JPH05218534A - ストリップ導波路レーザ - Google Patents
ストリップ導波路レーザInfo
- Publication number
- JPH05218534A JPH05218534A JP4275292A JP27529292A JPH05218534A JP H05218534 A JPH05218534 A JP H05218534A JP 4275292 A JP4275292 A JP 4275292A JP 27529292 A JP27529292 A JP 27529292A JP H05218534 A JPH05218534 A JP H05218534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- strip waveguide
- electrode
- waveguide laser
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/0315—Waveguide lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】レーザのデータを変化させることなくミラーと
ストリップ導波路との間の間隔を小さくしかつミラー上
へのプラズマ放電を防止する。 【構成】逆極性の電極３、４間に少なくとも２つの絶縁
区間が設けられ、絶縁区間の間には導電区間が設けら
れ、絶縁区間がミラー１、２に隣接した導電区間からミ
ラー１、２に至る電圧をプラズマの燃焼電圧以下にする
電圧分割を保証する。これによって、ストリップ導波路
レーザにおいてミラー１、２がプラズマ放電によって傷
付けられるのが防止される。
ストリップ導波路との間の間隔を小さくしかつミラー上
へのプラズマ放電を防止する。 【構成】逆極性の電極３、４間に少なくとも２つの絶縁
区間が設けられ、絶縁区間の間には導電区間が設けら
れ、絶縁区間がミラー１、２に隣接した導電区間からミ
ラー１、２に至る電圧をプラズマの燃焼電圧以下にする
電圧分割を保証する。これによって、ストリップ導波路
レーザにおいてミラー１、２がプラズマ放電によって傷
付けられるのが防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数のミラーがストリ
ップ導波路に隣接し、少なくとも１つの電極と１つの導
電ミラーとの間に絶縁区間が設けられたストリップ導波
路レーザに関する。
ップ導波路に隣接し、少なくとも１つの電極と１つの導
電ミラーとの間に絶縁区間が設けられたストリップ導波
路レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のストリップ導波路レーザはドイ
ツ連邦共和国特許出願公開第４０１０１４７号公報にて
提案されている。ストリップ導波路レーザにおいては出
射損失はミラーとストリップ導波路との間隔が大きくな
ると急速に増大する。それに応じてレーザ出力が低下す
る。他方ではミラー間隔が小さくなると、ミラー上への
プラズマ放電が起こりこれを損傷させるという危険が高
まる。
ツ連邦共和国特許出願公開第４０１０１４７号公報にて
提案されている。ストリップ導波路レーザにおいては出
射損失はミラーとストリップ導波路との間隔が大きくな
ると急速に増大する。それに応じてレーザ出力が低下す
る。他方ではミラー間隔が小さくなると、ミラー上への
プラズマ放電が起こりこれを損傷させるという危険が高
まる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
で述べた種類のレーザにおいて、そのデータを変化させ
ることなくミラーとストリップ導波路との間隔を小さく
し、ミラー上へのプラズマ放電を回避することにある。
で述べた種類のレーザにおいて、そのデータを変化させ
ることなくミラーとストリップ導波路との間隔を小さく
し、ミラー上へのプラズマ放電を回避することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このような課題は、導電
ミラーの領域で逆極性の電極間に少なくとも２つの絶縁
区間が設けられ、絶縁区間の間には導電区間が設けら
れ、絶縁区間がミラーに隣接する導電区間からミラーに
至る電圧をプラズマの燃焼電圧以下に保つ電圧分割を保
証することにより解決される。
ミラーの領域で逆極性の電極間に少なくとも２つの絶縁
区間が設けられ、絶縁区間の間には導電区間が設けら
れ、絶縁区間がミラーに隣接する導電区間からミラーに
至る電圧をプラズマの燃焼電圧以下に保つ電圧分割を保
証することにより解決される。
【０００５】２つの絶縁区間の間の導電材料は、絶縁区
間内の抵抗および絶縁区間に沿う抵抗によってさらに高
周波駆動の際には絶縁区間の容量によっても規定される
電位に調整される。抵抗および容量はミラーと電極との
間に適当なデバイスを配線するかまたは適当な抵抗膜を
設置することによって規定され得る。大抵はしかしなが
ら所望の電圧分割を達成するためにはギャップ幅の寸法
を適当に定めることで充分である。その際ミラーは両電
極から絶縁条帯によって分離するのが有利であり、その
場合電気容量はミラーが電極間に印加された電圧の約半
分の電圧となるように調整される。それにより特に狭い
絶縁条帯を有する対称的な従って特に有利な構成が得ら
れる。このことは１つのミラーと両電極との間に同じ間
隔が設けられ、絶縁条帯が同一の電気定数を持つ誘電体
によって形成される実施態様に対しても特に当てはま
る。
間内の抵抗および絶縁区間に沿う抵抗によってさらに高
周波駆動の際には絶縁区間の容量によっても規定される
電位に調整される。抵抗および容量はミラーと電極との
間に適当なデバイスを配線するかまたは適当な抵抗膜を
設置することによって規定され得る。大抵はしかしなが
ら所望の電圧分割を達成するためにはギャップ幅の寸法
を適当に定めることで充分である。その際ミラーは両電
極から絶縁条帯によって分離するのが有利であり、その
場合電気容量はミラーが電極間に印加された電圧の約半
分の電圧となるように調整される。それにより特に狭い
絶縁条帯を有する対称的な従って特に有利な構成が得ら
れる。このことは１つのミラーと両電極との間に同じ間
隔が設けられ、絶縁条帯が同一の電気定数を持つ誘電体
によって形成される実施態様に対しても特に当てはま
る。
【０００６】他の有利な実施態様によれば、第１電極と
ミラーとの間には間隔が形成されず、第２電極とミラー
との間には第１間隔と補助電極と第２間隔とが設けら
れ、補助電極はミラーの電位と第２電極の電位との間の
電位となる。
ミラーとの間には間隔が形成されず、第２電極とミラー
との間には第１間隔と補助電極と第２間隔とが設けら
れ、補助電極はミラーの電位と第２電極の電位との間の
電位となる。
【０００７】その場合絶縁条帯は特に簡単な実施態様に
おいてはギャップによって形成される。ギャップはしか
しながら絶縁物質、特にセラミックスによって充填する
こともできる。ミラーは耐プラズマ性膜によって覆われ
るのが有利である。耐プラズマ性膜はプラズマからの輻
射もしくは特に強度が高い場合には実際上回避すること
が出来ないプラズマからのイオンによる破壊も防止す
る。
おいてはギャップによって形成される。ギャップはしか
しながら絶縁物質、特にセラミックスによって充填する
こともできる。ミラーは耐プラズマ性膜によって覆われ
るのが有利である。耐プラズマ性膜はプラズマからの輻
射もしくは特に強度が高い場合には実際上回避すること
が出来ないプラズマからのイオンによる破壊も防止す
る。
【０００８】
【実施例】次に本発明を図面に基づいて詳細に説明す
る。本発明は図示された実施例に制限されない。図は本
発明によるストリップ導波路レーザの断面を概略的に示
している。
る。本発明は図示された実施例に制限されない。図は本
発明によるストリップ導波路レーザの断面を概略的に示
している。
【０００９】２つのミラー１、２は電極３、４から絶縁
ギャップ５、６によって分離されている。絶縁ギャップ
５はミラー２が両電極３、４に対してプラズマ燃焼電圧
以下の電位となるのを保証する。２つの絶縁ギャップ５
は同じ幅に形成されており、それゆえミラー２の電位は
両電極３、４の電位の中間となる。ミラー２はさらに耐
プラズマ性膜９によって保護されており、それにより放
電ギャップ７にて作られたプラズマからの輻射もしくは
プラズマからのイオンによるミラーの破壊が防止され
る。
ギャップ５、６によって分離されている。絶縁ギャップ
５はミラー２が両電極３、４に対してプラズマ燃焼電圧
以下の電位となるのを保証する。２つの絶縁ギャップ５
は同じ幅に形成されており、それゆえミラー２の電位は
両電極３、４の電位の中間となる。ミラー２はさらに耐
プラズマ性膜９によって保護されており、それにより放
電ギャップ７にて作られたプラズマからの輻射もしくは
プラズマからのイオンによるミラーの破壊が防止され
る。
【００１０】ミラー１は電極４に直接結合され、その場
合電極４は特にアース電位にある。電極３はミラー１か
ら２つの絶縁ギャップ６によって分離されている。これ
らの絶縁ギャップ６は導電区間としての補助電極８を両
ギャップ間に含んでいる。プラズマ燃焼電圧は電極３と
補助電極８との間の電圧および補助電極８とミラー１と
の間の電圧よりもそれぞれ大きいので、ここでも同様に
ミラー１上へのプラズマアークが防止されている。絶縁
ギャップ５、６も好適には同じ幅に形成されており、そ
れにより補助電極８には電極３、４間に印加された電圧
の半分の電圧が形成される。補助電極８は良好な導波路
特性を有するのが有利である。補助電極８はこの場合に
はストリップ導波路の一部分を形成している。
合電極４は特にアース電位にある。電極３はミラー１か
ら２つの絶縁ギャップ６によって分離されている。これ
らの絶縁ギャップ６は導電区間としての補助電極８を両
ギャップ間に含んでいる。プラズマ燃焼電圧は電極３と
補助電極８との間の電圧および補助電極８とミラー１と
の間の電圧よりもそれぞれ大きいので、ここでも同様に
ミラー１上へのプラズマアークが防止されている。絶縁
ギャップ５、６も好適には同じ幅に形成されており、そ
れにより補助電極８には電極３、４間に印加された電圧
の半分の電圧が形成される。補助電極８は良好な導波路
特性を有するのが有利である。補助電極８はこの場合に
はストリップ導波路の一部分を形成している。
【図１】本発明によるストリップ導波路レーザの概略断
面図である。
面図である。
１、２ ミラー ３、４ 電極 ５、６ 絶縁ギャップ ７ 放電ギャップ ８ 補助電極 ９ 耐プラズマ性膜
Claims (5)
- 【請求項１】 複数のミラーがストリップ導波路に隣接
し、少なくとも１つの電極と１つの導電ミラーとの間に
絶縁区間が設けられたストリップ導波路レーザにおい
て、導電ミラーの領域で逆極性の電極間に少なくとも２
つの絶縁区間が設けられ、絶縁区間の間には導電区間が
設けられ、絶縁区間がミラーに隣接する導電区間からミ
ラーに至る電圧をプラズマの燃焼電圧以下に保つ電圧分
割を保証することを特徴とするストリップ導波路レー
ザ。 - 【請求項２】 ミラーは両電極からそれぞれ１つの絶縁
区間によって分離され、容量はミラーに電極間に印加さ
れた電圧の約半分の電圧が形成されるように調整される
ことを特徴とする請求項１記載のストリップ導波路レー
ザ。 - 【請求項３】 絶縁区間は互いに等しい幅の絶縁ギャッ
プであることを特徴とする請求項２記載のストリップ導
波路レーザ。 - 【請求項４】 第１電極とミラーとの間には間隔が形成
されず、第２電極とミラーとの間には第１間隔と補助電
極と第２間隔とが設けられ、補助電極はミラーの電位と
第２電極の電位との間の電位となることを特徴とする請
求項１記載のストリップ導波路レーザ。 - 【請求項５】 ミラーは耐プラズマ性膜によって覆われ
ることを特徴とする請求項１記載のストリップ導波路レ
ーザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4131623.1 | 1991-09-23 | ||
| DE4131623A DE4131623A1 (de) | 1991-09-23 | 1991-09-23 | Bandleiterlaser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218534A true JPH05218534A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=6441267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4275292A Withdrawn JPH05218534A (ja) | 1991-09-23 | 1992-09-18 | ストリップ導波路レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5293573A (ja) |
| EP (1) | EP0534149B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05218534A (ja) |
| DE (2) | DE4131623A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0585481B1 (de) * | 1992-08-31 | 1996-01-10 | CARL ZEISS JENA GmbH | Bandleiterlaser-Resonator |
| CN105244749A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-01-13 | 成都微深科技有限公司 | 一种具有等电位装置的二氧化碳激光器 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4817107A (en) * | 1983-05-19 | 1989-03-28 | Laser Science, Inc. | Laser plasma chamber |
| US4631732A (en) * | 1984-04-25 | 1986-12-23 | Christensen Clad P | High frequency RF discharge laser |
| US4890294A (en) * | 1987-01-26 | 1989-12-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma apparatus |
| DE3729053A1 (de) * | 1987-08-31 | 1989-03-16 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Hochleistungs-bandleiterlaser |
| EP0315031A1 (de) * | 1987-11-05 | 1989-05-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Laserröhre für polarisierte Strahlung |
| DE3912568A1 (de) * | 1989-04-17 | 1990-10-18 | Siemens Ag | Gas-laser, insbesondere co(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-laser |
| EP0444442A3 (en) * | 1990-03-01 | 1991-11-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Co or co2 waveguide laser |
| DE4010147A1 (de) * | 1990-03-29 | 1991-10-02 | Siemens Ag | Elektrisch angeregter bandleiterlaser |
| DE4010149A1 (de) * | 1990-03-29 | 1991-10-02 | Siemens Ag | Hochfrequenzangeregter bandleiterlaser |
| US5040184A (en) * | 1990-06-04 | 1991-08-13 | Raytheon Company | Starter circuit for an RF laser |
| US5197079A (en) * | 1990-09-26 | 1993-03-23 | Siemens Aktiengesellschaft | High-power stripline laser |
| US5220576A (en) * | 1990-09-26 | 1993-06-15 | Seimans Aktiengesellschaft | Slab or stripline laser |
| EP0523674A1 (de) * | 1991-07-18 | 1993-01-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Slab- oder Bandleiterlaser für hohe Laserleistungen |
-
1991
- 1991-09-23 DE DE4131623A patent/DE4131623A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-08-25 DE DE59201717T patent/DE59201717D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-25 EP EP92114470A patent/EP0534149B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-18 JP JP4275292A patent/JPH05218534A/ja not_active Withdrawn
- 1992-09-23 US US07/950,061 patent/US5293573A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4131623A1 (de) | 1993-03-25 |
| DE59201717D1 (de) | 1995-04-27 |
| US5293573A (en) | 1994-03-08 |
| EP0534149A1 (de) | 1993-03-31 |
| EP0534149B1 (de) | 1995-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |