JPH05221712A - 焼結体およびその製造法 - Google Patents
焼結体およびその製造法Info
- Publication number
- JPH05221712A JPH05221712A JP4059043A JP5904392A JPH05221712A JP H05221712 A JPH05221712 A JP H05221712A JP 4059043 A JP4059043 A JP 4059043A JP 5904392 A JP5904392 A JP 5904392A JP H05221712 A JPH05221712 A JP H05221712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tic
- powder
- al2o3
- particles
- coating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】薄膜磁気ヘッド用基板として最適な摺動潤滑
性、耐摩耗性、磁気特性、機械加工性と高信頼性に優れ
たＡｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ系焼結体を得る。 【構成】ＴｉＣを含む被膜を形成した平均粒径２μｍ以
下のＡｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ粒子からなる焼結体とするため
に、０．３μｍ以下のＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ粉末にＴｉを
含む有機化合物を加えた原料配合物を成形、焼結する。
性、耐摩耗性、磁気特性、機械加工性と高信頼性に優れ
たＡｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ系焼結体を得る。 【構成】ＴｉＣを含む被膜を形成した平均粒径２μｍ以
下のＡｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ粒子からなる焼結体とするため
に、０．３μｍ以下のＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ粉末にＴｉを
含む有機化合物を加えた原料配合物を成形、焼結する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッド基板とし
て最適な摺動潤滑性および耐摩耗性、磁気特性等を有
し、しかも特に機械加工性と高信頼性に優れたＡｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＣ系焼結体およびその製造法に関するものであ
る。
て最適な摺動潤滑性および耐摩耗性、磁気特性等を有
し、しかも特に機械加工性と高信頼性に優れたＡｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＣ系焼結体およびその製造法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録密度向上の要求に対応す
るため薄膜磁気ヘッドの開発が進められているが、さら
なる高密度化の要請により薄膜磁気ヘッドの磁気ディス
クとの浮上隙間、いわゆるフライングハイトの狭小化や
薄膜磁気ヘッド本体であるスライダーの小型化が進んで
いる。このような状況下において薄膜磁気ヘッド用基板
としては、摺動性、潤滑性、耐摩耗性、耐久性などの諸
特性が要求されるが、特に精密加工に最適な機械加工性
が重要である。そのため、薄膜磁気ヘッド基板として各
種材質のものが提案されており、実用化されたものとし
てはＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系のものがある（例えば特開昭
５５−１６３６６５号）。
るため薄膜磁気ヘッドの開発が進められているが、さら
なる高密度化の要請により薄膜磁気ヘッドの磁気ディス
クとの浮上隙間、いわゆるフライングハイトの狭小化や
薄膜磁気ヘッド本体であるスライダーの小型化が進んで
いる。このような状況下において薄膜磁気ヘッド用基板
としては、摺動性、潤滑性、耐摩耗性、耐久性などの諸
特性が要求されるが、特に精密加工に最適な機械加工性
が重要である。そのため、薄膜磁気ヘッド基板として各
種材質のものが提案されており、実用化されたものとし
てはＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系のものがある（例えば特開昭
５５−１６３６６５号）。
【０００３】Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系基板の製造方法とし
ては、Ａｌ2 Ｏ3 粒子、およびＴｉＣ粒子に粒成長抑制
剤等の焼結助剤を添加し通常の粉砕混合を行ったのちに
ホットプレスや熱間静水圧で焼結し、所定サイズの基板
を得る方法がとられている。
ては、Ａｌ2 Ｏ3 粒子、およびＴｉＣ粒子に粒成長抑制
剤等の焼結助剤を添加し通常の粉砕混合を行ったのちに
ホットプレスや熱間静水圧で焼結し、所定サイズの基板
を得る方法がとられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッド用Ａｌ
2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板には、極めて高精度の鏡面仕上げ加
工性やチッピングがほとんど発生せずしかも容易な機械
加工性が要求される。そのようなＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基
板としては、ほとんど理論密度に近いレベルまで焼結す
る必要があり、しかも焼結に際しては粒成長を十分に抑
制しなければならない。
2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板には、極めて高精度の鏡面仕上げ加
工性やチッピングがほとんど発生せずしかも容易な機械
加工性が要求される。そのようなＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基
板としては、ほとんど理論密度に近いレベルまで焼結す
る必要があり、しかも焼結に際しては粒成長を十分に抑
制しなければならない。
【０００５】しかし従来の技術（例えば特開昭５５−１
６３６６５号）では、目的とする理論密度を得るために
高い焼結温度を必要とし、その結果、粒成長抑制剤を添
加しているにもかかわらずＡｌ2 Ｏ3 結晶粒の粒成長を
伴いチッピングや微細孔ができやすいという欠点があ
る。この欠点の解消を目的として各種の焼結助剤が提案
されている（例えば特開昭６３−１２９０６１号）が、
Ａｌ2 Ｏ3 粒子間やＡｌ2 Ｏ3 粒子とＴｉＣ粒子の粒界
に粒成長抑制剤が偏析していることに変わりはなくチッ
ピングや微細孔の解消という点で不十分であった。本発
明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を解消し
ようとするものである。
６３６６５号）では、目的とする理論密度を得るために
高い焼結温度を必要とし、その結果、粒成長抑制剤を添
加しているにもかかわらずＡｌ2 Ｏ3 結晶粒の粒成長を
伴いチッピングや微細孔ができやすいという欠点があ
る。この欠点の解消を目的として各種の焼結助剤が提案
されている（例えば特開昭６３−１２９０６１号）が、
Ａｌ2 Ｏ3 粒子間やＡｌ2 Ｏ3 粒子とＴｉＣ粒子の粒界
に粒成長抑制剤が偏析していることに変わりはなくチッ
ピングや微細孔の解消という点で不十分であった。本発
明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を解消し
ようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解決するべくなされたものであり、本質的にはＴｉＣ
を含む被膜でコーティングされたＡｌ2 Ｏ3 粒子で特徴
づけられたものであり、そのための方法としてＡｌ2 Ｏ
3 粒子の表面に焼成時にＴｉＣを含む被膜を形成するよ
うな成分を配合することを特徴とするＡｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ
Ｃ系焼結体の製造方法を提供するものである。
を解決するべくなされたものであり、本質的にはＴｉＣ
を含む被膜でコーティングされたＡｌ2 Ｏ3 粒子で特徴
づけられたものであり、そのための方法としてＡｌ2 Ｏ
3 粒子の表面に焼成時にＴｉＣを含む被膜を形成するよ
うな成分を配合することを特徴とするＡｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ
Ｃ系焼結体の製造方法を提供するものである。
【０００７】以下本発明を最も適した用途である薄膜磁
