶縁膜があげられる。中でも、電線や
絶縁被膜との密着性、或いは、被膜の機械的強度等の観
点から、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネー
トとトリメリット酸無水物とを含むポリアミドイミド系
塗料の塗布、焼付けにより形成される下地層が好まし
い。
に限定されず、電線のサイズ等に応じて、従来と同程度
の膜厚に形成することができる。絶縁被膜の下層には、
当該絶縁被膜および電線との密着性のよい材料からなる
下地層を設けることもできる。下地層としては、ポリウ
レタン系、ポリエステル系、ポリエステルイミド系、ポ
リエステルアミドイミド系、ポリアミドイミド系、ポリ
イミド系等、従来公知の種々の絶縁塗料の塗布、焼付け
により形成される絶縁膜があげられる。中でも、電線や
絶縁被膜との密着性、或いは、被膜の機械的強度等の観
点から、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネー
トとトリメリット酸無水物とを含むポリアミドイミド系
塗料の塗布、焼付けにより形成される下地層が好まし
い。
【００２７】下地層の膜厚についても本発明ではとくに
限定されないが、被膜の機械的強度等を考慮すれば、絶
縁被膜と下地層との膜厚の比が１／１０〜１０／１の範
囲内であることが好ましい。絶縁被膜の上層には、絶縁
被膜の表面に潤滑性を付与すべく、表面潤滑層を設けて
もよい。
限定されないが、被膜の機械的強度等を考慮すれば、絶
縁被膜と下地層との膜厚の比が１／１０〜１０／１の範
囲内であることが好ましい。絶縁被膜の上層には、絶縁
被膜の表面に潤滑性を付与すべく、表面潤滑層を設けて
もよい。
【００２８】表面潤滑層としては、流動パラフィン、固
形パラフィンといったパラフィン類の塗膜も使用できる
が、耐久性等を考慮すると、各種ワックス、ポリエチレ
ン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の潤滑剤をバインダ
ー樹脂で結着した表面潤滑層がより好ましい。
形パラフィンといったパラフィン類の塗膜も使用できる
が、耐久性等を考慮すると、各種ワックス、ポリエチレ
ン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の潤滑剤をバインダ
ー樹脂で結着した表面潤滑層がより好ましい。
【００２９】
【実施例】以下に、本発明の絶縁電線を、実施例並びに
比較例に基づいて説明する。実施例１ 温度計、冷却管、塩化カルシウム充填管、攪拌器、窒素
吹き込み管を取り付けたフラスコ中に、上記窒素吹き込
み管から毎分１５０mlの窒素ガスを流しながら、１０
８．６ｇのトリメリット酸無水物（以下「ＴＭＡ」とい
う）と、２９．９ｇの３，３′−ジメチルビフェニル−
４，４′−ジイソシアネート（以下「ＴＯＤＩ」とい
う）と、１１３．１ｇのジフェニルメタン−４，４′−
ジイソシアネート（以下「ＭＤＩ」という）とを投入し
た。ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割合は２
０モル％であった。
比較例に基づいて説明する。実施例１ 温度計、冷却管、塩化カルシウム充填管、攪拌器、窒素
吹き込み管を取り付けたフラスコ中に、上記窒素吹き込
み管から毎分１５０mlの窒素ガスを流しながら、１０
８．６ｇのトリメリット酸無水物（以下「ＴＭＡ」とい
う）と、２９．９ｇの３，３′−ジメチルビフェニル−
４，４′−ジイソシアネート（以下「ＴＯＤＩ」とい
う）と、１１３．１ｇのジフェニルメタン−４，４′−
ジイソシアネート（以下「ＭＤＩ」という）とを投入し
た。ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割合は２
０モル％であった。
【００３０】つぎに、上記フラスコ中に６３７ｇのＮ−
メチル−２−ピロリドンを入れ、攪拌器で攪拌しつつ８
０℃で３時間加熱し、さらに、３時間かけて１４０℃ま
で昇温した後、１４０℃で１時間加熱した。そして、１
時間経過した段階で加熱を止め、放冷して、濃度２５％
のポリアミドイミド系塗料を得た。このポリアミドイミ
ド系塗料を、直径１．０mmの銅線表面に、常法によって
塗布、焼付けして、膜厚３５μｍの絶縁被膜を有する絶
縁電線を作製した。
メチル−２−ピロリドンを入れ、攪拌器で攪拌しつつ８
０℃で３時間加熱し、さらに、３時間かけて１４０℃ま
で昇温した後、１４０℃で１時間加熱した。そして、１
時間経過した段階で加熱を止め、放冷して、濃度２５％
のポリアミドイミド系塗料を得た。このポリアミドイミ
ド系塗料を、直径１．０mmの銅線表面に、常法によって
塗布、焼付けして、膜厚３５μｍの絶縁被膜を有する絶
縁電線を作製した。
【００３１】実施例２ ポリアミドイミド系塗料作製時のＴＯＤＩおよびＭＤＩ
の仕込み量を、ＴＯＤＩ＝５９．７ｇ、ＭＤＩ＝８４．
８ｇ、ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割合を
４０モル％としたこと以外は、上記実施例１と同様にし
て絶縁電線を作製した。
の仕込み量を、ＴＯＤＩ＝５９．７ｇ、ＭＤＩ＝８４．
８ｇ、ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割合を
４０モル％としたこと以外は、上記実施例１と同様にし
て絶縁電線を作製した。
【００３２】実施例３ ポリアミドイミド系塗料作製時のＴＯＤＩおよびＭＤＩ
の仕込み量を、ＴＯＤＩ＝７４．７ｇ、ＭＤＩ＝７０．
７ｇ、ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割合を
５０モル％としたこと以外は、上記実施例１と同様にし
て絶縁電線を作製した。
の仕込み量を、ＴＯＤＩ＝７４．７ｇ、ＭＤＩ＝７０．
７ｇ、ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割合を
５０モル％としたこと以外は、上記実施例１と同様にし
て絶縁電線を作製した。
【００３３】実施例４ ポリアミドイミド系塗料作製時のＴＯＤＩおよびＭＤＩ
の仕込み量を、ＴＯＤＩ＝８９．６ｇ、ＭＤＩ＝５６．
６ｇ、ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割合を
６０モル％としたこと以外は、上記実施例１と同様にし
て絶縁電線を作製した。
の仕込み量を、ＴＯＤＩ＝８９．６ｇ、ＭＤＩ＝５６．
６ｇ、ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割合を
６０モル％としたこと以外は、上記実施例１と同様にし
て絶縁電線を作製した。
【００３４】実施例５ ポリアミドイミド系塗料作製時のＴＯＤＩおよびＭＤＩ
の仕込み量を、ＴＯＤＩ＝１１２．０ｇ、ＭＤＩ＝３
５．３ｇ、ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割
合を７５モル％としたこと以外は、上記実施例１と同様
にして絶縁電線を作製した。
の仕込み量を、ＴＯＤＩ＝１１２．０ｇ、ＭＤＩ＝３
５．３ｇ、ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割
合を７５モル％としたこと以外は、上記実施例１と同様
にして絶縁電線を作製した。
【００３５】比較例１ ポリアミドイミド系塗料作製時にＴＯＤＩを仕込まず、
ＭＤＩを１４１．４ｇ仕込んだこと以外は、上記実施例
１と同様にして絶縁電線を作製した。比較例２ ポリアミドイミド系塗料作製時にＭＤＩを仕込まず、Ｔ
ＯＤＩを１４９．３ｇ仕込んだこと以外は、上記実施例
１と同様にして絶縁電線を作製した。
ＭＤＩを１４１．４ｇ仕込んだこと以外は、上記実施例
１と同様にして絶縁電線を作製した。比較例２ ポリアミドイミド系塗料作製時にＭＤＩを仕込まず、Ｔ
ＯＤＩを１４９．３ｇ仕込んだこと以外は、上記実施例
１と同様にして絶縁電線を作製した。
【００３６】実施例６ 直径１．０mmの銅線表面に、ジフェニルメタン−４，
４′−ジイソシアネートとＴＭＡとを含む市販のポリア
ミドイミド系塗料（日立化成社製の品番ＨＩ−４００）
を常法によって塗布、焼付けして、膜厚１７μｍの下地
層を形成した。つぎにこの下地層上に、実施例３で使用
したのと同じポリアミドイミド系塗料を常法によって塗
布、焼付けして、膜厚１８μｍの絶縁被膜を形成し、絶
