JPH0522549U - シヤツタ装置 - Google Patents
シヤツタ装置Info
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- JPH0522549U JPH0522549U JP7322291U JP7322291U JPH0522549U JP H0522549 U JPH0522549 U JP H0522549U JP 7322291 U JP7322291 U JP 7322291U JP 7322291 U JP7322291 U JP 7322291U JP H0522549 U JPH0522549 U JP H0522549U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大きな電磁石を使用せずに、シャッタア−ム
と電磁石との吸着力を増大させ、吸着力不足による誤動
作をなくす。 【構成】 シャッタア−ム15は、電磁石13に吸着す
る部分に、シャッタア−ム15と同一材料の板部材18
が接合されている。これにより、シャッタア−ム15が
電磁石13に吸着する付近の板厚が他の部分より厚くな
り、シャッタア−ム15と電磁石13との吸着力が増大
し、吸着力不足に起因する誤動作がなくなる。
と電磁石との吸着力を増大させ、吸着力不足による誤動
作をなくす。 【構成】 シャッタア−ム15は、電磁石13に吸着す
る部分に、シャッタア−ム15と同一材料の板部材18
が接合されている。これにより、シャッタア−ム15が
電磁石13に吸着する付近の板厚が他の部分より厚くな
り、シャッタア−ム15と電磁石13との吸着力が増大
し、吸着力不足に起因する誤動作がなくなる。
Description
【0001】
本考案は、真空成膜装置等に用いられるシャッタ装置に関する。
【0002】
従来、例えば真空成膜装置(真空蒸着装置)において、蒸発物質の飛翔経路を 遮断するために、シャッタ装置が用いられている。この種のシャッタ装置におい て、単板状のシャッタブレ−ドが二位置間を揺動変位して前記飛翔経路を遮断又 は開放し、特に蒸着終了タイミングを厳密に規制するものがある。
【0003】 ところで、そのようなシャッタ装置は、蒸発物質のワ−クへの付着量を厳密に 制御するために使用される。例えば水晶振動子の形成過程において、水晶の表面 に銀を蒸着し、その発振周波数を所定値に調整する際に用いられ、蒸着量が所定 値に達するのと同時に、蒸発物質の飛翔経路をシャッタブレ−ドで遮断して蒸着 を停止させるのに使用される。このように蒸発物質の供給制御を厳密に行うもの では、シャッタ装置の応答速度すなわちシャッタ速度が早いことが望まれる。シ ャッタ速度が遅いと、蒸着量が所定値に達してからシャッタブレ−ドが作動し終 えるまでのタイムラグによって、蒸着量が適正値を越えてしまうからである。
【0004】 そこで、シャッタア−ムの変位構造を簡素化することによって、シャッタ速度 を高速化したシャッタ装置として、例えば特開平2−38562号公報に記載さ れるように、ベ−ス上に片持ち支持されるシャッタア−ムと、該シャッタア−ム の遊端側に設けられるシャッタブレ−ドと、上記シャッタア−ムを撓み変位操作 する電磁石を有し、上記シャッタア−ムをばね材で形成し、シャッタア−ムの自 由状態位置と、電磁石によって操作された撓み変形位置との間の変位操作で、シ ャッタブレ−ドを待機姿勢と作動姿勢とに切替可能としたものを先に提案してい る。
【0005】
しかしながら、そのようなシャッタ装置においては、電磁石にシャッタア−ム を吸着する際、シャッタア−ムの剛性が高いと、その撓み変形を生じさせる力を 出すために大きな電磁石が必要であった。
【0006】 そのため、寸法的余裕等の都合で大きな電磁石が使用できない場合には、シャ ッタア−ムの剛性を低くすなわち板厚を薄くする必要が生ずるが、このようにす ると、電磁石に対する吸着力が減少するため、吸着不良による誤動作の原因とな っていた。
【0007】 本考案はかかる点に鑑みてなされたもので、大きな電磁石を使用せずに、シャ ッタア−ムと電磁石との吸着力を増大させ、吸着力不足による誤動作をなくした シャッタ装置を提供することを目的とするものである。
【0008】
本考案は、ベ−ス上に片持ち支持されるシャッタア−ムと、該シャッタア−ム の遊端側に設けられるシャッタブレ−ドと、上記シャッタア−ムを撓み変位操作 する電磁石とを有し、上記シャッタア−ムをばね材で形成し、シャッタア−ムの 自由状態位置と、電磁石によって操作された撓み変形位置との間の変位操作で、 上記シャッタブレ−ドを待機姿勢と作動姿勢とに切替可能に構成したシャッタ装 置を前提とする。
【0009】 本考案は、上記シャッタア−ムの、上記電磁石に吸着する部分を、他の部分よ りも厚くした、すなわち換言すれば上記シャッタア−ムの撓み変位操作する部分 を他の部分より薄くした構成とする。
【0010】
シャッタア−ムが電磁石に吸着する付近の板厚が厚くなっているので、シャッ タア−ムと電磁石との吸着力が増し、吸着力不足に起因する誤動作をなくす。
【0011】
以下、本考案を、真空成膜装置のシャッタ装置に適用した実施例について図面 に沿って詳細に説明する。
【0012】 真空成膜装置の概略構成を示す図1において、真空成膜装置は、隔壁1で区画 された真空チャンバ2を有し、その内部に蒸発源3、ヒ−タ4及びシャッタ装置 5等を配置し、蒸発源3からワ−ク6に向かって蒸発物質を照射供給するように 構成されている。蒸発物質は区画壁7で密閉状に区画された蒸発室8に配置して あり、区画壁7に通設した放射口9からワ−ク6に蒸発物質を照射するようにな っている。なお、Pは蒸発物質の飛翔経路である。
【0013】 そして、前記放射口9の外面において蒸発物質の飛翔経路Pを遮断し、あるい は開放するために上記シャッタ装置5が設けられている。
【0014】 図2において、シャッタ装置5は、正面視L字状のベ−ス11と、該ベ−ス1 1の取付台11aに片持ち支持されるシャッタ12と、ベ−ス11の脚部11b の先端に傾斜姿勢で固定される電磁石13と、シャッタ12の停止位置を調整す るストッパ14を備えている。
【0015】 シャッタ12は板ばねを素材とするプレス成形品であって、左右に長い帯状の シャッタア−ム15と、このシャッタア−ム15の一端側縁から垂直に折り起こ された四角形状のシャッタブレ−ド16とを一体に形成したものである。シャッ タア−ム15はシャッタブレ−ド16を遊端部に位置させた状態で取付台11a に装着され、ストッパ14と共にボルト17で共締めされている。そして、シャ ッタア−ム15は、図3に示すように、電磁石13に吸着する部分に、シャッタ ア−ム15と同一材料の板部材18が接合されている。なお、シャッタア−ム1 5の基端部には、ボルト17が挿通される挿通孔15aが形成されている。
【0016】 上記ストッパ14は鋼板で帯状に形成され、ストッパ14の板面全体がシャッ タア−ム15に密着するようになっており、シャッタア−ム15がストッパ14 に当接したときのシャッタア−ム15の振動を抑制することができるように構成 されている。
【0017】 上記電磁石13は、シャッタア−ム15をア−ム自身のばね力に抗して下向き に揺動変位させて、シャッタブレ−ド16を待機姿勢に変位させ、この状態を維 持するために設けられている。
【0018】 電磁石13のポ−ルピ−ス21は、シャッタア−ム15の下面に対向して設け られており、そのコイル13aに駆動電流が印加されると、ポ−ルピ−ス21か ら発生する磁界によってシャッタア−ム15を吸着する。このとき、ポ−ルピ− ス21とシャッタア−ム15との間に、効果的な磁界を作用させるために、ベ− ス11及びストッパ14はそれぞれ強磁性体で形成している。つまり、電磁石1 3のポ−ルピ−ス21を一方の磁極とするとき、他方の磁極がベ−ス11とスト ッパ14を介してシャッタア−ム15の側に作用するよう磁気回路を形成し、シ ャッタア−ム15を揺動変位させる。
【0019】 なお、ワ−ク6はブロック状に切り出された水晶であり、その表面に銀などの 蒸発物質を蒸着して発振周波数が所定値に調整される。ワ−ク6の振動数を図外 の測定装置で計測しながら、蒸着を行うことにより、ワ−ク6自身が蒸着量を検 知するためのセンサとして利用される。つまり、蒸着量の増加に伴ってワ−ク6 の振動数が徐々に低下するので、振動数が所定値に達した状態を検知し、この検 知信号に基づいて電磁石13への通電を停止させるのである。
【0020】 上記のように構成すれば、シャッタア−ム15が自由状態にあるとき、シャッ タブレ−ド16は飛翔経路Pを遮断した作動状態となっている。この状態から蒸 発物質を発生させ、酸化物等の不純物の蒸発がなくなった段階で電磁石13を作 動させてシャッタブレ−ド16を飛翔経路P外に退避させ、この待機姿勢を維持 したまま蒸着を行う。このとき、シャッタア−ム15は、電磁石13に吸着する 部分に板部材18を接合しているので、シャッタア−ム15と電磁石13との吸 着力が増大しており、誤動作はない。なお、そのような板部材18を接合してい ない従来の場合は撓み変形による吸着、脱離の繰返し試験周期が0.8Hz以上で 誤動作を生じていたものが、板部材18を設けることで3Hz以下では誤動作を生 じなくなった。
【0021】 そしてワ−ク6の蒸着量が所定値に達した状態で電磁石13を消磁すると、シ ャッタア−ム15はそれ自身のばね力によって自由状態時の姿勢に復帰揺動し、 シャッタブレ−ド16が再び作動姿勢に切替わって蒸発物質の飛翔経路Pを遮断 し、蒸着を停止させる。
【0022】 また、図4に示すようにシャッタア−ム15A自身に板厚の厚い材料を用い、 必要部分以外をエッチング等の方法で除去し薄くすることにより、相対的に必要 分すなわち電磁石13に吸着する部分18Aのみを他の部分よりも厚くすること もできる。この場合も、前述した場合と同様の効果を発揮する。さらに、図5に 示すように、シャッタア−ム15Bの、撓み変形を受ける部分15bのみ、板厚 を上述したエッチング等により薄くするようにし、結果としてその部分よりも、 電磁石13が吸着する部分18Bを含めてシャッタア−ム15Bの遊端側部分を 厚くするようにしてもよい。
【0023】
本考案は、上記のようにシャッタア−ムが電磁石に吸着する付近の板厚を厚く することにより、シャッタア−ムと電磁石の吸着力が増し、小さな電磁石の使用 時にも吸着力不足に起因する誤動作をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】真空成膜装置の正面図である。
【図2】シャッタ装置の正面図である。
【図3】シャッタの斜視図である。
【図4】シャッタの他の実施例の斜視図である。
【図5】シャッタのさらに他の実施例の斜視図である。
5 シャッタ装置 12 シャッタ 13 電磁石 15,15A,15B シャッタア−ム 16 シャッタブレ−ド 18 板部材 18A,18B 電磁石に吸着する部分
Claims (1)
- 【請求項1】 ベ−ス上に片持ち支持されるシャッタア
−ムと、該シャッタア−ムの遊端側に設けられるシャッ
タブレ−ドと、上記シャッタア−ムを撓み変位操作する
電磁石とを有し、上記シャッタア−ムをばね材で形成
し、シャッタア−ムの自由状態位置と、電磁石によって
操作された撓み変形位置との間の変位操作で、上記シャ
ッタブレ−ドを待機姿勢と作動姿勢とに切替可能に構成
したシャッタ装置において、 上記シャッタア−ムの、上記電磁石に吸着する部分を、
他の部分よりも厚くしたことを特徴とするシャッタ装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7322291U JPH0522549U (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | シヤツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7322291U JPH0522549U (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | シヤツタ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0522549U true JPH0522549U (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=13511932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7322291U Withdrawn JPH0522549U (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | シヤツタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0522549U (ja) |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP7322291U patent/JPH0522549U/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19951130 |