気ヘッド用基板として説明するが、その他の用途に用い
ることもできるものである。
気ヘッド用基板として説明するが、その他の用途に用い
ることもできるものである。
【０００８】本発明で用いられるコーティング剤として
の被膜形成成分はチタンを含む有機化合物であれば最も
効果的に目的を達成することができるもので、その代表
的なものとしてチタンカップリング剤がある。チタンカ
ップリング剤としては、テトライソプロピルチタネー
ト、テトラブチルチタネート、テトラステアリルチタネ
ート、のようなテトラアルキルチタネート、イソプロキ
シチタニウムステアレート、イソプロピルステアリルチ
タネート、イソプロピルトリデシルベンゼンスルホニル
チタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェー
ト）チタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルパイロ
ホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−エ
チルアミノーエチルアミノ）チタネート、テトラオクチ
ルジ（ジトリデシルホシファイト）チタネートなどがあ
る。
の被膜形成成分はチタンを含む有機化合物であれば最も
効果的に目的を達成することができるもので、その代表
的なものとしてチタンカップリング剤がある。チタンカ
ップリング剤としては、テトライソプロピルチタネー
ト、テトラブチルチタネート、テトラステアリルチタネ
ート、のようなテトラアルキルチタネート、イソプロキ
シチタニウムステアレート、イソプロピルステアリルチ
タネート、イソプロピルトリデシルベンゼンスルホニル
チタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェー
ト）チタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルパイロ
ホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−エ
チルアミノーエチルアミノ）チタネート、テトラオクチ
ルジ（ジトリデシルホシファイト）チタネートなどがあ
る。
【０００９】また本発明において、チタンを含む有機化
合物でコーティングされたＡｌ2 Ｏ3 粉末を得る方法は
特に限定されないが、例えば水または有機溶媒にチタン
を含む有機化合物を溶解した後セラミックス粉末を投入
し必要に応じて加熱するなどして反応を促進して撹拌混
合し、ろ過分離などして粉末を得る方法やこの後さらに
焼付けを実施する方法、あるいはチタンを含む有機化合
物を溶解させた水や有機溶剤にセラミックス粉末を投入
し撹拌混合してスラリーとなした後スプレードライヤー
で噴霧乾燥する方法またはチタンカップリング剤をセラ
ミックス粉末に直接と噴霧スプレーした後加熱する方法
が好ましい。
合物でコーティングされたＡｌ2 Ｏ3 粉末を得る方法は
特に限定されないが、例えば水または有機溶媒にチタン
を含む有機化合物を溶解した後セラミックス粉末を投入
し必要に応じて加熱するなどして反応を促進して撹拌混
合し、ろ過分離などして粉末を得る方法やこの後さらに
焼付けを実施する方法、あるいはチタンを含む有機化合
物を溶解させた水や有機溶剤にセラミックス粉末を投入
し撹拌混合してスラリーとなした後スプレードライヤー
で噴霧乾燥する方法またはチタンカップリング剤をセラ
ミックス粉末に直接と噴霧スプレーした後加熱する方法
が好ましい。
【００１０】さらには、Ａｌ2 Ｏ3 粒子とＴｉＣ粒子お
よび焼結助剤を湿式粉砕混合する際に粉砕媒体と一緒に
チタンを含む有機化合物を添加して乾燥しＡｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ原料粉末とする方法などがある。
よび焼結助剤を湿式粉砕混合する際に粉砕媒体と一緒に
チタンを含む有機化合物を添加して乾燥しＡｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ原料粉末とする方法などがある。
【００１１】また、これらチタンを含む有機化合物など
の被膜形成成分の使用量は、有機化合物など中のチタン
量がＡｌ2 Ｏ3 とＴｉＣのセラミックス粉末に対し０.
０５〜１０重量％、好ましくは０. １〜５重量％となる
ように使用するのが望ましい。
の被膜形成成分の使用量は、有機化合物など中のチタン
量がＡｌ2 Ｏ3 とＴｉＣのセラミックス粉末に対し０.