縁電線を作製した。
４′−ジイソシアネートとＴＭＡとを含む市販のポリア
ミドイミド系塗料（日立化成社製の品番ＨＩ−４００）
を常法によって塗布、焼付けして、膜厚１７μｍの下地
層を形成した。つぎにこの下地層上に、実施例３で使用
したのと同じポリアミドイミド系塗料を常法によって塗
布、焼付けして、膜厚１８μｍの絶縁被膜を形成し、絶
縁電線を作製した。
【００３７】実施例７ 直径１．０mmの銅線表面に、ポリエステルイミド系塗料
（日触スケネクタディー社製の商品名アイソミッド４０
−ＳＨ）を常法によって塗布、焼付けして、膜厚１０μ
ｍの下地層を形成した。つぎにこの下地層上に、実施例
３で使用したのと同じポリアミドイミド系塗料を常法に
よって塗布、焼付けして、膜厚２５μｍの絶縁被膜を形
成し、絶縁電線を作製した。
（日触スケネクタディー社製の商品名アイソミッド４０
−ＳＨ）を常法によって塗布、焼付けして、膜厚１０μ
ｍの下地層を形成した。つぎにこの下地層上に、実施例
３で使用したのと同じポリアミドイミド系塗料を常法に
よって塗布、焼付けして、膜厚２５μｍの絶縁被膜を形
成し、絶縁電線を作製した。
【００３８】上記各実施例、比較例の絶縁電線につい
て、以下の各試験を行った。外観評価 上記各実施例、比較例の絶縁電線の外観を、目視にて観
察した。弾性率測定 実施例、比較例の絶縁電線から銅線をエッチング除去
し、残った絶縁被膜（長さ６cm）を、引張試験機を用い
て、チャック間隔３cm、引張速度１mm／分の条件で引張
試験し、得られたＳ−Ｓカーブがら弾性率（kg／mm2 ）
を求めた。
て、以下の各試験を行った。外観評価 上記各実施例、比較例の絶縁電線の外観を、目視にて観
察した。弾性率測定 実施例、比較例の絶縁電線から銅線をエッチング除去
し、残った絶縁被膜（長さ６cm）を、引張試験機を用い
て、チャック間隔３cm、引張速度１mm／分の条件で引張
試験し、得られたＳ−Ｓカーブがら弾性率（kg／mm2 ）
を求めた。
【００３９】可撓性試験 実施例、比較例の絶縁電線に、直径１mmのものから１mm
ずつ段階的に直径が大きくなる複数の丸棒を順次あてが
って、電線を丸棒の外形に対応させて曲げた際の、絶縁
被膜の割れや剥離を観察し、絶縁被膜に異状が見られな
かった最小の丸棒の直径ｄ（mm）を記録した。
ずつ段階的に直径が大きくなる複数の丸棒を順次あてが
って、電線を丸棒の外形に対応させて曲げた際の、絶縁
被膜の割れや剥離を観察し、絶縁被膜に異状が見られな
かった最小の丸棒の直径ｄ（mm）を記録した。
【００４０】急伸切断試験 実施例、比較例の絶縁電線を両端から急速に引っ張り、
急伸させて切断した後、切断部分における、被膜の銅線
からの浮き量（mm）を測定した。ピアノ線損傷荷重測定 実施例、比較例の絶縁電線に直交させてピアノ線を重ね
合わせ、ピアノ線に種々の重さの荷重をかけた状態でピ
アノ線を引抜き、絶縁被膜が損傷する荷重を記録した。
急伸させて切断した後、切断部分における、被膜の銅線
からの浮き量（mm）を測定した。ピアノ線損傷荷重測定 実施例、比較例の絶縁電線に直交させてピアノ線を重ね
合わせ、ピアノ線に種々の重さの荷重をかけた状態でピ
アノ線を引抜き、絶縁被膜が損傷する荷重を記録した。
【００４１】以上の結果を表１に示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】上記表１の結果より、ジイソシアネート成
分としてＴＯＤＩを含有しない比較例１の絶縁電線で
は、絶縁被膜の弾性率が低く、また、ピアノ線損傷荷重
測定の結果より、絶縁被膜が損傷し易いことが判った。
一方、ジイソシアネート成分が１００％ＴＯＤＩである
比較例２の絶縁電線では、可撓性試験の結果より、絶縁
被膜の可撓性が悪く、また、急伸切断試験の結果より、
絶縁被膜が銅線から剥離し易いことが判った。
分としてＴＯＤＩを含有しない比較例１の絶縁電線で
は、絶縁被膜の弾性率が低く、また、ピアノ線損傷荷重
測定の結果より、絶縁被膜が損傷し易いことが判った。
一方、ジイソシアネート成分が１００％ＴＯＤＩである
比較例２の絶縁電線では、可撓性試験の結果より、絶縁
被膜の可撓性が悪く、また、急伸切断試験の結果より、
絶縁被膜が銅線から剥離し易いことが判った。
【００４４】これに対し実施例１〜７の絶縁電線は何れ
も、損傷し難く、しかも、可撓性にすぐれるとともに、
銅線から剥離し難い絶縁被膜を有することが判った。ま
た、上記各実施例の結果より、ＴＯＤＩの割合が高くな
る程、絶縁被膜の弾性率が向上し、かつ、絶縁被膜が損
傷し難くなるが、絶縁被膜の可撓性や密着性は、ＴＯＤ
Ｉの割合が低い程好ましく、両特性のバランスを考慮す
ると、ＴＯＤＩの割合が３０〜６０モル％の範囲内にあ
る実施例２〜４がとくに優れたものであることが判っ
た。
も、損傷し難く、しかも、可撓性にすぐれるとともに、
銅線から剥離し難い絶縁被膜を有することが判った。ま
た、上記各実施例の結果より、ＴＯＤＩの割合が高くな
る程、絶縁被膜の弾性率が向上し、かつ、絶縁被膜が損
傷し難くなるが、絶縁被膜の可撓性や密着性は、ＴＯＤ
Ｉの割合が低い程好ましく、両特性のバランスを考慮す
ると、ＴＯＤＩの割合が３０〜６０モル％の範囲内にあ
る実施例２〜４がとくに優れたものであることが判っ
た。
【００４５】さらに、ＴＯＤＩの割合が同じ実施例３と
実施例６，７の結果を比較すると、実施例６，７はいず
れも、実施例３に比べて急伸切断試験による絶縁被膜の
浮き量が小さいことから、下地層を形成することで、他
の特性をそのまま維持しつつ、被膜の密着性をさらに向
上できることが判った。一方向摩耗試験 前記実施例３および比較例１の絶縁電線について、ＪＩ
Ｓ Ｃ−３００３「エナメル銅線及びエナメルアルミニ
ウム線試験方法」に所載の測定方法により、絶縁被膜の
一方向摩耗量を測定した。
実施例６，７の結果を比較すると、実施例６，７はいず
れも、実施例３に比べて急伸切断試験による絶縁被膜の
浮き量が小さいことから、下地層を形成することで、他
の特性をそのまま維持しつつ、被膜の密着性をさらに向
上できることが判った。一方向摩耗試験 前記実施例３および比較例１の絶縁電線について、ＪＩ
Ｓ Ｃ−３００３「エナメル銅線及びエナメルアルミニ
ウム線試験方法」に所載の測定方法により、絶縁被膜の
一方向摩耗量を測定した。
【００４６】絶縁破壊電圧測定 前記実施例３および比較例１の絶縁電線について、ＪＩ
Ｓ Ｃ−３００３「エナメル銅線及びエナメルアルミニ
ウム線試験方法」に所載の二個より法により、絶縁被膜
の絶縁破壊電圧を測定した。以上の結果を表２に示す。
なお、表中各欄の括弧内は、それぞれのデータの標準偏
差値を表している。
Ｓ Ｃ−３００３「エナメル銅線及びエナメルアルミニ
ウム線試験方法」に所載の二個より法により、絶縁被膜
の絶縁破壊電圧を測定した。以上の結果を表２に示す。
なお、表中各欄の括弧内は、それぞれのデータの標準偏
差値を表している。
【００４７】
【表２】
【００４８】上記表２の結果より、実施例３の絶縁電線
における絶縁被膜は、従来品である比較例１の絶縁電線
における絶縁被膜と同レベルの耐圧性を有する上、この
比較例１における絶縁被膜に比べて耐摩耗性にすぐれた
ものであることが判った。実施例８ 比較例１で作製した、ジイソシアネート成分としてＭＤ
Ｉのみを含むポリアミドイミド系塗料と、比較例２で作
製した、ジイソシアネート成分としてＴＯＤＩのみを含
むポリアミドイミド系塗料とを、原料段階でのＴＯＤＩ
とＭＤＩとのモル比がＴＯＤＩ／ＭＤＩ＝２０／８０と
なるように配合し、十分に攪拌混合してポリアミドイミ
ド系塗料を作製した。そして、このポリアミドイミド系
塗料を使用して、前記実施例１と同様にして絶縁電線を
作製した。
における絶縁被膜は、従来品である比較例１の絶縁電線
における絶縁被膜と同レベルの耐圧性を有する上、この
比較例１における絶縁被膜に比べて耐摩耗性にすぐれた
ものであることが判った。実施例８ 比較例１で作製した、ジイソシアネート成分としてＭＤ
Ｉのみを含むポリアミドイミド系塗料と、比較例２で作
製した、ジイソシアネート成分としてＴＯＤＩのみを含
むポリアミドイミド系塗料とを、原料段階でのＴＯＤＩ
とＭＤＩとのモル比がＴＯＤＩ／ＭＤＩ＝２０／８０と
なるように配合し、十分に攪拌混合してポリアミドイミ
ド系塗料を作製した。そして、このポリアミドイミド系
塗料を使用して、前記実施例１と同様にして絶縁電線を
作製した。
【００４９】実施例９ 比較例１で作製した、ジイソシアネート成分としてＭＤ
Ｉのみを含むポリアミドイミド系塗料と、比較例２で作
製した、ジイソシアネート成分としてＴＯＤＩのみを含
むポリアミドイミド系塗料とを、原料段階でのＴＯＤＩ
とＭＤＩとのモル比がＴＯＤＩ／ＭＤＩ＝５０／５０と
なるように配合したこと以外は、上記実施例８と同様に
して絶縁電線を作製した。
Ｉのみを含むポリアミドイミド系塗料と、比較例２で作
製した、ジイソシアネート成分としてＴＯＤＩのみを含
むポリアミドイミド系塗料とを、原料段階でのＴＯＤＩ
とＭＤＩとのモル比がＴＯＤＩ／ＭＤＩ＝５０／５０と
なるように配合したこと以外は、上記実施例８と同様に
して絶縁電線を作製した。
【００５０】実施例１０ 比較例１で作製した、ジイソシアネート成分としてＭＤ
Ｉのみを含むポリアミドイミド系塗料と、比較例２で作
製した、ジイソシアネート成分としてＴＯＤＩのみを含
むポリアミドイミド系塗料とを、原料段階でのＴＯＤＩ
とＭＤＩとのモル比がＴＯＤＩ／ＭＤＩ＝７５／２５と
なるように配合したこと以外は、上記実施例８と同様に
して絶縁電線を作製した。
Ｉのみを含むポリアミドイミド系塗料と、比較例２で作
製した、ジイソシアネート成分としてＴＯＤＩのみを含
むポリアミドイミド系塗料とを、原料段階でのＴＯＤＩ
とＭＤＩとのモル比がＴＯＤＩ／ＭＤＩ＝７５／２５と
なるように配合したこと以外は、上記実施例８と同様に
して絶縁電線を作製した。
【００５１】上記各実施例の絶縁電線について、前記外
観評価、弾性率測定、可撓性試験、急伸切断試験および
ピアノ線損傷荷重測定の各試験を行った。結果を表３に
示す。
観評価、弾性率測定、可撓性試験、急伸切断試験および
ピアノ線損傷荷重測定の各試験を行った。結果を表３に
示す。
【００５２】
【表３】
【００５３】上記表３の結果より、実施例８，９，１０
はそれぞれ、ＴＯＤＩの割合が同じ実施例１，３，５
（表１参照）とほぼ同じ特性を示し、このことから、ポ
リアミドイミド系塗料を、ＴＯＤＩを含むものと含まな
いものの混合により製造しても、共重合により製造され
た塗料とほぼ同じ結果が得られることが判った。実施例１１ ポリアミドイミド系塗料作製時のＴＯＤＩおよびＭＤＩ
の仕込み量を、ＴＯＤＩ＝１３５．８ｇ、ＭＤＩ＝４
２．９ｇ、ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割
合を７５モル％とするとともに、酸成分としてＴＭＡと
イソフタル酸（以下「ＩＰＡ」という）とを使用し、Ｔ
ＭＡおよびＩＰＡの仕込み量を、ＴＭＡ＝１２７．７
ｇ、ＩＰＡ＝３．７ｇ、ＩＰＡの全酸成分中に占める割
合を３モル％としたこと以外は、前記実施例１と同様に
して絶縁電線を作製した。
はそれぞれ、ＴＯＤＩの割合が同じ実施例１，３，５
（表１参照）とほぼ同じ特性を示し、このことから、ポ
リアミドイミド系塗料を、ＴＯＤＩを含むものと含まな
いものの混合により製造しても、共重合により製造され
た塗料とほぼ同じ結果が得られることが判った。実施例１１ ポリアミドイミド系塗料作製時のＴＯＤＩおよびＭＤＩ
の仕込み量を、ＴＯＤＩ＝１３５．８ｇ、ＭＤＩ＝４
２．９ｇ、ＴＯＤＩの全ジイソシアネート中に占める割
合を７５モル％とするとともに、酸成分としてＴＭＡと
イソフタル酸（以下「ＩＰＡ」という）とを使用し、Ｔ
ＭＡおよびＩＰＡの仕込み量を、ＴＭＡ＝１２７．７
ｇ、ＩＰＡ＝３．７ｇ、ＩＰＡの全酸成分中に占める割
合を３モル％としたこと以外は、前記実施例１と同様に
して絶縁電線を作製した。
【００５４】実施例１２ ポリアミドイミド系塗料作製時のＴＭＡおよびＩＰＡの
仕込み量を、ＴＭＡ＝１０５．３ｇ、ＩＰＡ＝２２．８
ｇ、ＩＰＡの全酸成分中に占める割合を２０モル％とし
たこと以外は、上記実施例１１と同様にして絶縁電線を
作製した。実施例１３ ポリアミドイミド系塗料作製時のＴＭＡおよびＩＰＡの
仕込み量を、ＴＭＡ＝７２．４ｇ、ＩＰＡ＝５１．２
ｇ、ＩＰＡの全酸成分中に占める割合を４５モル％とし
たこと以外は、上記実施例１１と同様にして絶縁電線を
作製した。
仕込み量を、ＴＭＡ＝１０５．３ｇ、ＩＰＡ＝２２．８
ｇ、ＩＰＡの全酸成分中に占める割合を２０モル％とし
たこと以外は、上記実施例１１と同様にして絶縁電線を
作製した。実施例１３ ポリアミドイミド系塗料作製時のＴＭＡおよびＩＰＡの
仕込み量を、ＴＭＡ＝７２．４ｇ、ＩＰＡ＝５１．２
ｇ、ＩＰＡの全酸成分中に占める割合を４５モル％とし
たこと以外は、上記実施例１１と同様にして絶縁電線を
作製した。
【００５５】上記各実施例の絶縁電線について、前記外
観評価、弾性率測定、可撓性試験、急伸切断試験および
ピアノ線損傷荷重測定の各試験を行った。結果を、ＴＯ
ＤＩの割合が同じで、ＩＰＡの割合が０モル％である実
施例５の結果と併せて表４に示す。
観評価、弾性率測定、可撓性試験、急伸切断試験および
ピアノ線損傷荷重測定の各試験を行った。結果を、ＴＯ
ＤＩの割合が同じで、ＩＰＡの割合が０モル％である実
施例５の結果と併せて表４に示す。
【００５６】
【表４】
【００５７】上記表４の結果より、酸成分中にＩＰＡを
含有させても、含有させないものとほぼ同程度の特性を
有する絶縁電線を形成できることがわかった。またＩＰ
Ａの割合を、３モル％を超え、４５モル％未満の範囲内
にすると、他の特性はそのまま維持しつつ、絶縁被膜の
弾性率と可撓性を向上できることが判った。また、上記
各実施例の結果より、ＩＰＡの割合が３モル％では特性
にあまり変化が見られず、ＩＰＡの割合が４５モル％で
は、絶縁被膜が僅かに損傷し易くなるので、両特性のバ
ランスを考慮すると、ＩＰＡの割合が５〜４０モル％の
範囲内にある実施例１２がとくに優れたものであること
が判った。
含有させても、含有させないものとほぼ同程度の特性を
有する絶縁電線を形成できることがわかった。またＩＰ
Ａの割合を、３モル％を超え、４５モル％未満の範囲内
にすると、他の特性はそのまま維持しつつ、絶縁被膜の
弾性率と可撓性を向上できることが判った。また、上記
各実施例の結果より、ＩＰＡの割合が３モル％では特性
にあまり変化が見られず、ＩＰＡの割合が４５モル％で
は、絶縁被膜が僅かに損傷し易くなるので、両特性のバ
ランスを考慮すると、ＩＰＡの割合が５〜４０モル％の
範囲内にある実施例１２がとくに優れたものであること
が判った。
【００５８】実施例１４ 実施例３で作製した絶縁電線の絶縁被膜上に、焼付型水
溶性潤滑塗料（東芝ケミカル社製の品番ＴＥＣ−９６０
１を常法によって塗布、焼付けして表面潤滑層を形成し
たこと以外は、上記実施例３と同様にして絶縁電線を作
製した。実施例１５ 比較例１で作製したポリアミドイミド系塗料１００重量
部に、潤滑剤としてのポリテトラフルオロエチレン２０
重量部を添加して表面潤滑層用の塗料を作製し、これ
を、実施例３で作製した絶縁電線の絶縁被膜上に常法に
よって塗布、焼付けして表面潤滑層を形成したこと以外
は、上記実施例３と同様にして絶縁電線を作製した。
溶性潤滑塗料（東芝ケミカル社製の品番ＴＥＣ−９６０
１を常法によって塗布、焼付けして表面潤滑層を形成し
たこと以外は、上記実施例３と同様にして絶縁電線を作
製した。実施例１５ 比較例１で作製したポリアミドイミド系塗料１００重量
部に、潤滑剤としてのポリテトラフルオロエチレン２０
重量部を添加して表面潤滑層用の塗料を作製し、これ
を、実施例３で作製した絶縁電線の絶縁被膜上に常法に
よって塗布、焼付けして表面潤滑層を形成したこと以外
は、上記実施例３と同様にして絶縁電線を作製した。
【００５９】上記各実施例の絶縁電線について、前記外
観評価、弾性率測定、可撓性試験、急伸切断試験および
ピアノ線損傷荷重測定の各試験を行った。結果を、ＴＯ
ＤＩの割合が同じで、絶縁被膜上に表面潤滑層を形成し
ていない実施例３の結果と併せて表５に示す。
観評価、弾性率測定、可撓性試験、急伸切断試験および
ピアノ線損傷荷重測定の各試験を行った。結果を、ＴＯ
ＤＩの割合が同じで、絶縁被膜上に表面潤滑層を形成し
ていない実施例３の結果と併せて表５に示す。
【００６０】
【表５】
【００６１】上記表５の結果より、絶縁被膜上に表面潤
滑層を形成すると、他の特性はそのまま維持しつつ、絶
縁被膜をさらに損傷し難くできることが判った。
滑層を形成すると、他の特性はそのまま維持しつつ、絶
縁被膜をさらに損傷し難くできることが判った。
【００６２】
【発明の効果】本発明の絶縁電線によれば、ポリアミド
イミドの構造中にビフェニル部分を導入して、絶縁被膜
の弾性率を向上させることで、可撓性にすぐれ、しか
も、損傷し難い絶縁被膜を形成することができる。した
がって、本発明の絶縁電線は耐加工性にすぐれており、
たとえばモータの捲線に使用する場合には、コアへの捲
線量を従来より増大させても、捲線工程で絶縁被膜に損
傷を生じるおそれがなく、より小型、軽量で性能の良い
モータの要求に対応することができる。
イミドの構造中にビフェニル部分を導入して、絶縁被膜
の弾性率を向上させることで、可撓性にすぐれ、しか
も、損傷し難い絶縁被膜を形成することができる。した
がって、本発明の絶縁電線は耐加工性にすぐれており、
たとえばモータの捲線に使用する場合には、コアへの捲
線量を従来より増大させても、捲線工程で絶縁被膜に損
傷を生じるおそれがなく、より小型、軽量で性能の良い
モータの要求に対応することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｇ 18/76 ＮＦＨ 8620−4Ｊ 73/14 ＮＴＪ 9285−4Ｊ
Claims (7)
- 【請求項１】少なくともジイソシアネート成分と酸成分
とを原料とするポリアミドイミド系塗料の塗布、焼付け
により形成された絶縁被膜を有する絶縁電線において、
原料としてのジイソシアネート成分が、下記一般式(I)
： 【化１】 ［上記式中Ｒ1 ，Ｒ2 は、同一または異なって、水素原
子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示
す。］で表される芳香族ジイソシアネート化合物を１０
〜８０モル％の範囲内で含有することを特徴とする絶縁
電線。 - 【請求項２】原料としてのジイソシアネート成分におけ
る、一般式(I) で表される芳香族ジイソシアネートの含
有割合が３０〜６０モル％である請求項１記載の絶縁電
線。 - 【請求項３】原料としてのジイソシアネート成分におけ
る、一般式(I) で表される芳香族ジイソシアネートの含
有割合が６０〜８０モル％であるとともに、酸成分が、
分子中に折れ曲がり構造を有する酸を、５〜４０モル％
の範囲内で含有する請求項１記載の絶縁電線。 - 【請求項４】ポリアミドイミド系塗料が、一般式(I) で
表される芳香族ジイソシアネートと、上記以外のジイソ
シアネートと、酸成分とを共重合させて製造される請求
項１記載の絶縁電線。 - 【請求項５】ポリアミドイミド系塗料が、一般式(I) で
表される芳香族ジイソシアネートと酸成分とを原料とし
て製造されたポリアミドイミド系塗料と、上記以外のジ
イソシアネートと酸成分とを原料として製造されたポリ
アミドイミド系塗料との混合物である請求項１記載の絶
縁電線。 - 【請求項６】絶縁被膜の下層に、ジフェニルメタン−
４，４′−ジイソシアネートとトリメリット酸無水物と
を含むポリアミドイミド系塗料の塗布、焼付けにより形
成された下地層を有する請求項１記載の絶縁電線。 - 【請求項７】絶縁被膜の上層に表面潤滑層を有する請求
項１記載の絶縁電線。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159384A JP2936895B2 (ja) | 1991-11-22 | 1992-06-18 | 絶縁電線 |
| ES92119826T ES2092000T3 (es) | 1991-11-22 | 1992-11-20 | Alambre aislado. |
| EP19920119826 EP0543409B1 (en) | 1991-11-22 | 1992-11-20 | Insulated wire |
| SG1996001583A SG46245A1 (en) | 1991-11-22 | 1992-11-20 | Insulated wire |
| DE69212281T DE69212281T2 (de) | 1991-11-22 | 1992-11-20 | Isolierter Draht |
| CN92114612A CN1073264C (zh) | 1991-11-22 | 1992-11-21 | 绝缘电线 |
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| MYPI92002127A MY108173A (en) | 1991-11-22 | 1992-11-21 | Insulated wire |
| US07/978,975 US5356708A (en) | 1991-11-22 | 1992-11-23 | Insulated wire |
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|---|---|---|---|
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| JP3-307574 | 1991-11-22 | ||
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2936895B2 JP2936895B2 (ja) | 1999-08-23 |
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ID=26486204
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2936895B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1982002203A1 (en) * | 1980-12-22 | 1982-07-08 | Suenobu Koreyoshi | Process for producing polyurethane polymer |
| WO1999041757A1 (fr) * | 1998-02-13 | 1999-08-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Fil isole |
| JP2007146101A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-06-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 芳香族系樹脂組成物、該芳香族系樹脂組成物を塗料成分としてなる耐熱性塗料及び摺動部コーティング塗料バインダー |
| JP2009242490A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 絶縁電線 |
| US9145505B2 (en) | 2009-08-31 | 2015-09-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Polyamide-imide resin based insulating varnish and insulated wire covered with same |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP4159384A patent/JP2936895B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6436537B1 (en) | 1998-02-13 | 2002-08-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Insulated wire |
| JP2007146101A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-06-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 芳香族系樹脂組成物、該芳香族系樹脂組成物を塗料成分としてなる耐熱性塗料及び摺動部コーティング塗料バインダー |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP2936895B2 (ja) | 1999-08-23 |
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