JPH0522102A - シヨトキバリアダイオード内蔵ホトカプラ - Google Patents
シヨトキバリアダイオード内蔵ホトカプラInfo
- Publication number
- JPH0522102A JPH0522102A JP16605591A JP16605591A JPH0522102A JP H0522102 A JPH0522102 A JP H0522102A JP 16605591 A JP16605591 A JP 16605591A JP 16605591 A JP16605591 A JP 16605591A JP H0522102 A JPH0522102 A JP H0522102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collector
- base
- transistor
- photocoupler
- schottky barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】入力電気信号に応答して発光する発光ダイオー
ド２と、この発光に応答して電流を発するホトダイオー
ド３と、ホトダイオード３の一端にベースを接続してあ
りエミッタおよびコレクタに増幅電流を得るトランジス
タ４と、トランジスタ４のコレクタおよびベース間に接
続したスピードアップ用のショトキバリアダイオード５
とを備えている。 【効果】コレクタ−ベース間の電荷蓄積を抑えてパルス
応答速度を従来よりも速くできる。
ド２と、この発光に応答して電流を発するホトダイオー
ド３と、ホトダイオード３の一端にベースを接続してあ
りエミッタおよびコレクタに増幅電流を得るトランジス
タ４と、トランジスタ４のコレクタおよびベース間に接
続したスピードアップ用のショトキバリアダイオード５
とを備えている。 【効果】コレクタ−ベース間の電荷蓄積を抑えてパルス
応答速度を従来よりも速くできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシャトキバリアダイオー
ド内蔵ホトカプラに関する。
ド内蔵ホトカプラに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のホトカプラは、図２に示すような
構成を有する。同図において、入力側の発光ダイオード
２のアノードからカソードへ微少電流を流して、発光ダ
イオード２を発光させる。出力側のホトダイオード３で
は、発光ダイオード２からの受光に応じて、電流が発生
する。トランジスタ４では、この電流を増幅して、コレ
クタからエミッタに増幅した電流が流れる。この結果と
して、入力側に流した微少電流を増幅して出力させるこ
とができる。
構成を有する。同図において、入力側の発光ダイオード
２のアノードからカソードへ微少電流を流して、発光ダ
イオード２を発光させる。出力側のホトダイオード３で
は、発光ダイオード２からの受光に応じて、電流が発生
する。トランジスタ４では、この電流を増幅して、コレ
クタからエミッタに増幅した電流が流れる。この結果と
して、入力側に流した微少電流を増幅して出力させるこ
とができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のホトカ
プラは、トランジスタを飽和させて使用しているため、
トランジスタのコレクタ−ベース間に電荷が蓄積され、
入力パルスに対する出力応答速度が制限されるという欠
点がある。
プラは、トランジスタを飽和させて使用しているため、
トランジスタのコレクタ−ベース間に電荷が蓄積され、
入力パルスに対する出力応答速度が制限されるという欠
点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のホトカプラは、
入力電気信号に応答して発光する発光ダイオードと、こ
の発光に応答して電流を発するホトダイオードと、この
ホトダイオードの一端にベースを接続してありエミッタ
およびコレクタに増幅電流を得るトランジスタと、この
トランジスタのコレクタおよびベース間に接続したスピ
ードアップ用のショトキバリアダイオードとを備えてい
る。
入力電気信号に応答して発光する発光ダイオードと、こ
の発光に応答して電流を発するホトダイオードと、この
ホトダイオードの一端にベースを接続してありエミッタ
およびコレクタに増幅電流を得るトランジスタと、この
トランジスタのコレクタおよびベース間に接続したスピ
ードアップ用のショトキバリアダイオードとを備えてい
る。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を用いて説明する。
【０００６】図１は本発明の一実施例の回路図である。
入力側の発光ダイオード２のアノード、カソード間にパ
ルスを入力すると、アノードからカソード方向に電流が
流れ、発光ダイオード２が発光する。その光を出力側の
ダイオード３で受光し、光の強度に応じて、トランジス
タ４のベースに電流を流す。トランジスタ４ではベース
電流を増幅させ、コレクタからエミッタへ大電流を流
す。
入力側の発光ダイオード２のアノード、カソード間にパ
ルスを入力すると、アノードからカソード方向に電流が
流れ、発光ダイオード２が発光する。その光を出力側の
ダイオード３で受光し、光の強度に応じて、トランジス
タ４のベースに電流を流す。トランジスタ４ではベース
電流を増幅させ、コレクタからエミッタへ大電流を流
す。
【０００７】この時、トランジスタ４のコレクタ−ベー
ス間に接続してあるショトキバリアダイオード５によっ
て、トランジスタ４のコレクタ電圧が抑えられ、トラン
ジスタ４は非飽和状態になるので、コレクタ−ベース間
の電荷の蓄積が抑えられる。従ってトランジスタ４のオ
ン状態からオフ状態への応答時間が従来回路の場合より
も短縮され、入力パルスに対する出力応答速度が速くな
る。
ス間に接続してあるショトキバリアダイオード５によっ
て、トランジスタ４のコレクタ電圧が抑えられ、トラン
ジスタ４は非飽和状態になるので、コレクタ−ベース間
の電荷の蓄積が抑えられる。従ってトランジスタ４のオ
ン状態からオフ状態への応答時間が従来回路の場合より
も短縮され、入力パルスに対する出力応答速度が速くな
る。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、トランジ
スタのコレクタ−ベース間にショトキバリアダイオード
を接続することにより、コレクタ−ベース間の電荷蓄積
を抑えてパルス応答速度を従来よりも速くできる効果が
ある。
スタのコレクタ−ベース間にショトキバリアダイオード
を接続することにより、コレクタ−ベース間の電荷蓄積
を抑えてパルス応答速度を従来よりも速くできる効果が
ある。
【図１】本発明の実施例の回路図。
【図２】従来のホトカプラの回路図。
１，６ ホトカプラ ２ 発光ダイオード ３ ホトダイオード ４ トランジスタ ５ ショトキバリアダイオード
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 入力電気信号に応答して発光する発光ダ
イオードと、この発光に応答して電流を発するホトダイ
オードと、このホトダイオードの一端にベースを接続し
てありエミッタおよびコレクタに増幅電流を得るトラン
ジスタと、このトランジスタのコレクタおよびベース間
に接続したスピードアップ用のショトキバリアダイオー
ドとを備えていることを特徴とするショトキバリアダイ
オード内蔵ホトカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16605591A JPH0522102A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | シヨトキバリアダイオード内蔵ホトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16605591A JPH0522102A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | シヨトキバリアダイオード内蔵ホトカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0522102A true JPH0522102A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15824131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16605591A Pending JPH0522102A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | シヨトキバリアダイオード内蔵ホトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0522102A (ja) |
-
1991
- 1991-07-08 JP JP16605591A patent/JPH0522102A/ja active Pending
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