０５〜１０重量％、好ましくは０. １〜５重量％となる
ように使用するのが望ましい。
【００１２】本発明焼結体基板を構成するＡｌ2 Ｏ3 、
ＴｉＣの結晶粒径はいずれも２μｍ以下にすることが望
ましく、２μｍ以下にすることにより機械的特性が著し
く向上しチッピングやクラックの小さい機械加工性に優
れた基板ができる。そのために本発明を構成するＡｌ2
Ｏ3 、ＴｉＣ等の原料粉末の粒度はより細かいものが必
要であり平均粒径が０. ３μｍのものが用いられる。
０. ３μｍ以上では焼結して生成する結晶粒が成長して
大きくなりやすく薄膜磁気ヘッド基板の表面の平滑性が
低下するので好ましくない。
ＴｉＣの結晶粒径はいずれも２μｍ以下にすることが望
ましく、２μｍ以下にすることにより機械的特性が著し
く向上しチッピングやクラックの小さい機械加工性に優
れた基板ができる。そのために本発明を構成するＡｌ2
Ｏ3 、ＴｉＣ等の原料粉末の粒度はより細かいものが必
要であり平均粒径が０. ３μｍのものが用いられる。
０. ３μｍ以上では焼結して生成する結晶粒が成長して
大きくなりやすく薄膜磁気ヘッド基板の表面の平滑性が
低下するので好ましくない。
【００１３】本発明方法において、原料粉末を成形後焼
結する条件として、雰囲気としてはアルゴン、窒素など
の不活性雰囲気とし、温度は１５００〜１８００℃が好
ましい。
結する条件として、雰囲気としてはアルゴン、窒素など
の不活性雰囲気とし、温度は１５００〜１８００℃が好
ましい。
【００１４】以下模式的に示した図面を参照して説明す
る。図２は、従来の組織を説明するもので図中１はＡｌ
2 Ｏ3 粒子、２はＴｉＣ粒子、３は粒界を示す。図１
は、本発明の組織を説明するもので図中の１から３は図
２と対応しており、図１で４がＡｌ2 Ｏ3 粒子をコーテ
ィングしているＴｉＣを含む被膜である。ここでこのＴ
ｉＣを含む被膜は厚みとしては通常０．０１〜０．２μ
程度であることが緻密な微細組織のために望ましく、ま
たＡｌ2 Ｏ3 粒子のほぼ全周をコーティングしている状
態が望ましい。
る。図２は、従来の組織を説明するもので図中１はＡｌ
2 Ｏ3 粒子、２はＴｉＣ粒子、３は粒界を示す。図１
は、本発明の組織を説明するもので図中の１から３は図
２と対応しており、図１で４がＡｌ2 Ｏ3 粒子をコーテ
ィングしているＴｉＣを含む被膜である。ここでこのＴ
ｉＣを含む被膜は厚みとしては通常０．０１〜０．２μ
程度であることが緻密な微細組織のために望ましく、ま
たＡｌ2 Ｏ3 粒子のほぼ全周をコーティングしている状
態が望ましい。
【００１５】
【作用】本発明において、その焼結体としての効果をも
たらすＡｌ2 Ｏ3 粒子をコーティングしているＴｉＣを
含有するセラミック被膜の作用機構は必ずしも明確でな
いが、Ａｌ2 Ｏ3 粒子全体を包み込むことによりＡｌ2
Ｏ3 粒子の粒成長を等方的に抑制する効果を生ずるもの
と考えられる。特に焼結時にＴｉＣ被膜ができるような
方法のときその効果が大きいと思われる。このことによ
り粒成長を防ぎながら高密度にＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板
を焼結することが可能となり、極めて高精度の鏡面仕上
げ性とチッピングの非常に少ない薄膜磁気ヘッド基板が
得られる。
たらすＡｌ2 Ｏ3 粒子をコーティングしているＴｉＣを
含有するセラミック被膜の作用機構は必ずしも明確でな
いが、Ａｌ2 Ｏ3 粒子全体を包み込むことによりＡｌ2
Ｏ3 粒子の粒成長を等方的に抑制する効果を生ずるもの
と考えられる。特に焼結時にＴｉＣ被膜ができるような
方法のときその効果が大きいと思われる。このことによ
り粒成長を防ぎながら高密度にＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板
を焼結することが可能となり、極めて高精度の鏡面仕上
げ性とチッピングの非常に少ない薄膜磁気ヘッド基板が
得られる。
【００１６】
【実施例】以下本発明を実施例に基づいて説明する。ナ
イロン製ポットミルにＡｌ2 Ｏ3 粉末（平均粒径０．２
μ以下）６５重量％、ＴｉＣ粉末（平均粒径０．２μ以
下）３０重量％、その他ＭｇＯ、ＣａＯなどの焼結助剤
５重量％を入れ、テトライソプロピルチタネートを粉に
対して２重量％（ＴｉとしてＡｌ2 Ｏ3 とＴｉＣの合量
に対し０．３４％）添加し、さらにイソプロピルアルコ
ールを所定量添加し、２０時間の湿式混合粉砕を行った
後、通常の乾燥で原料粉末とした。この原料粉末をカー
ボン型内に充填し圧力２５０ｋｇ／ｃｍ2 、温度は１７
５０℃、アルゴン雰囲気下で１時間ホットプレスし直径
６０ｍｍ、厚さ５ｍｍの焼結体を得た。
