JPH0522056A - マイクロ波半導体回路及びリアクタンス回路 - Google Patents
マイクロ波半導体回路及びリアクタンス回路Info
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- JPH0522056A JPH0522056A JP17121091A JP17121091A JPH0522056A JP H0522056 A JPH0522056 A JP H0522056A JP 17121091 A JP17121091 A JP 17121091A JP 17121091 A JP17121091 A JP 17121091A JP H0522056 A JPH0522056 A JP H0522056A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 所定の周波数で電気的に短絡点を有し、所定
の周波数の信号のみ任意の位相で全反射させるリアクタ
ンス回路を有するマイクロ波半導体回路、及びマイクロ
波半導体回路に設けた上記リアクタンス回路を得ること
を目的とする。 【構成】 ある長さからなる第１の伝送線路９と、上記
の第１の伝送線路９に対し所望の周波数でほぼ１／２波
長異なる長さを有する第２の伝送線路１０との並列接続
回路からなるリアクタンス回路６を有するマイクロ波半
導体回路、及びマイクロ波半導体回路に設けた上記のリ
アクタンス回路。
の周波数の信号のみ任意の位相で全反射させるリアクタ
ンス回路を有するマイクロ波半導体回路、及びマイクロ
波半導体回路に設けた上記リアクタンス回路を得ること
を目的とする。 【構成】 ある長さからなる第１の伝送線路９と、上記
の第１の伝送線路９に対し所望の周波数でほぼ１／２波
長異なる長さを有する第２の伝送線路１０との並列接続
回路からなるリアクタンス回路６を有するマイクロ波半
導体回路、及びマイクロ波半導体回路に設けた上記のリ
アクタンス回路。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はリアクタンス回路を有
するマイクロ波半導体回路及びマイクロ波半導体回路に
設けたリアクタンス回路に関するものである。
するマイクロ波半導体回路及びマイクロ波半導体回路に
設けたリアクタンス回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電界効果トランジスタ（以下、Ｆ
ＥＴと呼ぶ）等の半導体素子の高性能化が進み、これら
の素子を用いた増幅器、発振器、逓倍器等が実用化さ
れ、これらの高性能化を図るために、所定の周波数の信
号のみを反射させるリアクタンス回路が用いられる。以
下に、高調波を反射させ、高効率を図るため、リアクタ
ンス回路を設けた高効率増幅器を例に上げ説明する。
ＥＴと呼ぶ）等の半導体素子の高性能化が進み、これら
の素子を用いた増幅器、発振器、逓倍器等が実用化さ
れ、これらの高性能化を図るために、所定の周波数の信
号のみを反射させるリアクタンス回路が用いられる。以
下に、高調波を反射させ、高効率を図るため、リアクタ
ンス回路を設けた高効率増幅器を例に上げ説明する。
【０００３】図５は例えば、特開昭５８−１５９００２
号公報に示された従来の高効率増幅器の構成図である。
公知資料にはゲ−トおよびドレインのバイアス印加線路
も示されているが、ここでは説明を簡単にするために省
略している。図において、１はＦＥＴ、２は入力整合回
路、３は出力整合回路、４は２倍波短絡用線路、５はコ
ンデンサ、６はリアクタンス回路、７は入力端子、８は
出力端子である。この増幅器は、ＦＥＴ１のゲ−ト端子
およびドレイン端子にそれぞれ入力整合回路２、出力整
合回路３を接続し、また、ＦＥＴ１のドレイン端子と接
地間には２倍波短絡用線路４とコンデンサ５とからなる
リアクタンス回路６を設けた構成になっている。
号公報に示された従来の高効率増幅器の構成図である。
公知資料にはゲ−トおよびドレインのバイアス印加線路
も示されているが、ここでは説明を簡単にするために省
略している。図において、１はＦＥＴ、２は入力整合回
路、３は出力整合回路、４は２倍波短絡用線路、５はコ
ンデンサ、６はリアクタンス回路、７は入力端子、８は
出力端子である。この増幅器は、ＦＥＴ１のゲ−ト端子
およびドレイン端子にそれぞれ入力整合回路２、出力整
合回路３を接続し、また、ＦＥＴ１のドレイン端子と接
地間には２倍波短絡用線路４とコンデンサ５とからなる
リアクタンス回路６を設けた構成になっている。
【０００４】入力整合回路２は動作周波数でＦＥＴ１の
入力インピ−ダンスと電源インピ−ダンスとを、出力整
合回路３はＦＥＴ１の出力インピ−ダンスと負荷インピ
−ダンスとをそれぞれ整合させるために設けている。ま
た、リアクタンス回路６は動作周波数の２倍の周波数に
おいて、ＦＥＴ１のドレイン端子を短絡するために設け
ており、２倍波短絡用線路４の長さは動作周波数で１／
４波長に、また、２倍波短絡用線路４の一端を高周波的
に接地するためのコンデンサ５は十分小さなインピ−ダ
ンスの値を選んでいる。
入力インピ−ダンスと電源インピ−ダンスとを、出力整
合回路３はＦＥＴ１の出力インピ−ダンスと負荷インピ
−ダンスとをそれぞれ整合させるために設けている。ま
た、リアクタンス回路６は動作周波数の２倍の周波数に
おいて、ＦＥＴ１のドレイン端子を短絡するために設け
ており、２倍波短絡用線路４の長さは動作周波数で１／
４波長に、また、２倍波短絡用線路４の一端を高周波的
に接地するためのコンデンサ５は十分小さなインピ−ダ
ンスの値を選んでいる。
【０００５】次に動作について説明する。ＦＥＴ１のド
レイン端子からリアクタンス回路６側を見たインピ−ダ
ンスは動作周波数でほぼ無限大となる。このため、入力
端子７から入射した信号は入力整合回路２を通ってＦＥ
Ｔ１で増幅され、増幅された信号はリアクタンス回路６
に影響されることなく、出力整合回路３を通って出力端
子８に供給される。一方、ＦＥＴ１で発生した高調波の
１つである２倍波はリアクタンス回路６により、ＦＥＴ
１のドレイン端子で全反射され、再びＦＥＴ１側に戻
る。このように２倍波を逆相で全反射させ、増幅器の高
効率化を図るようにしている。
レイン端子からリアクタンス回路６側を見たインピ−ダ
ンスは動作周波数でほぼ無限大となる。このため、入力
端子７から入射した信号は入力整合回路２を通ってＦＥ
Ｔ１で増幅され、増幅された信号はリアクタンス回路６
に影響されることなく、出力整合回路３を通って出力端
子８に供給される。一方、ＦＥＴ１で発生した高調波の
１つである２倍波はリアクタンス回路６により、ＦＥＴ
１のドレイン端子で全反射され、再びＦＥＴ１側に戻
る。このように２倍波を逆相で全反射させ、増幅器の高
効率化を図るようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の、高調波の１つ
である２倍波を反射させるリアクタンス回路は、上記の
ように構成されているので、特に高周波数帯では、コン
デンサの損失が増加するとともに、コンデンサの一端を
接地するバイアホ−ルや、金属細線などに存在する寄生
インダクタが無視できなくなり、高調波を確実に短絡で
きなくなるという課題があった。さらに、ＦＥＴのドレ
イン端子・ソ−ス端子間に存在するキャパシタや、ドレ
イン電極に存在するインダクタなどの影響により、２倍
波を逆相でなくある位相でＦＥＴ側に反射させることに
より最適効率を図れる場合があるが、従来のＦＥＴのド
レイン端子と接地間に設けたリアクタンス回路では、任
意の位相で反射させることができないという課題があっ
た。
である２倍波を反射させるリアクタンス回路は、上記の
ように構成されているので、特に高周波数帯では、コン
デンサの損失が増加するとともに、コンデンサの一端を
接地するバイアホ−ルや、金属細線などに存在する寄生
インダクタが無視できなくなり、高調波を確実に短絡で
きなくなるという課題があった。さらに、ＦＥＴのドレ
イン端子・ソ−ス端子間に存在するキャパシタや、ドレ
イン電極に存在するインダクタなどの影響により、２倍
波を逆相でなくある位相でＦＥＴ側に反射させることに
より最適効率を図れる場合があるが、従来のＦＥＴのド
レイン端子と接地間に設けたリアクタンス回路では、任
意の位相で反射させることができないという課題があっ
た。
【０００７】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、所定の周波数の信号に対して電気
的な短絡点を有し、上記所定の周波数の信号を任意に定
める位相で全反射させることができるリアクタンス回路
を有するマイクロ波半導体回路を得ることを目的とす
る。また、マイクロ波半導体回路に設けた、所定の周波
数の信号に対して電気的な短絡点を有し、上記所定の周
波数の信号を任意に定める位相で全反射させることがで
きるリアクタンス回路を得ることを目的とする。
めになされたもので、所定の周波数の信号に対して電気
的な短絡点を有し、上記所定の周波数の信号を任意に定
める位相で全反射させることができるリアクタンス回路
を有するマイクロ波半導体回路を得ることを目的とす
る。また、マイクロ波半導体回路に設けた、所定の周波
数の信号に対して電気的な短絡点を有し、上記所定の周
波数の信号を任意に定める位相で全反射させることがで
きるリアクタンス回路を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の請求項１に係わるマイクロ波半導体回
路は、第１の伝送線路と、第１の伝送線路に比べ特定の
周波数でほぼ１／２波長長い長さを有する第２の伝送線
路とを並列接続してなるリアクタンス回路を設けたもの
である。この発明の請求項２に係わるリアクタンス回路
は、マイクロ波半導体回路に、第１の伝送線路と、第１
の伝送線路に比べ特定の周波数でほぼ１／２波長長い長
さを有する第２の伝送線路とを並列接続して構成したも
のである。
めに、この発明の請求項１に係わるマイクロ波半導体回
路は、第１の伝送線路と、第１の伝送線路に比べ特定の
周波数でほぼ１／２波長長い長さを有する第２の伝送線
路とを並列接続してなるリアクタンス回路を設けたもの
である。この発明の請求項２に係わるリアクタンス回路
は、マイクロ波半導体回路に、第１の伝送線路と、第１
の伝送線路に比べ特定の周波数でほぼ１／２波長長い長
さを有する第２の伝送線路とを並列接続して構成したも
のである。
【０００９】
【作用】上記のように構成されたこの発明の請求項１に
係わるマイクロ波半導体回路及び請求項２に係わるリア
クタンス回路では、リアクタンス回路の一端において第
１の伝送線路を経た信号と第２の伝送線路を経た信号と
を逆相で加えることにより、等価的な短絡点を実現で
き、さらに、第１の伝送線路の長さを適当に選ぶことに
より、反射させる信号を任意の位相で全反射させること
ができる。
係わるマイクロ波半導体回路及び請求項２に係わるリア
クタンス回路では、リアクタンス回路の一端において第
１の伝送線路を経た信号と第２の伝送線路を経た信号と
を逆相で加えることにより、等価的な短絡点を実現で
き、さらに、第１の伝送線路の長さを適当に選ぶことに
より、反射させる信号を任意の位相で全反射させること
ができる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図を参照して説明
する。 実施例１．図１はこの発明によるマイクロ波半導体回路
の実施例１を示す高効率増幅器の構成図である。図中、
９は第１の伝送線路、１０は第２の伝送線路である。リ
アクタンス回路６は第１の伝送線路９と第２の伝送線路
１０との並列接続回路からなり、ＦＥＴ１と出力整合回
路３との間に直列に接続している。この例では、各伝送
線路９、１０の特性インピーダンスを等しく、また、長
さは第１の伝送線路９よりも第２の伝送線路１０の方を
２倍波の周波数で１／２波長長くなるように選んでい
る。
する。 実施例１．図１はこの発明によるマイクロ波半導体回路
の実施例１を示す高効率増幅器の構成図である。図中、
９は第１の伝送線路、１０は第２の伝送線路である。リ
アクタンス回路６は第１の伝送線路９と第２の伝送線路
１０との並列接続回路からなり、ＦＥＴ１と出力整合回
路３との間に直列に接続している。この例では、各伝送
線路９、１０の特性インピーダンスを等しく、また、長
さは第１の伝送線路９よりも第２の伝送線路１０の方を
２倍波の周波数で１／２波長長くなるように選んでい
る。
【００１１】各伝送線路９、１０の長さと特性インピー
ダンスを上記のように選ぶことにより、ＦＥＴ１のドレ
イン端子から各伝送線路９、１０側をみたインピ−ダン
スは２倍波の周波数で等しくなる。従って、ＦＥＴ１で
発生した高調波である２倍波は各伝送線路９、１０に同
振幅で２分配され、２分配された２倍波は第１の伝送線
路９と第２の伝送線路１０とをそれぞれ経て、リアクタ
ンス回路６の出力整合回路３側の一端で合成される。と
ころが、第２の伝送線路１０を経た２倍波の位相は第１
の伝送線路９を経た２倍波の位相に比べ、１８０°遅れ
るため、リアクタンス回路６の出力整合回路３側の一端
で両波は互いに逆相で合成され、上記の合成点は電気的
に短絡点となる。従って、各伝送線路９、１０を経た２
倍波はリアクタンス回路６の出力整合回路３側の一端で
互いに逆相で全反射され、反射された２倍波はリアクタ
ンス回路６のＦＥＴ１側の一端で同相で合成され、ＦＥ
Ｔ１に戻り、ＦＥＴ１で発生した高調波である２倍波成
分を打ち消す。
ダンスを上記のように選ぶことにより、ＦＥＴ１のドレ
イン端子から各伝送線路９、１０側をみたインピ−ダン
スは２倍波の周波数で等しくなる。従って、ＦＥＴ１で
発生した高調波である２倍波は各伝送線路９、１０に同
振幅で２分配され、２分配された２倍波は第１の伝送線
路９と第２の伝送線路１０とをそれぞれ経て、リアクタ
ンス回路６の出力整合回路３側の一端で合成される。と
ころが、第２の伝送線路１０を経た２倍波の位相は第１
の伝送線路９を経た２倍波の位相に比べ、１８０°遅れ
るため、リアクタンス回路６の出力整合回路３側の一端
で両波は互いに逆相で合成され、上記の合成点は電気的
に短絡点となる。従って、各伝送線路９、１０を経た２
倍波はリアクタンス回路６の出力整合回路３側の一端で
互いに逆相で全反射され、反射された２倍波はリアクタ
ンス回路６のＦＥＴ１側の一端で同相で合成され、ＦＥ
Ｔ１に戻り、ＦＥＴ１で発生した高調波である２倍波成
分を打ち消す。
【００１２】さらに、ＦＥＴ１で発生した２倍波と反射
した２倍波との位相関係は第１の伝送線路９の長さで決
まり（第１の伝送線路９の長さと第２の伝送線路１０の
長さとの差は対象とする周波数により決められるの
で）、例えば第１の伝送線路９の電気長を４５°に選ん
だ場合は、ＦＥＴ１で発生した２倍波と反射した２倍波
との位相差は９０°となる。このように第１の伝送線路
９の長さを適当に選ぶことにより、２倍波を任意の位相
で反射させることができる。
した２倍波との位相関係は第１の伝送線路９の長さで決
まり（第１の伝送線路９の長さと第２の伝送線路１０の
長さとの差は対象とする周波数により決められるの
で）、例えば第１の伝送線路９の電気長を４５°に選ん
だ場合は、ＦＥＴ１で発生した２倍波と反射した２倍波
との位相差は９０°となる。このように第１の伝送線路
９の長さを適当に選ぶことにより、２倍波を任意の位相
で反射させることができる。
【００１３】なお、従来の２倍波短絡用線路４とコンデ
ンサ５とから構成したリアクタンス回路６は、ＦＦＴ１
のドレイン端子から見たインピーダンスが動作周波数で
はほぼ無限大になり、信号の増幅特性には影響を与えな
いが、この発明の高効率増幅器に設けたリアクタンス回
路６は、第１の伝送線路９と第２の伝送線路１０との並
列接続回路で決まるインピ−ダンスを有するため、この
インピ−ダンスを考慮して出力整合回路３の特性を定め
ることにより、所望の増幅特性を得ることができる利点
を有する。
ンサ５とから構成したリアクタンス回路６は、ＦＦＴ１
のドレイン端子から見たインピーダンスが動作周波数で
はほぼ無限大になり、信号の増幅特性には影響を与えな
いが、この発明の高効率増幅器に設けたリアクタンス回
路６は、第１の伝送線路９と第２の伝送線路１０との並
列接続回路で決まるインピ−ダンスを有するため、この
インピ−ダンスを考慮して出力整合回路３の特性を定め
ることにより、所望の増幅特性を得ることができる利点
を有する。
【００１４】以上のように、この発明のマイクロ波半導
体回路である高効率増幅器では、第１の伝送線路９と第
１の伝送線路９よりも２倍波で１／２波長長い第２の伝
送線路１０との並列接続回路とからなるリアクタンス回
路６を有することにより、従来のリアクタンス回路６の
ようにコンデンサ５やコンデンサ５の一端を接地するた
めのバイアホ−ルや、金属細線などが不要になり、コン
デンサ５の損失およびバイアホ−ル、金属細線に存在す
る寄生インダクタが無くなるため、高周波数帯において
も確実に２倍波を全反射させることができる。さらに、
ＦＥＴ１のドレイン端子・ソ−ス端子間に存在するキャ
パシタ、ドレイン電極に存在するインダクタなどの影響
により、２倍波の電圧を逆相ではなく、ある位相でＦＥ
Ｔ１側に反射させる必要のある場合、第１の伝送線路９
の長さを所定の長さに設定することにより、任意の位相
で上記２倍波を反射させることができる。その結果、こ
の実施例１に示すリアクタンス回路６を有する高効率増
幅器は高効率化できる利点を有する。
体回路である高効率増幅器では、第１の伝送線路９と第
１の伝送線路９よりも２倍波で１／２波長長い第２の伝
送線路１０との並列接続回路とからなるリアクタンス回
路６を有することにより、従来のリアクタンス回路６の
ようにコンデンサ５やコンデンサ５の一端を接地するた
めのバイアホ−ルや、金属細線などが不要になり、コン
デンサ５の損失およびバイアホ−ル、金属細線に存在す
る寄生インダクタが無くなるため、高周波数帯において
も確実に２倍波を全反射させることができる。さらに、
ＦＥＴ１のドレイン端子・ソ−ス端子間に存在するキャ
パシタ、ドレイン電極に存在するインダクタなどの影響
により、２倍波の電圧を逆相ではなく、ある位相でＦＥ
Ｔ１側に反射させる必要のある場合、第１の伝送線路９
の長さを所定の長さに設定することにより、任意の位相
で上記２倍波を反射させることができる。その結果、こ
の実施例１に示すリアクタンス回路６を有する高効率増
幅器は高効率化できる利点を有する。
【００１５】実施例２．図２はこの発明のマイクロ波半
導体波回路の実施例２を示す発振器の構成図である。こ
の発振器ではＦＥＴ１のゲ−ト端子をリアクタンス回路
６と抵抗１１とを介して接地した構成としている。上記
リアクタンス回路６を構成する第１の伝送線路９と第２
の伝送線路１０との長さの差を所望の発振周波数で１／
２波長に選んでいる。なお、抵抗１１は寄生発振を抑え
るために設けている。この実施例２に示す発振器では、
上記リアクタンス回路をＦＥＴのゲート端子に設けて、
損失の少ない、安定な発振器を構成できる利点を有す
る。
導体波回路の実施例２を示す発振器の構成図である。こ
の発振器ではＦＥＴ１のゲ−ト端子をリアクタンス回路
６と抵抗１１とを介して接地した構成としている。上記
リアクタンス回路６を構成する第１の伝送線路９と第２
の伝送線路１０との長さの差を所望の発振周波数で１／
２波長に選んでいる。なお、抵抗１１は寄生発振を抑え
るために設けている。この実施例２に示す発振器では、
上記リアクタンス回路をＦＥＴのゲート端子に設けて、
損失の少ない、安定な発振器を構成できる利点を有す
る。
【００１６】実施例３．図３はこの発明のマイクロ波半
導体回路の実施例３を示す高出力増幅器の構成図であ
る。この増幅器ではリアクタンス回路６をバイアス回路
として設けた例である。上記リアクタンス回路６を構成
する、第１の伝送線路９と第２の伝送線路１０との長さ
の差を動作周波数で１／２波長に選んでいる。このよう
にリアクタンス回路６をバイアス回路に用いることによ
り、バイアス電流は各伝送線路９、１０を流れるため、
高出力増幅器のバイアス回路として適するという利点を
有する。
導体回路の実施例３を示す高出力増幅器の構成図であ
る。この増幅器ではリアクタンス回路６をバイアス回路
として設けた例である。上記リアクタンス回路６を構成
する、第１の伝送線路９と第２の伝送線路１０との長さ
の差を動作周波数で１／２波長に選んでいる。このよう
にリアクタンス回路６をバイアス回路に用いることによ
り、バイアス電流は各伝送線路９、１０を流れるため、
高出力増幅器のバイアス回路として適するという利点を
有する。
【００１７】実施例４．実施例１〜実施例４ではリアク
タンス回路６を増幅器及び発振器に設けた例について説
明したが、ｎ次の高調波を取り出す逓倍器の出力回路に
基本波を全反射させるような当該リアクタンス回路を設
けても同様の効果が得られる。
タンス回路６を増幅器及び発振器に設けた例について説
明したが、ｎ次の高調波を取り出す逓倍器の出力回路に
基本波を全反射させるような当該リアクタンス回路を設
けても同様の効果が得られる。
【００１８】実施例５．さらに、フィルタ回路として所
望の周波数のみを全反射させる帯域反射フィルタとして
当該リアクタンス回路を設けても同様の効果が得られ
る。
望の周波数のみを全反射させる帯域反射フィルタとして
当該リアクタンス回路を設けても同様の効果が得られ
る。
【００１９】実施例６．図４はマイクロ波半導体回路に
設けるリアクタンス回路の構成として、第２の伝送線路
１０のうち、所定の周波数で１／２波長に相当する部分
のみ特性インピ−ダンスを変えたリアクタンス回路の例
を示す図である。この場合も、実施例１〜実施例３と同
様の効果を実現できる。
設けるリアクタンス回路の構成として、第２の伝送線路
１０のうち、所定の周波数で１／２波長に相当する部分
のみ特性インピ−ダンスを変えたリアクタンス回路の例
を示す図である。この場合も、実施例１〜実施例３と同
様の効果を実現できる。
【００２０】なお、実施例１〜実施例３では第１の伝送
線路９と第２の伝送線路１０の特性インピーダンスを等
しくした場合について述べたが、互いに特性インピーダ
ンスが異なっても、第１の伝送線路９と第２の伝送線路
１０の線路の長さの差を所望の周波数で１／２波長より
少しずらすことにより同様の効果を得ることができる。
また、第１の伝送線路９の長さよりも第２の伝送線路１
０の長さが長い場合について述べたが、その逆であって
も同等である。
線路９と第２の伝送線路１０の特性インピーダンスを等
しくした場合について述べたが、互いに特性インピーダ
ンスが異なっても、第１の伝送線路９と第２の伝送線路
１０の線路の長さの差を所望の周波数で１／２波長より
少しずらすことにより同様の効果を得ることができる。
また、第１の伝送線路９の長さよりも第２の伝送線路１
０の長さが長い場合について述べたが、その逆であって
も同等である。
【００２１】この発明の請求項１に係わるマイクロ波半
導体回路の実施例として、リアクタンス回路６を有する
増幅器の例について詳細に説明し、同様の構成のリアク
タンス回路６を発振器、逓倍器、フィルタ回路に設け
て、同様の効果を実現できることを説明したが、この発
明の請求項２に係わるマイクロ波半導体回路に設けたリ
アクタンス回路は、請求項１に係わるマイクロ波半導体
回路の実施例の中で説明したリアクタンス回路と同一構
成であり重複説明は省略する。
導体回路の実施例として、リアクタンス回路６を有する
増幅器の例について詳細に説明し、同様の構成のリアク
タンス回路６を発振器、逓倍器、フィルタ回路に設け
て、同様の効果を実現できることを説明したが、この発
明の請求項２に係わるマイクロ波半導体回路に設けたリ
アクタンス回路は、請求項１に係わるマイクロ波半導体
回路の実施例の中で説明したリアクタンス回路と同一構
成であり重複説明は省略する。
【００２２】
【発明の効果】以上のようにこの発明の請求項１に係わ
るマイクロ波半導体回路では、ある長さからなる第１の
伝送線路と、その第１の伝送線路に比べ所望の周波数で
ほぼ１／２波長異なる長さを有する第２の伝送線路とを
並列に接続することにより、所定の周波数の信号に対し
て電気的な短絡点を有し、上記所定の周波数の信号を任
意に定める位相で全反射させることができるリアクタン
ス回路を有するマイクロ波半導体回路を得ることができ
る。この発明の請求項２に係わるリアクタンス回路で
は、マイクロ波半導体回路に設けた、ある長さからなる
第１の伝送線路と、その第１の伝送線路に比べ所望の周
波数でほぼ１／２波長異なる長さを有する第２の伝送線
路とを並列に接続して構成したことにより、所定の周波
数の信号に対して電気的な短絡点を有し、上記所定の周
波数の信号を任意に定める位相で全反射させることがで
きるリアクタンス回路を得ることができる。
るマイクロ波半導体回路では、ある長さからなる第１の
伝送線路と、その第１の伝送線路に比べ所望の周波数で
ほぼ１／２波長異なる長さを有する第２の伝送線路とを
並列に接続することにより、所定の周波数の信号に対し
て電気的な短絡点を有し、上記所定の周波数の信号を任
意に定める位相で全反射させることができるリアクタン
ス回路を有するマイクロ波半導体回路を得ることができ
る。この発明の請求項２に係わるリアクタンス回路で
は、マイクロ波半導体回路に設けた、ある長さからなる
第１の伝送線路と、その第１の伝送線路に比べ所望の周
波数でほぼ１／２波長異なる長さを有する第２の伝送線
路とを並列に接続して構成したことにより、所定の周波
数の信号に対して電気的な短絡点を有し、上記所定の周
波数の信号を任意に定める位相で全反射させることがで
きるリアクタンス回路を得ることができる。
【図１】この発明のマイクロ半導体波回路の実施例１を
示す高効率増幅器の構成図である。
示す高効率増幅器の構成図である。
【図２】この発明のマイクロ波半導体回路の実施例２を
示す発振器の構成図である。
示す発振器の構成図である。
【図３】この発明のマイクロ波半導体回路の実施例３を
示す高出力増幅器の構成図である。
示す高出力増幅器の構成図である。
【図４】この発明のマイクロ波半導体回路に設けたリア
クタンス回路の実施例６を示す構成図である。
クタンス回路の実施例６を示す構成図である。
【図５】従来の高効率増幅器を示す構成図である。
１ ＦＥＴ
２ 入力整合回路
３ 出力整合回路
５ コンデンサ
６ リアクタンス回路
７ 入力端子
８ 出力端子
９ 第１の伝送線路
１０ 第２の伝送線路
１１ 抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】 ある長さからなる第１の伝送線路と、上
記第１の伝送線路に対して所定の周波数でほぼ１／２波
長異なる長さを有する第２の伝送線路とを並列に接続し
てなるリアクタンス回路を有することを特徴とするマイ
クロ波半導体回路。 - 【請求項２】 マイクロ波半導体回路に設けた、ある長
さからなる第１の伝送線路と、上記第１の伝送線路に対
して所定の周波数でほぼ１／２波長異なる長さを有する
第２の伝送線路とを並列に接続してなるリアクタンス回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17121091A JPH0522056A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | マイクロ波半導体回路及びリアクタンス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17121091A JPH0522056A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | マイクロ波半導体回路及びリアクタンス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0522056A true JPH0522056A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15919079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17121091A Pending JPH0522056A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | マイクロ波半導体回路及びリアクタンス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0522056A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013081103A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高周波モジュール |
| US20220109430A1 (en) * | 2020-10-01 | 2022-04-07 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Non-Reciprocal Rf-Bandpass Filters |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP17121091A patent/JPH0522056A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013081103A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高周波モジュール |
| US20220109430A1 (en) * | 2020-10-01 | 2022-04-07 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Non-Reciprocal Rf-Bandpass Filters |
| US11621700B2 (en) * | 2020-10-01 | 2023-04-04 | Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Non-reciprocal RF-bandpass filters |
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