JPH0522395B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0522395B2 JPH0522395B2 JP56076192A JP7619281A JPH0522395B2 JP H0522395 B2 JPH0522395 B2 JP H0522395B2 JP 56076192 A JP56076192 A JP 56076192A JP 7619281 A JP7619281 A JP 7619281A JP H0522395 B2 JPH0522395 B2 JP H0522395B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- charge
- blanking
- storage electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像装置のうちのいわゆるライン
センサの製造方法に関するものである。
センサの製造方法に関するものである。
ラインセンサは周知のようにたとえば帳票など
の描線を読みとる光センサとして用いられる。こ
の種の光センサで読みとられる帳票の、ラインセ
ンサの長手方向を主走査方向と称し、それと直角
な帳票の流れる方向を副走査方向と呼ぶことは周
知である。
の描線を読みとる光センサとして用いられる。こ
の種の光センサで読みとられる帳票の、ラインセ
ンサの長手方向を主走査方向と称し、それと直角
な帳票の流れる方向を副走査方向と呼ぶことは周
知である。
第１図は従来の代表的なラインセンサの平面図
であつてホトダイオード１以外の部分は絶縁膜で
絶縁された遮光膜によつて覆われているが、該ホ
トダイオード１に入射した光に起因して光電変換
によつて生じた電荷は、電荷堰２ではさまれた蓄
積電極３直下の部分に蓄えられた後、移送ゲート
４に電圧が与えられれば該電圧によつて生じた移
送ゲート４直下のチヤンネルを介して矢印イ方向
に流れて電荷転送装置（以下CCDと呼ぶ）５の
転送電極６直下に移送された後、矢印ハ方向に転
送されて読み出される。
であつてホトダイオード１以外の部分は絶縁膜で
絶縁された遮光膜によつて覆われているが、該ホ
トダイオード１に入射した光に起因して光電変換
によつて生じた電荷は、電荷堰２ではさまれた蓄
積電極３直下の部分に蓄えられた後、移送ゲート
４に電圧が与えられれば該電圧によつて生じた移
送ゲート４直下のチヤンネルを介して矢印イ方向
に流れて電荷転送装置（以下CCDと呼ぶ）５の
転送電極６直下に移送された後、矢印ハ方向に転
送されて読み出される。
以上は入射光がごく通常のレベルであるかそれ
ともかなり低いレベルの場合であるが、これとは
逆に入射光がかなり強い場合には電荷はホトダイ
オードならびに蓄積ゲート直下の部分から溢れ出
て電荷堰２を越えてしまい、電荷のまざり合いが
起こつていわゆるクロストークを生じてしまう。
ともかなり低いレベルの場合であるが、これとは
逆に入射光がかなり強い場合には電荷はホトダイ
オードならびに蓄積ゲート直下の部分から溢れ出
て電荷堰２を越えてしまい、電荷のまざり合いが
起こつていわゆるクロストークを生じてしまう。
このような入射光がかなり強い場合には上記の
電荷の溢れ出しをさけるためにブランキングゲー
ト７に電圧を印加してその直下にチヤンネルを作
り、前記の電荷読出しに先立つて蓄積電荷を矢印
ロ方向に流し出して、たとえば10V程度の電圧が
印加された電荷排出ドレイン８に排せつするよう
にされている。ただし２１，２２，２３，２４は
CCDの転送電圧φ1，φ2，φ3，φ4の印加端子であ
る。また、第２図は前記第１図中の１点鎖線Ｘ〜
X′間断面を示したもので、９は半導体基板、１
０は絶縁膜、１１は遮光膜、１２は転送電極６直
下の空乏層、２５，２６，２７，２８，２９は電
圧印加用の端子である。このような方法でライン
センサにいわゆるブランキング機能を持たせれ
ば、クロストークをなくすと同時に副走査方向の
解像度を向上させることも可能となる。
電荷の溢れ出しをさけるためにブランキングゲー
ト７に電圧を印加してその直下にチヤンネルを作
り、前記の電荷読出しに先立つて蓄積電荷を矢印
ロ方向に流し出して、たとえば10V程度の電圧が
印加された電荷排出ドレイン８に排せつするよう
にされている。ただし２１，２２，２３，２４は
CCDの転送電圧φ1，φ2，φ3，φ4の印加端子であ
る。また、第２図は前記第１図中の１点鎖線Ｘ〜
X′間断面を示したもので、９は半導体基板、１
０は絶縁膜、１１は遮光膜、１２は転送電極６直
下の空乏層、２５，２６，２７，２８，２９は電
圧印加用の端子である。このような方法でライン
センサにいわゆるブランキング機能を持たせれ
ば、クロストークをなくすと同時に副走査方向の
解像度を向上させることも可能となる。
ところでラインセンサには別にデユアルライン
型と呼ばれる構造のものもある。これは第８図中
の点線で示したように、５として示したCCDな
らびに４として示した移送ゲートの他に今１組の
CCD５′および移送ゲート４′を、アレイをなす
１として示したホトダイオードの列に対して線対
称の位置に配設した上で、当該ホトダイオード１
の間に１′として示したホトダイオードを形成す
ると共に、該ホトダイオード１′から上記CCD
５′の転送電極６′へ矢印イ′の方向に従つて供給
される電荷を一時蓄積する蓄積電極８′を上記ホ
トダイオード１′と転送電極６′との間に構成した
ものである。なお第８図中の実線で描かれた部位
と同等の機能を有する部分にはダツシユを付した
記号を用いて示してある。このようなデユアルラ
イン型のラインセンサでは、ブランキングゲート
７，７′と電荷排出ドレイン８，８′を相隣り合う
蓄積ゲート８の間および８′の間に配設する方法
がとられるが、このような構造がとられるなら
ば、蓄積電極直下に蓄えられた電荷のうちの排せ
つされるべき余剰の電荷は第８図中の矢印ニおよ
びニ′で示したように流れるために、１対ずつの
蓄積電極ならびにホトダイオードについてブラン
キングゲートおよび電荷排出ドレインが１つで済
むという利点があり、集積度を向上せしめる上で
効果がある。なお、第８図中の第１図、第２図と
同等部位には同一記号を付して示してある。
型と呼ばれる構造のものもある。これは第８図中
の点線で示したように、５として示したCCDな
らびに４として示した移送ゲートの他に今１組の
CCD５′および移送ゲート４′を、アレイをなす
１として示したホトダイオードの列に対して線対
称の位置に配設した上で、当該ホトダイオード１
の間に１′として示したホトダイオードを形成す
ると共に、該ホトダイオード１′から上記CCD
５′の転送電極６′へ矢印イ′の方向に従つて供給
される電荷を一時蓄積する蓄積電極８′を上記ホ
トダイオード１′と転送電極６′との間に構成した
ものである。なお第８図中の実線で描かれた部位
と同等の機能を有する部分にはダツシユを付した
記号を用いて示してある。このようなデユアルラ
イン型のラインセンサでは、ブランキングゲート
７，７′と電荷排出ドレイン８，８′を相隣り合う
蓄積ゲート８の間および８′の間に配設する方法
がとられるが、このような構造がとられるなら
ば、蓄積電極直下に蓄えられた電荷のうちの排せ
つされるべき余剰の電荷は第８図中の矢印ニおよ
びニ′で示したように流れるために、１対ずつの
蓄積電極ならびにホトダイオードについてブラン
キングゲートおよび電荷排出ドレインが１つで済
むという利点があり、集積度を向上せしめる上で
効果がある。なお、第８図中の第１図、第２図と
同等部位には同一記号を付して示してある。
第４図はこのデユアルライン型ラインセンサの
要部におけるＹ〜Y′間断面を示したもので、同
図からわかるように、従来はまず蓄積電極８をた
とえばポリシリコンのような電極構成材料で絶縁
膜１０上に構成してからその表面を二酸化硅素
（SiO2）化し、この上に一部オーバラツプさせて
やはりポリシリコンを材料とするブランキングゲ
ート７を構成するという方法が採られていた。そ
してこのあとから構成されたブランキングゲート
７をマスクとして、半導体基板９と逆導電型の不
純物をたとえば拡散するなどのいわゆる自己整合
法によつて電荷排出ドレイン８を構成していた。
要部におけるＹ〜Y′間断面を示したもので、同
図からわかるように、従来はまず蓄積電極８をた
とえばポリシリコンのような電極構成材料で絶縁
膜１０上に構成してからその表面を二酸化硅素
（SiO2）化し、この上に一部オーバラツプさせて
やはりポリシリコンを材料とするブランキングゲ
ート７を構成するという方法が採られていた。そ
してこのあとから構成されたブランキングゲート
７をマスクとして、半導体基板９と逆導電型の不
純物をたとえば拡散するなどのいわゆる自己整合
法によつて電荷排出ドレイン８を構成していた。
一般にこの最初に配設される電極構成材料を第
１層ポリシリコンと称し、次の段階で配設される
電極構成材料が第２層ポリシリコンと呼ばれてい
るので、以下の説明においてもこの呼び方になら
うことにする。
１層ポリシリコンと称し、次の段階で配設される
電極構成材料が第２層ポリシリコンと呼ばれてい
るので、以下の説明においてもこの呼び方になら
うことにする。
ところがこの第４図の断面図に示したように、
ブランキングゲート７と電荷排出ドレイン８を構
成するならば、ブランキングゲート７がたとえば
右側にずれて配設されてしまつたような場合に
は、右側の蓄積電極８上にオーバラツプするブラ
ンキングゲート７の部分が増加する一方で、左側
の蓄積電極８上にオーバラツプするブランキング
ゲート７の部分が少なくなるのであるが、この場
合電荷排出ドレインは右側に片寄つて形成されて
しまうため、第４図中でWrとして示したブラン
キングゲートの幅が短くなる一方、Wlとして示
したブランキングゲートの幅が長くなる。
ブランキングゲート７と電荷排出ドレイン８を構
成するならば、ブランキングゲート７がたとえば
右側にずれて配設されてしまつたような場合に
は、右側の蓄積電極８上にオーバラツプするブラ
ンキングゲート７の部分が増加する一方で、左側
の蓄積電極８上にオーバラツプするブランキング
ゲート７の部分が少なくなるのであるが、この場
合電荷排出ドレインは右側に片寄つて形成されて
しまうため、第４図中でWrとして示したブラン
キングゲートの幅が短くなる一方、Wlとして示
したブランキングゲートの幅が長くなる。
このようなことが起こると、ブランキングゲー
ト７、絶縁膜１０、半導体基板９で形成される右
側のMOS構成体と左側のMOS構成体とでは、い
わゆるしきい値電圧Vtが異なつてしまい、した
がつて上記両MOS構成体のブランキングゲート
７直下に生じるチヤンネル２０ｒと２０ｌの深さ
が同一でなくなる。すると右側の蓄積電極８直下
の電位の井戸（以下単に井戸と称する）に蓄えら
れていた蓄積電荷のうちの電荷排出ドレインへ排
出される電荷量Qdrと左側の蓄積電極８直下の井
戸に蓄えられていた蓄積電荷のうちの排出される
電荷量Qdlとは同一でなくなつて、一般に電荷量
Qdrの方がQdlよりも多くなつてしまう。
ト７、絶縁膜１０、半導体基板９で形成される右
側のMOS構成体と左側のMOS構成体とでは、い
わゆるしきい値電圧Vtが異なつてしまい、した
がつて上記両MOS構成体のブランキングゲート
７直下に生じるチヤンネル２０ｒと２０ｌの深さ
が同一でなくなる。すると右側の蓄積電極８直下
の電位の井戸（以下単に井戸と称する）に蓄えら
れていた蓄積電荷のうちの電荷排出ドレインへ排
出される電荷量Qdrと左側の蓄積電極８直下の井
戸に蓄えられていた蓄積電荷のうちの排出される
電荷量Qdlとは同一でなくなつて、一般に電荷量
Qdrの方がQdlよりも多くなつてしまう。
しかるに右側の蓄積電極直下に蓄えられている
蓄積電荷量と左側の蓄積電極直下の蓄積電荷量と
は本来同じであるから、このようなことが起これ
ば、第８図に示したCCD５の右側の転送電極６
に矢印イ方向に移送される電荷量と左側の転送電
極６にやはり矢印イ方向に移送される電荷量とは
同一でなくなり、このようなラインセンサで撮像
された画像信号を用いる再生画像に歪みを生じて
しまい画質の低下を招来してしまう結果となる。
いうまでもなくこうした現象は第８図に示した電
荷排出ドレイン８′とそれを囲むブランキングゲ
ート７′についても同様のことが言える。
蓄積電荷量と左側の蓄積電極直下の蓄積電荷量と
は本来同じであるから、このようなことが起これ
ば、第８図に示したCCD５の右側の転送電極６
に矢印イ方向に移送される電荷量と左側の転送電
極６にやはり矢印イ方向に移送される電荷量とは
同一でなくなり、このようなラインセンサで撮像
された画像信号を用いる再生画像に歪みを生じて
しまい画質の低下を招来してしまう結果となる。
いうまでもなくこうした現象は第８図に示した電
荷排出ドレイン８′とそれを囲むブランキングゲ
ート７′についても同様のことが言える。
本発明はこうした欠点に鑑みてなされたもの
で、アレイをなすホトダイオードをそれぞれ蓄積
電極の一端にそなえ、該蓄積電極の他端に移送ゲ
ートを介して電荷転送装置を有し、かつ隣り合う
蓄積電極同志の間に電荷排出ドレインとブランキ
ングゲートとを有する固体撮像装置において、上
記ブランキングゲートを第１層ポリシリコンで形
成した後に上記蓄積電極を第２層ポリシリコンで
構成するようにして、上記の隣り合うそれぞれの
蓄積電極から排出される電荷量QdrとQdlとが等し
くなるようにしたことを特徴とする固体撮像装置
の製造方法を提供せんとするもので、第５図を用
いて詳述する。
で、アレイをなすホトダイオードをそれぞれ蓄積
電極の一端にそなえ、該蓄積電極の他端に移送ゲ
ートを介して電荷転送装置を有し、かつ隣り合う
蓄積電極同志の間に電荷排出ドレインとブランキ
ングゲートとを有する固体撮像装置において、上
記ブランキングゲートを第１層ポリシリコンで形
成した後に上記蓄積電極を第２層ポリシリコンで
構成するようにして、上記の隣り合うそれぞれの
蓄積電極から排出される電荷量QdrとQdlとが等し
くなるようにしたことを特徴とする固体撮像装置
の製造方法を提供せんとするもので、第５図を用
いて詳述する。
第５図は本発明に係る固体撮像装置の電荷排出
ドレインとブランキングゲートならびに蓄積電極
の部分の前記第８図中のＹ〜Y′断面に相当する
部分における構造図を示したものであつて、前記
第４図と同等部位には同一符号を付して示してあ
る。
ドレインとブランキングゲートならびに蓄積電極
の部分の前記第８図中のＹ〜Y′断面に相当する
部分における構造図を示したものであつて、前記
第４図と同等部位には同一符号を付して示してあ
る。
この第５図から容易にわかるように本発明に係
る固体撮像装置では、たとえばポリシリコンのよ
うな電極材料を用いてブランキングゲート７をま
ず構成する。すなわちブランキングゲート７は第
１層ポリシリコンで構成されている。そして該第
１層ポリシリコンによるブランキングゲート７の
表面をたとえば2000Å程度酸化してSiO2膜３０
を形成し、その後、第２層ポリシリコンのような
電極材料を用いて蓄積電極３を半導体基板９上面
の絶縁膜１０上に形成する。この場合該第２層ポ
リシリコンによる蓄積電極３の端部８ａが前記ポ
リシリコンによるブランキングゲート７の端部７
ａにオーバラツプするようにする。そして上記の
表面が酸化されたブランキングゲート７をマスク
として、いわゆる自己整合法によつて半導体基板
９と逆導電型の不純物のドープを行い、電荷排出
ドレイン８を形成する。
る固体撮像装置では、たとえばポリシリコンのよ
うな電極材料を用いてブランキングゲート７をま
ず構成する。すなわちブランキングゲート７は第
１層ポリシリコンで構成されている。そして該第
１層ポリシリコンによるブランキングゲート７の
表面をたとえば2000Å程度酸化してSiO2膜３０
を形成し、その後、第２層ポリシリコンのような
電極材料を用いて蓄積電極３を半導体基板９上面
の絶縁膜１０上に形成する。この場合該第２層ポ
リシリコンによる蓄積電極３の端部８ａが前記ポ
リシリコンによるブランキングゲート７の端部７
ａにオーバラツプするようにする。そして上記の
表面が酸化されたブランキングゲート７をマスク
として、いわゆる自己整合法によつて半導体基板
９と逆導電型の不純物のドープを行い、電荷排出
ドレイン８を形成する。
このようにするならばブランキングゲート７は
ポリシリコンのパターニングによつて第５図中で
右と左に示した該ゲートの各横方向寸法を精度よ
く同一にできるから第２層ポリシリコンによる蓄
積電極８の配設位置が左右どちらかに多少片寄つ
ても、ブランキングゲート７の左右両方の各部の
直下に生じるチヤンネル２０ｒ，２０ｌの長さ
Wr，Wlは精度よく同一にすることができる。し
たがつて該チヤンネルが作る図示しない井戸の深
さにも差を生じることがなく、このために第５図
中で左右それぞれに描かれた蓄積電極３直下の図
示しない井戸のそれぞれから電荷排出ドレイン８
へ排出される電荷量QdrとQdlとは等しくなり、こ
のために前記第８図中の矢印イ方向にCCDの転
送電極６直下へ流入する各電荷量間に差を生ずる
ことはなくなる。このために再生画像の画質が損
なわれることはなくなつて良質の画像が得られる
ことになる。
ポリシリコンのパターニングによつて第５図中で
右と左に示した該ゲートの各横方向寸法を精度よ
く同一にできるから第２層ポリシリコンによる蓄
積電極８の配設位置が左右どちらかに多少片寄つ
ても、ブランキングゲート７の左右両方の各部の
直下に生じるチヤンネル２０ｒ，２０ｌの長さ
Wr，Wlは精度よく同一にすることができる。し
たがつて該チヤンネルが作る図示しない井戸の深
さにも差を生じることがなく、このために第５図
中で左右それぞれに描かれた蓄積電極３直下の図
示しない井戸のそれぞれから電荷排出ドレイン８
へ排出される電荷量QdrとQdlとは等しくなり、こ
のために前記第８図中の矢印イ方向にCCDの転
送電極６直下へ流入する各電荷量間に差を生ずる
ことはなくなる。このために再生画像の画質が損
なわれることはなくなつて良質の画像が得られる
ことになる。
要するに本発明はブランキングゲート７と蓄積
電極８との配設順序を逆にするだけであり、この
ようなことで再生画像の質を大きく向上せしめう
るものであるために、実用上多大の効果が期待で
きる。
電極８との配設順序を逆にするだけであり、この
ようなことで再生画像の質を大きく向上せしめう
るものであるために、実用上多大の効果が期待で
きる。
第１図は従来の固体撮像装置たるラインセンサ
の上面図、また第２図は上記第１図中のＸ〜
X′断面を示した図、第８図は従来のデユアルラ
イン型ラインセンサの上面図、第４図は第８図中
のＹ〜Y′断面を示した図、第５図は本発明に係
る固体撮像装置たるラインセンサの要部断面を示
す図である。 １：ホトダイオード、２：電荷堰、３：蓄積ゲ
ート、４：移送ゲート、５：CCD部、６：CCD
の転送電極、７：ブランキングゲート、８：電荷
排出ドレイン、９：半導体基板、１０：絶縁膜、
１１：遮光膜、２０ｌ，２０ｒ：ブランキングゲ
ート７直下のチヤンネル。
の上面図、また第２図は上記第１図中のＸ〜
X′断面を示した図、第８図は従来のデユアルラ
イン型ラインセンサの上面図、第４図は第８図中
のＹ〜Y′断面を示した図、第５図は本発明に係
る固体撮像装置たるラインセンサの要部断面を示
す図である。 １：ホトダイオード、２：電荷堰、３：蓄積ゲ
ート、４：移送ゲート、５：CCD部、６：CCD
の転送電極、７：ブランキングゲート、８：電荷
排出ドレイン、９：半導体基板、１０：絶縁膜、
１１：遮光膜、２０ｌ，２０ｒ：ブランキングゲ
ート７直下のチヤンネル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アレイをなすホトダイオード１のそれぞれを
各蓄積電極３の一端にそなえ、当該各蓄積電極の
他端に移送ゲート４を介して電荷転送装置５を有
し、かつ互いに隣り合う蓄積電極同志の間に共通
の電荷排出ドレイン８とブランキングゲート７と
をそなえた形の固体撮像装置において、 中央に電荷排出ドレインの形成予定領域となる
窓をそなえたパターンで最初に上記ブランキング
ゲート７を形成してゲート長を定めたのちに該ブ
ランキングゲートに一部オーバラツプする形で隣
接して上記蓄積電極３を形成し、その後上記ブラ
ンキングゲートをマスクとして自己整合法により
上記窓部に電荷排出ドレイン８を形成することに
り、該電荷排出ドレイン８の両側にあるブランキ
ングゲート７のゲート長を同一に形成するように
したことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56076192A JPS57190353A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Manufacture of solid-state image pick-up device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56076192A JPS57190353A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Manufacture of solid-state image pick-up device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57190353A JPS57190353A (en) | 1982-11-22 |
| JPH0522395B2 true JPH0522395B2 (ja) | 1993-03-29 |
Family
ID=13598266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56076192A Granted JPS57190353A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Manufacture of solid-state image pick-up device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57190353A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2578683B1 (fr) * | 1985-03-08 | 1987-08-28 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'une diode anti-eblouissement associee a un canal en surface, et systeme anti-eblouissement obtenu par ce procede |
| JP2681715B2 (ja) * | 1991-04-22 | 1997-11-26 | 株式会社小糸製作所 | 塗装用治具 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558581A (en) * | 1978-10-26 | 1980-05-01 | Fujitsu Ltd | Infrared rays detector |
| JPS5646571A (en) * | 1979-09-26 | 1981-04-27 | Sony Corp | Manufacture of solid image pickup element |
-
1981
- 1981-05-19 JP JP56076192A patent/JPS57190353A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558581A (en) * | 1978-10-26 | 1980-05-01 | Fujitsu Ltd | Infrared rays detector |
| JPS5646571A (en) * | 1979-09-26 | 1981-04-27 | Sony Corp | Manufacture of solid image pickup element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57190353A (en) | 1982-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101159032B1 (ko) | 고체 촬상 소자 | |
| JPS5819080A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US5040038A (en) | Solid-state image sensor | |
| JPS6216599B2 (ja) | ||
| JPS6244818B2 (ja) | ||
| JPH0319711B2 (ja) | ||
| JPH0522395B2 (ja) | ||
| JPS6118172A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6214947B2 (ja) | ||
| JP3218665B2 (ja) | 電荷転送装置の製造方法 | |
| JP3384509B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS58220573A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2975648B2 (ja) | 電荷結合装置 | |
| JP3303384B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
| JPH02237068A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04274367A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6052595B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0570947B2 (ja) | ||
| JPH0682823B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2542902B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04369266A (ja) | Ｃｃｄ固体撮像素子 | |
| JPH0521350B2 (ja) | ||
| JPS60105382A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6146061A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH06268924A (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 |