イロン製ポットミルにＡｌ2 Ｏ3 粉末（平均粒径０．２
μ以下）６５重量％、ＴｉＣ粉末（平均粒径０．２μ以
下）３０重量％、その他ＭｇＯ、ＣａＯなどの焼結助剤
５重量％を入れ、テトライソプロピルチタネートを粉に
対して２重量％（ＴｉとしてＡｌ2 Ｏ3 とＴｉＣの合量
に対し０．３４％）添加し、さらにイソプロピルアルコ
ールを所定量添加し、２０時間の湿式混合粉砕を行った
後、通常の乾燥で原料粉末とした。この原料粉末をカー
ボン型内に充填し圧力２５０ｋｇ／ｃｍ2 、温度は１７
５０℃、アルゴン雰囲気下で１時間ホットプレスし直径
６０ｍｍ、厚さ５ｍｍの焼結体を得た。
【００１７】焼結体の物性として密度はアルキメデス法
により測定した。次に焼結体表面を研削後、スズ板を用
いたラップ法により鏡面研磨面に仕上げた。鏡面仕上げ
性を評価するため、触針式の表面粗さ計を用いて鏡面研
磨面の表面粗度を測定した。ビッカース硬度は基板の鏡
面研磨面を用い加重２００ｇにてビッカース硬度計によ
り測定した。Ａｌ2 Ｏ3 粒子のＴｉＣによる被覆状態や
粒径等の組織を観察するため、焼結体破面のＳＥＭ観察
を行った。
により測定した。次に焼結体表面を研削後、スズ板を用
いたラップ法により鏡面研磨面に仕上げた。鏡面仕上げ
性を評価するため、触針式の表面粗さ計を用いて鏡面研
磨面の表面粗度を測定した。ビッカース硬度は基板の鏡
面研磨面を用い加重２００ｇにてビッカース硬度計によ
り測定した。Ａｌ2 Ｏ3 粒子のＴｉＣによる被覆状態や
粒径等の組織を観察するため、焼結体破面のＳＥＭ観察
を行った。
【００１８】次に機械加工性を評価するために、鏡面研
磨面をダイヤモンドブレードで切断し角部の微細なチッ
ピングを光学顕微鏡にて観察した。この加工性評価試験
は形状が幅０. ３ｍｍおよび直径８０ｍｍで粒度３０〜
４０μｍのダイヤモンド粒子で構成されるダイヤモンド
切断ブレードを用い周速１５００ｍ/ ｍｉｎ、切込み
０. ５ｍｍ、送り毎秒５ｍｍで実施した。深さが５μｍ
をこえるチッピング数をカウントした。結果を表１に示
す。
磨面をダイヤモンドブレードで切断し角部の微細なチッ
ピングを光学顕微鏡にて観察した。この加工性評価試験
は形状が幅０. ３ｍｍおよび直径８０ｍｍで粒度３０〜
４０μｍのダイヤモンド粒子で構成されるダイヤモンド
切断ブレードを用い周速１５００ｍ/ ｍｉｎ、切込み
０. ５ｍｍ、送り毎秒５ｍｍで実施した。深さが５μｍ
をこえるチッピング数をカウントした。結果を表１に示
す。
【００１９】比較例として、テトライソプロピルチタネ
ートを使用しない無処理粉末を同様の方法で製造、評価
した。密度、ビッカース硬度、平均粒径、Ａｌ2 Ｏ3 粒
子の状態、表面粗度、チッピング性の比較結果を表１に
示す。このように本発明のＡｌ2 Ｏ3 粒子のまわりには
ＴｉＣの被膜が厚み０．０５〜０．１μのものとして観
察されたが、比較例ではそのような被膜は全く観察され
なかった。
ートを使用しない無処理粉末を同様の方法で製造、評価
した。密度、ビッカース硬度、平均粒径、Ａｌ2 Ｏ3 粒
子の状態、表面粗度、チッピング性の比較結果を表１に
示す。このように本発明のＡｌ2 Ｏ3 粒子のまわりには
ＴｉＣの被膜が厚み０．０５〜０．１μのものとして観
察されたが、比較例ではそのような被膜は全く観察され
なかった。
【００２０】また本発明により焼結体の平均粒径は１．
５μと比較例の約６０％になり、粒成長の抑制が確認さ
れた。また表面粗度およびチッピング性が本発明により
向上しており、焼結密度も十分上がっている。これらの
ことから本発明は薄膜磁気ヘッド用基板として最適なＡ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を提供できる。
５μと比較例の約６０％になり、粒成長の抑制が確認さ
れた。また表面粗度およびチッピング性が本発明により
向上しており、焼結密度も十分上がっている。これらの
ことから本発明は薄膜磁気ヘッド用基板として最適なＡ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を提供できる。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明の効果】本発明はＡｌ2 Ｏ3 粒子をＴｉを含有す
るコーティング剤でコーティングし、そのコーティング
膜が焼成時にＴｉＣを含む被膜を形成してＡｌ2 Ｏ3 粒
子の粒成長を抑制すると思われる特徴を有することか
ら、
るコーティング剤でコーティングし、そのコーティング
膜が焼成時にＴｉＣを含む被膜を形成してＡｌ2 Ｏ3 粒
子の粒成長を抑制すると思われる特徴を有することか
ら、
【００２３】（１）Ａｌ2 Ｏ3 粒子の粒成長が被膜によ
