KR970012899A - 스퍼터내성이 있고,일함수가 낮은 도전성 재료로 코팅된 직류 플라즈마어드레싱구조의 캐소드전극 - Google Patents

스퍼터내성이 있고,일함수가 낮은 도전성 재료로 코팅된 직류 플라즈마어드레싱구조의 캐소드전극 Download PDF

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요시오 단자와
존 에스. 무어
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도날드 이. 케파트
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니혼 고오세이 고무 가부시끼가이샤
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Abstract

전극용 고융점화합물코팅(188)은 스퍼터내성(耐性)이 있고, 일함수가 낮아서, 2차 전자의 양호한 에미터이고, 산화에 내성이 매우 높고, 전기영동(電氣泳動)에 의하여 적용하기에 용이하다. 더욱 상세하게는, 캐소드전극(162)은 플라즈마어드레싱구조(10)에 사용된다. 코팅은 바람직하게는 프릿에 따라서 최소한 하나의 고융점 화합물입자(184)의 전기영동 퇴적에 의하여 형성된다. 이어서, 코팅은 프릿이 융해되도록 베이크되어, 전기영동을 퇴적된 입자를 전극에 접착한다.

Description

스퍼터내성이 있고, 일함수가 낮은 도전성 재료로 코팅된 직류 플라즈마어드레싱구조의 캐소드전극.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래기술의 디스플레이패널의 디스플레이면과, 이에 결합된 본 발명이 채용될 수 있는 플라즈마어드레싱구조의 드라이브회로의 정면도를 나타낸 도면.
제7도는 본 발명에 따라서 전기영동(電氣泳動)을 행하는 PALC 디스플레이의 채널의 확대단면도로서, 명확하게 나타내기 위하여 고융점화합물과 프릿(frit)입자.

Claims (12)

  1. 이온화가능한 가스매체와, 데이터신호를 기억하는 데이터소자와, 캐소드 및 애노드전극을 포함하고, 여기서 캐소드와 애노드전극 사이의 충분히 큰 전위차가 이온화 가스매체를 비이온화 상태로부터 도전성 플라즈마상태로 전이시켜서, 데이터소자를 선택적으로 어드레스하기 위하여 데이터소자의 전기기준 사이의 전기접속을 단속(斷續)하는 어드레싱구조로서, 캐소드는, 캐소드의 길이에 따라서 연장되는 전기적으로 고도전성 재료층과, 캐소드의 길이에 따라서 연장되고, 캐소드의 모든 다른 부분을 코팅하는 최소한 하나의 고융점화합물의 코팅으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 데이터소자의 어드레스하기 위한 어드레싱구조.
  2. 제1항에 있어서, 캐소드는 쉽게 산화되지 않고 전기적으로 도전성인 재료의 가스불투과층을 포함하고 이 층은 전기적으로 고도전성 재료층을 고융점화합물코팅으로 분리하는 것을 특징으로 하는 어드레싱구조.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서, 캐소드는 전기적으로 고도전성 재료층과 고융점화합물코팅을 분리하는 크롬층을 포함하는 것을 특징으로 하는 어드레싱구조.
  4. 상기 청구항 1∼3 중 어느 한 항에 있어서, 고융점화합물코팅은 전기영동(電氣泳動)으로 퇴적된 입자로 구성되는 것을 특징으로 하는 어드레싱구조.
  5. 청구항 4에 있어서, 입자는 용해된 프릿에 의하여 적소에 지지되는 것을 특징으로 하는 어드레싱구조.
  6. 청구항 5에 있어서, 용해된 프릿은 유리로 구성되는 것을 특징으로 하는 어드레싱구조.
  7. 청구항 4에 있어서, 코팅은 회토류 6 붕화물의 군중 최소한 하나의 입자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 어드레싱구조.
  8. 청구항 4에 있어서, 코팅은 Cr3Si 또는 다이아몬드의 입자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 어드레싱구조.
  9. 이온화가능한 가스매체와, 데이터신호를 기억하는 데이터소자와, 캐소드 및 에노드전극을 포함하고, 여기서 캐소드와 에노드전극 사이의 충분히 큰 전위차가 이온화 가스매체를 비이온화 상태로부터 도전성 플리즈마상태로 전이시켜서, 데이터소자를 선택적으로 어드레스하기 위하여 데이터소자의 전기기준 사이의 전기접속을 단속하는 어드레실구조의 제조방법으로서, 주표면중 하나에 일련의 소정 간격의 플라즈마채널을 가지는 전기적으로 비도전성 재료의 플레이트를 배설하고, 각각 하나의 플라즈마채널에 따라서 길이방향으로 도전성 재료의 최소한 하나의 스트라이프를 형성하고, 전기영동을 행하여 최소한 하나의 고융점화합물의 입자를 각 채널의 도전성 재료의 최소한 하나의 스트라이프에 퇴적시키는 것을 특징으로 하는 데이터소자의 어드레스하기 위한 어드레싱구조의 제종방법.
  10. 청구항 9에 있어서, 쉽게 산화되지 않고 전기적으로 도전성인 재료의 가스불투과층이 전기영동을 행하기 전에 도전성 재료의 각 스트라이프 상부에 기밀하게 형성되는 것을 특징으로 하는 어드레싱구조의 제조방법.
  11. 청구항 9에 있어서, 입자는 회토류 6붕화물의 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 어드레싱구조의 제조방법.
  12. 청구항 9에 있어서, 입자는 Cr3Si 또는 다이아몬드의 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 어드레싱구조의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960034437A 1995-08-30 1996-08-20 스퍼터내성이있고,일함수가낮은도전성재료로코팅된직류플라즈마어드레싱구조의캐소드전극 KR100250541B1 (ko)

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