JPH0521900A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH0521900A JPH0521900A JP19868691A JP19868691A JPH0521900A JP H0521900 A JPH0521900 A JP H0521900A JP 19868691 A JP19868691 A JP 19868691A JP 19868691 A JP19868691 A JP 19868691A JP H0521900 A JPH0521900 A JP H0521900A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser device
- slope efficiency
- quantum well
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２重量子井戸構造の半導体レーザ素子のスロ
ープ効率を小さくすることにより、半導体レーザ素子を
ＡＰＣフリーで駆動できるようにする。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板２の上にｎ型Ａｌ0.6Ｇａ
0.4Ａｓ下部クラッド層３、ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ
型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ上部クラッド層５、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層６を順次成長させる。活性層４はＳＣＨ−２
重量子井戸構造としている。このチップの上面及び下面
にはｐ側電極８及びｎ側電極９を形成し、前端面及び後
端面（へき開面）にはそれぞれ高反射コート膜１０，１
１を形成する。前面側の高反射コート膜１０は、Ａｌ2
Ｏ3のλ／４膜（λは中心発光波長）からなり、後面側
の高反射コート膜１１は、Ｓｉのλ／４膜からなる。
ープ効率を小さくすることにより、半導体レーザ素子を
ＡＰＣフリーで駆動できるようにする。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板２の上にｎ型Ａｌ0.6Ｇａ
0.4Ａｓ下部クラッド層３、ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ
型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ上部クラッド層５、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層６を順次成長させる。活性層４はＳＣＨ−２
重量子井戸構造としている。このチップの上面及び下面
にはｐ側電極８及びｎ側電極９を形成し、前端面及び後
端面（へき開面）にはそれぞれ高反射コート膜１０，１
１を形成する。前面側の高反射コート膜１０は、Ａｌ2
Ｏ3のλ／４膜（λは中心発光波長）からなり、後面側
の高反射コート膜１１は、Ｓｉのλ／４膜からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ素子に関
する。具体的にいうと、本発明は、オートパワーコント
ロールフリーとした半導体レーザ素子に関する。
する。具体的にいうと、本発明は、オートパワーコント
ロールフリーとした半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ素子（ＬＤ）をオートパワ
ーコントロール（ＡＰＣ）フリー、つまり定電流で駆動
（ＡＣＣ駆動）させるためには、温度変化に対して光出
力の変動を小さくしなくてはならない。そのためには、
しきい値電流Ｉthが低く、スロープ効率Ｓdが低く、特
性温度Ｔoが高くなければならない。
ーコントロール（ＡＰＣ）フリー、つまり定電流で駆動
（ＡＣＣ駆動）させるためには、温度変化に対して光出
力の変動を小さくしなくてはならない。そのためには、