り等方的にコントロールされることから、焼結体の密度
を理論密度近くまで上げながら、しかも粒成長が効果的
に制御されたＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を提供できる。 （２）粒成長が制御されて高密度に焼結できることから
極めて高精度の鏡面仕上げ加工性とチッピングの非常に
少ないＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板が提供できる。 （３）焼結体中の粒子は、粒成長が等方的に制御される
ことから異常粒成長が少なく、アスペクト比の揃った信
頼性に優れたＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を提供できる。 といった薄膜磁気ヘッド用基板として最適であるなど優
れた焼結体として種々の用途に使用可能なものである。
り等方的にコントロールされることから、焼結体の密度
を理論密度近くまで上げながら、しかも粒成長が効果的
に制御されたＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を提供できる。 （２）粒成長が制御されて高密度に焼結できることから
極めて高精度の鏡面仕上げ加工性とチッピングの非常に
少ないＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板が提供できる。 （３）焼結体中の粒子は、粒成長が等方的に制御される
ことから異常粒成長が少なく、アスペクト比の揃った信
頼性に優れたＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を提供できる。 といった薄膜磁気ヘッド用基板として最適であるなど優
れた焼結体として種々の用途に使用可能なものである。
【図１】本発明の組織の説明図
【図２】従来法による組織の説明図
１ Ａｌ2 Ｏ3 粒子 ２ ＴｉＣ粒子 ３ 粒界 ４ Ａｌ2 Ｏ3 粒子をコーティングしているＴｉＣを含
む被膜
む被膜
Claims (6)
- 【請求項１】ＴｉＣを含む被膜で表面をコーティングさ
れたＡｌ2 Ｏ3 粒子とＴｉＣ粒子から本質的になるＡｌ
2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体。 - 【請求項２】請求項１において、Ａｌ2 Ｏ3 およびＴｉ
Ｃ粒子は平均粒径が２μｍ以下である焼結体。 - 【請求項３】請求項１または請求項２において、ＴｉＣ
を含む被膜は０．０１〜０．２μである焼結体。 - 【請求項４】Ａｌ2 Ｏ3 粒子の表面に焼結時にＴｉＣを
含む被膜を形成するようにＴｉを含む被膜形成成分を加
えた本質的にＡｌ2 Ｏ3 粉末とＴｉＣ粉末からなる配合
物を成形、焼成することを特徴とするＡｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ
Ｃ系焼結体の製造法。 - 【請求項５】請求項４において被膜形成成分がＴｉを含
む有機化合物であるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系焼結体の製造
法。 - 【請求項６】請求項４または５において、Ａｌ2 Ｏ3 粉
末およびＴｉＣ粉末はいずれも平均粒径が０．３μｍ以
下のものを使用し、かつこれらの粉末１００重量部に対
しＴｉを含む被膜形成成分をＴｉとして０．０５〜１０
重量％となるように配合し、成形、焼結するＡｌ2 Ｏ3
−ＴｉＣ系焼結体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4059043A JPH05221712A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 焼結体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4059043A JPH05221712A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 焼結体およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05221712A true JPH05221712A (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=13101891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4059043A Withdrawn JPH05221712A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 焼結体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05221712A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006347798A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Kyocera Corp | セラミック焼結体及びその製造方法並びに磁気ヘッド用基板 |
| JP2007084352A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Tdk Corp | 混合粉末の製造方法、混合粉末、セラミックス焼結体の製造方法及びセラミックス焼結体 |
-
1992
- 1992-02-12 JP JP4059043A patent/JPH05221712A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006347798A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Kyocera Corp | セラミック焼結体及びその製造方法並びに磁気ヘッド用基板 |
| JP2007084352A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Tdk Corp | 混合粉末の製造方法、混合粉末、セラミックス焼結体の製造方法及びセラミックス焼結体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0622053B2 (ja) | 基板材料 | |
| US4814915A (en) | Magnetic head slider and material therefor | |
| JPH062615B2 (ja) | 磁気ヘツドスライダ材料 | |
| CN113548891B (zh) | 一种两相钽酸钴陶瓷块体及其制备方法 | |
| US4902651A (en) | Material for magnetic head substrate member | |
| US5302560A (en) | Process for the production of magnetic head sliders | |
| US5595946A (en) | Substrate materials for magnetic heads with low flying height | |
| JPH05221712A (ja) | 焼結体およびその製造法 | |
| US5432016A (en) | Magnetic head slider material | |
| US5595947A (en) | Substrate materials for magnetic head | |
| US5910863A (en) | Magnetic head slider and magnetic disk device using the same | |
| KR920006807B1 (ko) | Al_2O_3-TiC계 절삭공구 소결체의 제조방법 | |
| JP2699104B2 (ja) | Ａ１▲下２▼Ｏ▲下３▼‐ＴｉＣ系セラミック材料 | |
| JPS63134562A (ja) | 磁気ヘツドスライダ用材料 | |
| JPH0255390B2 (ja) | ||
| JPH0416553A (ja) | 磁気ヘッドスライダ | |
| JPH0262511B2 (ja) | ||
| JPH04251412A (ja) | 磁気ヘッド用非磁性基板 | |
| JPH05109023A (ja) | 磁気ヘツド用基板 | |
| JPH05258241A (ja) | 薄膜磁気ヘッド用セラミックス焼結体 | |
| JPH04341904A (ja) | 磁気ヘッドスライダ用セラミック組成物 | |
| JPS6318511A (ja) | 記録ヘツドスライダ | |
| JP2699093B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド用セラミック材料 | |
| JPH04269811A (ja) | 磁気ヘッド用非磁性基板 | |
| JPH0567508A (ja) | 磁気ヘツド用非磁性基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |