DE4010149A1 - Hochfrequenzangeregter bandleiterlaser - Google Patents
Hochfrequenzangeregter bandleiterlaserInfo
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/0315—Waveguide lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0975—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser using inductive or capacitive excitation
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen hochfrequenzange
regten Bandleiterlaser gemäß dem Oberbegriff des Patentan
spruchs 1. Ein derartiger Laser ist aus der DE-OS 37 29 053
bekannt.
Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegt,
besteht bei einem Laser gemäß dem Oberbegriff in einer Erhö
hung der spezifischen Leistung. Diese Aufgabe wird durch die
kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Bei einem erfindungsgemäßen Laseraufbau können die Elektro
den ohne Isolationsprobleme bis an die Spiegel herangeführt
werden. Dies ergibt eine vollständige Ausnutzung des Entla
dungsraumes.
In einer vorteilhaften Ausführungsform bestehen die Elektro
den und die Spiegel aus Metall, wobei die Spannung im Bereich
der Spiegel unter der Brennspannung des Laserplasmas liegt.
Dadurch werden Überschläge auf die Metallspiegel vermieden,
ohne daß Isolationsstrecken erforderlich wären. Dabei können
sowohl die Spiegel als auch die Elektroden über Kühlkanäle
flüssigkeitsgekühlt werden, wodurch sich eine besonders hohe
Belastbarkeit ergibt. Vorteilhaft werden hohe Anregungsfre
quenzen im Bereich von 70 MHz bis 500 MHz angewendet. Dadurch
ergeben sich ausreichend große plasmafreie Zonen in der Nach
barschaft der Spiegel bei gleichzeitig vorteilhafter Anregung
mit hohem Wirkungsgrad. Die Elektroden können mit vorteilhaft
wellenleitenden Stoffen beschichtet sein.
Ein besonders hoher Wirkungsgrad ist gegeben, indem die An
regungselektroden auch die Wellenleiterflächen bilden und von
einem Spiegel zum anderen reichen. Metallische Wellenleiter
flächen können mit hoher Güte hergestellt werden, und gleich
zeitig wird eine besonders wirkungsvolle Kühlung bis unmit
telbar an den Rand des Plasmas herangeführt.
Die Erfindung wird nun anhand von zwei Figuren näher erläu
tert. Sie ist nicht auf das in den Figuren gezeigte Beispiel
beschränkt.
Fig. 1 zeigt einen erfindungsgemäßen Bandleiterlaser schema
tisch in geschnittener Ansicht,
Fig. 2 zeigt denselben Bandleiterlaser in Draufsicht.
Elektroden 1 und 2 aus Metall erstrecken sich zwischen den
Spiegeln 3 und 4 eines Bandleiterlasers. Im gezeigten Bei
spiel bilden die Spiegel 3 und 4 einen instabilen Resonator.
In Richtung der Spiegelausdehnung ist der Entladungsraum 9
nicht durch Wellenleiterflächen begrenzt. An den Spiegel 3
grenzt ein Strahlaustrittsfenster 5 an.
Die Elektrode 2 ist im gezeigten Beispiel auf Masse geschal
tet, während die Elektrode 1 einen Anschluß 6 für Hochfre
quenz besitzt. Von diesem Anschluß 6 ausgehend ist die Elek
trode 1 mit einer Induktivität 7 und einer Kapazität 8 be
schaltet. Die Induktivität 7 und die Kapazität 8 sind ver
stellbar und so eingestellt, daß sich bei der vorgesehenen
Frequenz eine stehende Welle ausbildet, die in der Nähe der
Spiegel 3 bzw. 4 einen Spannungsknoten besitzt, wobei die
Spannung unter der Zündspannung und im vorliegenden Fall bei
metallischen Spiegeln auch unter der Brennspannung des Plas
mas im Entladungsraum liegt. Dadurch bedingt entstehen in
der Nachbarschaft der Spiegel 3 bzw. 4 plasmafreie Zonen, wo
durch Überschläge vom Plasma auf die Spiegel und eine Schä
digung der Spiegel durch das Plasma vermieden werden. Eine
galvanisch leitfähige Verbindung zwischen den Elektroden und
den Spiegeln stört beim Anlegen von Hochfrequenz nicht und
ergibt vorteilhafte Einkoppelwerte, wenn die Frequenzen im
Bereich von 70 MHz bis 500 MHz gehalten werden.
Sowohl in den Spiegeln als auch in den Elektroden sind Kühl
schlangen 11 bzw. 13 vorgesehen, welche über Anschlußstutzen
10 bzw. 12 mit Kühlmittel versorgt werden. Dadurch wird eine
sehr hohe Leistungsdichte in diesem Laseraufbau ermöglicht.
Claims (4)
1. Hochfrequenzangeregter Slab- oder Bandleiterlaser, welcher
zumindest zwei einander in Bezug auf den Entladungsraum ge
genüberliegende Anregungselektroden besitzt, die an eine
Wellenleiterfläche angrenzen oder die Wellenleiterfläche bil
den, indem Resonatorspiegel unmittelbar an die Wellenleiter
fläche angrenzen und indem der Entladungsraum in Richtung
parallel zu den Anregungselektroden nicht durch Wellenleiter
flächen begrenzt ist, dadurch gekennzeich
net, daß die Elektroden mit Induktivitäten und/oder Kapa
zitäten derart beschaltet sind, daß sich im Entladungsraum
stehende Schwingungen ausbilden, daß in der Nähe der Spiegel
sich Spannungsknoten befinden und daß die Spannung im Bereich
der Spiegel unter der Zündspannung für das Laserplasma liegt.
2. Slab- oder Bandleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Spiegel aus Metall
bestehen und daß die Spannung im Bereich der Spiegel unter
der Brennspannung des Laserplasmas liegt.
3. Slab- oder Bandleiterlaser nach einem der Ansprüche 1
oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
hohe Anregungsfrequenzen im Bereich von 70 MHz bis 500 MHz an
gewendet werden.
4. Slab- oder Bandleiterlaser nach einem der Ansprüche 1 bis
3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Anregungselektroden auch die Wellenleiterflächen bilden und
von einem Spiegel zum anderen reichen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904010149 DE4010149A1 (de) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | Hochfrequenzangeregter bandleiterlaser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904010149 DE4010149A1 (de) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | Hochfrequenzangeregter bandleiterlaser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4010149A1 true DE4010149A1 (de) | 1991-10-02 |
Family
ID=6403352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904010149 Withdrawn DE4010149A1 (de) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | Hochfrequenzangeregter bandleiterlaser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4010149A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7535815B2 (en) | 2002-12-19 | 2009-05-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Disc drive apparatus |
-
1990
- 1990-03-29 DE DE19904010149 patent/DE4010149A1/de not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: CARL ZEISS JENA GMBH, 07745 JENA, DE |
|
8141 | Disposal/no request for examination |