しきい値電流Ｉthが低く、スロープ効率Ｓdが低く、特
性温度Ｔoが高くなければならない。
【０００３】これに対し、従来のダブルヘテロ構造の半
導体レーザ素子（ＤＨ−ＬＤ）にあっては、しきい値電
流Ｉthが高く、特性温度Ｔoが低く、さらに、ＡＣＣ駆
動では温度に対する光出力変動が大きくなるという問題
があった。
導体レーザ素子（ＤＨ−ＬＤ）にあっては、しきい値電
流Ｉthが高く、特性温度Ｔoが低く、さらに、ＡＣＣ駆
動では温度に対する光出力変動が大きくなるという問題
があった。
【０００４】また、例えばApplied Physics Letters V
ol.54、1990（P.1388）で報告されているように、活性
層に２重量子井戸構造を用いれば、１重量子井戸構造や
３重量子井戸構造に比較して、低いしきい値電流Ｉthと
高い特性温度Ｔoを得られるが、スロープ効率Ｓdはダブ
ルヘテロ構造の半導体レーザ素子以上に高くなるという
問題があり、ＡＣＣ駆動に適さなかった。
ol.54、1990（P.1388）で報告されているように、活性
層に２重量子井戸構造を用いれば、１重量子井戸構造や
３重量子井戸構造に比較して、低いしきい値電流Ｉthと
高い特性温度Ｔoを得られるが、スロープ効率Ｓdはダブ
ルヘテロ構造の半導体レーザ素子以上に高くなるという
問題があり、ＡＣＣ駆動に適さなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図７は半導体レーザ素
子の駆動電流Ｉと光出力Ｐfとの関係を示す特性図であ
って、これらの曲線の傾きがスロープ効率Ｓdを表わし
ている。ここで、曲線Ａ１、Ａ２は、スロープ効率Ｓd
が大きな半導体レーザ素子の温度Ｔ１、Ｔ２（Ｔ１＜Ｔ
２）における特性曲線を示し、曲線Ｂ１、Ｂ２は、スロ
ープ効率Ｓdが小さな半導体レーザ素子の同じく温度Ｔ
１、Ｔ２における特性曲線を示している。いま、Ｉcの
駆動電流で両半導体レーザ素子が駆動されているとする
と、スロープ効率Ｓdの大きな半導体レーザ素子では、
温度がＴ１からＴ２まで変化した時、光出力ＰfはΔＰf
１だけ変動する。これに対し、スロープ効率Ｓｄの小さ
な半導体レーザ素子では、温度がＴ１からＴ２まで変化
した時、光出力ＰfはΔＰf２しか変動しない。すなわ
ち、半導体レーザ素子のスロープ効率Ｓdを小さくすれ
ば、同じ温度変化に対する光出力Ｐfの変動を小さくす
ることができる。
子の駆動電流Ｉと光出力Ｐfとの関係を示す特性図であ
って、これらの曲線の傾きがスロープ効率Ｓdを表わし
ている。ここで、曲線Ａ１、Ａ２は、スロープ効率Ｓd
が大きな半導体レーザ素子の温度Ｔ１、Ｔ２（Ｔ１＜Ｔ
２）における特性曲線を示し、曲線Ｂ１、Ｂ２は、スロ
ープ効率Ｓdが小さな半導体レーザ素子の同じく温度Ｔ
１、Ｔ２における特性曲線を示している。いま、Ｉcの
駆動電流で両半導体レーザ素子が駆動されているとする
と、スロープ効率Ｓdの大きな半導体レーザ素子では、
温度がＴ１からＴ２まで変化した時、光出力ＰfはΔＰf
１だけ変動する。これに対し、スロープ効率Ｓｄの小さ
な半導体レーザ素子では、温度がＴ１からＴ２まで変化
した時、光出力ＰfはΔＰf２しか変動しない。すなわ
ち、半導体レーザ素子のスロープ効率Ｓdを小さくすれ
ば、同じ温度変化に対する光出力Ｐfの変動を小さくす
ることができる。
【０００６】したがって、２重量子井戸構造の半導体レ
ーザ素子において、スロープ効率Ｓdを小さくすること
ができれば、しきい値電流Ｉthが小さく、スロープ効率
Ｓdが低く、特性温度Ｔoが高く、その結果、温度変化に
対して光出力の変動の小さな半導体レーザ素子を実現す
ることができる。
ーザ素子において、スロープ効率Ｓdを小さくすること
ができれば、しきい値電流Ｉthが小さく、スロープ効率
Ｓdが低く、特性温度Ｔoが高く、その結果、温度変化に
対して光出力の変動の小さな半導体レーザ素子を実現す
ることができる。
【０００７】本発明は、叙上の従来例の欠点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、２重量子
井戸構造の半導体レーザ素子のスロープ効率を小さくす
