JPH05224629A - Driving circuit for active matrix display device - Google Patents

Driving circuit for active matrix display device

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JPH05224629A
JPH05224629A JP4030421A JP3042192A JPH05224629A JP H05224629 A JPH05224629 A JP H05224629A JP 4030421 A JP4030421 A JP 4030421A JP 3042192 A JP3042192 A JP 3042192A JP H05224629 A JPH05224629 A JP H05224629A
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circuit
power source
tft
thin film
driving circuit
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Pending
Application number
JP4030421A
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Japanese (ja)
Inventor
Naofumi Kondo
直文 近藤
Mikio Katayama
幹雄 片山
Masaya Okamoto
昌也 岡本
Ken Kanamori
謙 金森
Yoshiharu Kataoka
義晴 片岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPH05224629A publication Critical patent/JPH05224629A/en
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Abstract

PURPOSE:To make a driving circuit work highly fast and output a high-output by previously setting the power source voltage of a TFT(thin film transistor) constituting a logical and driving circuit higher in a prestage TFT than in a poststage circuit. CONSTITUTION:The logical and driving circuit includes an inverter circuit and a buffer circuit where two TFTs are connected by two stages, and 1st power source VDD1 and 2nd power source VDD2 are impressed there as the power source voltage. As for relation between the 1st power source VDD1 and the 2nd power source VDD2, the 1st power source VDD1 is set higher than the 2nd power source VDD2 by voltage obtained by compensating at least the voltage drop of the TFT 12. The 1st power source voltage and the 2nd power source voltage are generated by forming the power source voltage VDD through a booster circuit or a fluctuation circuit. Therefore, an output signal having the specified level is obtained with almost no delay from an input signal as the output signal of the logical and driving circuit, and the rise characteristic or the fall characteristic of the inverter circuit and the buffer circuit are improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶等の表示媒体をア
クティブ駆動するための駆動回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drive circuit for actively driving a display medium such as liquid crystal.

【0002】[0002]

【従来の技術】絶縁性基板上に絵素電極をマトリクス上
に配し、各絵素電極にスイッチング素子を接続して、こ
のスイッチング素子を制御することにより各絵素を独立
して駆動するアクティブマトリクス方式の表示装置が液
晶等を用いた表示装置に採用されている。
2. Description of the Related Art An active element for arranging picture element electrodes on an insulating substrate in a matrix, connecting a switching element to each picture element electrode, and controlling each switching element to independently drive each picture element. A matrix type display device is adopted as a display device using liquid crystal or the like.

【0003】絵素電極を選択駆動するスイッチング素子
としては、TFT(薄膜トランジスタ)素子,MIM
(金属−絶縁層−金属)素子,MOSトランジスタ素
子,ダイオード,バリスタ等が一般に知られている。ま
たこのようなアクティブマトリクス駆動方式を採用した
表示装置は、液晶テレビッジョン,ワードプロセッサ,
コンピュータの端末表示装置等に実用化されている。
A TFT (thin film transistor) element, MIM is used as a switching element for selectively driving the pixel electrodes.
(Metal-insulating layer-metal) element, MOS transistor element, diode, varistor and the like are generally known. In addition, a display device adopting such an active matrix drive system is used in a liquid crystal television, a word processor,
It has been put to practical use as a terminal display device of a computer.

【0004】図4にTFTをスイッチング素子として用
いた、アクティブマトリクス表示装置の概略の回路図を
示す。この種の駆動回路は走査線として機能する多数の
平行するゲートバスライン1と、該ゲートバスライン1
に直交し信号線として機能するソースバスライン2と、
両バスラインの交差位置近傍に、TFT3が配置されて
いる。TFT3には1絵素領域を覆う形状に形成した透
明電極よりなる絵素電極4が接続され、絵素電極4と対
向電極5との間に絵素が形成される。上記対向電極5と
絵素電極4との間に液晶層が介在し、対向電極5は複数
の絵素領域を覆って共通に形成されている。
FIG. 4 shows a schematic circuit diagram of an active matrix display device using a TFT as a switching element. This type of driving circuit includes a large number of parallel gate bus lines 1 which function as scanning lines, and the gate bus lines 1
A source bus line 2 which is orthogonal to and functions as a signal line;
The TFT 3 is arranged near the intersection of both bus lines. A pixel electrode 4 made of a transparent electrode formed to cover one pixel region is connected to the TFT 3, and a pixel is formed between the pixel electrode 4 and the counter electrode 5. A liquid crystal layer is interposed between the counter electrode 5 and the pixel electrode 4, and the counter electrode 5 is commonly formed so as to cover a plurality of pixel regions.

【0005】個々のゲートバスライン1には各ゲートバ
スライン1を駆動するためにTFTを利用した駆動波形
形成用(シフトレジスタ)論理・駆動回路6が夫々接続
されている。個々の論理・駆動回路6は、2相のクロッ
ク信号7,8(φ,−φ)とスタートパルス信号9(S
TP)ラインが共通に接続されており、これらの信号に
より論理・駆動回路6に設定された該当タイミングで対
応するゲートバスライン1にTFT3をオンする電圧を
印加(15〜100μsec)し、ソースバスライン2
上の画像信号を各ゲートバスライン上の絵素に書き込
む。
A drive waveform forming (shift register) logic / drive circuit 6 using TFTs for driving each gate bus line 1 is connected to each gate bus line 1. Each logic / driving circuit 6 has two-phase clock signals 7, 8 (φ, −φ) and a start pulse signal 9 (S
TP) lines are commonly connected, and a voltage for turning on the TFT 3 is applied (15 to 100 μsec) to the corresponding gate bus line 1 at the corresponding timing set in the logic / drive circuit 6 by these signals, and the source bus is applied. Line 2
The above image signal is written in the picture element on each gate bus line.

【0006】上記画像信号の書き込み動作を行う論理・
駆動回路6の詳細を図5に示す。各論理・駆動回路6に
は4個のTFTを単位として構成されたインバータ回路
10が、ゲートバスラインのアドレスに対応する段数接
続され、このインバータ回路10とゲートバスラインと
の間にバッファ回路11が接続されている。上記論理・
駆動回路6の特性はこれらインバータ回路10,バッフ
ァ回路11の立ち上がり特性及び立ち下がり特性の良し
悪しによって決定される。
Logic for performing the above-mentioned image signal writing operation
Details of the drive circuit 6 are shown in FIG. An inverter circuit 10 formed of four TFTs as a unit is connected to each logic / drive circuit 6 in the number of stages corresponding to the address of the gate bus line, and a buffer circuit 11 is provided between the inverter circuit 10 and the gate bus line. Are connected. The above logic
The characteristics of the drive circuit 6 are determined by the quality of the rising characteristics and the falling characteristics of the inverter circuit 10 and the buffer circuit 11.

【0007】図6(a)(b)(c)に4個のTFTで
構成されるインバータ回路10,バッファ回路11の詳
細回路図,及び入出力波形を示す。インバータ回路1
0,バッファ回路11は共に同じ回路構成を採り、入力
信号INはTFT13及びTFT15のゲートに入力さ
れ、TFT12のゲートにはVDDが、TFT14のゲー
トにはTFT13の出力が接続されている。インバータ
回路10は駆動波形形成用(シフトレジスタ)論理回路
で、バッファ回路11はバスライン駆動用回路として機
能する。
FIGS. 6A, 6B, and 6C show detailed circuit diagrams of the inverter circuit 10 and the buffer circuit 11 composed of four TFTs, and input / output waveforms. Inverter circuit 1
0 and the buffer circuit 11 have the same circuit configuration, the input signal IN is input to the gates of the TFT 13 and the TFT 15, V DD is connected to the gate of the TFT 12, and the output of the TFT 13 is connected to the gate of the TFT 14. The inverter circuit 10 is a drive waveform forming (shift register) logic circuit, and the buffer circuit 11 functions as a bus line driving circuit.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】インバータ回路10を
構成する4個のTFTは、インバータ回路の入力信号I
NがLowレベルのとき、TFT13はオフとなるため
TFT12を通してTFT14のゲートにはVDDが印加
され、従ってTFT14はオンし、一方TFT15はオ
フするため出力はHighレベルとなる。しかし、この
ときTFT14のゲートにはVDDより少なくともTFT
12の電圧降下分だけ低い電圧が印加される。即ちVDD
よりも高い電圧が印加されることがないため、TFT1
4のオン抵抗は充分に低くならずインバータ回路の出力
がLowレベルからHighレベルに立ち上がるときに
遅延の発生が避けられず論理回路の安定な動作が望めな
くなる。特に、バスラインを駆動するバッファ回路にお
いては、先に接続されている出力負荷が液晶等の表示媒
体であって大きいため、受ける影響は極めて大きくなり
表示品質を著しく損なう。
The four TFTs constituting the inverter circuit 10 are the input signals I of the inverter circuit.
When N is at the Low level, the TFT 13 is turned off, so that V DD is applied to the gate of the TFT 14 through the TFT 12, and therefore the TFT 14 is turned on, while the TFT 15 is turned off, so that the output becomes the High level. However, at this time, the gate of the TFT 14 has at least the TFT from V DD.
A voltage lower by 12 drops is applied. Ie V DD
Since a voltage higher than that of the TFT1 is not applied, the TFT1
The on-resistance of No. 4 is not sufficiently low, and when the output of the inverter circuit rises from the Low level to the High level, the occurrence of delay cannot be avoided and stable operation of the logic circuit cannot be expected. In particular, in a buffer circuit that drives a bus line, since the output load connected first is large because it is a display medium such as a liquid crystal, the influence is extremely large and the display quality is significantly impaired.

【0009】近年TFT液晶パネルの大型化に伴い、ゲ
ートバスライン本数の増加及び負荷が大容量化し、論理
・駆動回路6の高速化・高出力化が求められているが、
その際上記駆動回路上の特性は極めて大きな問題となっ
ている。
With the recent increase in the size of the TFT liquid crystal panel, the number of gate bus lines is increased and the load is increased, so that it is required to increase the speed and output of the logic / driving circuit 6.
At that time, the characteristics on the drive circuit become a serious problem.

【0010】本発明はこのような問題点を解決するもの
であり、本発明の目的は、高速化・高出力化バスライン
駆動回路を有する、アクティブマトリクス表示装置の駆
動回路を提供することである。
The present invention solves such a problem, and an object of the present invention is to provide a drive circuit for an active matrix display device having a high speed / high output bus line drive circuit. ..

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板上
に、複数の絵素と各絵素を駆動するための薄膜トランジ
スタをマトリクス状に配置し、上記薄膜トランジスタに
接続された複数の走査線及び信号線を有し、上記絵素駆
動用薄膜トランジスタと同じプロセスで製造される薄膜
トランジスタを含んでなる上記走査線又は上記信号線を
駆動する論理・駆動回路を有する表示装置において、前
記論理・駆動回路は2個の薄膜トランジスタを2段接続
したインバータ回路及びバッファ回路を含み、前段薄膜
トランジスタに供給する電源電圧は後段薄膜トランジス
タより高い電源電圧を供給して構成するものである。
According to the present invention, a plurality of picture elements and thin film transistors for driving the picture elements are arranged in a matrix on an insulating substrate, and a plurality of scanning lines connected to the thin film transistors and In a display device having a signal line and a logic / driving circuit for driving the scanning line or the signal line, which includes a thin film transistor manufactured by the same process as the pixel driving thin film transistor, the logic / driving circuit is An inverter circuit in which two thin film transistors are connected in two stages and a buffer circuit are included, and the power supply voltage supplied to the front stage thin film transistor is higher than that of the rear stage thin film transistor.

【0012】[0012]

【作用】前段TFTの電源電圧を後段TFTの電源電圧
より設定することにより、論理・駆動回路の出力として
入力信号からほとんど遅れを伴うことなく所定のレベル
を持った出力信号が得られ、インバータ回路,バッファ
回路の立ち上がり特性及び立ち下がり特性を改善するこ
とで、バスライン駆動回路の高速化,高出力化を行うこ
とができ、表示装置の画質向上を図ることができる。
By setting the power supply voltage of the front stage TFT from the power supply voltage of the rear stage TFT, an output signal having a predetermined level can be obtained as an output of the logic / drive circuit from the input signal with almost no delay. By improving the rising characteristics and the falling characteristics of the buffer circuit, it is possible to increase the speed and output of the bus line driving circuit and improve the image quality of the display device.

【0013】[0013]

【実施例】本発明の一実施例について以下に説明する。
図1にアクティブマトリクス表示装置の概略の回路図を
示し、図2に同実施例の論理・駆動回路16の詳細な回
路図を、更に図3に上記2の論理・駆動回路16に使わ
れているインバータ回路17,バッファ回路18の一実
施例及び入出力波形を示す。
EXAMPLE An example of the present invention will be described below.
FIG. 1 shows a schematic circuit diagram of the active matrix display device, FIG. 2 shows a detailed circuit diagram of the logic / drive circuit 16 of the embodiment, and FIG. An example of an inverter circuit 17 and a buffer circuit 18 and input / output waveforms are shown.

【0014】本実施例は表示媒体として液晶が用いら
れ、一方の電極基板側は、各絵素毎にTFTスイッチン
グ素子3及びこのTFT3に制御される絵素電極4が設
けられ、この絵素電極基板に液晶層を介して他方の共通
電極5が対向する。絵素電極基板側には、マトリクス状
絵素の各ゲートバスライン1毎にTFTスイッチング素
子3の駆動を制御するための論理・駆動回路16が接続
されている。この論理・駆動回路は前述の従来回路と同
様に、直列接続した2個のTFTを前段(12,1
3),後段(14,15)に2段に接続したインバータ
回路17及びこのインバータ回路17の出力部に接続し
たバッファ回路18で構成するが、動作させる際の電源
電圧が前記従来回路とは異なる。
In this embodiment, liquid crystal is used as a display medium, and one electrode substrate side is provided with a TFT switching element 3 and a picture element electrode 4 controlled by the TFT 3 for each picture element. The other common electrode 5 faces the substrate via the liquid crystal layer. A logic / driving circuit 16 for controlling the driving of the TFT switching elements 3 is connected to each of the gate bus lines 1 of the matrix picture elements on the picture element electrode substrate side. This logic / drive circuit has two TFTs connected in series in the front stage (12, 1) as in the above-mentioned conventional circuit.
3), the latter stage (14, 15) is composed of the inverter circuit 17 connected in two stages and the buffer circuit 18 connected to the output part of the inverter circuit 17, but the power supply voltage when operating is different from the conventional circuit. ..

【0015】即ち本実施例の各論理・駆動回路16は、
2相クロック信号7,8(φ,−φ),スタートパルス
信号9に加えて電源電圧として、第1電源VDD1と第2
電源VDD2が印加されている。上記第1電源VDD1と第
2電源VDD2の関係は、第1電源VDD1が第2電源VDD
2より少なくともTFT12の電圧降下分を補償した高
い電圧(VDD1>VDD2)に設定されている。上記第1
及び第2電源電圧は、電源電圧VDDを昇圧或いは降圧回
路を介して形成することによって発生することができ
る。
That is, each logic / drive circuit 16 of this embodiment is
In addition to the two-phase clock signals 7 and 8 (φ, −φ) and the start pulse signal 9, the first power source V DD 1 and the second power source are used as power source voltages.
The power supply V DD 2 is applied. The relationship between the first power supply V DD 1 and the second power supply V DD 2 is that the first power supply V DD 1 is the second power supply V DD.
It is set to a voltage higher than 2 (V DD 1> V DD 2) which compensates at least the voltage drop of the TFT 12. First above
The second power supply voltage can be generated by forming the power supply voltage V DD via a step-up or step-down circuit.

【0016】上記各絵素毎に設けられたTFTスイッチ
ング素子3と論理・駆動回路16を構成するTFT12
〜15は、ポリシリコン,アモルファスシリコン等から
なる半導体層を用いた同一の薄膜トランジスタ構造から
なり、表示マトリクスを形成した共通の絶縁基板上に同
一工程によって作製される。
The TFT 12 which constitutes the logic / driving circuit 16 and the TFT switching element 3 provided for each picture element
Numerals 15 to 15 have the same thin film transistor structure using a semiconductor layer made of polysilicon, amorphous silicon or the like, and are manufactured in the same step on a common insulating substrate on which a display matrix is formed.

【0017】上記論理・駆動回路16を備えた表示装置
において、インバータ回路17の入力信号INとして図
3(b)に示すLowレベルが入力されると、TFT1
3はオフとなってTFT12を通してTFT14のゲー
トに電源電圧VDD1が印加される。このときTFT12
には電源電圧として降下分を補償する予め高い第1電源
電圧VDD1が供給されているため、オン状態のTFT1
2を通過することによって電源電圧が降下しても、TF
T14のゲートには第2電源電圧VDD2より高い十分な
駆動電圧を印加することができる。その結果、TFT1
4のオン抵抗を低く抑えて、図3(c)の実線で示すよ
うにインバータ回路17の出力がLowレベルからHi
ghレベルに立ち上がるときの遅延を最小限に抑え、論
理回路の安定化を図ることができる。図3(c)の破線
は比較のために従来回路の出力を示す。
In the display device including the logic / drive circuit 16, when the Low level shown in FIG. 3B is input as the input signal IN of the inverter circuit 17, the TFT 1
3 is turned off, and the power supply voltage V DD 1 is applied to the gate of the TFT 14 through the TFT 12. At this time, the TFT 12
Since a high first power supply voltage V DD 1 for compensating for the drop is previously supplied to the TFT 1, the TFT 1 in the ON state is
Even if the power supply voltage drops by passing 2,
A sufficient driving voltage higher than the second power supply voltage V DD 2 can be applied to the gate of T14. As a result, TFT1
4 is kept low, and the output of the inverter circuit 17 changes from the low level to the high level as shown by the solid line in FIG.
It is possible to minimize the delay when rising to the gh level and stabilize the logic circuit. The broken line in FIG. 3C shows the output of the conventional circuit for comparison.

【0018】一方上記インバータ回路17の出力を受け
てバスラインを駆動するバッファ回路18においても、
全く同様に、2個の直列接続したTFTを2段に接続す
ることによって構成され、これらに第1電源電圧VDD
及び第2電源電圧VDD2を印加して駆動するため、上記
のように立ち上がりの遅延を抑えることができ、本実施
例のように出力部に液晶のような極めて大きい負荷を接
続した場合でも、論理回路の動作を支障なく実行させる
ことができる。
On the other hand, in the buffer circuit 18 which receives the output of the inverter circuit 17 and drives the bus line,
Exactly the same, it is constituted by connecting two TFTs connected in series in two stages, and these are connected to the first power supply voltage V DD 1
Also, since the driving is performed by applying the second power supply voltage V DD2 , the rising delay can be suppressed as described above, and even when an extremely large load such as a liquid crystal is connected to the output section as in the present embodiment. The operation of the logic circuit can be executed without any trouble.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明のように、2段のTFTトランジ
スタを用いて構成する表示装置の駆動回路において、論
理・駆動回路を構成するTFTトランジスタの電源電圧
を、前段トランジスタの電源電圧を後段トランジスタの
電源電圧より予め高く設定することにより、表示装置の
大型化に伴うゲートバスライン本数の増加及び負荷の大
容量化に対しても、論理・駆動回路のためのインバータ
回路,バッファ回路の立ち上がり特性,立ち下がり特性
が著しく改善され、駆動回路の高速化,高出力化を図る
ことができ、表示装置の品質向上に貢献することができ
る。
As in the present invention, in a drive circuit of a display device configured by using two stages of TFT transistors, the power supply voltage of the TFT transistor constituting the logic / drive circuit is the power supply voltage of the front stage transistor and the power supply voltage of the front stage transistor is the rear stage transistor. By setting it higher than the power supply voltage in advance, the rising characteristics of the inverter circuit and the buffer circuit for the logic / drive circuit can be improved even when the number of gate bus lines increases and the load capacity increases as the display device increases in size. The fall characteristic is remarkably improved, the driving circuit can be speeded up and the output can be increased, which can contribute to the quality improvement of the display device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明のアクティブマトリクス基板の一実施
例を示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of an active matrix substrate of the present invention.