ることにより、半導体レーザ素子をＡＰＣフリーで駆動
できるようにすることにある。
されたものであり、その目的とするところは、２重量子
井戸構造の半導体レーザ素子のスロープ効率を小さくす
ることにより、半導体レーザ素子をＡＰＣフリーで駆動
できるようにすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ素子は、活性層に２重量子井戸構造を用いたＡｌＧａ
Ａｓ／ＧａＡｓ系半導体レーザ素子において、素子端面
に高反射コート膜を形成したことを特徴としている。
ザ素子は、活性層に２重量子井戸構造を用いたＡｌＧａ
Ａｓ／ＧａＡｓ系半導体レーザ素子において、素子端面
に高反射コート膜を形成したことを特徴としている。
【０００９】また、この半導体レーザ素子においては、
素子端面に高反射コート膜を形成することにより、スロ
ープ効率を略０.３Ｗ／Ａ以下にすることが好ましい。
素子端面に高反射コート膜を形成することにより、スロ
ープ効率を略０.３Ｗ／Ａ以下にすることが好ましい。
【００１０】
【作用】本発明にあっては、素子端面に高反射コート膜
を形成しているので、２重量子井戸構造のＡｌＧａＡｓ
／ＧａＡｓ系半導体レーザ素子のスロープ効率Ｓdが低
下する。この結果、しきい値電流Ｉthが小さく、特性温
度Ｔoが高く、スロープ効率Ｓdが小さい半導体レーザ素
子を実現でき、温度変化に対する光出力の変動を小さく
することができる。
を形成しているので、２重量子井戸構造のＡｌＧａＡｓ
／ＧａＡｓ系半導体レーザ素子のスロープ効率Ｓdが低
下する。この結果、しきい値電流Ｉthが小さく、特性温
度Ｔoが高く、スロープ効率Ｓdが小さい半導体レーザ素
子を実現でき、温度変化に対する光出力の変動を小さく
することができる。
【００１１】特に、スロープ効率を略０.３Ｗ／Ａ以下
にすることにより、１０ｍＷ駆動時において、１０〜５
０℃の温度変化に対して光出力の変動を±５％以内に抑
えることができた。また、５ｍＷ駆動時には、１０〜５
０℃の温度変化に対して光出力の変動を±１０％以内に
抑えることができた。
にすることにより、１０ｍＷ駆動時において、１０〜５
０℃の温度変化に対して光出力の変動を±５％以内に抑
えることができた。また、５ｍＷ駆動時には、１０〜５
０℃の温度変化に対して光出力の変動を±１０％以内に
抑えることができた。
【００１２】
【実施例】図１及び図２は本発明の一実施例によるＡｌ
ＧａＡｓ／ＧａＡｓ系半導体レーザ素子１を示す斜視図
及びその素子チップ７を示す断面図である。ｎ型ＧａＡ
ｓ基板２の上には、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）
あるいは分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）を用いてｎ
型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ下部クラッド層３、ＡｌＧａＡｓ
活性層４、ｐ型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ上部クラッド層５、
ｐ型ＧａＡｓキャップ層６が順次成長させられ、素子チ
ップ７が形成されている。
ＧａＡｓ／ＧａＡｓ系半導体レーザ素子１を示す斜視図
及びその素子チップ７を示す断面図である。ｎ型ＧａＡ
ｓ基板２の上には、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）
あるいは分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）を用いてｎ
型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ下部クラッド層３、ＡｌＧａＡｓ
活性層４、ｐ型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ上部クラッド層５、
ｐ型ＧａＡｓキャップ層６が順次成長させられ、素子チ
ップ７が形成されている。
【００１３】上記活性層４は、ＳＣＨ（Separate Confi
nement Heterostructure の略）−２重量子井戸構造と
なっている。図３は活性層４及び上下部クラッド層５，
３におけるＡｌ組成を表わしており、縦軸が素子の縦方
向（厚み方向）の距離を示し、横軸が組成をＡｌxＧａ
1-xＡｓと表わした時のＡｌ組成ｘを示している。すな
わち、活性層４は、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなる厚み５
００Åの障壁層４ａ、Ａｌ0.095Ｇａ0.905Ａｓからなる
厚み８０Åの第１の量子井戸層４ｂ、Ａｌ0.3Ｇａ0 .7Ａ
ｓからなる厚み１００Åの障壁層４ｃ、Ａｌ0.095Ｇａ
0.905Ａｓからなる厚み８０Åの第２の量子井戸層４
ｄ、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなる厚み５００Åの障壁層
４ｅから構成されている。活性層４は、このＡｌ組成ｘ
の変化によって２重量子井戸構造を実現されており、活
性層４に光を閉じ込めると共に量子井戸層４ｂ，４ｄに
電子を閉じ込めるようになっている。
nement Heterostructure の略）−２重量子井戸構造と
なっている。図３は活性層４及び上下部クラッド層５，
３におけるＡｌ組成を表わしており、縦軸が素子の縦方
向（厚み方向）の距離を示し、横軸が組成をＡｌxＧａ
1-xＡｓと表わした時のＡｌ組成ｘを示している。すな
わち、活性層４は、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなる厚み５
００Åの障壁層４ａ、Ａｌ0.095Ｇａ0.905Ａｓからなる
厚み８０Åの第１の量子井戸層４ｂ、Ａｌ0.3Ｇａ0 .7Ａ
ｓからなる厚み１００Åの障壁層４ｃ、Ａｌ0.095Ｇａ
0.905Ａｓからなる厚み８０Åの第２の量子井戸層４
ｄ、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓからなる厚み５００Åの障壁層
４ｅから構成されている。活性層４は、このＡｌ組成ｘ
の変化によって２重量子井戸構造を実現されており、活
性層４に光を閉じ込めると共に量子井戸層４ｂ，４ｄに
電子を閉じ込めるようになっている。
【００１４】ついで、素子チップ７の上面及び下面に
は、ｐ側電極８及びｎ側電極９が形成される。さらに、
素子チップ７の前端面及び後端面（へき開面）にはそれ
ぞれ高反射コート膜１０，１１を形成している。
は、ｐ側電極８及びｎ側電極９が形成される。さらに、
素子チップ７の前端面及び後端面（へき開面）にはそれ
ぞれ高反射コート膜１０，１１を形成している。
【００１５】図４は、１０ｍＷ光出力時において前面反
射率Ｒfと後面反射率Ｒrを変化させた時の、スロープ効
率Ｓd（破線）と結晶内部の端面への光出力Ｐ（実線）
の計算結果を示す図である。詳しくいうと、図５に示す
ように、前面反射率Ｒfは前面側の高反射コート膜１０
の反射率、後面反射率Ｒrは後面側の高反射コート膜１
１の反射率を示し、Ｐfは前面側の高反射コート膜１０
を透過して前方へ出射されるレーザ光の光出力（一定値
１０ｍＷ）、Ｐは結晶内部のへき開面に入射する光出力
を表わしている。また、図４の各実線は、前面反射率Ｒ
f及び後面反射率Ｒｒの各値に対する光出力Ｐを示して
おり、各破線は前面反射率Ｒf及び後面反射率Ｒｒの各
値に対するスロープ効率Ｓdの値を示している。なお、
計算では、へき開時のしきい値電流Ｉthを１５ｍＡと
し、スロープ効率Ｓdを０.５３Ｗ／Ａとした。
射率Ｒfと後面反射率Ｒrを変化させた時の、スロープ効
率Ｓd（破線）と結晶内部の端面への光出力Ｐ（実線）
の計算結果を示す図である。詳しくいうと、図５に示す
ように、前面反射率Ｒfは前面側の高反射コート膜１０
の反射率、後面反射率Ｒrは後面側の高反射コート膜１
１の反射率を示し、Ｐfは前面側の高反射コート膜１０
を透過して前方へ出射されるレーザ光の光出力（一定値
１０ｍＷ）、Ｐは結晶内部のへき開面に入射する光出力
を表わしている。また、図４の各実線は、前面反射率Ｒ
f及び後面反射率Ｒｒの各値に対する光出力Ｐを示して
おり、各破線は前面反射率Ｒf及び後面反射率Ｒｒの各
値に対するスロープ効率Ｓdの値を示している。なお、
計算では、へき開時のしきい値電流Ｉthを１５ｍＡと
し、スロープ効率Ｓdを０.５３Ｗ／Ａとした。
【００１６】図４からも明らかなように、前後の高反射
コート膜１０，１１の反射率Ｒf，Ｒrを高くすると、ス
ロープ効率Ｓdが小さくなり、一方、結晶内部の光密度
が大きくなる。したがって、スロープ効率を０.３Ｗ／
Ａ以下にし、結晶内部の光密度をできる限り小さくする
ためには、両高反射コート膜１０，１１の反射率Ｒf，
Ｒrをそれぞれ７０％程度にすればよい。
コート膜１０，１１の反射率Ｒf，Ｒrを高くすると、ス
ロープ効率Ｓdが小さくなり、一方、結晶内部の光密度
が大きくなる。したがって、スロープ効率を０.３Ｗ／
Ａ以下にし、結晶内部の光密度をできる限り小さくする
ためには、両高反射コート膜１０，１１の反射率Ｒf，
Ｒrをそれぞれ７０％程度にすればよい。
【００１７】そこで、本実施例においては、前面側のへ
き開面にＡｌ2Ｏ3のλ／４膜（λは半導体レーザ素子１
の中心発光波長で、λ＝７８０ｎｍ）を電子ビーム蒸着
させて高反射コート膜１０とし、後面側のへき開面にＳ
ｉのλ／４膜を電子ビーム蒸着させて高反射コート膜１
１とし、各高反射コート膜１０，１１の反射率Ｒf，Ｒr
を７５％とした。図６は、このときの半導体レーザ素子
１の駆動電流Ｉ−光出力Ｐfの特性曲線とその周囲温度
依存性を示しており、このときのスロープ効率Ｓdは約
０.３Ｗ／Ａとなっている。この特性曲線より、１０〜
５０℃の温度変化に対する光出力Ｐfの変化は、３５ｍ
Ａ駆動時においては８ｍＷ±０.４ｍＷ（±５％）、２
６ｍＡ駆動時においては５ｍＡ±０.３ｍＡ（±６％）
となっている。また、スロープ効率Ｓdが０.３Ｗ／Ａ以
下では、１０〜５０℃の温度変化に対する光出力Ｐfの
変化は、１０ｍＷ駆動時においては±５％以内に抑える
ことができ、５ｍＷ駆動時には±１０％以内に抑えるこ
とができた。したがって、定電流駆動時において周囲温
度が変化しても、光出力Ｐfの変動が非常に小さいた
め、ＡＰＣフリーでレーザ動作が可能になる。
き開面にＡｌ2Ｏ3のλ／４膜（λは半導体レーザ素子１
の中心発光波長で、λ＝７８０ｎｍ）を電子ビーム蒸着
させて高反射コート膜１０とし、後面側のへき開面にＳ
ｉのλ／４膜を電子ビーム蒸着させて高反射コート膜１
１とし、各高反射コート膜１０，１１の反射率Ｒf，Ｒr
を７５％とした。図６は、このときの半導体レーザ素子
１の駆動電流Ｉ−光出力Ｐfの特性曲線とその周囲温度
依存性を示しており、このときのスロープ効率Ｓdは約
０.３Ｗ／Ａとなっている。この特性曲線より、１０〜
５０℃の温度変化に対する光出力Ｐfの変化は、３５ｍ
Ａ駆動時においては８ｍＷ±０.４ｍＷ（±５％）、２
６ｍＡ駆動時においては５ｍＡ±０.３ｍＡ（±６％）
となっている。また、スロープ効率Ｓdが０.３Ｗ／Ａ以
下では、１０〜５０℃の温度変化に対する光出力Ｐfの
変化は、１０ｍＷ駆動時においては±５％以内に抑える
ことができ、５ｍＷ駆動時には±１０％以内に抑えるこ
とができた。したがって、定電流駆動時において周囲温
度が変化しても、光出力Ｐfの変動が非常に小さいた
め、ＡＰＣフリーでレーザ動作が可能になる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、２重量子井戸構造の半
導体レーザ素子のスロープ効率を小さくすることがで
き、この結果、しきい値電流が小さく、特性温度が高
く、スロープ効率Ｓdが小さい半導体レーザ素子を実現
することができ、温度変化に対する光出力の変動を小さ
くできる。従って、半導体レーザ素子のＡＣＣ駆動時に
おける温度による光出力の変動を極力小さくすることが
でき、ＡＰＣ回路等を不要にできる。
導体レーザ素子のスロープ効率を小さくすることがで
き、この結果、しきい値電流が小さく、特性温度が高
く、スロープ効率Ｓdが小さい半導体レーザ素子を実現
することができ、温度変化に対する光出力の変動を小さ
くできる。従って、半導体レーザ素子のＡＣＣ駆動時に
おける温度による光出力の変動を極力小さくすることが
でき、ＡＰＣ回路等を不要にできる。
【００１９】特に、スロープ効率を略０.３Ｗ／Ａ以下
にすることにより、１０ｍＷ駆動時において、１０〜５
０℃の温度変化に対して光出力の変動を±５％以内に抑
えることができた。また、５ｍＷ駆動時には、１０〜５
０℃の温度変化に対して光出力の変動を±１０％以内に
抑えることができた。
にすることにより、１０ｍＷ駆動時において、１０〜５
０℃の温度変化に対して光出力の変動を±５％以内に抑
えることができた。また、５ｍＷ駆動時には、１０〜５
０℃の温度変化に対して光出力の変動を±１０％以内に
抑えることができた。
【図１】本発明の一実施例による半導体レーザ素子を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】同上の素子チップの断面図である。
【図３】同上の２重量子井戸構造の活性層及びその付近
におけるＡｌ組成の分布を示す図である。
におけるＡｌ組成の分布を示す図である。
【図４】１０ｍＷ光出力時において前面反射率Ｒf及び
後面反射率Ｒrを変化させたときの、スロープ効率Ｓd及
び結晶内部の端面への光出力Ｐの計算結果を示す図であ
る。
後面反射率Ｒrを変化させたときの、スロープ効率Ｓd及
び結晶内部の端面への光出力Ｐの計算結果を示す図であ
る。
【図５】図４の説明図である。
【図６】本発明の半導体レーザ素子による駆動電流−光
出力特性とその周囲温度依存性を示す図である。
出力特性とその周囲温度依存性を示す図である。
【図７】スロープ効率と温度変化に対する光出力の変動
の大きさとの関係を示す図である。
の大きさとの関係を示す図である。
４ 活性層
４ｂ，４ｄ 量子井戸層
１０ 高反射コート膜
１１ 高反射コート膜
Claims (2)
- 【請求項１】 活性層に２重量子井戸構造を用いたＡｌ
ＧａＡｓ／ＧａＡｓ系半導体レーザ素子において、素子
端面に高反射コート膜を形成したことを特徴とする半導
体レーザ素子。 - 【請求項２】 素子端面に高反射コート膜を形成するこ
とにより、スロープ効率を略０.３Ｗ／Ａ以下にしたこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19868691A JPH0521900A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19868691A JPH0521900A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521900A true JPH0521900A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16395364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19868691A Pending JPH0521900A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521900A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6962497B1 (ja) * | 2020-10-13 | 2021-11-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP19868691A patent/JPH0521900A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6962497B1 (ja) * | 2020-10-13 | 2021-11-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| WO2022079808A1 (ja) * | 2020-10-13 | 2022-04-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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