【図2】 本発明の論理回路・駆動回路を示す回路図。FIG. 2 is a circuit diagram showing a logic circuit / driving circuit of the present invention.

【図3】 本発明の一実施例を示す論理回路・駆動回路
内のインバータ回路・バッファ回路及び入出力波形。
FIG. 3 shows an inverter circuit / buffer circuit and an input / output waveform in a logic circuit / driving circuit showing an embodiment of the present invention.

【図4】 従来のアクティブマトリクス基板を示す平面
図。
FIG. 4 is a plan view showing a conventional active matrix substrate.

【図5】 従来の論理回路・駆動回路を示す回路図。FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional logic circuit / driving circuit.

【図6】 従来の論理回路・駆動回路内のインバータ回
路・バッファ回路及び入出力波形。
FIG. 6 shows an inverter circuit / buffer circuit and input / output waveforms in a conventional logic circuit / driving circuit.

【符号の説明】 1 ゲートバスライン 2 ソースバスライン 3 TFTスイッチング素子 4 絵素電極 5 対向電極 7 クロック信号ライン(φ) 8 クロック信号ライン(−φ) 9 スタートパルス信号ライン 12〜15 TFT 16 論理・駆動回路 17 インバータ回路 18 ゲートバスライン駆動用バッファ回路 19 第1電源電圧VDD1 20 第2電源電圧VDD2 21 グランドライン[Explanation of Codes] 1 gate bus line 2 source bus line 3 TFT switching element 4 picture element electrode 5 counter electrode 7 clock signal line (φ) 8 clock signal line (−φ) 9 start pulse signal line 12 to 15 TFT 16 logic Drive circuit 17 Inverter circuit 18 Gate bus line driving buffer circuit 19 First power supply voltage V DD 1 20 Second power supply voltage V DD 2 21 Ground line

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金森 謙 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャ−プ株式会社内 (72)発明者 片岡 義晴 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャ−プ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Ken Kanamori 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Within Sharp Co., Ltd. (72) Yoshiharu Kataoka 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Within Sharp Corporation

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の絵素と各絵素を駆動するための薄
膜トランジスタをマトリクス状に配置し、上記薄膜トラ
ンジスタに接続された複数の走査線及び信号線を有し、
上記絵素駆動用薄膜トランジスタと同じプロセスで製造
される薄膜トランジスタを含んでなる上記走査線又は上
記信号線を駆動する論理・駆動回路を有する表示装置に
おいて、前記論理・駆動回路は2個の薄膜トランジスタ
を2段接続したインバータ回路及びバッファ回路を含
み、前段薄膜トランジスタに供給する電源電圧は後段薄
膜トランジスタより高い電源電圧を供給してなることを
特徴とするアクティブマトリクス表示装置の駆動回路。
1. A plurality of picture elements and thin film transistors for driving each picture element are arranged in a matrix, and a plurality of scanning lines and signal lines connected to the thin film transistors are provided.
In a display device having a logic / drive circuit for driving the scanning line or the signal line, which includes a thin film transistor manufactured in the same process as the pixel driving thin film transistor, the logic / drive circuit includes two thin film transistors. A drive circuit for an active matrix display device, comprising an inverter circuit and a buffer circuit connected in stages, wherein a power supply voltage supplied to a front stage thin film transistor is higher than that of a rear stage thin film transistor.
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